JP2558614B2 - パターン膜生成方法 - Google Patents
パターン膜生成方法Info
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- JP2558614B2 JP2558614B2 JP6172813A JP17281394A JP2558614B2 JP 2558614 B2 JP2558614 B2 JP 2558614B2 JP 6172813 A JP6172813 A JP 6172813A JP 17281394 A JP17281394 A JP 17281394A JP 2558614 B2 JP2558614 B2 JP 2558614B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパターン生成装置、特に
イオンビームを試料面に照射しつつ導電性の被膜を生成
するガスおよび絶縁性の被膜を生成するガスを順次当該
試料面に吹きつけることによって導電性のパターンと絶
縁性のパターンとを積層する態様で生成するよう構成し
たパターン膜生成方法に関するものである。
イオンビームを試料面に照射しつつ導電性の被膜を生成
するガスおよび絶縁性の被膜を生成するガスを順次当該
試料面に吹きつけることによって導電性のパターンと絶
縁性のパターンとを積層する態様で生成するよう構成し
たパターン膜生成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の素子を製造した後、微小（ミ
クロンオーダ）な配線を跨ぐ態様で他の配線パターンを
相互に電気的に接続する場合には、跨ぐ配線パターン上
に絶縁物の薄膜からなるパターンを生成した後、当該絶
縁物の薄膜パターンの上に導電性の薄膜からなるパター
ンを鎖交する態様で生成して他の配線パターン相互の電
気的な接続を行うことが望まれている。また、シリコン
基板あるいは導電性の薄膜パターンの上に絶縁性の薄膜
パターンを形成し、更に当該絶縁性の薄膜パターンの上
に導電性のパターンを形成することにより、微小な素子
例えばコンデンサ、マイクロ・ストリップラインおよび
誘導体共振器等の素子を任意の場所かつ任意な時に形成
したり、あるいは特性のバラツキを調整当したりするこ
とが望まれている。
クロンオーダ）な配線を跨ぐ態様で他の配線パターンを
相互に電気的に接続する場合には、跨ぐ配線パターン上
に絶縁物の薄膜からなるパターンを生成した後、当該絶
縁物の薄膜パターンの上に導電性の薄膜からなるパター
ンを鎖交する態様で生成して他の配線パターン相互の電
気的な接続を行うことが望まれている。また、シリコン
基板あるいは導電性の薄膜パターンの上に絶縁性の薄膜
パターンを形成し、更に当該絶縁性の薄膜パターンの上
に導電性のパターンを形成することにより、微小な素子
例えばコンデンサ、マイクロ・ストリップラインおよび
誘導体共振器等の素子を任意の場所かつ任意な時に形成
したり、あるいは特性のバラツキを調整当したりするこ
とが望まれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来はＬＳＩ
等の如く一旦パターンの完成したものに対して、あるい
はカスタムＩＣの如く完成後に必要に応じて、前述した
目的等のために導電性のパターンと絶縁性のパターンと
を所望の位置に所望の時に迅速かつ簡単に積層する態様
で、しかも例えばミクロンオーダときにはサブミクロン
オーダの寸法で所定領域に正確に形成し難いという問題
点があった。
等の如く一旦パターンの完成したものに対して、あるい
はカスタムＩＣの如く完成後に必要に応じて、前述した
目的等のために導電性のパターンと絶縁性のパターンと
を所望の位置に所望の時に迅速かつ簡単に積層する態様
で、しかも例えばミクロンオーダときにはサブミクロン
オーダの寸法で所定領域に正確に形成し難いという問題
点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、表面上に配線
パターンを有する試料表面の前記配線パターンと少なく
とも交差する第一の所定領域に、細く絞ったイオンビー
ムを走査させながら照射すると同時に、前記試料の第一
の所定領域に向けて、前記イオンビーム照射により試料
表面のイオンビーム照射領域に絶縁性膜を形成する第一
の有機化合物ガスを第一のノズルより吹きつけ、そし
て、前記配線パターンと異なり、前記配線の両側に前記
試料に形成されている２つの配線パターンを含み、且つ
表面に前記絶縁性膜が形成された第一の所定領域の前記
配線パターンを跨ぐ第二の所定領域に、細く絞ったイオ
ンビームを走査させながら照射すると同時に、前記試料
の第二の所定領域に向けて、前記イオンビーム照射によ
り試料表面のイオンビーム照射領域に導電性膜を形成す
る第二の有機化合物ガスを第二のノズルより吹きつける
ことにより、試料表面に新たな配線を形成するパターン
膜生成方法である。
パターンを有する試料表面の前記配線パターンと少なく
とも交差する第一の所定領域に、細く絞ったイオンビー
ムを走査させながら照射すると同時に、前記試料の第一
の所定領域に向けて、前記イオンビーム照射により試料
表面のイオンビーム照射領域に絶縁性膜を形成する第一
の有機化合物ガスを第一のノズルより吹きつけ、そし
て、前記配線パターンと異なり、前記配線の両側に前記
試料に形成されている２つの配線パターンを含み、且つ
表面に前記絶縁性膜が形成された第一の所定領域の前記
配線パターンを跨ぐ第二の所定領域に、細く絞ったイオ
ンビームを走査させながら照射すると同時に、前記試料
の第二の所定領域に向けて、前記イオンビーム照射によ
り試料表面のイオンビーム照射領域に導電性膜を形成す
る第二の有機化合物ガスを第二のノズルより吹きつける
ことにより、試料表面に新たな配線を形成するパターン
膜生成方法である。
【０００５】
【作用】本発明は、前記問題点を解決するために、イオ
ンビームを試料面に照射しつつ導電性の被膜を生成する
ガスおよび絶縁性の被膜を生成するガスを順次当該試料
面に吹きつける手段を採用することにより、微小な導電
性のパターンと絶縁性のパターンとを積層したものを容
易かつ迅速に生成し得るようにしている。
ンビームを試料面に照射しつつ導電性の被膜を生成する
ガスおよび絶縁性の被膜を生成するガスを順次当該試料
面に吹きつける手段を採用することにより、微小な導電
性のパターンと絶縁性のパターンとを積層したものを容
易かつ迅速に生成し得るようにしている。
【０００６】
【実施例】以下図面を参照しつつ本発明の実施例を詳細
に説明する。図１は本発明を実施する装置の構成図、図
２は図１図中本発明の１実施例構成を用いた具体的応用
例を示す。
に説明する。図１は本発明を実施する装置の構成図、図
２は図１図中本発明の１実施例構成を用いた具体的応用
例を示す。
【０００７】図中、１は本発明に係わるパターン生成装
置、２はイオン銃、２−１はイオン源、２−２は電極、
３は偏向電極（ＤＥＦ）、４は対物レンズ、５は試料、
６は試料台、７は試料移動機構、８は検出器、９はアシ
ストガスを吹きつけるガス銃、１０はニードルバルブ、
１１はガス源、１２は真空排気装置、１３−１、１３−
３は高電圧発生装置、１３−２はイオン加速電圧制御
部、１３−４は焦点合せ制御部、１４は走査制御部、１
５は信号増幅処理部、１６は照射位置制御部、１７はス
パッタ／アシスト制御部、１８は試料位置制御部、１９
は真空排気系制御部、２０はアシストガス制御部、２１
はディスプレイ、２２はキーボード、２３はディスクを
表す。
置、２はイオン銃、２−１はイオン源、２−２は電極、
３は偏向電極（ＤＥＦ）、４は対物レンズ、５は試料、
６は試料台、７は試料移動機構、８は検出器、９はアシ
ストガスを吹きつけるガス銃、１０はニードルバルブ、
１１はガス源、１２は真空排気装置、１３−１、１３−
３は高電圧発生装置、１３−２はイオン加速電圧制御
部、１３−４は焦点合せ制御部、１４は走査制御部、１
５は信号増幅処理部、１６は照射位置制御部、１７はス
パッタ／アシスト制御部、１８は試料位置制御部、１９
は真空排気系制御部、２０はアシストガス制御部、２１
はディスプレイ、２２はキーボード、２３はディスクを
表す。
【０００８】まず、第１に、イオンビームを照射した試
料から放射された荷電粒子例えば２次電子をディスプレ
イ２１上にＳＩＭ像として表示する場合の構成および動
作について説明する。図１において、図中イオン銃２は
軸上に穴を有し接地された電極２−２に対して、イオン
源２−１例えば先端が鋭利かつガリウムを含むニードル
型のものに正の高電圧＋ＨＶ1 を高電圧発生装置１３−
１から印加すると共に当該イオン源２−１の先端に液体
ガリウムが生じる程度に加熱することによって、ガリウ
ム・イオン・ビームが放射されるものである。該ガリウ
ム・イオン・ビームを加速する加速電圧は、イオン加速
電圧制御部１３−２によって設定される。放射されたガ
リウム・イオン・ビームは対物レンズ（ＯＬ）４によっ
て試料台６上に取りつけされた試料５上に細く絞られる
（結像される）と共に、偏向電極（ＸおよびＹ）３によ
って当該試料５上を走査される。該試料５から放射され
た例えば２次電子等は検出器８によって検出され、信号
増幅処理部１５に供給される。この際、対物レンズ４に
は、焦点合せ制御部１３−４からの信号に基づき高電圧
発生装置１３−３によって発生された高電圧が印可さ
れ、試料５上にガリウム・イオン・ビームが細く絞られ
る。そして、信号増幅処理部１５に供給された信号に対
して増幅および処理行われ、ディスプレイ２１上に例え
ばＳＩＭ像として表示される。該表示されるＳＩＭ像の
倍率は、走査制御部１４が偏向電極３に印加する走査信
号の大きさによって決定される。また、ディスプレイ２
１上で観察される試料５の位置は、試料位置制御部１８
からの指示によって試料移動機構７が試料台６を移動さ
せること、あるいは図示されていない手動機構を介して
試料移動機構７が試料台６を移動させることによって行
われる。更に、パターン生成装置１を構成する試料室等
の内部およびガリウム・イオン・ビームが通過する領域
は、真空制御部１９からの指示に基づき真空排気装置１
２によって超真空に排気される。
料から放射された荷電粒子例えば２次電子をディスプレ
イ２１上にＳＩＭ像として表示する場合の構成および動
作について説明する。図１において、図中イオン銃２は
軸上に穴を有し接地された電極２−２に対して、イオン
源２−１例えば先端が鋭利かつガリウムを含むニードル
型のものに正の高電圧＋ＨＶ1 を高電圧発生装置１３−
１から印加すると共に当該イオン源２−１の先端に液体
ガリウムが生じる程度に加熱することによって、ガリウ
ム・イオン・ビームが放射されるものである。該ガリウ
ム・イオン・ビームを加速する加速電圧は、イオン加速
電圧制御部１３−２によって設定される。放射されたガ
リウム・イオン・ビームは対物レンズ（ＯＬ）４によっ
て試料台６上に取りつけされた試料５上に細く絞られる
（結像される）と共に、偏向電極（ＸおよびＹ）３によ
って当該試料５上を走査される。該試料５から放射され
た例えば２次電子等は検出器８によって検出され、信号
増幅処理部１５に供給される。この際、対物レンズ４に
は、焦点合せ制御部１３−４からの信号に基づき高電圧
発生装置１３−３によって発生された高電圧が印可さ
れ、試料５上にガリウム・イオン・ビームが細く絞られ
る。そして、信号増幅処理部１５に供給された信号に対
して増幅および処理行われ、ディスプレイ２１上に例え
ばＳＩＭ像として表示される。該表示されるＳＩＭ像の
倍率は、走査制御部１４が偏向電極３に印加する走査信
号の大きさによって決定される。また、ディスプレイ２
１上で観察される試料５の位置は、試料位置制御部１８
からの指示によって試料移動機構７が試料台６を移動さ
せること、あるいは図示されていない手動機構を介して
試料移動機構７が試料台６を移動させることによって行
われる。更に、パターン生成装置１を構成する試料室等
の内部およびガリウム・イオン・ビームが通過する領域
は、真空制御部１９からの指示に基づき真空排気装置１
２によって超真空に排気される。
【０００９】以上の如き構成および動作によって試料５
のＳＩＭ像を観測することができ、後述する導電性のパ
ターンと絶縁性のパターンとを積層する場合に必要な位
置を正確に決定することが可能となる。第２に新たな導
電性のパターンと新たな絶縁性のパターンとを積層する
態様で生成する場合の構成および動作について説明す
る。
のＳＩＭ像を観測することができ、後述する導電性のパ
ターンと絶縁性のパターンとを積層する場合に必要な位
置を正確に決定することが可能となる。第２に新たな導
電性のパターンと新たな絶縁性のパターンとを積層する
態様で生成する場合の構成および動作について説明す
る。
【００１０】既述した如くして新たに生成すべきパター
ンを含む領域が当該ディスプレイ２１上にＳＩＭ像とし
て表示されるよう試料台６を移動させ、かつ対物レンズ
４の焦点合せを行う。この際、試料台６の移動は、試料
５である例えばＬＳＩ等上のパターンの位置座標等の情
報を予めデータベースとしてディスク２３中に格納して
おき、キーボード２２から新たなパターンを生成すべき
位置情報および寸法等をスパッタ／アシスト制御部１７
にキー入力して指定することによって行ってもよいし、
あるいは手動によって行ってもよい。
ンを含む領域が当該ディスプレイ２１上にＳＩＭ像とし
て表示されるよう試料台６を移動させ、かつ対物レンズ
４の焦点合せを行う。この際、試料台６の移動は、試料
５である例えばＬＳＩ等上のパターンの位置座標等の情
報を予めデータベースとしてディスク２３中に格納して
おき、キーボード２２から新たなパターンを生成すべき
位置情報および寸法等をスパッタ／アシスト制御部１７
にキー入力して指定することによって行ってもよいし、
あるいは手動によって行ってもよい。
【００１１】次に、ディスプレイ２１上に表示されたパ
ターン中に新たなパターンを生成すべき領域がガリウム
・イオン・ビームによって正確に所定時間走査されるよ
うに、キーボード２２からスパッタ／アシスト制御部１
７に対してキー入力する。キー入力を行うことによって
当該スパッタ／アシスト制御部１７は照射位置制御部１
６に対して指令を与える。該指令を受けた照射位置制御
部１６は、走査制御部１４に対して制御信号を送出して
偏向電極３に所定電圧の走査電圧を印可する。
ターン中に新たなパターンを生成すべき領域がガリウム
・イオン・ビームによって正確に所定時間走査されるよ
うに、キーボード２２からスパッタ／アシスト制御部１
７に対してキー入力する。キー入力を行うことによって
当該スパッタ／アシスト制御部１７は照射位置制御部１
６に対して指令を与える。該指令を受けた照射位置制御
部１６は、走査制御部１４に対して制御信号を送出して
偏向電極３に所定電圧の走査電圧を印可する。
【００１２】更に、新たな導通性のパターンあるいは新
たな絶縁性のパターンを生成するために、スパッタ／ア
シスト制御部１７はアシストガス制御部２０に対して指
令を発して、ガス源１１を加熱して発生させたガス例え
ば導電性の薄膜を生成させるための第二の有機化合物ガ
スとしてピレン（Ｃ16Ｈ10）ガスを、第二のニードルバ
ルブ１０を介してガス銃９を構成する複数のノズルのう
ちの第二のノズルから試料５の上のガリウム・イオン・
ビームが照射されている位置に吹きつける。これによ
り、ガリウム・イオン・ビーム用いてピレンガスを分解
した付着力の強い導電性のカーボン膜が当該ガリウム・
イオン・ビーム用いて走査した領域に生成されることと
なる。同様に第一の有機化合物ガスとしてシラン系ガス
例えばＳｉＨ4 −ＮＨ3 ガスをガス銃９を構成する第一
のノズルからガリウム・イオン・ビームが照射されてい
る試料５面に吹きつけることにより、絶縁性の酸化シリ
コン（ＳｉＯ2 ）膜が当該ガリウム・イオン・ビーム用
いて走査した領域に生成されることとなる。
たな絶縁性のパターンを生成するために、スパッタ／ア
シスト制御部１７はアシストガス制御部２０に対して指
令を発して、ガス源１１を加熱して発生させたガス例え
ば導電性の薄膜を生成させるための第二の有機化合物ガ
スとしてピレン（Ｃ16Ｈ10）ガスを、第二のニードルバ
ルブ１０を介してガス銃９を構成する複数のノズルのう
ちの第二のノズルから試料５の上のガリウム・イオン・
ビームが照射されている位置に吹きつける。これによ
り、ガリウム・イオン・ビーム用いてピレンガスを分解
した付着力の強い導電性のカーボン膜が当該ガリウム・
イオン・ビーム用いて走査した領域に生成されることと
なる。同様に第一の有機化合物ガスとしてシラン系ガス
例えばＳｉＨ4 −ＮＨ3 ガスをガス銃９を構成する第一
のノズルからガリウム・イオン・ビームが照射されてい
る試料５面に吹きつけることにより、絶縁性の酸化シリ
コン（ＳｉＯ2 ）膜が当該ガリウム・イオン・ビーム用
いて走査した領域に生成されることとなる。
【００１３】以上の如くして導電性のパターンと絶縁性
のパターンとを積層する態様で順次生成することが可能
となる。尚、ガス銃９を構成する第一、第二を含む複数
のノズルに対して夫々設けられた第一、第二その他のニ
ードルバルブ１０（図中では１個しか示してなく他は省
略してある）は、夫々のガス源１１からガス銃９を構成
する複数のノズルに対してアシストガスを夫々供給しな
い場合には、閉状態にされる。一般に導電性のパターン
を生成する場合には、既述した如く例えばピレンガスの
みを供給するようにガス源１１を加熱等すると共に当該
ガス源１１によって発生させたガスをガス銃９を構成す
る所定の第二のノズルからガリウム・イオン・ビームが
照射されている試料５面に吹きつけている。この際、試
料５面にガスを吹きつけるために、所定の第二のニード
ルバルブ１０例えば１個のみを開状態に制御する。ま
た、当該ニードルバルブ１０は必要に応じてガスの供給
量を制御するためにも使用し得るものである。また、導
電性のパターンを生成するガスとして、第二の有機化合
物ガスとして前記ピレンガスの代わりにモリブデン化合
物ガス、アルミニウム化合物ガスあるいはクロム化合物
ガス等の金属有機化合物ガスをガス銃９を構成する所定
の第二のノズルからガリウム・イオン・ビームが照射さ
れている位置に吹きつけることにより、主々の導電性物
質に対応した新たな導電性のパターンをサブミクロン・
サイズの寸法で生成することが可能となる。そして、当
該導電性のパターンと絶縁性のパターンとを積層する態
様で順次積層することにより、既述したコンデンサ、マ
イクロ、ストリップ・ライン等の素子を任意の場所に任
意の時に任意の大きさで生成することが可能となる。
のパターンとを積層する態様で順次生成することが可能
となる。尚、ガス銃９を構成する第一、第二を含む複数
のノズルに対して夫々設けられた第一、第二その他のニ
ードルバルブ１０（図中では１個しか示してなく他は省
略してある）は、夫々のガス源１１からガス銃９を構成
する複数のノズルに対してアシストガスを夫々供給しな
い場合には、閉状態にされる。一般に導電性のパターン
を生成する場合には、既述した如く例えばピレンガスの
みを供給するようにガス源１１を加熱等すると共に当該
ガス源１１によって発生させたガスをガス銃９を構成す
る所定の第二のノズルからガリウム・イオン・ビームが
照射されている試料５面に吹きつけている。この際、試
料５面にガスを吹きつけるために、所定の第二のニード
ルバルブ１０例えば１個のみを開状態に制御する。ま
た、当該ニードルバルブ１０は必要に応じてガスの供給
量を制御するためにも使用し得るものである。また、導
電性のパターンを生成するガスとして、第二の有機化合
物ガスとして前記ピレンガスの代わりにモリブデン化合
物ガス、アルミニウム化合物ガスあるいはクロム化合物
ガス等の金属有機化合物ガスをガス銃９を構成する所定
の第二のノズルからガリウム・イオン・ビームが照射さ
れている位置に吹きつけることにより、主々の導電性物
質に対応した新たな導電性のパターンをサブミクロン・
サイズの寸法で生成することが可能となる。そして、当
該導電性のパターンと絶縁性のパターンとを積層する態
様で順次積層することにより、既述したコンデンサ、マ
イクロ、ストリップ・ライン等の素子を任意の場所に任
意の時に任意の大きさで生成することが可能となる。
【００１４】図２を用いて導電性のパターンと絶縁性の
パターンとを積層する場合の動作を詳細に説明する。図
２はＬＳＩを構成する配線パターンＡを跨ぐ態様で、他
の配線パターンＢ1と配線パターンＢ2 とを電機的に接
続する場合の絶縁性のパターンＣと導電性のパターンＤ
とを生成する例を示す。
パターンとを積層する場合の動作を詳細に説明する。図
２はＬＳＩを構成する配線パターンＡを跨ぐ態様で、他
の配線パターンＢ1と配線パターンＢ2 とを電機的に接
続する場合の絶縁性のパターンＣと導電性のパターンＤ
とを生成する例を示す。
【００１５】第１に、配線パターンＡの上に図中二点鎖
線を用いて示す絶縁性のパターンＣを生成させるため
に、既述した如くして図１中ディスプレイ２１上に当該
絶縁性のパターンＣを生成させる第一の所定領域を表示
させる。第一の所定領域は、既に試料表面に形成されて
いる配線を少なくとも交差する領域を含んでいる。そし
て、キーボード２２からスパッタ／アシスト制御部１７
に対して、絶縁性のパターンＣを生成させる領域情報、
絶縁性のパターンＣを生成するためのガスを指定するア
シストガス情報、当該絶縁性のパターンＣの膜厚情報等
をキー入力する。これにより、スパッタ／アシスト制御
部１７は既述した如く照射位置制御部１６およびアシス
トガス制御部２０に指令を発して、ガリウム・イオン・
ビームが前記指定された絶縁性のパターンＣを生成すべ
き領域を走査するように走査信号を制御すると共に絶縁
性のパターンＣを生成させる第一の有機化合物ガスとし
て例えばＳｉＨ4 −ＮＨ3 ガスがガリウム・イオン・ビ
ームの照射されている位置に吹きつけられるように制御
する。そして所定時間ガリウム・イオン・ビームの照射
することにより、所定膜厚の絶縁性のパターンＣが図示
２点鎖線を用いて示す如く生成される。
線を用いて示す絶縁性のパターンＣを生成させるため
に、既述した如くして図１中ディスプレイ２１上に当該
絶縁性のパターンＣを生成させる第一の所定領域を表示
させる。第一の所定領域は、既に試料表面に形成されて
いる配線を少なくとも交差する領域を含んでいる。そし
て、キーボード２２からスパッタ／アシスト制御部１７
に対して、絶縁性のパターンＣを生成させる領域情報、
絶縁性のパターンＣを生成するためのガスを指定するア
シストガス情報、当該絶縁性のパターンＣの膜厚情報等
をキー入力する。これにより、スパッタ／アシスト制御
部１７は既述した如く照射位置制御部１６およびアシス
トガス制御部２０に指令を発して、ガリウム・イオン・
ビームが前記指定された絶縁性のパターンＣを生成すべ
き領域を走査するように走査信号を制御すると共に絶縁
性のパターンＣを生成させる第一の有機化合物ガスとし
て例えばＳｉＨ4 −ＮＨ3 ガスがガリウム・イオン・ビ
ームの照射されている位置に吹きつけられるように制御
する。そして所定時間ガリウム・イオン・ビームの照射
することにより、所定膜厚の絶縁性のパターンＣが図示
２点鎖線を用いて示す如く生成される。
【００１６】第２に、第１のステップによって生成した
絶縁性のパターンＣを跨ぐ態様で、かつ前述の配線の両
側に形成されている配線パターンＢ1 と配線パターンＢ
2 を電気的に接続するために、図示点線を用いて示す如
き導電性のパターンＤ（第二の所定領域）を生成する。
第１のステップの場合と同様にして、キーボード２２か
ら導電性のパターンＣを生成するためのガスを指定する
アシストガス情報、当該導電性のパターンの膜厚情報等
をキー入力する。これにより、スパッタ／アシスト制御
部１７は既述した如く照射位置制御部１６およびアシス
トガス制御部２０に指令を発して、ガリウム・イオン・
ビームが前記指定された導電性のパターンＤを生成すべ
き領域を走査するように走査信号を制御すると共に導電
性のパターンＤを生成させる第二の有機化合物ガスとし
て例えばピレンガスがガリウム・イオン・ビームの照射
されている位置に吹きつけられるように制御する。そし
て所定時間ガリウム・イオン・ビームの照射されること
により、所定膜厚の導電性のパターンＤが図示の如く生
成される。
絶縁性のパターンＣを跨ぐ態様で、かつ前述の配線の両
側に形成されている配線パターンＢ1 と配線パターンＢ
2 を電気的に接続するために、図示点線を用いて示す如
き導電性のパターンＤ（第二の所定領域）を生成する。
第１のステップの場合と同様にして、キーボード２２か
ら導電性のパターンＣを生成するためのガスを指定する
アシストガス情報、当該導電性のパターンの膜厚情報等
をキー入力する。これにより、スパッタ／アシスト制御
部１７は既述した如く照射位置制御部１６およびアシス
トガス制御部２０に指令を発して、ガリウム・イオン・
ビームが前記指定された導電性のパターンＤを生成すべ
き領域を走査するように走査信号を制御すると共に導電
性のパターンＤを生成させる第二の有機化合物ガスとし
て例えばピレンガスがガリウム・イオン・ビームの照射
されている位置に吹きつけられるように制御する。そし
て所定時間ガリウム・イオン・ビームの照射されること
により、所定膜厚の導電性のパターンＤが図示の如く生
成される。
【００１７】以上の如く絶縁性のパターンＣ上に積層す
る態様で、かつ鎖交する態様で導電性のパターンＤを生
成することにより、すでに完成されたＬＳＩ等の配線パ
ターンＡを跨ぐ態様で容易かつ迅速にしかもサブミツロ
ン・サイズで配線パターンＢ 1 と配線パターンＢ2 とを
電気的に接続することが可能となる。
る態様で、かつ鎖交する態様で導電性のパターンＤを生
成することにより、すでに完成されたＬＳＩ等の配線パ
ターンＡを跨ぐ態様で容易かつ迅速にしかもサブミツロ
ン・サイズで配線パターンＢ 1 と配線パターンＢ2 とを
電気的に接続することが可能となる。
【００１８】また、同様にして導電性のパターンの上に
絶縁性のパターンを生成し、更に当該絶縁性のパターン
の上に導電性のパターンをいわば順次積層する態様で生
成することにより、コンデンサをサブミクロン・サイズ
で任意の場所に任意の時に任意の大きさに作成すること
が可能となる。更に、ミクロンオーダときとしてサブミ
クロンオーダで生成された各種配線パターンの補修ある
いは欠陥素子を切断して予備の他の素子に接続交換等を
行うことも容易にできる。例えばディスプレイ等として
用いられるドット構成の液晶パネルを駆動する配線パタ
ーンの補修および当該配線パターンに接続された欠陥の
ある駆動素子を切断し、予備の他の駆動素子と接続交換
を行う場合等に、他の配線を跨ぐ態様で電気的な接続を
行うことも可能となる。
絶縁性のパターンを生成し、更に当該絶縁性のパターン
の上に導電性のパターンをいわば順次積層する態様で生
成することにより、コンデンサをサブミクロン・サイズ
で任意の場所に任意の時に任意の大きさに作成すること
が可能となる。更に、ミクロンオーダときとしてサブミ
クロンオーダで生成された各種配線パターンの補修ある
いは欠陥素子を切断して予備の他の素子に接続交換等を
行うことも容易にできる。例えばディスプレイ等として
用いられるドット構成の液晶パネルを駆動する配線パタ
ーンの補修および当該配線パターンに接続された欠陥の
ある駆動素子を切断し、予備の他の駆動素子と接続交換
を行う場合等に、他の配線を跨ぐ態様で電気的な接続を
行うことも可能となる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明した如く、本発明によれば、イ
オンビームを試料面に照射しつつ導電性の被膜を生成す
るガスおよび絶縁性の被膜を生成するガスう順次当該試
料面に吹きつける手段を採用しているため、微小な導電
性のパターンとを積層した態様のものを生成することが
可能となる。特に、ＬＳＩ等の配線パターンの如く、既
に完成された配線パターンを跨ぐ態様で他の配線パター
ン間の電気的な接続をミクロン・オーダときとしてサブ
ミクロン・オーダで行うことが可能となると共に、微小
なコンデンサを任意な時に任意の場所に任意の大きさに
ミクロン・オーダで作成することが可能となる。
オンビームを試料面に照射しつつ導電性の被膜を生成す
るガスおよび絶縁性の被膜を生成するガスう順次当該試
料面に吹きつける手段を採用しているため、微小な導電
性のパターンとを積層した態様のものを生成することが
可能となる。特に、ＬＳＩ等の配線パターンの如く、既
に完成された配線パターンを跨ぐ態様で他の配線パター
ン間の電気的な接続をミクロン・オーダときとしてサブ
ミクロン・オーダで行うことが可能となると共に、微小
なコンデンサを任意な時に任意の場所に任意の大きさに
ミクロン・オーダで作成することが可能となる。
【図１】本発明の１実施例構成図である。
【図２】本発明の図１の１実施例構成図を用いた具体的
応用例を示す図である。
応用例を示す図である。
１ パターン生成装置 ２ イオン銃 ２−１ イオン源 ２−２ 電極 ３ 偏向電極（ＤＥＦ） ４ 対物レンズ ５ 試料 ６ 試料台 ７ 試料移動機構 ８ 検出器 ９ ガス銃 １０ ニードルバルブ １１ ガス源 １２ 真空排気装置 １３−１、１３−３ 高電圧発生装置 １３−２ イオン加速電圧制御部 １３−４ 焦点合せ制御部 １４ 走査制御部、 １５ 信号増幅処理部 １６ 照射位置制御部 １７ スパッタ／アシスト制御部 １８ 試料位置制御部 １９ 真空排気系制御部 ２０ アシストガス制御部 ２１ ディスプレイ ２２ キーボード ２３ ディスク
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体集積回路である試料表面の所定領
域に、細く絞ったイオンビームを走査させながら照射す
ると同時に、前記イオンビーム照射により試料表面のイ
オンビーム照射領域に導電性膜を形成する第二の有機化
合物ガスを第二のノズルより吹きつけることにより導電
膜を形成し、更に前記試料の所定領域に向けて、前記イ
オンビーム照射により試料表面のイオンビーム照射領域
に絶縁性膜を形成する第一の有機化合物ガスを第一のノ
ズルより吹きつけて絶縁性膜を形成し、また更に細く絞
ったイオンビームを所定領域で走査させながら照射する
と同時に、前記イオンビーム照射により試料表面のイオ
ンビーム照射領域に導電性膜を形成する第二の有機化合
物ガスを第二のノズルより吹きつけることにより導電膜
を形成することにより微細なコンデンサを形成すること
を特徴とするパターン膜生成方法。 - 【請求項２】 前記第一の有機化合物ガスはシラン系ガ
スである請求項１記載のパターン膜生成方法 - 【請求項３】 前記第二の有機化合物ガスは金属有機化
合物ガスである請求項１記載のパターン膜生成方法 - 【請求項４】 前記第二の有機化合物ガスはピレンガス
である請求項１記載のパターン膜生成方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6172813A JP2558614B2 (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | パターン膜生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6172813A JP2558614B2 (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | パターン膜生成方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60087275A Division JPH0715905B2 (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | イオンビーム加工装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193067A JPH07193067A (ja) | 1995-07-28 |
| JP2558614B2 true JP2558614B2 (ja) | 1996-11-27 |
Family
ID=15948854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6172813A Expired - Lifetime JP2558614B2 (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | パターン膜生成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2558614B2 (ja) |
-
1994
- 1994-07-25 JP JP6172813A patent/JP2558614B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07193067A (ja) | 1995-07-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |