JP3013158B2 - パターン修正方法 - Google Patents
パターン修正方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はパターン修正方法、
特にイオンビームを試料面に照射しつつ導電性の被膜を
生成するガスあるいは絶縁性の被膜を生成するガスを当
該試料面に吹きつけることによって導電性のパターンあ
るいは絶縁性のバタ一ンを生成して接続、補修あるいは
切断するパターン修正方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】ＬＳＩ等の素子を製造した後、微小（ミ
クロンオーダ）な配線パターンを跨ぐ態様で他の配線パ
ターンを相互に電気的に接続する場合には、跨ぐ配線パ
ターン上に絶縁物の薄膜からなるパターンを生成した
後、当該絶縁物の薄膜パターンの上に導電性の薄膜から
なるパターンを鎖交する態様で生成して他の配線パター
ン相互の電気的な接続を行ことが望まれている。また、
シリコン基板あるいは導電性の薄膜パターンの上に絶縁
性の薄膜パターンを形成し、更に当該絶縁性の薄膜パタ
ーンの上に導電性のパターンを形成することにより、微
小な素子例えばコンデンサ、マイクロ・ストリップライ
ンおよび誘電体共振器等の素子を任意の場所かつ任意な
時に形成したり、あるいは特性のバラツキを調整等した
りすることが望まれている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかし、従来はＬＳＩ
等の如く一旦パターンの完成したものに対して、あるい
はカスタムＩＣの如く完成後に必要に応じて、前述した
目的等のために導電性のパターンと絶縁性のパターンと
を所望の位置に所望の時に迅速かつ簡単に積層する態様
で、しかも例えばミクロンオーダときにはサブミクロン
オーダの寸法で所定領域に正確に形成し難いという問題
点があった。 【０００４】 【課題を解決するための手段】本発明は、前記問題点を
解決するために、イオンビームを試料面に照射しつつ導
電性の被膜を生成するガスあるいは絶縁性の被膜を生成
するガスを当該試料面に吹きつける手段を採用すること
により、微小な導電性のパターンあるいは絶縁性のパタ
ーンを生成して接続、補修あるいは切断するようにして
いる。 【０００５】 【発明の実施の形態】以下図面を参照しつつ本発明の実
施例を詳細に説明する。図１は本発明の１実施例構成
図、図２は図１図示本発明の１実施例構成を用いた具体
的応用例を示す。 【０００６】図中、１はパターン生成装置、２はイオン
銃、２−１はイオン源、２−２は電極、３は偏向電極
（ＤＥＦ）、４は対物レンズ、５は試料、６は試料台、
７は試料移動機構、８は検出器、９はアシストガスを吹
きつけるガス銃、１０はニードルバルブ、１１はガス
源、１２は真空排気装置、１３−１、１３−３は高電圧
発生装置、１３−２はイオン加速電圧制御部、１３−４
は焦点合せ制御部、１４は走査制御部、１５は信号増幅
処理部、１６は照射位置制脚部、１７はスパッタ／アシ
スト制御部、１８は試料位置制御部、１９は真空排気系
制御部、２０はアシストガス制御部、２１はディスプレ
イ、２２はキーボード、２３はディスクを表す。 【０００７】まず第１に、イオンビームを照射した試料
から放射された荷電粒子例えば２次電子をディスプレ２
１上にＳＩＭ像として表示する場合の構成および動作に
ついて説明する。 【０００８】図１において、図中イオン銃２は軸上に穴
を有し接地された電極２−２に対して、イオン源２−１
例えは先端が鋭利かつガリウムを含むニードル型のもの
に正の高電圧十ＨＶ1を高電圧発生装置１３−１から印
加すると共に当該イオン源２−１の先端に液体ガリウム
が生じる程度に加熱することによって、ガリウム・イオ
ン・ビームが放射されるものである。該ガリウム・イオ
ン・ビームを加速する加速電圧は、イオン加速電圧制御
部１３−２によって設定される。放射されたガリウム・
イオン・ビームは対物レンズ（ＯＬ）４によって試料台
６上に取りつけられた試料５上に細く絞られる（結像さ
れる）と共に、偏向電極（ＸおよびＹ）３によって当該
試料５上を走査される。該試料５から放射された例えば
２次電子等は検出器８によって検出され、信号増幅処理
部１５に供給される。この際、対物レンズ４には、焦点
合せ制御部１３−４からの信号に基づき高電圧発生装置
１３−３によって発生された高電圧が印加され、試料５
上にガリウム・イオン・ビームが細く絞られる。そし
て、信号増幅処理部１５に供給された信号に対して増幅
および処理等が行われ、ディスプレイ２１上に例えばＳ
ＩＭ像として表示される。該表示されるＳＩＭ像等の倍
率は、走査制御部１４が偏向電極３に印加する走査信号
の大きさによって決定される。また、ディスプレイ２１
上で観察される試料５の位置は、試料位置制御部１８か
らの指示によって試料移動機構７が試料台６を移動させ
ること、あるいは図示されていない手動機構を介して試
料移動機構７が試料台６を移動させることによって行わ
れる。更に、パターン生成装置１を構成する試料室等の
内部およびガリウム・イオン・ビームが通過する領域
は、真空排気系制御部１９からの指示に基づき真空排気
装置１２によって超高真空に排気される。 【０００９】以上の如き構成および動作によって試料５
のＳＩＭ像を観察することができ、後述する導電性のパ
ターンと絶縁性のパターンとを積層する場合に必要な位
置を正確に決定することが可能となる。 【００１０】第２に、新たな導電性のパターンと新たな
絶縁性のパターンとを積層する態様で生成する場合の構
成および動作について説明する。既述した如くして新た
に生成すべきパターンを含む領域が当該ディスプレイ２
１上にＳＩＭ像として表示されるように試料台６を移動
させ、かつ対物レンズ４の焦点合わせを行う。この際、
試料台６の移動は、試料５である例えばＬＳＩ等上のパ
ターンの位置座標等の情報を予めデータベースとしてデ
ィスク２３中に格納しておき、キーボード２２から新た
なパターンを生成すべき位置情報および寸法等をスパッ
タ／アシスト制御部１７にキー入力して指定することに
よって行ってもよいし、あるいは手動によって行っても
よい。 【００１１】次に、ディスプレイ２１上に表示されたパ
ターン中に新たにパターンを生成すべき領域がガリウム
・イオン・ビームによって正確に所定時間走査されるよ
うに、キーボード２２からスパッタ／アシスト制御部１
７に対してキー入力する。キー入力を行うことによって
当該スパッタ／アシスト制御部１７は照射位置制御部１
６に対して指令を与える。該指令を受けた照射位置制御
部１６は、走査制御部１４に対して制御信号を送出して
偏向電極３に所定電圧の走査電圧を印加する。 【００１２】更に、新たな導電性のパターンあるいは新
たな絶縁性のパターンを生成するために、スパッタ/ア
シスト制御部１７ はアシストガス制御部２０に対して
指令を発して、ガス源１１を加熱等して発生させたガス
例えば導電性の薄膜を生成させるための化合物ガスであ
るピレン（Ｃ16Ｈ10）ガスを、ニードルバルブ１０を介
してガス銃９を構成する複数のノズルのうちの一つから
試料５上のガリウム・イオン・ビームが照射されている
位置に吹きつける。これにより、ガリウム・イオン・ビ
ームを用いてピレンガスを分解した付着力の強い導電性
のカーボン膜が当該ガリウム・イオン・ビームを用いて
走査した領域に生成されることとなる。同様に例えばＳ
ｉＨ4−ＮＨ3ガスをガス銃９を構成する他のノズルから
ガリウム・イオン・ビームが照射されている試料５面に
吹きつけることにより、絶縁性の酸化シリコン（ＳｉＯ
2）膜が当該ガリウム・イオン・ビームを用いて走査し
た領域に生成されることとなる。 【００１３】以上の如くして導薄性のパターンと絶縁性
のパターンとを積層する態様で順次生成することが可能
となる。尚、ガス銃９を構成する複数のノズルに対して
夫々設けられたニードルバルブ１０（図中では１個しか
示してなく他は省略してある)は、夫々のガス源１１か
らガス銃９を構成する複数のノズルに対してアシストガ
スを夫々供給しない場合には、閉状態にされる。一般に
導電性のパターンを生成する場合には、既述した如く例
えばピレンガスのみを供給するようにガス源１１を加熱
等すると共に当該ガス源１１によって発生させたガスを
ガス銃９を構成する所定のノズルからガリウム・イオン
・ビームが照射されている試料５面に吹きつけている。
この際、試料５面にガスを吹きつけるために、所定のニ
ードルバルブ１０例えば１個のみを開状態に制御する。
また、当該ニードルバルブ１０は必要に応じてガスの供
給量を制御するためにも使用し得るものである。また、
導電性のパターンを生成する化合物ガスとして、前記ピ
レンガスの代わりにモリブデン化合物ガス、アルミニウ
ム化合物ガスあるいはクロム化合物ガス等をガス銃９を
構成する所定のノズルからガリウム・イオン・ビームの
照射されている位置に吹きつけることにより、夫々の導
電性物質に対応した新たな導電性のパターンをサブミク
ロン・サイズの寸法で生成することが可能となる。そし
て、当該導電性のパターンと絶縁性のパターンとを積層
する態様で順次積層することにより、既述したコンデン
サ、マイクロ・ストリップ・ライン等の素子を任意の場
所に任意の時に任意の大きさで生成することが可能とな
る。 【００１４】図２を用いて導電性のパターンと絶縁性の
パターンとを積層する態様で生成する場合の動作を詳細
に説明する。図２はＬＳＩを構成する配線パターンＡを
跨ぐ態様で、他の配線パターンＢ1と配線パターンＢ2と
を電気的に接続する場合の絶縁性のパターンＣと導電性
のパターンＤとを生成する例を示す。 【００１５】第１に、配線パターンＡの上に図中二点鏡
線を用いて示す絶縁性のパターンＣを生成させるため
に、既述した如くして図１図中ディスプレイ２１上に当
該絶縁性のパターンＣを生成させる領域を表示させる。
そして、キーホード２２からスパッタ／アシスト制御部
１７に対して、絶縁性のパターンＣを生成させる領域情
報、絶縁性のパターンＣを生成するためのガスを指定す
るアシストガス情報、当該絶縁性のパターンＣの膜厚情
報等をキー人力する。これにより、スパッタ／アシスト
制御部１７は既述した如く照射位置制御部１６およびア
シストガス制御部２０に指令を発して、ガリウム・イオ
ン・ビームが前記指定された絶縁性のパターンＣを生成
すべき領域を走査するように走査信号を制御すると共に
絶縁性のパターンＣを生成させる例えばＳｉＨ4−ＮＨ3
ガスがガリウム・イオン・ビームの照射されている位置
に吹きつけられるように制御する。そして所定時間ガリ
ウム・イオン・ビームを照射することにより、所定膜厚
の絶縁性のパターンＣが図示２点鎖線を用いて示す如く
生成される。 【００１６】第２に、第１のステップによって生成した
絶縁性のパターンＣを跨ぐ態様で、かつ配線パターンＢ
1と配線パターンＢ2を電気的に接続するために、図示点
線を用いて示す如き導電性のパターンＤを生成する。第
１のステップの場合と同様にして、キーボード２２から
導電性のパターンＣを生成するためのガスを指定するア
シストガス情報、当該導竜性のパターンの膜厚情報等を
キー入力する。これにより、スパッタ／アシスト制御部
１７は既述した如く照射位置制御部１６およびアシスト
ガス制御部２０に指令を発して、ガリウム・イオン・ビ
ームが前記指定された導電性のパターンＤを生成すべき
領域を走査するように走査信号を制御すると共に導電性
のパターンＤを生成させる例えばピレンガスがガリウム
・イオン・ビームの照射されている位置に吹きつけられ
るように制御する。そして所定時間ガリウム・イオン・
ビームが照射されることにより、所定膜厚の導電性のパ
ターンＤが図示の如く生成される。 【００１７】以上の如く絶縁性のパターンＣ上に積層す
る態様で、かつ鎖交する態様で導電性のパターンＤを生
成することにより、すでに完成されたＬＳＩ等の配線パ
ターンＡを跨ぐ態様で容易かつ迅速にしかもサブミクロ
ン・サイズで配線パターンＢ 1と配線パターンＢ2とを電
気的に接続することが可能となる。 【００１８】また、同様にして導電性のパターンの上に
絶縁性のパターンを生成し、更に当該絶縁性のパターン
の上に導電性のパターンをいわば順次積層する態様で生
成することにより、コンデンサをサブミクロン・サイズ
で任意の場所に任意の時に任意の大きさに作成すること
が可能となる。更に、ミクロンオーダときとしてサブミ
クロンオーダで生成された各種配線パターンの補修ある
いは欠陥素子を切断して予備の他の素子に接続交換等を
行うことも容易にできる。例えばディスプレイ等として
用いられるドット構成の液晶パネルを駆動する配線パタ
ーンの補修および当該配線パターンに接続された欠陥の
ある駆動素子を切断し、予備の他の駆動素子と接続交換
を行う場合等に、他の配線を跨ぐ態様で電気的な接続を
