JPS63262849A - プロ−ブカ−ド - Google Patents
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- JPS63262849A JPS63262849A JP9828087A JP9828087A JPS63262849A JP S63262849 A JPS63262849 A JP S63262849A JP 9828087 A JP9828087 A JP 9828087A JP 9828087 A JP9828087 A JP 9828087A JP S63262849 A JPS63262849 A JP S63262849A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
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- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[’M明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、プローブ装置に配置され、半導体ウェハ上に
形成された半導体チップの試験測定等に利用されるプロ
ーブカードに関する。
形成された半導体チップの試験測定等に利用されるプロ
ーブカードに関する。
(従来の技術)
一般に、プローブカードは、プローブ装置に配置され、
半導体ウェハ上に形成された半導体チップの試験測定等
に用いられる。
半導体ウェハ上に形成された半導体チップの試験測定等
に用いられる。
第7図はこのような従来のプローブカードの要部を示す
もので、プリント基板等からなる板状のプローブカード
本体1には、例えば円形の透孔2が形成されている。こ
の透孔2の周囲には、接触端子すなわち多数の探針3が
下方へ向けて斜めに植設されており、この探針3は、プ
ローブカード本体1に形成された導体!fI4を介して
、プローブカード本体1の端部に配設された図示しない
電極に電気的に接続されている。
もので、プリント基板等からなる板状のプローブカード
本体1には、例えば円形の透孔2が形成されている。こ
の透孔2の周囲には、接触端子すなわち多数の探針3が
下方へ向けて斜めに植設されており、この探針3は、プ
ローブカード本体1に形成された導体!fI4を介して
、プローブカード本体1の端部に配設された図示しない
電極に電気的に接続されている。
そして、上記プローブカードは、プローブ装置のインサ
ートリング等に固定され、半導体ウェハ5の電極バンド
6に接触される。この時、電極パ・リトロ表面には、ア
ルミ酸化膜等からなる絶縁膜が形成されていることが多
く、このなめ、例えば半導体ウェハ5を上昇させて、探
針3と電極パッド6とを接触状態とした後、さらに半導
体ウェハ5を上昇させることにより、探針3の先端部を
電極パッド6上で例えば距MSだけスライドさせ、絶縁
膜を破壊して、電気的導通を得る。
ートリング等に固定され、半導体ウェハ5の電極バンド
6に接触される。この時、電極パ・リトロ表面には、ア
ルミ酸化膜等からなる絶縁膜が形成されていることが多
く、このなめ、例えば半導体ウェハ5を上昇させて、探
針3と電極パッド6とを接触状態とした後、さらに半導
体ウェハ5を上昇させることにより、探針3の先端部を
電極パッド6上で例えば距MSだけスライドさせ、絶縁
膜を破壊して、電気的導通を得る。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、上記説明の従来のプローブカードでは、
次のような問題がある。
次のような問題がある。
すなわち、接触端子である探針が半導体チップの電極パ
ッドに接触した後、横方向にスライドするので、電極パ
ッド表面が探針により削られ、大きな傷が形成されて、
ワイヤボンディングが不良となる場合がある。
ッドに接触した後、横方向にスライドするので、電極パ
ッド表面が探針により削られ、大きな傷が形成されて、
ワイヤボンディングが不良となる場合がある。
さらに、接触端子である探針が斜めに配置されているた
め、例えば複数の半導体チップに同時に探針を接触可能
とする等、探針を高密度に配置することが困難である。
め、例えば複数の半導体チップに同時に探針を接触可能
とする等、探針を高密度に配置することが困難である。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、電極パッド表面が接触端子により削られて、この電極
パッド表面に大きな傷が形成されることを防止すること
゛ができ、かつ接触端子を高密度で多数配置することの
できるプローブカードを提供しようとするものである。
、電極パッド表面が接触端子により削られて、この電極
パッド表面に大きな傷が形成されることを防止すること
゛ができ、かつ接触端子を高密度で多数配置することの
できるプローブカードを提供しようとするものである。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
すなわち本発明のプローブカードは、板状のプローブカ
ード本体と、絶縁性基板およびこの絶縁性基板表面の少
なくとも一部に形成された導体層からなり、前記プロー
ブカード本体にほぼ垂直に保持された接触端子ユニット
とを備えたことを0徴とする。
ード本体と、絶縁性基板およびこの絶縁性基板表面の少
なくとも一部に形成された導体層からなり、前記プロー
ブカード本体にほぼ垂直に保持された接触端子ユニット
とを備えたことを0徴とする。
(作 用)
本発明のプローブカードでは、板状のプローブカード本
体に、絶縁性基板およびこの絶縁性基板表面の少なくと
も一部に形成された導体層からなる探針が、はぼ垂直に
保持されている。
体に、絶縁性基板およびこの絶縁性基板表面の少なくと
も一部に形成された導体層からなる探針が、はぼ垂直に
保持されている。
したがって、探針が半導体チップの電極パッドに接触し
た後の横方向へのスライド量を従来に較べて大幅に減少
させることができ、電極パッド表面が探針により削られ
大きな傷が形成されることを防止することができる。ま
た、探針を高密度で多数配置することができ、例えば複
数の半導体チップに同時に探針を接触可能に構成するこ
とができる。
た後の横方向へのスライド量を従来に較べて大幅に減少
させることができ、電極パッド表面が探針により削られ
大きな傷が形成されることを防止することができる。ま
た、探針を高密度で多数配置することができ、例えば複
数の半導体チップに同時に探針を接触可能に構成するこ
とができる。
(実施例)
以下本発明のプローブカードを第1図〜第6図を参照し
て実施例について説明する。
て実施例について説明する。
材質例えば樹脂、セラミックス等からなり、板状に形成
されたプローブカード本体11には、このプローブカー
ド本体11を貫通して複数の接触端子ユニット12が、
はぼ垂直に配置されている。
されたプローブカード本体11には、このプローブカー
ド本体11を貫通して複数の接触端子ユニット12が、
はぼ垂直に配置されている。
この接触端子ユニット12は、例えばフォトリソグラフ
ィーによって成形された水晶基板等からなる絶縁性基板
13と、この絶縁性基板13表面の所望部位に例えばフ
ォトリソグラフィーによって形成された導体パターン1
4とから構成されている。
ィーによって成形された水晶基板等からなる絶縁性基板
13と、この絶縁性基板13表面の所望部位に例えばフ
ォトリソグラフィーによって形成された導体パターン1
4とから構成されている。
上記絶縁性基板13は、第3図に示すように、外形がほ
ぼ逆三角形状とされ、下側端部に櫛歯状の接触端子部1
5が形成されている。そして、この櫛歯状の接触端子部
15に、それぞれ導体パターン14が形成されており、
これらの導体パターン14は、それぞれ上部に向けて徐
々に幅広となるように、帯状に形成されている。また、
接触端子部15の先端部には、第4図に示すように、絶
縁性基板13の反対側へ回り込むように導体パターン1
4が形成されている。
ぼ逆三角形状とされ、下側端部に櫛歯状の接触端子部1
5が形成されている。そして、この櫛歯状の接触端子部
15に、それぞれ導体パターン14が形成されており、
これらの導体パターン14は、それぞれ上部に向けて徐
々に幅広となるように、帯状に形成されている。また、
接触端子部15の先端部には、第4図に示すように、絶
縁性基板13の反対側へ回り込むように導体パターン1
4が形成されている。
なお、上記櫛歯状の接触端子部15は、半導体ウニ八表
面に形成された半導体チップの電極パッドに対応して形
成されている。
面に形成された半導体チップの電極パッドに対応して形
成されている。
また、上記接触端子ユニット12が、プローブカード本
体11上面に突出した部位には、例えば導電性ゴム等か
らなる導体層を備えた接続部材16が配置されている。
体11上面に突出した部位には、例えば導電性ゴム等か
らなる導体層を備えた接続部材16が配置されている。
すなわち、第5図に示すように、接続部材16は、導体
層16aと、絶縁層16bの繰り返しで形成されている
。そして導体パターン14に接触したいくつかの導体槽
16aを通じて、例えばカード本体11に形成された図
示しない導体層を介して、図示しない接続端子に電気的
に接続されている。
層16aと、絶縁層16bの繰り返しで形成されている
。そして導体パターン14に接触したいくつかの導体槽
16aを通じて、例えばカード本体11に形成された図
示しない導体層を介して、図示しない接続端子に電気的
に接続されている。
なお、例えば第6図に示すように、接続部材16の導体
パターン14と接触される面と反対側の面を絶縁層16
bとし、多数の接触端子ユニット12の間に、それぞれ
接続部材16を介在させて一体的に構成することもでき
る。
パターン14と接触される面と反対側の面を絶縁層16
bとし、多数の接触端子ユニット12の間に、それぞれ
接続部材16を介在させて一体的に構成することもでき
る。
さらに、この実施例のプローブカードでは、プローブカ
ード本体11の上部に、例えば圧電素子からなる超音波
振動子17等の振動手段が配置されている。
ード本体11の上部に、例えば圧電素子からなる超音波
