JPS6236023A - 易焼結性ペロブスカイトの仮焼粉末の製法 - Google Patents
易焼結性ペロブスカイトの仮焼粉末の製法Info
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- JPS6236023A JPS6236023A JP17181885A JP17181885A JPS6236023A JP S6236023 A JPS6236023 A JP S6236023A JP 17181885 A JP17181885 A JP 17181885A JP 17181885 A JP17181885 A JP 17181885A JP S6236023 A JPS6236023 A JP S6236023A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ペロブスカイト型構造化合物(以下、Rロブ
ヌカイトという)およびその固溶体の原料仮焼粉末の製
法に関するものである。
ヌカイトという)およびその固溶体の原料仮焼粉末の製
法に関するものである。
ペロブスカイト型構造化合物およびその固溶体は、圧電
体、誘電体、半導体センサー、オグトエレクトロニクス
材料等の機能性セラミックスとして広範囲に利用されて
いる。最近はこの機能性セラミックスの高度化が進展し
、その要請に対応できる易焼結性、均一性、高嵩密度で
、且つ低コストのペロブスカイトおよびその固溶体の原
料粉末が多量に効率的に製造できる技術の開発が要望さ
れている。
体、誘電体、半導体センサー、オグトエレクトロニクス
材料等の機能性セラミックスとして広範囲に利用されて
いる。最近はこの機能性セラミックスの高度化が進展し
、その要請に対応できる易焼結性、均一性、高嵩密度で
、且つ低コストのペロブスカイトおよびその固溶体の原
料粉末が多量に効率的に製造できる技術の開発が要望さ
れている。
従来、ペロブスカイトおよびその固溶体の原料仮焼粉末
の製造方法としては、乾式法と湿式法が知られている。
の製造方法としては、乾式法と湿式法が知られている。
乾式法は構成原料成分の化合物を乾式で混合し、これを
仮焼する方法である。しがし、この方法では、均一組成
の原料粉末が得難いため、優れた機能性を持つ被ロブス
カイトおよびその固溶体を得難いし、また焼結性も十分
ではない。
仮焼する方法である。しがし、この方法では、均一組成
の原料粉末が得難いため、優れた機能性を持つ被ロブス
カイトおよびその固溶体を得難いし、また焼結性も十分
ではない。
湿式法はその構成成分のすべてを一緒にした混合溶液を
作シ、これにアルカリ等の沈殿形成液を添加して共沈さ
せ、この共沈物を乾燥、仮焼させる方法(以下共沈法と
言う)である。
作シ、これにアルカリ等の沈殿形成液を添加して共沈さ
せ、この共沈物を乾燥、仮焼させる方法(以下共沈法と
言う)である。
この共沈法によると、均一性の優れた粉末が得易いが、
その均一性なるが故に、沈殿生成時、乾燥時または仮焼
時に粒子が凝結して二次粒子を形成し易く、易焼結性に
なシにくい欠点があった。
その均一性なるが故に、沈殿生成時、乾燥時または仮焼
時に粒子が凝結して二次粒子を形成し易く、易焼結性に
なシにくい欠点があった。
また、共沈法では各成分の該沈殿形成液に対する沈殿形
成能が同じでない場合は、例えば酸成分は100%沈殿
を生成するが、他の成分は全部沈殿を生成し得ないこと
が起り、所望組成となし難いことがある。
成能が同じでない場合は、例えば酸成分は100%沈殿
を生成するが、他の成分は全部沈殿を生成し得ないこと
が起り、所望組成となし難いことがある。
更に、ペロブスカイト機能材料には鉛とチタンおよび/
またはツルコニウムとを同時に含むことが極めて多い。
またはツルコニウムとを同時に含むことが極めて多い。
この様なものを工業的に製造する場合、チタン、ツルコ
ニウム等の原料として安価な塩化物を使用することが望
ましい。しかしこれを共沈法に使用すると、原料の塩化
物の塩素イオンが鉛イオンと反応して白色沈殿を生成す
るため使用し難い。そのため、例えば四塩化チタン(T
1cd4)に代えオキシ硝酸チタン[Ti0(NO3
)2) 、 オキシ塩化ツルコニウム(ZrOC,d
2)に代えてオキシ硝酸ジルコニウム[:ZrO(NO
3)2] を使用すれば、この白色沈殿の生成を防ぐ
ことができるが、それらの硝酸塩は高価であるため、工
業的に製造する場合実用的でない。
ニウム等の原料として安価な塩化物を使用することが望
ましい。しかしこれを共沈法に使用すると、原料の塩化
物の塩素イオンが鉛イオンと反応して白色沈殿を生成す
るため使用し難い。そのため、例えば四塩化チタン(T
1cd4)に代えオキシ硝酸チタン[Ti0(NO3
)2) 、 オキシ塩化ツルコニウム(ZrOC,d
2)に代えてオキシ硝酸ジルコニウム[:ZrO(NO
3)2] を使用すれば、この白色沈殿の生成を防ぐ
ことができるが、それらの硝酸塩は高価であるため、工
業的に製造する場合実用的でない。
また共沈法においては、沈殿物の粒子が微小であシ、そ
の微小粒子に付着した不純物を除去することが難しく、
このため粒子形状の揃った仮焼粉末を得ることが困難で
あった。
の微小粒子に付着した不純物を除去することが難しく、
このため粒子形状の揃った仮焼粉末を得ることが困難で
あった。
本発明は従来の共沈法における欠点をなくすことができ
る方法、さらには、湿式法によって、チタン、ツルコニ
ウム等の原料として安価な塩化物を使用して易焼結性、
均一性、低コスト、高嵩密度の四つの要件を満足したペ
ロブスカイトおよびその固溶体原料粉末を効率よく製造
することができる方法を提供するにある。
る方法、さらには、湿式法によって、チタン、ツルコニ
ウム等の原料として安価な塩化物を使用して易焼結性、
均一性、低コスト、高嵩密度の四つの要件を満足したペ
ロブスカイトおよびその固溶体原料粉末を効率よく製造
することができる方法を提供するにある。
本発明者らは前記目的を達成すべく鋭意研究の結果、本
発明に到った。
発明に到った。
本発明は、一般式ABO3(ただし、Aは酸素12配位
金属元素の1種または2種以上を、Bは酸素6配位金属
元素の1種または2種以上を示す。)で表わされる40
ブス力イト型構造化合物およびその固溶体の原料仮焼粉
末の製造に除し、B成分の金属元素の塩化物の水溶液と
沈殿形成液とにより沈殿を生成し、次いでA成分の金属
元素を含んだ化合物の水溶液を添加して沈殿を生成させ
るか、あるいはB成分とA成分の沈殿の生成を前記と順
序を代えて生成させ、沈殿物を乾燥した後の乾燥粉末中
の塩素含量が、前記一般式ABO3で表わされる40ブ
ス力イト1グラム分子に換算して、0.1グラム原子以
下となるように、沈殿物を洗浄、ろ別、乾燥し、次いで
400〜1000°Gで仮焼することを特徴とする易焼
結性被ロブスカイトの仮焼粉末の製法に関するものであ
る。
金属元素の1種または2種以上を、Bは酸素6配位金属
元素の1種または2種以上を示す。)で表わされる40
ブス力イト型構造化合物およびその固溶体の原料仮焼粉
末の製造に除し、B成分の金属元素の塩化物の水溶液と
沈殿形成液とにより沈殿を生成し、次いでA成分の金属
元素を含んだ化合物の水溶液を添加して沈殿を生成させ
るか、あるいはB成分とA成分の沈殿の生成を前記と順
序を代えて生成させ、沈殿物を乾燥した後の乾燥粉末中
の塩素含量が、前記一般式ABO3で表わされる40ブ
ス力イト1グラム分子に換算して、0.1グラム原子以
下となるように、沈殿物を洗浄、ろ別、乾燥し、次いで
400〜1000°Gで仮焼することを特徴とする易焼
結性被ロブスカイトの仮焼粉末の製法に関するものであ
る。
本発明によると、従来の共沈法における欠点を解消する
ことができる。
ことができる。
前記一般式ABO3のA成分の酸素12配位金属として
は、例えば、Pb、 Ba、 Ca、Sr及びLa 等
の希土類元素が挙げられる。またB成分の酸素6配位金
属元素としては、例えば、Ti、 zr、 yrg、w
、Nb、 Ta、 Cr%Mn、 Fe、 Co、Ni
、 Zn、 Sn等が挙げられる。
は、例えば、Pb、 Ba、 Ca、Sr及びLa 等
の希土類元素が挙げられる。またB成分の酸素6配位金
属元素としては、例えば、Ti、 zr、 yrg、w
、Nb、 Ta、 Cr%Mn、 Fe、 Co、Ni
、 Zn、 Sn等が挙げられる。
ペロブスカイトおよびその固溶体の構成成分であるB成
分の塩化物としては、前記金属元素の塩酸塩、オキシ塩
化物等を挙げることができる。これら塩化物としては、
水に対する溶解性が高い化合物、また価格的に安価な化
合物が好ましい。
分の塩化物としては、前記金属元素の塩酸塩、オキシ塩
化物等を挙げることができる。これら塩化物としては、
水に対する溶解性が高い化合物、また価格的に安価な化
合物が好ましい。
40ブスカイトおよびその固溶体の構成成分であるA成
分化合物の水溶液を調製するための成分化合物としては
、特に限定されないがそれらの水酸化物、炭酸塩、オキ
シ塩、硫酸塩、硝酸塩、塩化物等の無機塩、酢酸塩、し
ゆう酸塩等の有機酸塩、酸化物などがある。これらは一
般に水溶液として使用される。水に可溶でない場合には
酸を添加して可溶させればよい。
分化合物の水溶液を調製するための成分化合物としては
、特に限定されないがそれらの水酸化物、炭酸塩、オキ
シ塩、硫酸塩、硝酸塩、塩化物等の無機塩、酢酸塩、し
ゆう酸塩等の有機酸塩、酸化物などがある。これらは一
般に水溶液として使用される。水に可溶でない場合には
酸を添加して可溶させればよい。
沈殿形成液としては、アンモニア、炭酸アンモニウム、
苛性アルカリ等が挙げられる。
苛性アルカリ等が挙げられる。
構成成分の沈殿を生成するには沈殿形成液を撹拌しなが
ら、沈殿形成液に、各構成成分の水溶液を添加してもよ
く、その反対の順序で添加してもよい。添加に際しては
液を十分に撹拌しながら行うことが好ましい。
ら、沈殿形成液に、各構成成分の水溶液を添加してもよ
く、その反対の順序で添加してもよい。添加に際しては
液を十分に撹拌しながら行うことが好ましい。
また沈殿の生成に際し、例えばB成分の塩化物からの沈
殿を生成した後、以後の工程を妨害する塩素イオンを除
去するために水洗した後、沈殿物金新しい水に分散して
、さらに他成分の水溶液と沈殿形成液を添加して沈殿を
生成してもよい。
殿を生成した後、以後の工程を妨害する塩素イオンを除
去するために水洗した後、沈殿物金新しい水に分散して
、さらに他成分の水溶液と沈殿形成液を添加して沈殿を
生成してもよい。
更にまた、例えばB成分の沈殿を生成した後、沈殿形成
液の種類と濃度を適当に選ぶことによって、A成分の金
属元素を含んだ沈殿を生成してもよい0 本発明において、A成分およびB成分の金属元素を含ん
だ沈殿物は、これを乾燥した後の乾燥粉末中の塩素含有
量が、ペロブスカイト1グラム分子に換算して0.1グ
ラム原子以下になるように、洗浄、ろ別、乾燥すること
が重要である。
液の種類と濃度を適当に選ぶことによって、A成分の金
属元素を含んだ沈殿を生成してもよい0 本発明において、A成分およびB成分の金属元素を含ん
だ沈殿物は、これを乾燥した後の乾燥粉末中の塩素含有
量が、ペロブスカイト1グラム分子に換算して0.1グ
ラム原子以下になるように、洗浄、ろ別、乾燥すること
が重要である。
仮焼前の粉末中の塩素含有量が多すぎると、仮焼粉末の
粒子径が大きく、また粒度分布幅も広くなシ、焼結体に
した場合空孔が多く、密度も低く、圧電、誘電等の特性
も劣ったものになるので、沈殿物は、これを十分に洗浄
、ろ別、乾燥して塩素含有量を前記以下にする必要があ
る。
粒子径が大きく、また粒度分布幅も広くなシ、焼結体に
した場合空孔が多く、密度も低く、圧電、誘電等の特性
も劣ったものになるので、沈殿物は、これを十分に洗浄
、ろ別、乾燥して塩素含有量を前記以下にする必要があ
る。
沈殿物の洗浄には、アンモニア水、アルコール類、水等
が適宜使用されるが、これらのなかでもアンモニア水が
沈殿物中の塩素イオンの除去効率がよく、沈殿物中の塩
素含量を容易に少なくすることができるので好適であシ
、一般にはアンモニア水で塩素イオンを除去した後、水
、アルコール等で洗浄する方法が採用される。また洗浄
操作は特に限定されず、通常の方法を採用することがで
きる。なお洗浄によって沈殿物中の塩素以外の可溶性不
純物や硝酸イオン、アンモニウムイオン等も容易に除去
されるが、特に沈殿物中の塩素含量が多いと沈殿粒子の
凝集性が高く、仮焼前の粉末中の塩素含有量が多くなっ
て、目的とする仮焼粉末を得ることが困難になるので洗
浄で塩素含量を前記以下の量になるようにしておくのが
よい。
が適宜使用されるが、これらのなかでもアンモニア水が
沈殿物中の塩素イオンの除去効率がよく、沈殿物中の塩
素含量を容易に少なくすることができるので好適であシ
、一般にはアンモニア水で塩素イオンを除去した後、水
、アルコール等で洗浄する方法が採用される。また洗浄
操作は特に限定されず、通常の方法を採用することがで
きる。なお洗浄によって沈殿物中の塩素以外の可溶性不
純物や硝酸イオン、アンモニウムイオン等も容易に除去
されるが、特に沈殿物中の塩素含量が多いと沈殿粒子の
凝集性が高く、仮焼前の粉末中の塩素含有量が多くなっ
て、目的とする仮焼粉末を得ることが困難になるので洗
浄で塩素含量を前記以下の量になるようにしておくのが
よい。
洗浄した沈殿物は、これを通常の方法でろ別し、乾燥す
る。乾燥は、大気圧下で行っても減圧下で行ってもよい
。
る。乾燥は、大気圧下で行っても減圧下で行ってもよい
。
仮焼温度としては、過度に低いと沈殿物の脱水、熱分解
が不十分であシ、また過度に高いと粉末が粗大化するの
で、通常、仮焼温度は400〜10000Cの範囲が好
適である。
が不十分であシ、また過度に高いと粉末が粗大化するの
で、通常、仮焼温度は400〜10000Cの範囲が好
適である。
以下に実施例および比較例を示し、さらに詳しく本発明
について説明する。
について説明する。
実施例1
四塩化チタン(B成分) 1.897 Kg、オキシ塩
化ジルコニウム(B成分)3.223Kgを、水100
1中に溶解して、Ti とzr の等モルの混合水
溶液を作った。この溶液を撹拌した6Nアンモニア水1
007中に徐々に滴下して白色のTiとZrの水酸化物
共沈殿を生成させた。この共沈物を5001のINアン
モニア水で洗浄しく第1回目)、再びこの共沈物の分散
液1001に、撹拌を続行しながら、硝酸鉛6.624
Kgを301の水に溶解した溶液を添加して、7.r、
Tiおよびpbの水酸化物の均密沈殿を作った。このス
ラリーを2500gの純水によシ洗浄(第2回目)した
後、ミキサーによって分散処理し、ヌソチェにてろ過し
、箱型乾燥器で乾燥した。
化ジルコニウム(B成分)3.223Kgを、水100
1中に溶解して、Ti とzr の等モルの混合水
溶液を作った。この溶液を撹拌した6Nアンモニア水1
007中に徐々に滴下して白色のTiとZrの水酸化物
共沈殿を生成させた。この共沈物を5001のINアン
モニア水で洗浄しく第1回目)、再びこの共沈物の分散
液1001に、撹拌を続行しながら、硝酸鉛6.624
Kgを301の水に溶解した溶液を添加して、7.r、
Tiおよびpbの水酸化物の均密沈殿を作った。このス
ラリーを2500gの純水によシ洗浄(第2回目)した
後、ミキサーによって分散処理し、ヌソチェにてろ過し
、箱型乾燥器で乾燥した。
この乾燥粉末の塩素含有量を蛍光X想分析法により定量
したところ、生成ペロブスカイト1グラム分子に換算し
て、0.051グラム原子の塩素を含有していた。
したところ、生成ペロブスカイト1グラム分子に換算し
て、0.051グラム原子の塩素を含有していた。
さらにこの乾燥粉末を700°Cで2時間熱処理(仮焼
)して、Pb(Zro、5Tio、5)03 の仮焼
粉末を得た。
)して、Pb(Zro、5Tio、5)03 の仮焼
粉末を得た。
この粉末をエタノール存在下でが一ルミル処理し、その
一部分を走査型電子顕微鏡により粒子を観察したところ
、平均粒子径が帆26μmで、50個の粒子は0.12
〜0,36μmの範囲で、はぼ均−粒子径を有していた
。
一部分を走査型電子顕微鏡により粒子を観察したところ
、平均粒子径が帆26μmで、50個の粒子は0.12
〜0,36μmの範囲で、はぼ均−粒子径を有していた
。
また、上記ビールミル処理後の粉末にポリビニールアル
コール(以下、PVAと略記)を帆8係添加してIL/
crlで成型し、1150℃で鉛雰囲気下で約2時間焼
結した。焼結後の密度は7.96り/ccであった。結
果を第−表に示した。
コール(以下、PVAと略記)を帆8係添加してIL/
crlで成型し、1150℃で鉛雰囲気下で約2時間焼
結した。焼結後の密度は7.96り/ccであった。結
果を第−表に示した。
実施例2
実施例1と同様な方法によシTiとZrの水酸化物共沈
殿を生成させ、この共沈物の洗浄(if回目)を、50
01のINアンモニア水の代シに10001のINアン
モニア水とした以外は、実施例1と同様に行ない、Pb
(Zro、5Tio、s ) 03 の仮焼粉末を得
た。ただし乾燥粉末中の塩素含有量は生成ペロブスカイ
ト1グラム分子に換算して帆023グラム原子であった
。結果を第−表に示した。また、焼結後の結果も併せて
示した。
殿を生成させ、この共沈物の洗浄(if回目)を、50
01のINアンモニア水の代シに10001のINアン
モニア水とした以外は、実施例1と同様に行ない、Pb
(Zro、5Tio、s ) 03 の仮焼粉末を得
た。ただし乾燥粉末中の塩素含有量は生成ペロブスカイ
ト1グラム分子に換算して帆023グラム原子であった
。結果を第−表に示した。また、焼結後の結果も併せて
示した。
実施例3
実施例1と同様な方法によシTiとZrの水酸化物共沈
殿を生成した後、この共沈物の第2回目の洗浄を250
01の純水の代シに、30007?の純水としたほかは
、実施例1と同様な方法にょシPb(zrO15T’t
0.5 ) 03の仮焼粉末を得た。ただし乾燥粉末中
の塩素含有量は生成ペロブスカイト1グラム分子に換算
して0.036グラム原子であった。
殿を生成した後、この共沈物の第2回目の洗浄を250
01の純水の代シに、30007?の純水としたほかは
、実施例1と同様な方法にょシPb(zrO15T’t
0.5 ) 03の仮焼粉末を得た。ただし乾燥粉末中
の塩素含有量は生成ペロブスカイト1グラム分子に換算
して0.036グラム原子であった。
結果を第−表に示した。また焼結後の結果も併せて示し
た。
た。
比較例1
実施例1と同様な方法によシTiとZrの水酸化物共沈
殿を生成した後、この共沈物の洗浄を、500jの純水
で3回(15001) とした以外は、実施例1と同
様に行ない、Pb (zro、s Tio、s ) 0
3の仮焼粉末を得た。結果を第−表に示した。また焼結
後の結果も併せて示した。
殿を生成した後、この共沈物の洗浄を、500jの純水
で3回(15001) とした以外は、実施例1と同
様に行ない、Pb (zro、s Tio、s ) 0
3の仮焼粉末を得た。結果を第−表に示した。また焼結
後の結果も併せて示した。
実施例4
硝酸鉛(Pb(No3)2160.28 F、硝酸ラン
タン(La(No3)3−6 H2O) 7.791
を11に溶解した水溶液を、撹拌した2Nアンモニア水
ll中に滴下して共沈物を作った。この沈殿物を分散し
たs 液全撹拌しつつ、オキシ塩化ノルコニウム(Zr
OCl2・8H20)40.97ノと四塩化チタン(T
iCI14) 13.091を300 ccに溶解した
水溶液t−滴下して、鉛、ランタン、ツルコニウム、チ
タンの水酸化物の均密沈殿を得た。この沈殿を1.5
Nのアンモニア水21で3回洗浄し、ろ別、乾燥した。
タン(La(No3)3−6 H2O) 7.791
を11に溶解した水溶液を、撹拌した2Nアンモニア水
ll中に滴下して共沈物を作った。この沈殿物を分散し
たs 液全撹拌しつつ、オキシ塩化ノルコニウム(Zr
OCl2・8H20)40.97ノと四塩化チタン(T
iCI14) 13.091を300 ccに溶解した
水溶液t−滴下して、鉛、ランタン、ツルコニウム、チ
タンの水酸化物の均密沈殿を得た。この沈殿を1.5
Nのアンモニア水21で3回洗浄し、ろ別、乾燥した。
この乾燥物粉末の塩素の量を蛍光X線分析法で定量した
ところ、生成ペロプヌヵイ)1グラム分子に換算して0
.001グラム原子の塩素であった。
ところ、生成ペロプヌヵイ)1グラム分子に換算して0
.001グラム原子の塩素であった。
さらに、この乾燥粉末を700℃で約2時間熱処理して
、PbO,91Lao、o、(zro、65 Tio、
35 ) 0.977503の組成の粉末を得た。
、PbO,91Lao、o、(zro、65 Tio、
35 ) 0.977503の組成の粉末を得た。
この粉末をエタノール存在下で?−ルミル処理し、その
一部分を走査型電子顕微鏡によυ粒子を観察したところ
、平均粒子径0.101μ。で、50個の粒子は帆01
〜0.151μm の範囲のほぼ均一粒子径を有してい
た。またX線回折法で組成変動を測定した結果、変動が
認められなかった。
一部分を走査型電子顕微鏡によυ粒子を観察したところ
、平均粒子径0.101μ。で、50個の粒子は帆01
〜0.151μm の範囲のほぼ均一粒子径を有してい
た。またX線回折法で組成変動を測定した結果、変動が
認められなかった。
この粉末を1 、5 t/cfIで成型し、酸素ガスと
鉛蒸気の混合雰囲気下で常圧1120°Cで40時間焼
結した。これによシ密度は7.80であシ、透過率73
%C1m厚さ)の透光性PLZTが得られた。
鉛蒸気の混合雰囲気下で常圧1120°Cで40時間焼
結した。これによシ密度は7.80であシ、透過率73
%C1m厚さ)の透光性PLZTが得られた。
本発明の方法によると、従来の共沈法における全成分を
同時に共沈させる方法とは異なυ、B成分の金属元素の
塩化物の水溶液と、A成分の金属元素を含んだ化合物の
水溶液とから逐次に沈殿を生成させ、沈殿物を洗浄し、
ろ別、乾燥後の乾燥粉末中の塩素含量を、生成ABO3
ペロブスカイト1グラム分子に換算して、0.1グラム
原子以下とした後、仮焼するので、沈殿物の二次凝集物
が少なく、仮焼時においても粗大粒子の生成も少なく、
得られた粉末は粒子が揃い;組成的に均一な、易焼結性
、高嵩密度のペロブスカイトおよびその固溶体の仮焼粉
末が効率的に製造できる。
同時に共沈させる方法とは異なυ、B成分の金属元素の
塩化物の水溶液と、A成分の金属元素を含んだ化合物の
水溶液とから逐次に沈殿を生成させ、沈殿物を洗浄し、
ろ別、乾燥後の乾燥粉末中の塩素含量を、生成ABO3
ペロブスカイト1グラム分子に換算して、0.1グラム
原子以下とした後、仮焼するので、沈殿物の二次凝集物
が少なく、仮焼時においても粗大粒子の生成も少なく、
得られた粉末は粒子が揃い;組成的に均一な、易焼結性
、高嵩密度のペロブスカイトおよびその固溶体の仮焼粉
末が効率的に製造できる。
しかも安価な四塩化チタンの如き塩化物を使用すること
ができ、低コストで大量にペロブスカイトの仮焼粉末を
製造することができる。
ができ、低コストで大量にペロブスカイトの仮焼粉末を
製造することができる。
Claims (1)
- 一般式ABO_3(ただし、Aは酸素12配位金属元素
の1種または2種以上を、Bは酸素6配位金属元素の1
種または2種以上を示す。)で表わされるペロブスカイ
ト型構造化合物(以下ペロブスカイトという)およびそ
の固溶体の原料仮焼粉末の製造に際し、B成分の金属元
素の塩化物の水溶液と沈殿形成液とにより沈殿を生成し
、次いでA成分の金属元素を含んだ化合物の水溶液を添
加して沈殿を生成させるか、あるいはB成分とA成分の
沈殿の生成を前記と順序を代えて生成させ、沈殿物を乾
燥した後の乾燥粉末中の塩素含量が、前記一般式ABO
_3で表わされるペロブスカイト1グラム分子に換算し
て、0.1グラム原子以下となるように、沈殿物を洗浄
、ろ別、乾燥し、次いで400〜1000℃で仮焼する
ことを特徴とする易焼結性ペロブスカイトの仮焼粉末の
製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17181885A JPS6236023A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 易焼結性ペロブスカイトの仮焼粉末の製法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP17181885A JPS6236023A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 易焼結性ペロブスカイトの仮焼粉末の製法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6236023A true JPS6236023A (ja) | 1987-02-17 |
Family
ID=15930301
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP17181885A Pending JPS6236023A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 易焼結性ペロブスカイトの仮焼粉末の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPS6236023A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1985
- 1985-08-06 JP JP17181885A patent/JPS6236023A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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