行うことも可能となる。 【００１９】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
イオンビームを試料面に照射しつつ導電性の被膜を生成
する化合物ガスあるいは絶縁性の被膜を生成する化合物
ガスを当該試料面に吹きつける手段を採用しているた
め、微小な導電性のパターンあるいは絶縁性のパターン
を生成することが可能となる。特に、ＬＳＩ等の配線パ
ターンの如く、既に完成された配線パターンを跨ぐ態様
で他の配線パターン間の電気的な接続をミクロン・オー
ダときとしてサブミクロン・オーダで行うことが可能と
なると共に、微小なコンデンサを任意な時に任意の場所
に任意の大きさにミクロン・オーダで作成することが可
能となり、更に、微小な配線パターンを切断、補修する
ことが可能となる。
特にイオンビームを試料面に照射しつつ導電性の被膜を
生成するガスあるいは絶縁性の被膜を生成するガスを当
該試料面に吹きつけることによって導電性のパターンあ
るいは絶縁性のバタ一ンを生成して接続、補修あるいは
切断するパターン修正方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】ＬＳＩ等の素子を製造した後、微小（ミ
クロンオーダ）な配線パターンを跨ぐ態様で他の配線パ
ターンを相互に電気的に接続する場合には、跨ぐ配線パ
ターン上に絶縁物の薄膜からなるパターンを生成した
後、当該絶縁物の薄膜パターンの上に導電性の薄膜から
なるパターンを鎖交する態様で生成して他の配線パター
ン相互の電気的な接続を行ことが望まれている。また、
シリコン基板あるいは導電性の薄膜パターンの上に絶縁
性の薄膜パターンを形成し、更に当該絶縁性の薄膜パタ
ーンの上に導電性のパターンを形成することにより、微
小な素子例えばコンデンサ、マイクロ・ストリップライ
ンおよび誘電体共振器等の素子を任意の場所かつ任意な
時に形成したり、あるいは特性のバラツキを調整等した
りすることが望まれている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかし、従来はＬＳＩ
等の如く一旦パターンの完成したものに対して、あるい
はカスタムＩＣの如く完成後に必要に応じて、前述した
目的等のために導電性のパターンと絶縁性のパターンと
を所望の位置に所望の時に迅速かつ簡単に積層する態様
で、しかも例えばミクロンオーダときにはサブミクロン
オーダの寸法で所定領域に正確に形成し難いという問題
点があった。 【０００４】 【課題を解決するための手段】本発明は、前記問題点を
解決するために、イオンビームを試料面に照射しつつ導
電性の被膜を生成するガスあるいは絶縁性の被膜を生成
するガスを当該試料面に吹きつける手段を採用すること
により、微小な導電性のパターンあるいは絶縁性のパタ
ーンを生成して接続、補修あるいは切断するようにして
いる。 【０００５】 【発明の実施の形態】以下図面を参照しつつ本発明の実
施例を詳細に説明する。図１は本発明の１実施例構成
図、図２は図１図示本発明の１実施例構成を用いた具体
的応用例を示す。 【０００６】図中、１はパターン生成装置、２はイオン
銃、２−１はイオン源、２−２は電極、３は偏向電極
（ＤＥＦ）、４は対物レンズ、５は試料、６は試料台、
７は試料移動機構、８は検出器、９はアシストガスを吹
きつけるガス銃、１０はニードルバルブ、１１はガス
源、１２は真空排気装置、１３−１、１３−３は高電圧
発生装置、１３−２はイオン加速電圧制御部、１３−４
は焦点合せ制御部、１４は走査制御部、１５は信号増幅
処理部、１６は照射位置制脚部、１７はスパッタ／アシ
スト制御部、１８は試料位置制御部、１９は真空排気系
制御部、２０はアシストガス制御部、２１はディスプレ
イ、２２はキーボード、２３はディスクを表す。 【０００７】まず第１に、イオンビームを照射した試料
から放射された荷電粒子例えば２次電子をディスプレ２
１上にＳＩＭ像として表示する場合の構成および動作に
ついて説明する。 【０００８】図１において、図中イオン銃２は軸上に穴
を有し接地された電極２−２に対して、イオン源２−１
例えは先端が鋭利かつガリウムを含むニードル型のもの
に正の高電圧十ＨＶ1を高電圧発生装置１３−１から印
加すると共に当該イオン源２−１の先端に液体ガリウム
が生じる程度に加熱することによって、ガリウム・イオ
ン・ビームが放射されるものである。該ガリウム・イオ
ン・ビームを加速する加速電圧は、イオン加速電圧制御
部１３−２によって設定される。放射されたガリウム・
イオン・ビームは対物レンズ（ＯＬ）４によって試料台
６上に取りつけられた試料５上に細く絞られる（結像さ
れる）と共に、偏向電極（ＸおよびＹ）３によって当該
試料５上を走査される。該試料５から放射された例えば
２次電子等は検出器８によって検出され、信号増幅処理
部１５に供給される。この際、対物レンズ４には、焦点
合せ制御部１３−４からの信号に基づき高電圧発生装置
１３−３によって発生された高電圧が印加され、試料５
上にガリウム・イオン・ビームが細く絞られる。そし
て、信号増幅処理部１５に供給された信号に対して増幅
および処理等が行われ、ディスプレイ２１上に例えばＳ
ＩＭ像として表示される。該表示されるＳＩＭ像等の倍
率は、走査制御部１４が偏向電極３に印加する走査信号
の大きさによって決定される。また、ディスプレイ２１
上で観察される試料５の位置は、試料位置制御部１８か
らの指示によって試料移動機構７が試料台６を移動させ
ること、あるいは図示されていない手動機構を介して試
料移動機構７が試料台６を移動させることによって行わ
れる。更に、パターン生成装置１を構成する試料室等の
内部およびガリウム・イオン・ビームが通過する領域
は、真空排気系制御部１９からの指示に基づき真空排気
装置１２によって超高真空に排気される。 【０００９】以上の如き構成および動作によって試料５
のＳＩＭ像を観察することができ、後述する導電性のパ
ターンと絶縁性のパターンとを積層する場合に必要な位
置を正確に決定することが可能となる。 【００１０】第２に、新たな導電性のパターンと新たな
絶縁性のパターンとを積層する態様で生成する場合の構
成および動作について説明する。既述した如くして新た
に生成すべきパターンを含む領域が当該ディスプレイ２
１上にＳＩＭ像として表示されるように試料台６を移動
させ、かつ対物レンズ４の焦点合わせを行う。この際、
試料台６の移動は、試料５である例えばＬＳＩ等上のパ
ターンの位置座標等の情報を予めデータベースとしてデ
ィスク２３中に格納しておき、キーボード２２から新た
なパターンを生成すべき位置情報および寸法等をスパッ
タ／アシスト制御部１７にキー入力して指定することに
よって行ってもよいし、あるいは手動によって行っても
よい。 【００１１】次に、ディスプレイ２１上に表示されたパ
ターン中に新たにパターンを生成すべき領域がガリウム
・イオン・ビームによって正確に所定時間走査されるよ
うに、キーボード２２からスパッタ／アシスト制御部１
７に対してキー入力する。キー入力を行うことによって
当該スパッタ／アシスト制御部１７は照射位置制御部１
６に対して指令を与える。該指令を受けた照射位置制御
部１６は、走査制御部１４に対して制御信号を送出して
偏向電極３に所定電圧の走査電圧を印加する。 【００１２】更に、新たな導電性のパターンあるいは新
たな絶縁性のパターンを生成するために、スパッタ/ア
シスト制御部１７ はアシストガス制御部２０に対して
指令を発して、ガス源１１を加熱等して発生させたガス
例えば導電性の薄膜を生成させるための化合物ガスであ
るピレン（Ｃ16Ｈ10）ガスを、ニードルバルブ１０を介
してガス銃９を構成する複数のノズルのうちの一つから
試料５上のガリウム・イオン・ビームが照射されている
位置に吹きつける。これにより、ガリウム・イオン・ビ
ームを用いてピレンガスを分解した付着力の強い導電性
のカーボン膜が当該ガリウム・イオン・ビームを用いて
走査した領域に生成されることとなる。同様に例えばＳ
ｉＨ4−ＮＨ3ガスをガス銃９を構成する他のノズルから
ガリウム・イオン・ビームが照射されている試料５面に
吹きつけることにより、絶縁性の酸化シリコン（ＳｉＯ
2）膜が当該ガリウム・イオン・ビームを用いて走査し
た領域に生成されることとなる。 【００１３】以上の如くして導薄性のパターンと絶縁性
のパターンとを積層する態様で順次生成することが可能
となる。尚、ガス銃９を構成する複数のノズルに対して
夫々設けられたニードルバルブ１０（図中では１個しか
示してなく他は省略してある)は、夫々のガス源１１か
らガス銃９を構成する複数のノズルに対してアシストガ
スを夫々供給しない場合には、閉状態にされる。一般に
導電性のパターンを生成する場合には、既述した如く例
えばピレンガスのみを供給するようにガス源１１を加熱
等すると共に当該ガス源１１によって発生させたガスを
ガス銃９を構成する所定のノズルからガリウム・イオン
・ビームが照射されている試料５面に吹きつけている。
この際、試料５面にガスを吹きつけるために、所定のニ
ードルバルブ１０例えば１個のみを開状態に制御する。
また、当該ニードルバルブ１０は必要に応じてガスの供
給量を制御するためにも使用し得るものである。また、
導電性のパターンを生成する化合物ガスとして、前記ピ
レンガスの代わりにモリブデン化合物ガス、アルミニウ
ム化合物ガスあるいはクロム化合物ガス等をガス銃９を
構成する所定のノズルからガリウム・イオン・ビームの
照射されている位置に吹きつけることにより、夫々の導
電性物質に対応した新たな導電性のパターンをサブミク
ロン・サイズの寸法で生成することが可能となる。そし
て、当該導電性のパターンと絶縁性のパターンとを積層
する態様で順次積層することにより、既述したコンデン
サ、マイクロ・ストリップ・ライン等の素子を任意の場
所に任意の時に任意の大きさで生成することが可能とな
る。 【００１４】図２を用いて導電性のパターンと絶縁性の
パターンとを積層する態様で生成する場合の動作を詳細
に説明する。図２はＬＳＩを構成する配線パターンＡを
跨ぐ態様で、他の配線パターンＢ1と配線パターンＢ2と
を電気的に接続する場合の絶縁性のパターンＣと導電性
のパターンＤとを生成する例を示す。 【００１５】第１に、配線パターンＡの上に図中二点鏡
線を用いて示す絶縁性のパターンＣを生成させるため
に、既述した如くして図１図中ディスプレイ２１上に当
該絶縁性のパターンＣを生成させる領域を表示させる。
そして、キーホード２２からスパッタ／アシスト制御部
１７に対して、絶縁性のパターンＣを生成させる領域情
報、絶縁性のパターンＣを生成するためのガスを指定す
るアシストガス情報、当該絶縁性のパターンＣの膜厚情
報等をキー人力する。これにより、スパッタ／アシスト
制御部１７は既述した如く照射位置制御部１６およびア
シストガス制御部２０に指令を発して、ガリウム・イオ
ン・ビームが前記指定された絶縁性のパターンＣを生成
すべき領域を走査するように走査信号を制御すると共に
絶縁性のパターンＣを生成させる例えばＳｉＨ4−ＮＨ3
ガスがガリウム・イオン・ビームの照射されている位置
に吹きつけられるように制御する。そして所定時間ガリ
ウム・イオン・ビームを照射することにより、所定膜厚
の絶縁性のパターンＣが図示２点鎖線を用いて示す如く
生成される。 【００１６】第２に、第１のステップによって生成した
絶縁性のパターンＣを跨ぐ態様で、かつ配線パターンＢ
1と配線パターンＢ2を電気的に接続するために、図示点
線を用いて示す如き導電性のパターンＤを生成する。第
１のステップの場合と同様にして、キーボード２２から
導電性のパターンＣを生成するためのガスを指定するア
シストガス情報、当該導竜性のパターンの膜厚情報等を
キー入力する。これにより、スパッタ／アシスト制御部
１７は既述した如く照射位置制御部１６およびアシスト
ガス制御部２０に指令を発して、ガリウム・イオン・ビ
ームが前記指定された導電性のパターンＤを生成すべき
領域を走査するように走査信号を制御すると共に導電性
のパターンＤを生成させる例えばピレンガスがガリウム
・イオン・ビームの照射されている位置に吹きつけられ
るように制御する。そして所定時間ガリウム・イオン・
ビームが照射されることにより、所定膜厚の導電性のパ
ターンＤが図示の如く生成される。 【００１７】以上の如く絶縁性のパターンＣ上に積層す
る態様で、かつ鎖交する態様で導電性のパターンＤを生
成することにより、すでに完成されたＬＳＩ等の配線パ
ターンＡを跨ぐ態様で容易かつ迅速にしかもサブミクロ
ン・サイズで配線パターンＢ 1と配線パターンＢ2とを電
気的に接続することが可能となる。 【００１８】また、同様にして導電性のパターンの上に
絶縁性のパターンを生成し、更に当該絶縁性のパターン
の上に導電性のパターンをいわば順次積層する態様で生
成することにより、コンデンサをサブミクロン・サイズ
で任意の場所に任意の時に任意の大きさに作成すること
が可能となる。更に、ミクロンオーダときとしてサブミ
クロンオーダで生成された各種配線パターンの補修ある
いは欠陥素子を切断して予備の他の素子に接続交換等を
行うことも容易にできる。例えばディスプレイ等として
用いられるドット構成の液晶パネルを駆動する配線パタ
ーンの補修および当該配線パターンに接続された欠陥の
ある駆動素子を切断し、予備の他の駆動素子と接続交換
を行う場合等に、他の配線を跨ぐ態様で電気的な接続を
行うことも可能となる。 【００１９】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
イオンビームを試料面に照射しつつ導電性の被膜を生成
する化合物ガスあるいは絶縁性の被膜を生成する化合物
ガスを当該試料面に吹きつける手段を採用しているた
め、微小な導電性のパターンあるいは絶縁性のパターン
を生成することが可能となる。特に、ＬＳＩ等の配線パ
ターンの如く、既に完成された配線パターンを跨ぐ態様
で他の配線パターン間の電気的な接続をミクロン・オー
ダときとしてサブミクロン・オーダで行うことが可能と
なると共に、微小なコンデンサを任意な時に任意の場所
に任意の大きさにミクロン・オーダで作成することが可
能となり、更に、微小な配線パターンを切断、補修する
ことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の１実施例構成図である。
【図２】第１図図示本発明の１実施例構成を用いた具体
的応用例である。 【符号の説明】 １：パターン生成装置 ２：イオン銃 ２−１：イオン源 ２−２：電極 ３：偏向電極（ＤＥＦ） ４：対物レンズ ５：試料 ６：試料台 ７：試料移動機構 ８：検出器 ９：アシストガスを吹きつけるガス銃 １０：ニードルバルブ １１：ガス源 １２：真空排気装置 １３−１、１３−３：高電圧発生装置 １３−２：イオン加速電圧制御部 １３−４：焦点合せ制御部 １４：走査制御部 １５：信号増幅処理部 １６：照射位置制御部 １７：スパッタ／アシスト制御部 １８：試料位置制御部 １９：真空排気系制御部 ２０：アシストガス制御部 ２１：ディスプレイ ２２：キーボード ２３：ディスク
的応用例である。 【符号の説明】 １：パターン生成装置 ２：イオン銃 ２−１：イオン源 ２−２：電極 ３：偏向電極（ＤＥＦ） ４：対物レンズ ５：試料 ６：試料台 ７：試料移動機構 ８：検出器 ９：アシストガスを吹きつけるガス銃 １０：ニードルバルブ １１：ガス源 １２：真空排気装置 １３−１、１３−３：高電圧発生装置 １３−２：イオン加速電圧制御部 １３−４：焦点合せ制御部 １４：走査制御部 １５：信号増幅処理部 １６：照射位置制御部 １７：スパッタ／アシスト制御部 １８：試料位置制御部 １９：真空排気系制御部 ２０：アシストガス制御部 ２１：ディスプレイ ２２：キーボード ２３：ディスク
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．細く絞られた態様で試料面を照射するイオンビーム
と、 該イオンビムを偏向して試料面を走査する走査手段と、 該走査手段を用いてイオンビームを試料面に走査するこ
とによって当該試料から放射される荷電粒子に関する情
報を検出する荷電粒子検出器と、 該荷電粒子検出器を用いて検出された荷電粒子によって
生成された像を表示する表示装置と、 前記イオンビームによって照射されている試料面に対し
て、前記イオンビームの照射により導電性膜を前記試料
表面に形成する有機化合物ガスを吹き付ける第一のノズ
ルと、 前記イオンビームによって照射されている試料面に対し
て、前記イオンビームの照射により絶縁性膜を前記試料
表面に形成するシリコン化合物ガスを吹き付ける第二の
ノズルと、 前記表示装置上に表示されている表示情報に基づいて新
たに導電性のパターンあるいは新たに絶縁性のパターン
を生成しようとする領域に対して、前記イオンビームを
照射しつつ前記第一のノズル又は第二のノズルを切り替
えて、前記有機化合物ガスあるいはシリコン化合物ガス
の吹き付けを制御するスパッタ／アシスト制御部とを備
えたパターン修正装置によるパターン修正方法におい
て、 前記スパッタ／アシスト制御部によって第一のノズルと
第二のノズルからのガス吹き付けを切り替えて、配線上
に前記絶縁性パターンを生成した上に前記導電性パター
ンを生成して、前記他の配線を跨いで新たな配線を生成
することを特徴とするパターン修正方法。 ２．前記シリコン化合物ガスはＳｉＨ 4 ーＮＨ 3 ガスであ
る請求項１記載のパターン修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9087893A JP3013158B2 (ja) | 1997-04-07 | 1997-04-07 | パターン修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9087893A JP3013158B2 (ja) | 1997-04-07 | 1997-04-07 | パターン修正方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10039496A Division JPH0922911A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | パターン生成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1032205A JPH1032205A (ja) | 1998-02-03 |
| JP3013158B2 true JP3013158B2 (ja) | 2000-02-28 |
Family
ID=13927574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9087893A Expired - Lifetime JP3013158B2 (ja) | 1997-04-07 | 1997-04-07 | パターン修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3013158B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6653240B2 (en) | 2001-01-12 | 2003-11-25 | International Business Machines Corporation | FIB/RIE method for in-line circuit modification of microelectronic chips containing organic dielectric |
| KR102104899B1 (ko) | 2012-12-05 | 2020-05-29 | 엘지전자 주식회사 | 무선 통신 시스템에서 접근 권한 인증을 위한 방법 및 장치 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61245553A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Seiko Instr & Electronics Ltd | イオンビーム加工装置 |
| JPH0922911A (ja) * | 1996-04-22 | 1997-01-21 | Seiko Instr Inc | パターン生成装置 |
-
1997
- 1997-04-07 JP JP9087893A patent/JP3013158B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61245553A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Seiko Instr & Electronics Ltd | イオンビーム加工装置 |
| JPH0922911A (ja) * | 1996-04-22 | 1997-01-21 | Seiko Instr Inc | パターン生成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1032205A (ja) | 1998-02-03 |
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