振動子17等の振動手段が配置されている。
上記構成のプローブカードは、プローブ装置のインサー
トリング等に固定される。そして、接触端子部15を、
半導体ウェハに形成された半導体チップの電極パッドに
接触させて、半導体チップの試験測定を行う。
トリング等に固定される。そして、接触端子部15を、
半導体ウェハに形成された半導体チップの電極パッドに
接触させて、半導体チップの試験測定を行う。
また、接触端子部15と半導体ウェハの電極パッドとを
接触させた後、電極パッドの表面に形成されたアルミ酸
化膜等からなる絶縁膜を破壊して、電気的な導通を得る
ために、超音波振動子17により接触端子部15を一定
時間振動させる。この振動時間および振動周波数等は、
測定する半導体ウェハの種類等により、適宜選択する。
接触させた後、電極パッドの表面に形成されたアルミ酸
化膜等からなる絶縁膜を破壊して、電気的な導通を得る
ために、超音波振動子17により接触端子部15を一定
時間振動させる。この振動時間および振動周波数等は、
測定する半導体ウェハの種類等により、適宜選択する。
すなわち上述のこの実施例のグローブカードでは、プロ
ーブカード本体11に、接触端子ユニット12が、はぼ
垂直に配置されている。
ーブカード本体11に、接触端子ユニット12が、はぼ
垂直に配置されている。
したがって、接触端子部15が半導体ウェハの電極パッ
ドに接触した後の横方向へのスライド旦を従来に較べて
大幅に減少させることができ、電極パッド表面が削られ
大きな傷が形成されて、ワイヤボンディングが不良とな
ることを防止することができる。
ドに接触した後の横方向へのスライド旦を従来に較べて
大幅に減少させることができ、電極パッド表面が削られ
大きな傷が形成されて、ワイヤボンディングが不良とな
ることを防止することができる。
さらに、接触端子ユニット12および接触端子部15を
高密度で多数配置することができ、複数の半導体チップ
に同時に接触端子部15を接触可能とすることができる
ので、従来に較べて試験測定に要する時間の冠縮を図る
ことができる。
高密度で多数配置することができ、複数の半導体チップ
に同時に接触端子部15を接触可能とすることができる
ので、従来に較べて試験測定に要する時間の冠縮を図る
ことができる。
[発明の効果]
上述のように、本発明のプローブカードでは、電極パッ
ド表面が接触端子により削られて、この電極パッド表面
に大きな傷が形成されることを防止することができ、か
つ接触端子を高密度で多数配置することができる。
ド表面が接触端子により削られて、この電極パッド表面
に大きな傷が形成されることを防止することができ、か
つ接触端子を高密度で多数配置することができる。
第1図は本発明の一実施例のプローブカードの要部を示
す斜視図、第2図は第1図の縦断面図、第3図は接触端
子ユニットを示す正面図、第4図は第3図の要部を示す
縦断面図、第5図は第1図の要部を示す斜視図、第6図
は変形例を示す縦断面図、第7図は従来のプローブカー
ドの要部を示す縦断面図である。 11・・・・・・プローブカード本体、12・・・・・
・接触端子ユニット、13・・・・・・絶縁性基板、1
4・・・・・・導体パターン、15・・・・・・接触端
子部。 出願人 東京エレクトロン株式会社代理人 弁理
士 須 山 佐 − 第5図 第6図
す斜視図、第2図は第1図の縦断面図、第3図は接触端
子ユニットを示す正面図、第4図は第3図の要部を示す
縦断面図、第5図は第1図の要部を示す斜視図、第6図
は変形例を示す縦断面図、第7図は従来のプローブカー
ドの要部を示す縦断面図である。 11・・・・・・プローブカード本体、12・・・・・
・接触端子ユニット、13・・・・・・絶縁性基板、1
4・・・・・・導体パターン、15・・・・・・接触端
子部。 出願人 東京エレクトロン株式会社代理人 弁理
士 須 山 佐 − 第5図 第6図
Claims (3)
- (1)板状のプローブカード本体と、絶縁性基板および
この絶縁性基板表面に形成された導体パターンからなり
、前記プローブカード本体にほぼ垂直に保持された接触
端子ユニットとを備えたことを特徴とするプローブカー
ド。 - (2)前記絶縁性基は、フォトリソグラフィーにより成
形されたものである特許請求の範囲第1項記載のプロー
ブカード。 - (3)前記導体層は、フォトリソグラフィーにより前記
絶縁性基板表面の所望部位に形成されたものである特許
請求の範囲第1項記載のプローブカード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62098280A JPH0740577B2 (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | プロ−ブカ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62098280A JPH0740577B2 (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | プロ−ブカ−ド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63262849A true JPS63262849A (ja) | 1988-10-31 |
JPH0740577B2 JPH0740577B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=14215520
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62098280A Expired - Lifetime JPH0740577B2 (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | プロ−ブカ−ド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0740577B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07201935A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nippon Maikuronikusu:Kk | プローブカード及び検査方法 |
WO2001079865A1 (fr) * | 2000-04-13 | 2001-10-25 | Innotech Corporation | Carte de test et element de test destine a etre utilise dans cette derniere |
JP2011043421A (ja) * | 2009-08-21 | 2011-03-03 | Fujitsu Ltd | プローバー装置及び検査方法 |
CN102981029A (zh) * | 2005-08-03 | 2013-03-20 | 夸利陶公司 | 探针卡和强制空气冷却探针头组件 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5295182A (en) * | 1976-02-06 | 1977-08-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Measurement for high frequency characteristics of transistor wafer |
JPS57204473A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-15 | Maikuro Component Tekunorojii | Electric connector to electric device |
JPS58162045A (ja) * | 1982-03-23 | 1983-09-26 | Telmec Co Ltd | ウエハ−プロ−ビング用探針ユニツトの構造 |
JPS598171U (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-19 | 株式会社アドバンテスト | 電子部品試験装置の端子接続装置 |
JPS6276733A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-08 | テクトロニツクス・インコ−ポレイテツド | ウエハプロ−ブヘツド |
-
1987
- 1987-04-21 JP JP62098280A patent/JPH0740577B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2001079865A1 (fr) * | 2000-04-13 | 2001-10-25 | Innotech Corporation | Carte de test et element de test destine a etre utilise dans cette derniere |
KR100458330B1 (ko) * | 2000-04-13 | 2004-11-26 | 이노텍 가부시기가이샤 | 프로브 카드 장치 및 그것에 사용되는 프로브 |
US6842023B2 (en) | 2000-04-13 | 2005-01-11 | Innotech Corporation | Probe card apparatus and electrical contact probe having curved or sloping blade profile |
CN102981029A (zh) * | 2005-08-03 | 2013-03-20 | 夸利陶公司 | 探针卡和强制空气冷却探针头组件 |
JP2011043421A (ja) * | 2009-08-21 | 2011-03-03 | Fujitsu Ltd | プローバー装置及び検査方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0740577B2 (ja) | 1995-05-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |