JPS6325660B2 - - Google Patents
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- JPS6325660B2 JPS6325660B2 JP60087276A JP8727685A JPS6325660B2 JP S6325660 B2 JPS6325660 B2 JP S6325660B2 JP 60087276 A JP60087276 A JP 60087276A JP 8727685 A JP8727685 A JP 8727685A JP S6325660 B2 JPS6325660 B2 JP S6325660B2
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 32
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims 4
- CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N gallium(3+) Chemical compound [Ga+3] CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 11
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 206010034703 Perseveration Diseases 0.000 description 1
- 206010064127 Solar lentigo Diseases 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 aluminum compound Chemical class 0.000 description 1
- 150000001845 chromium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000005078 molybdenum compound Substances 0.000 description 1
- 150000002752 molybdenum compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/486—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using ion beam radiation
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野と発明の概要〕
本発明はパターン修正装置、特にイオンビーム
を照射して微小な回路パターン例えば半導体素子
を構成する配線パターン等を切断したり、あるい
はイオンビームを照射しつつガスを吹きつけ、新
たな導電性のパターンを生成して電気的な接続を
行うよう構成したパターン修正装置に関するもの
である。
を照射して微小な回路パターン例えば半導体素子
を構成する配線パターン等を切断したり、あるい
はイオンビームを照射しつつガスを吹きつけ、新
たな導電性のパターンを生成して電気的な接続を
行うよう構成したパターン修正装置に関するもの
である。
LSI等の素子を生成した後、所望のブロツク毎
に各種特性を測定する場合等には、各ブロツク毎
に他のブロツクから切り離すように配線を切断す
ることが望まれている。また、個々の素子毎ある
いはブロツク毎に夫々独立した態様で生成して特
性を測定した後、該測定した各素子あるいはブロ
ツクを電気的に接続して総合的なシステム全体と
しての特性を測定したり、あるいは特性の良好な
ものを相互に接続して歩留りを向上させることな
どが望まれている。
に各種特性を測定する場合等には、各ブロツク毎
に他のブロツクから切り離すように配線を切断す
ることが望まれている。また、個々の素子毎ある
いはブロツク毎に夫々独立した態様で生成して特
性を測定した後、該測定した各素子あるいはブロ
ツクを電気的に接続して総合的なシステム全体と
しての特性を測定したり、あるいは特性の良好な
ものを相互に接続して歩留りを向上させることな
どが望まれている。
従来、レーザビームを用いてホトマスク中に余
分にクロムが付着した部分（黒点欠陥）を削除し
たり、あるいはガス雰囲気中でレーザビームを用
いてホトマスク中の欠けた部分（白点欠陥）にク
ロムを付着させたりする装置がある。しかし、該
装置ではサブミクロン程度の配線パターンを直接
に切断したり、あるいはサブミクロン程度の配線
パターンを直接に接続したりすることは、光を用
いている性質上おのずと修正し得る最小寸法に限
界が存在すると共に、例えば透明な膜の削除を行
い難い等という問題点があつた。
分にクロムが付着した部分（黒点欠陥）を削除し
たり、あるいはガス雰囲気中でレーザビームを用
いてホトマスク中の欠けた部分（白点欠陥）にク
ロムを付着させたりする装置がある。しかし、該
装置ではサブミクロン程度の配線パターンを直接
に切断したり、あるいはサブミクロン程度の配線
パターンを直接に接続したりすることは、光を用
いている性質上おのずと修正し得る最小寸法に限
界が存在すると共に、例えば透明な膜の削除を行
い難い等という問題点があつた。
本発明は、前記問題点を解決するために、イオ
ンビームを照射してパターンの切断を行うと共
に、イオンビームを照射しつつガスを吹きつけ、
新たな導電性のパターンを生成して所望のパター
ン間の電気的な接続を行う手段を採用することに
より、微小なパターンの局部的な切断および接続
を可能にしている。
ンビームを照射してパターンの切断を行うと共
に、イオンビームを照射しつつガスを吹きつけ、
新たな導電性のパターンを生成して所望のパター
ン間の電気的な接続を行う手段を採用することに
より、微小なパターンの局部的な切断および接続
を可能にしている。
以下図面を参照しつつ本発明の実施例を詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明の１実施例構成図、第２図およ
び第３図は第１図図示本発明の１実施例構成を用
いた具体的応用例を示す。
び第３図は第１図図示本発明の１実施例構成を用
いた具体的応用例を示す。
図中、１は本発明に係わるパターン修正装置、
２はイオン銃、２−１はイオン源、２−２は電
極、３は偏向電極（DEF）、４は対物レンズ、５
は試料、６は試料台、７は試料移動機構、８は検
出器、９はアシストガスを吹きつけるガス銃、１
０はニードルバルブ、１１はガス源、１２は真空
排気装置、１３−１，１３−３は高電圧発生装
置、１３−２はイオン加速電圧制御部、１３−４
は焦点合せ制御部、１４は走査制御部、１５は信
号増幅処理部、１６は照射位置制御部、１７はス
パツタ／アシスト制御部、１８は試料位置制御
部、１９は真空排気系制御部、２０はアシストガ
ス制御部、２１はデイスプレイ、２２はキ−ボ−
ド、２３はデイスクを表す。
２はイオン銃、２−１はイオン源、２−２は電
極、３は偏向電極（DEF）、４は対物レンズ、５
は試料、６は試料台、７は試料移動機構、８は検
出器、９はアシストガスを吹きつけるガス銃、１
０はニードルバルブ、１１はガス源、１２は真空
排気装置、１３−１，１３−３は高電圧発生装
置、１３−２はイオン加速電圧制御部、１３−４
は焦点合せ制御部、１４は走査制御部、１５は信
号増幅処理部、１６は照射位置制御部、１７はス
パツタ／アシスト制御部、１８は試料位置制御
部、１９は真空排気系制御部、２０はアシストガ
ス制御部、２１はデイスプレイ、２２はキ−ボ−
ド、２３はデイスクを表す。
まず、第１にイオンビームを照射した試料５か
ら放射された荷電粒子例えば２次電子をデイスプ
レイ２１上にSIM像として表示する場合の構成お
よび動作について説明する。
ら放射された荷電粒子例えば２次電子をデイスプ
レイ２１上にSIM像として表示する場合の構成お
よび動作について説明する。
第１図において、図中イオン銃２は軸上に穴を
有し接地された電極２−２に対して、イオン源２
−１例えば先端が鋭利かつガリウムを含むニード
ル型のものに高電圧発生装置１３−１から正の高
電圧＋HV1を印加すると共に当該イオン源２−
１の先端に液体ガリウムが生じる程度に加熱する
ことによつて、ガリウム・イオン・ビームが放射
されるものである。該ガリウム・イオン・ビーム
を加速する加速電圧は、イオン加速電圧制御部１
３−２によつて設定される。放射されたガリウ
ム・イオン・ビームは対物レンズ（OL）４によ
つて試料台６上に取りつけられた試料５上に細く
絞られる（結像される）と共に、偏向電極（Ｘお
よびＹ）３によつて当該試料５上を走査される。
該試料５から放射された例えば２次電子等は検出
器８によつて検出され、信号増幅処理部１５に供
給される。この際、対物レンズ４には、焦点合せ
制御部１３−４からの信号に基づき高電圧発生装
置１３−３によつて発生された高電圧が印加さ
れ、試料５上にガリウム・イオン・ビームが細く
絞られる。そして、信号増幅処理部１５に供給さ
れた信号に対して増幅および処理等が行われ、デ
イスプレイ２１上に例えばSIM像として表示され
る。該表示されるSIM像等の倍率は、走査制御部
１４が偏向電極３に印加する走査信号の大きさに
よつて決定される。また、デイスプレイ２１上で
観察される試料５の位置は、試料位置制御部１８
からの指示によつて試料移動機構７が試料台６を
移動させること、あるいは図示されていない手動
機構を介して試料移動機構７が試料台６を移動さ
せることによつて行われる。更に、パターン修正
装置１を構成する試料室等の内部およびガリウ
ム・イオン・ビームが通過する領域は、真空排気
系制御部１９からの指示に基づき真空排気装置１
２によつて超高真空に排気される。
有し接地された電極２−２に対して、イオン源２
−１例えば先端が鋭利かつガリウムを含むニード
ル型のものに高電圧発生装置１３−１から正の高
電圧＋HV1を印加すると共に当該イオン源２−
１の先端に液体ガリウムが生じる程度に加熱する
ことによつて、ガリウム・イオン・ビームが放射
されるものである。該ガリウム・イオン・ビーム
を加速する加速電圧は、イオン加速電圧制御部１
３−２によつて設定される。放射されたガリウ
ム・イオン・ビームは対物レンズ（OL）４によ
つて試料台６上に取りつけられた試料５上に細く
絞られる（結像される）と共に、偏向電極（Ｘお
よびＹ）３によつて当該試料５上を走査される。
該試料５から放射された例えば２次電子等は検出
器８によつて検出され、信号増幅処理部１５に供
給される。この際、対物レンズ４には、焦点合せ
制御部１３−４からの信号に基づき高電圧発生装
置１３−３によつて発生された高電圧が印加さ
れ、試料５上にガリウム・イオン・ビームが細く
絞られる。そして、信号増幅処理部１５に供給さ
れた信号に対して増幅および処理等が行われ、デ
イスプレイ２１上に例えばSIM像として表示され
る。該表示されるSIM像等の倍率は、走査制御部
１４が偏向電極３に印加する走査信号の大きさに
よつて決定される。また、デイスプレイ２１上で
観察される試料５の位置は、試料位置制御部１８
からの指示によつて試料移動機構７が試料台６を
移動させること、あるいは図示されていない手動
機構を介して試料移動機構７が試料台６を移動さ
せることによつて行われる。更に、パターン修正
装置１を構成する試料室等の内部およびガリウ
ム・イオン・ビームが通過する領域は、真空排気
系制御部１９からの指示に基づき真空排気装置１
２によつて超高真空に排気される。
以上の如き構成および動作によつて試料５の
SIM像を観察することができ、後述するパターン
の切断および接続を行うための位置を決定するこ
とが可能となる。
SIM像を観察することができ、後述するパターン
の切断および接続を行うための位置を決定するこ
とが可能となる。
第２に、パターンをスパツタリングして切断す
る場合の構成および動作について説明する。
る場合の構成および動作について説明する。
既述した如くして切断すべきパターンが当該デ
イスプレイ２１上にSIM像として表示されるよう
に試料台６を移動させ、かつ対物レンズ４の焦点
合わせを行う。この際、試料台６の移動は、予め
LSI等のパターンの位置座標および寸法等をデー
タベースとしてデイスク２３中に格納しておき、
切断すべき位置情報等をキーボード２２からスパ
ツタ／アシスト制御部１７にキー入力して指定す
ることによつて行つてもよいし、あるいは手動に
よつて行つてもよい。そして、デイスプレイ２１
上に表示されたパターン中の切断すべき領域をガ
リウム・イオン・ビームが正確に所定時間走査し
てスパツタリング（切断）するように、キーボー
ド２２からのキー入力に対応してスパツタ／アシ
スト制御部１７が照射位置制御部１６に対して指
令を与える。該指令を受けた照射位置制御部１６
は、走査制御部１４に対して制御信号を送出して
偏向電極３に所定電圧の走査電圧を印加するよう
に制御する。以上の如くして所定時間継続してガ
リウム・イオン・ビームの照射を受けた領域のパ
ターンが除々にイオン・スパツタされ、遂には切
断されることとなる。
イスプレイ２１上にSIM像として表示されるよう
に試料台６を移動させ、かつ対物レンズ４の焦点
合わせを行う。この際、試料台６の移動は、予め
LSI等のパターンの位置座標および寸法等をデー
タベースとしてデイスク２３中に格納しておき、
切断すべき位置情報等をキーボード２２からスパ
ツタ／アシスト制御部１７にキー入力して指定す
ることによつて行つてもよいし、あるいは手動に
よつて行つてもよい。そして、デイスプレイ２１
上に表示されたパターン中の切断すべき領域をガ
リウム・イオン・ビームが正確に所定時間走査し
てスパツタリング（切断）するように、キーボー
ド２２からのキー入力に対応してスパツタ／アシ
スト制御部１７が照射位置制御部１６に対して指
令を与える。該指令を受けた照射位置制御部１６
は、走査制御部１４に対して制御信号を送出して
偏向電極３に所定電圧の走査電圧を印加するよう
に制御する。以上の如くして所定時間継続してガ
リウム・イオン・ビームの照射を受けた領域のパ
ターンが除々にイオン・スパツタされ、遂には切
断されることとなる。
第３に、新たな導電性のパターンを生成する場
合の構成および動作について説明する。
合の構成および動作について説明する。
生成すべき導電性のパターンが位置する領域を
含むSIM像を既述した如くしてデイスプレイ２１
上に表示されるように試料台６を移動させ、かつ
対物レンズ４の焦点合わせを行う。そして、デイ
スク２３に予め格納しておいたパターンの位置座
標および寸法等に関するデータベースに基づいて
新たに生成しようとする導電性のパターンの位置
および寸法等をキーボード２２からスパツタ／ア
シスト制御部１７にキー入力する。そして、デイ
スプレイ２１上に表示された像中に新たに生成す
べきパターンに対応する領域をガリウム・イオ
ン・ビームが正確に所定時間走査するように、ス
パツタ／アシスト制御部１７が照射位置制御部１
６に対して指令を与える。該指令を受けた照射位
置制御部１６は、走査制御部１４に対して制御信
号を送出して偏向電極３に所定電圧の走査電圧を
印加する。更に、第２の場合のスパツタと異な
り、新たな導電性のパターンを生成するために、
スパツタ／アシスト制御部１７はアシストガス制
御部２０に対して指令を発して、ガス源１１を加
熱等して発生させたガス例えばピレン（C16H10）
ガスをニードルバルブ１０を介してガス銃９から
試料５上のガリウム・イオン・ビームが照射され
ている位置に吹きつける。これにより、当該ピレ
ンガスがガリウム・イオン・ビームによつて分解
されて付着力の強い導電性のカーボンとして当該
ガリウム・イオン・ビームを用いて走査した領域
に新たな導電性のパターンとして生成されること
となる。
含むSIM像を既述した如くしてデイスプレイ２１
上に表示されるように試料台６を移動させ、かつ
対物レンズ４の焦点合わせを行う。そして、デイ
スク２３に予め格納しておいたパターンの位置座
標および寸法等に関するデータベースに基づいて
新たに生成しようとする導電性のパターンの位置
および寸法等をキーボード２２からスパツタ／ア
シスト制御部１７にキー入力する。そして、デイ
スプレイ２１上に表示された像中に新たに生成す
べきパターンに対応する領域をガリウム・イオ
ン・ビームが正確に所定時間走査するように、ス
パツタ／アシスト制御部１７が照射位置制御部１
６に対して指令を与える。該指令を受けた照射位
置制御部１６は、走査制御部１４に対して制御信
号を送出して偏向電極３に所定電圧の走査電圧を
印加する。更に、第２の場合のスパツタと異な
り、新たな導電性のパターンを生成するために、
スパツタ／アシスト制御部１７はアシストガス制
御部２０に対して指令を発して、ガス源１１を加
熱等して発生させたガス例えばピレン（C16H10）
ガスをニードルバルブ１０を介してガス銃９から
試料５上のガリウム・イオン・ビームが照射され
ている位置に吹きつける。これにより、当該ピレ
ンガスがガリウム・イオン・ビームによつて分解
されて付着力の強い導電性のカーボンとして当該
ガリウム・イオン・ビームを用いて走査した領域
に新たな導電性のパターンとして生成されること
となる。
尚、ニードルバルブ１０は、ガス源１１からガ
ス銃９に対してアシストガスを供給しない場合
（例えば第１および第２の場合）には、閉状態に
される。また、必要に応じて当該ガスの供給量を
制御するためにも使用されるものである。また、
前記ピレンガスの代わりにモリブデン化合物ガ
ス、アルミニウム化合物ガスあるいはクロム化合
物ガス等をガス銃９からガリウム・イオン・ビー
ムの照射されている位置に吹きつけることによ
り、夫々の導電物質に対応した新たな導電性のパ
ターンを生成してパターン間の電気的な接続をサ
ブミクロン・サイズの寸法で行うことが可能とな
る。
ス銃９に対してアシストガスを供給しない場合
（例えば第１および第２の場合）には、閉状態に
される。また、必要に応じて当該ガスの供給量を
制御するためにも使用されるものである。また、
前記ピレンガスの代わりにモリブデン化合物ガ
ス、アルミニウム化合物ガスあるいはクロム化合
物ガス等をガス銃９からガリウム・イオン・ビー
ムの照射されている位置に吹きつけることによ
り、夫々の導電物質に対応した新たな導電性のパ
ターンを生成してパターン間の電気的な接続をサ
ブミクロン・サイズの寸法で行うことが可能とな
る。
第２図はLSIを構成するパターンを図示を用
いて示す部分で切断したもののSEM像（２次電
子像）を示す。第２図図示LSIは図中斜線で示す
導電性の配線パターンを含み全体が数千オングス
トロームの厚さのパーシベーシヨン膜（保護膜）
によつて覆われており、該パーシベーシヨン膜の
上から電子線を照射して得られた２次電子像
（SEM像）をトレースしたものである。従つて、
図示を用いて示すパターンが切断された部分
は、ガリウム・イオン・ビームを用いてパーシベ
ーシヨン膜をスパツタした後に、当該パターンを
スパツタしたものである。このように、ガリウ
ム・イオン・ビーム等の重イオン・ビームを用い
て試料５をスパツタすることにより、パーシベー
シヨン膜に覆われている微小パターンを容易に切
断することが可能となる。
いて示す部分で切断したもののSEM像（２次電
子像）を示す。第２図図示LSIは図中斜線で示す
導電性の配線パターンを含み全体が数千オングス
トロームの厚さのパーシベーシヨン膜（保護膜）
によつて覆われており、該パーシベーシヨン膜の
上から電子線を照射して得られた２次電子像
（SEM像）をトレースしたものである。従つて、
図示を用いて示すパターンが切断された部分
は、ガリウム・イオン・ビームを用いてパーシベ
ーシヨン膜をスパツタした後に、当該パターンを
スパツタしたものである。このように、ガリウ
ム・イオン・ビーム等の重イオン・ビームを用い
て試料５をスパツタすることにより、パーシベー
シヨン膜に覆われている微小パターンを容易に切
断することが可能となる。
第３図はLSIを構成するパターン間を、図示
ないしを用いて示す如き形状の新たに生成した
導電性のパターンを用いて電気的に接続したもの
のSEM像を示す。図中斜線を用いて示す図示
ないしのパターンは、接続しようとする領域に
対してガリウム・イオン・ビームを照射しつつア
シストガス（例えば既述したピレンガス）を吹き
つけることによつて、当該アシストガスが分解さ
れ、例えば導電性のカーボン膜の態様で生成され
たものである。このように、ガリウム・イオン・
ビーム等の重イオン・ビームを照射しつつアシス
トガスを吹きつけることにより、容易に新たな導
電性の微小パターンを試料５面に生成して電気的
な接続を行うことが可能となる。
ないしを用いて示す如き形状の新たに生成した
導電性のパターンを用いて電気的に接続したもの
のSEM像を示す。図中斜線を用いて示す図示
ないしのパターンは、接続しようとする領域に
対してガリウム・イオン・ビームを照射しつつア
シストガス（例えば既述したピレンガス）を吹き
つけることによつて、当該アシストガスが分解さ
れ、例えば導電性のカーボン膜の態様で生成され
たものである。このように、ガリウム・イオン・
ビーム等の重イオン・ビームを照射しつつアシス
トガスを吹きつけることにより、容易に新たな導
電性の微小パターンを試料５面に生成して電気的
な接続を行うことが可能となる。
以上説明した如く、本発明によれば、イオンビ
ームを照射してパターンの切断を直接に行うと共
に、イオンビームを照射しつつガスを吹きつけ、
新たな導電性のパターンを生成してパターン間の
電気的な接続を直接に行う構成を採用しているた
め、微小なパターンの局部的な切断および電気的
な接続を容易に行うことができる。特に、レーザ
ビーム等の光を用いた場合に生じる限界を超えた
サブミクロン領域においても局部的なパターンの
切断および電気的な接続を行うことが可能とな
る。
ームを照射してパターンの切断を直接に行うと共
に、イオンビームを照射しつつガスを吹きつけ、
新たな導電性のパターンを生成してパターン間の
電気的な接続を直接に行う構成を採用しているた
め、微小なパターンの局部的な切断および電気的
な接続を容易に行うことができる。特に、レーザ
ビーム等の光を用いた場合に生じる限界を超えた
サブミクロン領域においても局部的なパターンの
切断および電気的な接続を行うことが可能とな
る。
第１図は本発明の１実施例構成図、第２図およ
び第３図は第１図図示本発明の１実施例構成を用
いた具体的応用例を示す。 図中、１は本発明に係わるパターン修正装置、
２はイオン銃、２−１はイオン源、２−２は電
極、３は偏向電極（DEF）、４は対物レンズ、５
は試料、６は試料台、７は試料移動機構、８は検
出器、９はアシストガスを吹きつけるガス銃、１
０はニードルバルブ、１１はガス源、１２は真空
排気装置、１３−１，１３−３は高電圧発生装
置、１３−２はイオン加速電圧制御部、１３−４
は焦点合せ制御部、１４は走査制御部、１５は信
号増幅処理部、１６は照射位置制御部、１７はス
パツタ／アシスト制御部、１８は試料位置制御
部、１９は真空排気系制御部、２０はアシストガ
ス制御部、２１はデイスプレイ、２２はキーボー
ド、２３はデイスクを表す。
び第３図は第１図図示本発明の１実施例構成を用
いた具体的応用例を示す。 図中、１は本発明に係わるパターン修正装置、
２はイオン銃、２−１はイオン源、２−２は電
極、３は偏向電極（DEF）、４は対物レンズ、５
は試料、６は試料台、７は試料移動機構、８は検
出器、９はアシストガスを吹きつけるガス銃、１
０はニードルバルブ、１１はガス源、１２は真空
排気装置、１３−１，１３−３は高電圧発生装
置、１３−２はイオン加速電圧制御部、１３−４
は焦点合せ制御部、１４は走査制御部、１５は信
号増幅処理部、１６は照射位置制御部、１７はス
パツタ／アシスト制御部、１８は試料位置制御
部、１９は真空排気系制御部、２０はアシストガ
ス制御部、２１はデイスプレイ、２２はキーボー
ド、２３はデイスクを表す。
Claims (1)
- １ 細く絞られた態様で試料面を照射するイオン
ビームと、該イオンビームを偏向して試料面を走
査する走査手段と、該走査手段を用いてイオンビ
ームを試料面に走査することによつて当該試料か
ら放射あるいは当該試料に吸収される荷電粒子に
関する情報を検出する荷電粒子検出器と、該荷電
粒子検出器を用いて検出された荷電粒子によつて
生成された像を表示する表示装置とを備えたパタ
ーン修正装置において、前記イオンビームによつ
て照射されている試料面にガスを吹きつけるガス
吹きつけ装置を備え、前記表示装置に表示されて
いる情報に基づいて試料面に形成されているパタ
ーンのうち切断しようとする領域に対して前記イ
オンビームを照射してスパツタリングし、当該パ
ターンを切断すると共に、新たに導電性のパター
ンを生成しようとする領域に対して前記イオンビ
ームを照射しつつ前記ガス吹きつけ装置を用いて
ガスを吹きつけ、当該新たな導電性のパターンを
生成して電気的な接続を行うよう構成したことを
特徴とするパターン修正装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8727685A JPS61245164A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | パタ−ン修正装置 |
| EP86303036A EP0199585B1 (en) | 1985-04-23 | 1986-04-22 | Apparatus for depositing electrically conductive and/or electrically insulating material on a workpiece |
| DE8686303036T DE3672378D1 (de) | 1985-04-23 | 1986-04-22 | Vorrichtung zur abscheidung eines elektrisch leitenden und/oder nichtleitenden materials auf einem gegenstand. |
| US07/244,128 US5086230A (en) | 1985-04-23 | 1988-09-14 | Apparatus for forming, correcting pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8727685A JPS61245164A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | パタ−ン修正装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61245164A JPS61245164A (ja) | 1986-10-31 |
| JPS6325660B2 true JPS6325660B2 (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=13910248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8727685A Granted JPS61245164A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | パタ−ン修正装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61245164A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63153841A (ja) * | 1986-12-18 | 1988-06-27 | Agency Of Ind Science & Technol | 高密度線電極の製造方法 |
| JP2544921B2 (ja) * | 1987-03-25 | 1996-10-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の電極形成方法 |
| JPS6435913A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Hitachi Ltd | Method and device for correcting defect of device |
| JP2594972B2 (ja) * | 1987-09-11 | 1997-03-26 | 株式会社日立製作所 | 配線形成方法およびその装置 |
| JP2619435B2 (ja) * | 1987-11-27 | 1997-06-11 | 株式会社日立製作所 | イオンビーム加工方法 |
| JPH0831404B2 (ja) * | 1988-02-24 | 1996-03-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5966124A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-14 | Hitachi Ltd | 表面処理方法および装置 |
| JPS59168652A (ja) * | 1983-03-16 | 1984-09-22 | Hitachi Ltd | 素子修正方法及びその装置 |
| JPS6322577A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-30 | フアルミタリア・カルロ・エルバ・エツセ・ピ−・ア− | ｔ−ブチルエルゴリン誘導体 |
-
1985
- 1985-04-23 JP JP8727685A patent/JPS61245164A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5966124A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-14 | Hitachi Ltd | 表面処理方法および装置 |
| JPS59168652A (ja) * | 1983-03-16 | 1984-09-22 | Hitachi Ltd | 素子修正方法及びその装置 |
| JPS6322577A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-30 | フアルミタリア・カルロ・エルバ・エツセ・ピ−・ア− | ｔ−ブチルエルゴリン誘導体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61245164A (ja) | 1986-10-31 |
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