JPS632808A - ペロブスカイト固溶体の易焼結性原料粉末の製造法 - Google Patents
ペロブスカイト固溶体の易焼結性原料粉末の製造法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は圧電体、オプトエレクトロニクス材、誘電体、
半導体、センサー等の機能性セラミックスとして広範囲
に利用されているペロブスカイト型固溶体の製造に係り
、特に上記機能性セラミックスの製造コストの低減化、
高機能化、小型化に好適な易焼結性、高嵩密度で高組成
均−性を有するペロブスカイト固溶体の原料粉末の製造
法に関するものである。
半導体、センサー等の機能性セラミックスとして広範囲
に利用されているペロブスカイト型固溶体の製造に係り
、特に上記機能性セラミックスの製造コストの低減化、
高機能化、小型化に好適な易焼結性、高嵩密度で高組成
均−性を有するペロブスカイト固溶体の原料粉末の製造
法に関するものである。
(従来の技術及び解決しようとする問題点)従来、ペロ
ブスカイト固溶体セラミックスの原料粉末の製造方法と
しては、乾式法と湿式法が知られている。
ブスカイト固溶体セラミックスの原料粉末の製造方法と
しては、乾式法と湿式法が知られている。
乾式法はA成分及びB成分の各化合物を乾式混合後、仮
焼する方法であるが、この方法で製造された粉末を原料
とした焼結体は均一性が悪く、嵩密度も低いという欠点
があった。
焼する方法であるが、この方法で製造された粉末を原料
とした焼結体は均一性が悪く、嵩密度も低いという欠点
があった。
湿式法としては共沈法、多重湿式法などが知られている
。このうち、共沈法はA成分及びB成分化合物の各溶液
を混合し、沈殿形成剤を加えて共沈させ、この沈殿を乾
燥、仮焼する方法である。
。このうち、共沈法はA成分及びB成分化合物の各溶液
を混合し、沈殿形成剤を加えて共沈させ、この沈殿を乾
燥、仮焼する方法である。
また、多重湿式法は、第1段として、A成分及びB成分
のうち一部の化合物の溶液を沈殿或いは共沈させ、第2
段として、得られた沈殿形成液を含むスラリーに残りの
成分の化合物の溶液を沈殿或いは共沈させるという操作
を複数段で行い、得られた沈殿を乾燥、仮焼する方法で
ある。
のうち一部の化合物の溶液を沈殿或いは共沈させ、第2
段として、得られた沈殿形成液を含むスラリーに残りの
成分の化合物の溶液を沈殿或いは共沈させるという操作
を複数段で行い、得られた沈殿を乾燥、仮焼する方法で
ある。
しかし、共沈法、多重湿式法のいずれの方法でも、沈殿
形成は他成分存在下で行われているが、A成分及びB成
分のうち、同一沈殿形成液濃度では100%沈殿しない
ものもあるため、組成ずれの原因となり、工程管理が難
しくなるという欠点があった。
形成は他成分存在下で行われているが、A成分及びB成
分のうち、同一沈殿形成液濃度では100%沈殿しない
ものもあるため、組成ずれの原因となり、工程管理が難
しくなるという欠点があった。
本発明の目的は、従来の湿式法の組成ずれの原因を取り
除き、かつ、湿式法により均一性、易焼結性、高嵩密度
の原料粉末が得られるという利点を活かしたペロブスカ
イト型固溶体の原料粉末の製造法を提供することにある
。
除き、かつ、湿式法により均一性、易焼結性、高嵩密度
の原料粉末が得られるという利点を活かしたペロブスカ
イト型固溶体の原料粉末の製造法を提供することにある
。
(問題点を解決するための手段)
上記目的を達成するため、本発明に係るペロブスカイト
固溶体の易焼結性原料粉末の製造法は、−般式ABO3
(但し、Aは酸素12配位金属元素の1種又は2種以上
を表わし、Bは酸素6配位金厘元素の1種又は2種以上
を表わす、)で表わされるペロブスカイト固溶体の原料
粉末の製造において、A成分化合物及びB成分化合物の
各水溶液又はアルコール溶液につき各々別々に或いは一
部別々に沈殿形成液により沈殿を生成させ、得られたA
成分化合物及びB成分化合物スラリーをpH等の調整後
に混合し1次いで400〜1200’Cで仮焼すること
を特徴とするものである。
固溶体の易焼結性原料粉末の製造法は、−般式ABO3
(但し、Aは酸素12配位金属元素の1種又は2種以上
を表わし、Bは酸素6配位金厘元素の1種又は2種以上
を表わす、)で表わされるペロブスカイト固溶体の原料
粉末の製造において、A成分化合物及びB成分化合物の
各水溶液又はアルコール溶液につき各々別々に或いは一
部別々に沈殿形成液により沈殿を生成させ、得られたA
成分化合物及びB成分化合物スラリーをpH等の調整後
に混合し1次いで400〜1200’Cで仮焼すること
を特徴とするものである。
以下に本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
前記−般式のA成分の酸素12配位金属としては、例え
ば、Pb、Ba、Ca、Sr、La等の希土類元素が挙
げられる。またB成分の酸素6配位金属としては、例え
ば、Ti、Zr、Mg、Sc、Hf、Th、W、Nb、
、Ta、Cr、Mo、Mn、Fe。
ば、Pb、Ba、Ca、Sr、La等の希土類元素が挙
げられる。またB成分の酸素6配位金属としては、例え
ば、Ti、Zr、Mg、Sc、Hf、Th、W、Nb、
、Ta、Cr、Mo、Mn、Fe。
Go、Ni、 Zn、 Cd、 A Q 、 Sn、
As、 Bi等が挙げられる。なお、A成分、B成分以
外に例えば、粒成長抑制剤等の添加物をスラリーとして
混合することも可能である。
As、 Bi等が挙げられる。なお、A成分、B成分以
外に例えば、粒成長抑制剤等の添加物をスラリーとして
混合することも可能である。
A成分及びB成分水溶液又はアルコール溶液をつくる各
成分化合物としては、それらの水酸化物、塩化物、炭酸
塩、硫酸塩、硝酸塩、酢酸塩、ぎ酸塩、しゆう酸塩、酸
化物、全翼などがある。これらが水、アルコールに可溶
でない場合には鉱酸を添加して可溶とすることができる
。
成分化合物としては、それらの水酸化物、塩化物、炭酸
塩、硫酸塩、硝酸塩、酢酸塩、ぎ酸塩、しゆう酸塩、酸
化物、全翼などがある。これらが水、アルコールに可溶
でない場合には鉱酸を添加して可溶とすることができる
。
沈殿形成液としてはアンモニア、水酸化アンモニウム、
炭酸アンモニウム、苛性アルカリ、しゆう酸、尿素液等
の少なくとも1種以上を含む液を用いる。
炭酸アンモニウム、苛性アルカリ、しゆう酸、尿素液等
の少なくとも1種以上を含む液を用いる。
例えば、A成分としてバリウムを含む沈澱を得る場合に
は、バリウム塩として塩化バリウム、硝酸バリウム、酢
酸バリウムなどを使用し、沈澱形成液としてバリウムイ
オンが100%沈澱として得られる沈澱形成液を使用す
る。バリウム塩水溶液中のバリウム濃度は0.1〜1.
0moj2/Qの範囲が望ましく、この濃度より薄いと
扱う溶液量に対して得られる沈澱量が少なくなって工業
的に戴しくなり、また濃すぎると凝集粒ができて易焼結
性の原料粉が得難くなる。沈澱形成液としては、炭酸ア
ンモニウムのみを使用する場合には、過剰量の炭酸アン
モニウムとして0.5mof27n以上でバリウムイオ
ンは100%沈澱として得られる。
は、バリウム塩として塩化バリウム、硝酸バリウム、酢
酸バリウムなどを使用し、沈澱形成液としてバリウムイ
オンが100%沈澱として得られる沈澱形成液を使用す
る。バリウム塩水溶液中のバリウム濃度は0.1〜1.
0moj2/Qの範囲が望ましく、この濃度より薄いと
扱う溶液量に対して得られる沈澱量が少なくなって工業
的に戴しくなり、また濃すぎると凝集粒ができて易焼結
性の原料粉が得難くなる。沈澱形成液としては、炭酸ア
ンモニウムのみを使用する場合には、過剰量の炭酸アン
モニウムとして0.5mof27n以上でバリウムイオ
ンは100%沈澱として得られる。
また沈澱形成液として水酸化アンモニウムと炭酸アンモ
ニウムを併用する場合には、過剰の水酸化アンモニウム
0.1mon/n以上及び炭酸アンモニウム0.05m
oQ/Q以上でバリウムイオンは100%沈澱として得
られる。
ニウムを併用する場合には、過剰の水酸化アンモニウム
0.1mon/n以上及び炭酸アンモニウム0.05m
oQ/Q以上でバリウムイオンは100%沈澱として得
られる。
また例えば、B成分としてチタニウムを含む沈澱を得る
場合には、チタニウム塩として四塩化チタンなどを使用
し、沈澱形成液としてチタニウムイオンが100%沈澱
として得られる沈澱形成液(例、水酸化アンモニウム)
を用いる。チタニウム塩水溶液中のチタニウムの濃度は
、0.1〜1.0mo Q / ftの範囲が望ましく
、この濃度より薄いと扱う溶液量に対して得られる沈澱
量が少なくなって工業的に難しく、また濃すぎると凝集
粒ができて易焼結性の原料粉が得難くなる。
場合には、チタニウム塩として四塩化チタンなどを使用
し、沈澱形成液としてチタニウムイオンが100%沈澱
として得られる沈澱形成液(例、水酸化アンモニウム)
を用いる。チタニウム塩水溶液中のチタニウムの濃度は
、0.1〜1.0mo Q / ftの範囲が望ましく
、この濃度より薄いと扱う溶液量に対して得られる沈澱
量が少なくなって工業的に難しく、また濃すぎると凝集
粒ができて易焼結性の原料粉が得難くなる。
なお、沈殿形成に当たっては、沈殿形成液を構成成分溶
液に添加してもよいし、逆に構成成分溶液を沈殿形成液
に添加してもよい、また、通常、各構成成分液を任意順
序で別々に沈殿させるが、場合により、−部のみを別々
に沈殿させてもよい。
液に添加してもよいし、逆に構成成分溶液を沈殿形成液
に添加してもよい、また、通常、各構成成分液を任意順
序で別々に沈殿させるが、場合により、−部のみを別々
に沈殿させてもよい。
いずれにしても、各成分化合物溶液ははゾ100%に近
い沈殿形成条件で形成される。
い沈殿形成条件で形成される。
このようにして得られた各沈殿物スラリーは、pHの調
整(pHは7.2〜10.5が好ましい)を行った後、
混合される。すなわち、スラリー混合時に各成分の溶出
の最も少ない条件に各溶液を調整するものである。この
ようにスラリー混合時の分散性に適当な条件を与えるこ
とにより、゛各スラリー粒の一次粒レベルでの組成均一
性が得られ、所望する組成が再現性よく得られる。スラ
リー混合には、例えば、ボールミルを使用する。
整(pHは7.2〜10.5が好ましい)を行った後、
混合される。すなわち、スラリー混合時に各成分の溶出
の最も少ない条件に各溶液を調整するものである。この
ようにスラリー混合時の分散性に適当な条件を与えるこ
とにより、゛各スラリー粒の一次粒レベルでの組成均一
性が得られ、所望する組成が再現性よく得られる。スラ
リー混合には、例えば、ボールミルを使用する。
スラリー混合を行った後、洗浄(水洗)し、乾燥。
仮焼する。洗浄剤としては蒸留水でよいが、沈澱形成液
(チタン酸バリウムの場合、炭酸アンモニウム及び水酸
化アンモニウム)を少量含む蒸留水が好ましい、仮焼温
度は、400’C未満では混合粉末の同相反応が不十分
となり、また1200℃を超えると粒が粒大化するので
、400〜1200’C1好ましくは700〜1ooO
℃とする。
(チタン酸バリウムの場合、炭酸アンモニウム及び水酸
化アンモニウム)を少量含む蒸留水が好ましい、仮焼温
度は、400’C未満では混合粉末の同相反応が不十分
となり、また1200℃を超えると粒が粒大化するので
、400〜1200’C1好ましくは700〜1ooO
℃とする。
(実施例)
次に本発明の一実施例を示す。
実施例1
硝酸鉛0 、3 w、o Qを溶かした溶液を0.25
規定アンモニア水に滴下して沈殿を得た。最終pHは9
で、溶出している鉛の量は無視できるほど微量であった
。
規定アンモニア水に滴下して沈殿を得た。最終pHは9
で、溶出している鉛の量は無視できるほど微量であった
。
また、オキシ硝酸ジルコニウム0.156moQを溶か
した溶液を0.25規定アンモニア液に滴下して沈殿を
得た。沈殿形成後、pHを調整して9とした。
した溶液を0.25規定アンモニア液に滴下して沈殿を
得た。沈殿形成後、pHを調整して9とした。
また、四塩化チタン0.144moj2を溶かした溶液
を0.25規定アンモニア液に滴下して沈殿を得た。沈
殿形成後、pHを調整して9とした。
を0.25規定アンモニア液に滴下して沈殿を得た。沈
殿形成後、pHを調整して9とした。
上記各沈殿物は、SEM@察によると粒径約0.01μ
mであった。
mであった。
次いで、上記3種類のスラリーをボールミルにより混合
し、水洗後、乾燥した。得られた粉末を700℃X2h
r、空気中で仮焼した。
し、水洗後、乾燥した。得られた粉末を700℃X2h
r、空気中で仮焼した。
仮焼後得られた粉末は、SEM観祭によると粒径約0.
1μmであった。またEPMAにより組成が均一である
ことが確められ、化学分析の結果、Pb:Zr:Ti=
1:0.52:0.48であった。
1μmであった。またEPMAにより組成が均一である
ことが確められ、化学分析の結果、Pb:Zr:Ti=
1:0.52:0.48であった。
この粉末を2ton/cm”でラバープレス成形後。
1200℃X2hr、PbO雰囲気下で焼成したところ
、嵩密度7.94g/Cm”の高嵩密度焼結体が得られ
た。
、嵩密度7.94g/Cm”の高嵩密度焼結体が得られ
た。
スJ0」影
1.6moQ/Qの炭酸アンモニウム水溶液450mQ
中に0.5mon/12の塩化バリウム水溶液500+
12を攪拌しながら滴下し、バリウムを含む沈澱を得た
。−方、5N−水酸化アンモニラ4610mQ中に0.
!5moQ/Q、の四塩化チタン水溶液500mΩを攪
拌しながら滴下し、チタニウムを含む沈澱を得た。
中に0.5mon/12の塩化バリウム水溶液500+
12を攪拌しながら滴下し、バリウムを含む沈澱を得た
。−方、5N−水酸化アンモニラ4610mQ中に0.
!5moQ/Q、の四塩化チタン水溶液500mΩを攪
拌しながら滴下し、チタニウムを含む沈澱を得た。
得られたそれぞれの沈澱をよく混合し、炭酸アンモニウ
ムと水酸化アンモニウムを少量含む蒸留水で洗浄後、乾
燥し、900’CX2hrの仮焼後、解砕してチタン酸
バリウムの原料粉末を得た。この原料粉末について化学
分析を行った結果、BaとTiの比は1.001 :
0.999であった。
ムと水酸化アンモニウムを少量含む蒸留水で洗浄後、乾
燥し、900’CX2hrの仮焼後、解砕してチタン酸
バリウムの原料粉末を得た。この原料粉末について化学
分析を行った結果、BaとTiの比は1.001 :
0.999であった。
この原料粉末を2ton/aJの静水圧で成形して円板
にし、これを1450℃X4hr、空気中で焼成した。
にし、これを1450℃X4hr、空気中で焼成した。
得られた焼結体は対理論密度で98.2%であった。ま
た、得られた円板状の焼結体の両面に銀ペーストを塗布
し、500℃で30分間焼付けて電極を形成し、コンデ
ンサーとした。これについてIKHz、IVr、m、s
の条件で測定した比誘電率εSは2000であった。
た、得られた円板状の焼結体の両面に銀ペーストを塗布
し、500℃で30分間焼付けて電極を形成し、コンデ
ンサーとした。これについてIKHz、IVr、m、s
の条件で測定した比誘電率εSは2000であった。
比較例
試薬の炭酸バリウム及び酸化チタンをBaとTiの比が
1=1となるように秤量し、ボットミルで24hr混合
したものを900℃X2hr仮焼した。
1=1となるように秤量し、ボットミルで24hr混合
したものを900℃X2hr仮焼した。
これを解砕後、前記実施例と同様に成形、焼成して円板
状の焼結体を得た。得られた焼結体は対理論密度で88
.7%であった。また、前記実施例と同様にコンデンサ
ーを作り、同じ条件で測定した比誘電率εSは1500
であった。
状の焼結体を得た。得られた焼結体は対理論密度で88
.7%であった。また、前記実施例と同様にコンデンサ
ーを作り、同じ条件で測定した比誘電率εSは1500
であった。
(発明の効果)
以上詳述したように、本発明によれば、湿式法の利点で
ある原料粉末の平均粒径の細かさを損なうことがないの
で、易焼結性で高嵩密度の焼結体が得られ、しかもスラ
リー混合時に良好な分散性が確保されるので、組成のコ
ントロールが容易である。また、仮焼温度を低くとるこ
とができるのでコスト低減化が可能となる。したがって
、本発明により得られた焼結体を特に機能性セラミック
スとして用いた場合、高嵩密度1組成の正確さ等のため
、高機能化、小型化を低コストで可能にすることができ
る。
ある原料粉末の平均粒径の細かさを損なうことがないの
で、易焼結性で高嵩密度の焼結体が得られ、しかもスラ
リー混合時に良好な分散性が確保されるので、組成のコ
ントロールが容易である。また、仮焼温度を低くとるこ
とができるのでコスト低減化が可能となる。したがって
、本発明により得られた焼結体を特に機能性セラミック
スとして用いた場合、高嵩密度1組成の正確さ等のため
、高機能化、小型化を低コストで可能にすることができ
る。
特許出願人 昭和電工株式会社
代理人弁理士 中 村 尚
手続補正書(自発)
昭和61年09月19日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式ABO_3 (但し、Aは酸素12配位金属元素の1種又は2種以上
を表わし、Bは酸素6配位金属元素の1種又は2種以上
を表わす。) で表わされるペロブスカイト固溶体の原料粉末の製造に
おいて、A成分化合物及びB成分化合物の各水溶液又は
アルコール溶液につき各々別々に或いは一部別々に沈殿
形成液により沈殿を生成させ、得られたA成分化合物及
びB成分化合物スラリーをpH等の調整後に混合し、次
いで400〜1200℃で仮焼することを特徴とするペ
ロブスカイト固溶体の易焼結性原料粉末の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14651586A JPS632808A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | ペロブスカイト固溶体の易焼結性原料粉末の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14651586A JPS632808A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | ペロブスカイト固溶体の易焼結性原料粉末の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS632808A true JPS632808A (ja) | 1988-01-07 |
Family
ID=15409385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14651586A Pending JPS632808A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | ペロブスカイト固溶体の易焼結性原料粉末の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS632808A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7120978B2 (en) * | 2000-06-21 | 2006-10-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Process of manufacturing a piezoelectric element |
-
1986
- 1986-06-23 JP JP14651586A patent/JPS632808A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7120978B2 (en) * | 2000-06-21 | 2006-10-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Process of manufacturing a piezoelectric element |
US7618131B2 (en) | 2000-06-21 | 2009-11-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Structure of piezoelectric element and liquid discharge recording head, and method of manufacture therefor |
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