JPS61245553A - イオンビーム加工装置 - Google Patents
イオンビーム加工装置Info
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- JPS61245553A JPS61245553A JP8727585A JP8727585A JPS61245553A JP S61245553 A JPS61245553 A JP S61245553A JP 8727585 A JP8727585 A JP 8727585A JP 8727585 A JP8727585 A JP 8727585A JP S61245553 A JPS61245553 A JP S61245553A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3178—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for applying thin layers on objects
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野と発明の概要〕
本発明はパターン生成装置、特にイオンビームを試料面
に照射しつつ導電性の被膜を生成するガスおよび絶縁性
の被膜を生成するガスを順次当該試料面に吹きつりるこ
とによって導電性のパターンと絶縁性のパターンとを積
層する態様で生成するよう構成したパターン生成装置に
関するものである。
に照射しつつ導電性の被膜を生成するガスおよび絶縁性
の被膜を生成するガスを順次当該試料面に吹きつりるこ
とによって導電性のパターンと絶縁性のパターンとを積
層する態様で生成するよう構成したパターン生成装置に
関するものである。
〔従来の技術と発明が解決しようとする問題点〕ＬＳＩ
等の素子を製造した後、微小（ミクロンオーダ）な配線
パターンを跨く態様で他の配線パターンを相互に電気的
に接続する場合には、跨ぐ配線パターン上に絶縁物の薄
膜からなるパターンを生成した後、当該絶縁物の薄膜パ
ターンの上に導電性の薄膜からなるパターンを鎖交する
態様で生成して他の配線パターン相互の電気的な接続を
行ことか望まれている。また、シリコン基板あるいは導
電性の薄膜パターンの上に絶縁性の薄膜パターンを形成
し、更に当該絶縁性の薄膜パターンの上に導電性のパタ
ーンを形成することにより、微小な素子例えばコンデン
サ、マイクロ・ストリップラインおよび誘電体共振器等
の素子を任意の場所かつ任意な時に形成したり、あるい
は特性のバラツキを調整等したりすることが望まれてい
る。
等の素子を製造した後、微小（ミクロンオーダ）な配線
パターンを跨く態様で他の配線パターンを相互に電気的
に接続する場合には、跨ぐ配線パターン上に絶縁物の薄
膜からなるパターンを生成した後、当該絶縁物の薄膜パ
ターンの上に導電性の薄膜からなるパターンを鎖交する
態様で生成して他の配線パターン相互の電気的な接続を
行ことか望まれている。また、シリコン基板あるいは導
電性の薄膜パターンの上に絶縁性の薄膜パターンを形成
し、更に当該絶縁性の薄膜パターンの上に導電性のパタ
ーンを形成することにより、微小な素子例えばコンデン
サ、マイクロ・ストリップラインおよび誘電体共振器等
の素子を任意の場所かつ任意な時に形成したり、あるい
は特性のバラツキを調整等したりすることが望まれてい
る。
しかし、従来はＬ Ｓ Ｉ等の如く−Ｈパターンの完成
したものに対して、あるいはカスタムＩＣの如く完成後
に必要に応じて、前述した目的等のために導電性のパタ
ーンと絶縁性のパターンとを所望の位置に所望の貼に迅
速かつ節争に積層する態様で、しかも例えばミクロンオ
ーダときにはサブ３、、、−・ ミクロンオーダの寸法で所定領域に正確に形成し難いと
いう問題点があった。
したものに対して、あるいはカスタムＩＣの如く完成後
に必要に応じて、前述した目的等のために導電性のパタ
ーンと絶縁性のパターンとを所望の位置に所望の貼に迅
速かつ節争に積層する態様で、しかも例えばミクロンオ
ーダときにはサブ３、、、−・ ミクロンオーダの寸法で所定領域に正確に形成し難いと
いう問題点があった。
本発明は、前記問題点を解決するために、イオンビーム
を試料面に照射しつつ導電性の被膜を生成するガスおよ
び絶縁性の被膜を生成するガスを順次当該試料面に吹き
つける手段を採用することにより、微小な導電性のパタ
ーンと絶縁性のパターンとを積層したものを容易かつ迅
速に生成し得るようにしている。
を試料面に照射しつつ導電性の被膜を生成するガスおよ
び絶縁性の被膜を生成するガスを順次当該試料面に吹き
つける手段を採用することにより、微小な導電性のパタ
ーンと絶縁性のパターンとを積層したものを容易かつ迅
速に生成し得るようにしている。
〔実施例）
以下図面を参照しつつ本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の１実施例構成図、第２図は第１図図示
本発明の１実施例構成を用いた具体的応用例を示す。
本発明の１実施例構成を用いた具体的応用例を示す。
図中、１は本発明に係わるパターン生成装置、２はイオ
ン銃、２−１はイオン源、２−２は電極、３は偏向電極
（１）ｒｊＦ）、４は対、物レンズ、５ば試料、６は試
料台、７は試料移動機構、８は検出器、９はアシストガ
スを吹きつけるガス銃、１０はニーｌ−ルハルブ、１１
はガス源、１２は真空排気装置、１３−１．１３−３は
高電圧発生装置、１３−２はイオン加速電圧制御部、１
３−４は焦点合せ制御部、１４は走査制御部、１５は信
号増幅処理部、１Ｇは照射位置制御部、１７はスパッタ
／アシスト制御部、１８は試料位置制御部、１９は真空
排気系制御部、２０はアシストガス制御部、２１ばディ
スプＩ／イ、２２はキーボード、２３はディスクを表す
。
ン銃、２−１はイオン源、２−２は電極、３は偏向電極
（１）ｒｊＦ）、４は対、物レンズ、５ば試料、６は試
料台、７は試料移動機構、８は検出器、９はアシストガ
スを吹きつけるガス銃、１０はニーｌ−ルハルブ、１１
はガス源、１２は真空排気装置、１３−１．１３−３は
高電圧発生装置、１３−２はイオン加速電圧制御部、１
３−４は焦点合せ制御部、１４は走査制御部、１５は信
号増幅処理部、１Ｇは照射位置制御部、１７はスパッタ
／アシスト制御部、１８は試料位置制御部、１９は真空
排気系制御部、２０はアシストガス制御部、２１ばディ
スプＩ／イ、２２はキーボード、２３はディスクを表す
。
まず第１に、イオンビームを照射した試料から放射され
た荷電粒子例えば２次電子をディスプレイ２１上に３１
Ｍ像として表示する場合の構成お（よび動作について説
明する。
た荷電粒子例えば２次電子をディスプレイ２１上に３１
Ｍ像として表示する場合の構成お（よび動作について説
明する。
第１図において、図中イオン銃２は軸上に穴を有し接地
された電極２−２に対して、イオン源２−１例えば先端
が鋭利かつガリウムを含むニードル型のものに正の高電
圧＋ＨＶ、を高電圧発生装置１３−１から印加すると共
に当該イオン源２−１の先端に液体ガリウムが生じる程
度に加熱することによって、ガリウｌトイオン・ビーム
が放射されるものである。該ガリウム・イオン・ビーム
を加速する加速電圧は、イオン加速電圧制御部１３−２
によって設定される。放射されたガリウム・イオン・ビ
ームは対物レンズ（ＯＬ）４によって試料台６上に取り
つけられた試料５上に細く絞られる（結像される）と共
に、偏向電極（ＸおよびＹ）３によって当該試料５上を
走査される。該試料５から放射された例えば２次電子等
は検出器８によって検出され、信号増幅処理部１５に供
給される。この際、対物レンズ４には、焦点合せ制御部
１３−４からの信号に基づき高電圧発生装置１３−３に
よって発生された高電圧が印加され、試料５−上にガリ
ウム・イオン・ビームが細（絞られる。そして、信号増
幅処理部１５に供給された信号に対して増幅および処理
等が行われ、ディスプレイ２１上に例えば３１Ｍ像とし
て表示される。
された電極２−２に対して、イオン源２−１例えば先端
が鋭利かつガリウムを含むニードル型のものに正の高電
圧＋ＨＶ、を高電圧発生装置１３−１から印加すると共
に当該イオン源２−１の先端に液体ガリウムが生じる程
度に加熱することによって、ガリウｌトイオン・ビーム
が放射されるものである。該ガリウム・イオン・ビーム
を加速する加速電圧は、イオン加速電圧制御部１３−２
によって設定される。放射されたガリウム・イオン・ビ
ームは対物レンズ（ＯＬ）４によって試料台６上に取り
つけられた試料５上に細く絞られる（結像される）と共
に、偏向電極（ＸおよびＹ）３によって当該試料５上を
走査される。該試料５から放射された例えば２次電子等
は検出器８によって検出され、信号増幅処理部１５に供
給される。この際、対物レンズ４には、焦点合せ制御部
１３−４からの信号に基づき高電圧発生装置１３−３に
よって発生された高電圧が印加され、試料５−上にガリ
ウム・イオン・ビームが細（絞られる。そして、信号増
幅処理部１５に供給された信号に対して増幅および処理
等が行われ、ディスプレイ２１上に例えば３１Ｍ像とし
て表示される。
該表示される３１Ｍ像等の倍率は、走査制御部１４が偏
向電極３に印加する走査体ηの大きさによって決定され
る。また、ディスプレイ２１上で観察される試料５の位
置は、試料位置制御部１８からの指示によって試料移動
機構７が試料台６を移動させること、あるいは図示され
ていない手動機構を介して試料移動機構７が試料台６を
移動させることによって行われる。更に、パターン生成
装置１を構成する試料室等の内部およびガリウム・イオ
ン・ビームが通過する領域は、真空排気系制御部１９か
らの指示に基づき真空排気装置１２によって超高真空に
排気される。
向電極３に印加する走査体ηの大きさによって決定され
る。また、ディスプレイ２１上で観察される試料５の位
置は、試料位置制御部１８からの指示によって試料移動
機構７が試料台６を移動させること、あるいは図示され
ていない手動機構を介して試料移動機構７が試料台６を
移動させることによって行われる。更に、パターン生成
装置１を構成する試料室等の内部およびガリウム・イオ
ン・ビームが通過する領域は、真空排気系制御部１９か
らの指示に基づき真空排気装置１２によって超高真空に
排気される。
以上の如き構成および動作によって試料５の８１Ｍ像を
観察することができ、後述する導電性のパターンと絶縁
性のパターンとを積層する場合に必要な位置を正確に決
定することが可能となる。
観察することができ、後述する導電性のパターンと絶縁
性のパターンとを積層する場合に必要な位置を正確に決
定することが可能となる。
第２に、新たな導電性のパターンと新たな絶縁性のパタ
ーンとを積層する態様で生成する場合の構成および動作
について説明する。
ーンとを積層する態様で生成する場合の構成および動作
について説明する。
既述した如くして新たに生成すべきパターンを含む領域
が当該ディスプレイ２１上に８１Ｍ像として表示される
ように試料台６を移動させ、かつ対物レンズ４の焦点合
わせを行う。この際、試料台６の移動は、試料５である
例えばＬＳＩ等上のパターンの位置座標等の情報を予め
データベースとしてディスク２３中に格納しておき、キ
ーボード２２から新たなパターンを生成すべき位置情報
および寸法等をスパッタ／アシスト制御部１７にキー人
力して指定することによって行ってもよいし、あるいは
手動によって行ってもよい。
が当該ディスプレイ２１上に８１Ｍ像として表示される
ように試料台６を移動させ、かつ対物レンズ４の焦点合
わせを行う。この際、試料台６の移動は、試料５である
例えばＬＳＩ等上のパターンの位置座標等の情報を予め
データベースとしてディスク２３中に格納しておき、キ
ーボード２２から新たなパターンを生成すべき位置情報
および寸法等をスパッタ／アシスト制御部１７にキー人
力して指定することによって行ってもよいし、あるいは
手動によって行ってもよい。
次に、ディスプレイ２１上に表示されたパターン中に新
たにパターンを生成すべき領域がガリウム・イオン・ビ
ームによって正確に所定時間走査されるように、キーボ
ー１゛２２からスパッタ／アシスト制御部１７に対して
キー人力する。キー人力を行うことによって当該スパッ
タ／アシスト制御部１７は照射位置制御部１６に対して
指令を与える。該指令を受けた照射位置制御部１６は、
走更に、新たな導電性のパターンあるいは新たな絶縁性
のパターンを生成するために、スパッタ／アシスト制御
部１７はアシストガス制御部２ｏに対して指令を発して
、ガス源１１を加熱等して発生させたガス例えば導電性
の薄膜を生成させるためのピレン（ＣＩｂＨ＋。）ガス
を、ニードルバルブ１０を介してガス銃９を構成する複
数のノズルのうちの一つから試料５上のガリウム・イオ
ン・ビームが照射されている位置に吹きつける。これに
より、ガリウム・イオン・ビームを用いてピレンガスを
分解した付着力の強い導電性のカーボン膜が当該ガリウ
ム・イオン・ビームを用いて走査した領域に生成される
こととなる。同様に例えばＳｉＨ，−ＮＨ３ガスをガス
銃９を構成する他のノズルからガリウム・イオン・ビー
ムが照射されている試料５面に吹きつけることにより、
絶縁性の酸化シリコン（ＳｉＯ□）膜が当該ガリウム・
イオン・ビームを用いて走査した領域に生成されること
となる。
たにパターンを生成すべき領域がガリウム・イオン・ビ
ームによって正確に所定時間走査されるように、キーボ
ー１゛２２からスパッタ／アシスト制御部１７に対して
キー人力する。キー人力を行うことによって当該スパッ
タ／アシスト制御部１７は照射位置制御部１６に対して
指令を与える。該指令を受けた照射位置制御部１６は、
走更に、新たな導電性のパターンあるいは新たな絶縁性
のパターンを生成するために、スパッタ／アシスト制御
部１７はアシストガス制御部２ｏに対して指令を発して
、ガス源１１を加熱等して発生させたガス例えば導電性
の薄膜を生成させるためのピレン（ＣＩｂＨ＋。）ガス
を、ニードルバルブ１０を介してガス銃９を構成する複
数のノズルのうちの一つから試料５上のガリウム・イオ
ン・ビームが照射されている位置に吹きつける。これに
より、ガリウム・イオン・ビームを用いてピレンガスを
分解した付着力の強い導電性のカーボン膜が当該ガリウ
ム・イオン・ビームを用いて走査した領域に生成される
こととなる。同様に例えばＳｉＨ，−ＮＨ３ガスをガス
銃９を構成する他のノズルからガリウム・イオン・ビー
ムが照射されている試料５面に吹きつけることにより、
絶縁性の酸化シリコン（ＳｉＯ□）膜が当該ガリウム・
イオン・ビームを用いて走査した領域に生成されること
となる。
以上の如くして導電性のパターンと絶縁性のパターンと
を積層する態様で順次生成することが可能となる。
を積層する態様で順次生成することが可能となる。
尚、ガス銃９を構成する複数のノズルに対して夫々設け
られたニードルバルブ１０（図中では１個しか示してな
く他は省略しである）は、夫々のガス源１１からガス銃
９を構成する複数のノズルに対してアシストガスを夫々
供給しない場合には、閉状態にされる。一般に導電性の
パターンを生成する場合には、既述した如く例えばピレ
ンガスのみを供給するようにガス源１１を加熱等すると
共に当該ガス源１１によって発生させたガスをガス銃９
を構成する所定のノズルからガリウム・イオン・ビーム
が照射されている試料５面に吹きつけている。この際、
試料５面にガスを吹きつけるために、所定のニードルバ
ルブ１ｏ例えば１個のみを開状態に制御する。また、当
該ニードルバルブ１０は必要に応じてガスの供給量を制
御するためにも使用し得るものである。また、導電性の
パターンを生成するガスとして、前記ピレンガスの代わ
りにモリブデン化合物ガス、アルミニウム化合物ガスあ
るいはクロム化合物ガス等をガス銃９を構成する所定の
ノズルからガリウム・イオン・ビームの照射されている
位置に吹きつけることにより、夫々の導電性物質に対応
した新たな導電性のパターンをサブミクロン・サイズの
寸法で生成することが可能となる。そして、当該導電性
のパターンと絶縁性のパターンとを積層する態様で順次
積層することにより、既述したコンデンサ、マイクロ・
ストリップ・ライン等の素子を任意の場所に任意の時に
任意の大きさで生成することが可能となる。
られたニードルバルブ１０（図中では１個しか示してな
く他は省略しである）は、夫々のガス源１１からガス銃
９を構成する複数のノズルに対してアシストガスを夫々
供給しない場合には、閉状態にされる。一般に導電性の
パターンを生成する場合には、既述した如く例えばピレ
ンガスのみを供給するようにガス源１１を加熱等すると
共に当該ガス源１１によって発生させたガスをガス銃９
を構成する所定のノズルからガリウム・イオン・ビーム
が照射されている試料５面に吹きつけている。この際、
試料５面にガスを吹きつけるために、所定のニードルバ
ルブ１ｏ例えば１個のみを開状態に制御する。また、当
該ニードルバルブ１０は必要に応じてガスの供給量を制
御するためにも使用し得るものである。また、導電性の
パターンを生成するガスとして、前記ピレンガスの代わ
りにモリブデン化合物ガス、アルミニウム化合物ガスあ
るいはクロム化合物ガス等をガス銃９を構成する所定の
ノズルからガリウム・イオン・ビームの照射されている
位置に吹きつけることにより、夫々の導電性物質に対応
した新たな導電性のパターンをサブミクロン・サイズの
寸法で生成することが可能となる。そして、当該導電性
のパターンと絶縁性のパターンとを積層する態様で順次
積層することにより、既述したコンデンサ、マイクロ・
ストリップ・ライン等の素子を任意の場所に任意の時に
任意の大きさで生成することが可能となる。
第２図を用いて導電性のパターンと絶縁性のパターンと
を積層する態様で生成する場合の動作を詳細に説明する
。
を積層する態様で生成する場合の動作を詳細に説明する
。
第２図はＬＳＩを構成する配線パターンＡを跨ぐ態様で
、他の配線パターンＢ１と配線パターンＢ２とを電気的
に接続する場合の絶縁性のパターンＣと導電性のパター
ンＤとを生成する例を示す。
、他の配線パターンＢ１と配線パターンＢ２とを電気的
に接続する場合の絶縁性のパターンＣと導電性のパター
ンＤとを生成する例を示す。
第１に、配線パターンＡの上に図中二点鎖線を用いて示
す絶縁性のパターンＣを生成させために、既述した如く
して第１図図中ディスプレイ２１上に当該絶縁性のパタ
ーンＣを生成させる領域を表示させる。そして、キーボ
ード２２がらスパッタ／アシスト制御部１７に対して、
絶縁性のパターンＣを生成させる領域情報、絶縁性のパ
ターンＣを生成するためのガスを指定するアシストガス
情報、当該絶縁性のパターンＣの膜厚情報等をキー人力
する。これにより、スパッタ／アシスト制御部１７は既
述した如く照射位置制御部１６およびアシストガス制御
部２０に指令を発して、ガリウム・イオン・ビームが前
記指定された絶縁性のパターンＣを生成すべき領域を走
査するように走査信号を制御すると共に絶縁性のパター
ンＣを生成させる例えばＳ ｉ Ｈａ Ｎ Ｈ３ガス
がガリウム・イオン・ビームの照射されている位置に吹
きつけられるように制御する。そして所定時間ガリウム
・イオン・ビームを照射することにより、所定膜厚の絶
縁性のパターンＣが図示２点鎖線を用いて示す如く生成
される。
す絶縁性のパターンＣを生成させために、既述した如く
して第１図図中ディスプレイ２１上に当該絶縁性のパタ
ーンＣを生成させる領域を表示させる。そして、キーボ
ード２２がらスパッタ／アシスト制御部１７に対して、
絶縁性のパターンＣを生成させる領域情報、絶縁性のパ
ターンＣを生成するためのガスを指定するアシストガス
情報、当該絶縁性のパターンＣの膜厚情報等をキー人力
する。これにより、スパッタ／アシスト制御部１７は既
述した如く照射位置制御部１６およびアシストガス制御
部２０に指令を発して、ガリウム・イオン・ビームが前
記指定された絶縁性のパターンＣを生成すべき領域を走
査するように走査信号を制御すると共に絶縁性のパター
ンＣを生成させる例えばＳ ｉ Ｈａ Ｎ Ｈ３ガス
がガリウム・イオン・ビームの照射されている位置に吹
きつけられるように制御する。そして所定時間ガリウム
・イオン・ビームを照射することにより、所定膜厚の絶
縁性のパターンＣが図示２点鎖線を用いて示す如く生成
される。
第２に、第１のステップによって生成した絶縁性のパタ
ーンＣを跨ぐ態様で、かつ配線パターンＢｌと配線パタ
ーンＢ２を電気的に接続するために、図示点線を用い・
で示す如き導電性のパターンＤを生成する。第１のステ
ップの場合と同様にして、キーボード２２から導電性の
パターンＣを生成するためのガスを指定するアシストガ
ス情報、当該導電性のパターンの膜厚情報等をキー人力
する。これにより、スパッタ／アシスト制御部１７は既
述した如く照射位置制御部１６およびアシストガス制御
部２０に指令を発して、ガリウム・イオン・ビームが前
記指定された導電性のパターンＤを生成すべき領域を走
査するように走査信号を制御すると共に導電性のパター
ンＤを生成させる例えばピレンガスがガリウム・イオン
・ビームの照射されている位置に吹きつけられるように
制御する。そして所定時間ガリウム・イオン・ビームが
照射されることにより、所定膜厚の導電性のパターンＤ
が図示の如く生成される。
ーンＣを跨ぐ態様で、かつ配線パターンＢｌと配線パタ
ーンＢ２を電気的に接続するために、図示点線を用い・
で示す如き導電性のパターンＤを生成する。第１のステ
ップの場合と同様にして、キーボード２２から導電性の
パターンＣを生成するためのガスを指定するアシストガ
ス情報、当該導電性のパターンの膜厚情報等をキー人力
する。これにより、スパッタ／アシスト制御部１７は既
述した如く照射位置制御部１６およびアシストガス制御
部２０に指令を発して、ガリウム・イオン・ビームが前
記指定された導電性のパターンＤを生成すべき領域を走
査するように走査信号を制御すると共に導電性のパター
ンＤを生成させる例えばピレンガスがガリウム・イオン
・ビームの照射されている位置に吹きつけられるように
制御する。そして所定時間ガリウム・イオン・ビームが
照射されることにより、所定膜厚の導電性のパターンＤ
が図示の如く生成される。
以上の如く絶縁性のパターンＣ上に積層する態様で、か
つ鎖交する態様で導電性のパターンＤを生成することに
より、すでに完成されたＬＳＩ等の配線パターンＡを跨
ぐ態様で容易かつ迅速にしかもサブミクロン・サイズで
配線パターンＢ１と配線パターンＢ２とを電気的に接続
することが可能となる。
つ鎖交する態様で導電性のパターンＤを生成することに
より、すでに完成されたＬＳＩ等の配線パターンＡを跨
ぐ態様で容易かつ迅速にしかもサブミクロン・サイズで
配線パターンＢ１と配線パターンＢ２とを電気的に接続
することが可能となる。
また、同様にして導電性のパターンの上に絶縁性のパタ
ーンを生成し、更に当該絶縁性のパターンの上に導電性
のパターンをいわば順次積層する態様で生成することに
より、コンデンサをサブミクロン・サイズで任意の場所
に任意の時に任意の大きさに作成することが可能となる
。更に、ミクロンオーダときとしてサブミクロンオーダ
で生成された各種配線パターンの補修あるいは欠陥素子
を切断して予備の他の素子に接続交換等を行うことも容
易にできる。例えばディスプレイ等として用いられるド
ツト構成の液晶パネルを駆動する配線パターンの補修お
よび当該配線パターンに接続された欠陥のある駆動、素
子を切断し、予備の他の駆動素子と接続交換を行う場合
等に、他の配線を跨ぐ態様で電気的な接続を行うことも
可能となる。
ーンを生成し、更に当該絶縁性のパターンの上に導電性
のパターンをいわば順次積層する態様で生成することに
より、コンデンサをサブミクロン・サイズで任意の場所
に任意の時に任意の大きさに作成することが可能となる
。更に、ミクロンオーダときとしてサブミクロンオーダ
で生成された各種配線パターンの補修あるいは欠陥素子
を切断して予備の他の素子に接続交換等を行うことも容
易にできる。例えばディスプレイ等として用いられるド
ツト構成の液晶パネルを駆動する配線パターンの補修お
よび当該配線パターンに接続された欠陥のある駆動、素
子を切断し、予備の他の駆動素子と接続交換を行う場合
等に、他の配線を跨ぐ態様で電気的な接続を行うことも
可能となる。
以上説明した如く、本発明によれば、イオンビームを試
料面に照射しつつ導電性の被膜を生成するガスおよび絶
縁性の被膜を生成するガスを順次当該試料面に吹きつけ
る手段を採用しているため、微小な導電性のパターンと
絶縁性のパターンとを積層した態様のものを生成するこ
とが可能となる。
料面に照射しつつ導電性の被膜を生成するガスおよび絶
縁性の被膜を生成するガスを順次当該試料面に吹きつけ
る手段を採用しているため、微小な導電性のパターンと
絶縁性のパターンとを積層した態様のものを生成するこ
とが可能となる。
特に、ＬＳＩ等の配線パターンの如く、既に完成された
配線パターンを跨ぐ態様で他の配線パターン間の電気的
な接続をミクロン・オーダときとしてサブミクロン・オ
ーダで行うことが可能となると共に、微小なコンデンサ
を任意な時に任意の場所に任意の大きさにミクロン・オ
ーダで作成することが可能となる。
配線パターンを跨ぐ態様で他の配線パターン間の電気的
な接続をミクロン・オーダときとしてサブミクロン・オ
ーダで行うことが可能となると共に、微小なコンデンサ
を任意な時に任意の場所に任意の大きさにミクロン・オ
ーダで作成することが可能となる。
第１図は本発明の１実施例構成図、第２図は第１図図示
本発明の１実施例構成を用いた具体的応用例を示す。 図中、１は本発明に係わるパターン生成装置、２はイオ
ン銃、２−１はイオン源、２−２は電極、３ば偏向電極
（ＤＥＦ）、４は対物レンズ、５は試料、６は試料台、
７は試料移動機構、８は検出器、９はアシストガスを吹
きつけるガス銃、１０はニードルバルブ、１１はガス源
、１２は真空排気装置、１３−１．１３−３は高電圧発
生装置、１３−２はイオン加速電圧制御部、１３−４は
焦点合せ制御部、１４は走査制御部、１５は信号増幅処
理部、１６は照射位置制御部、１７はスパッタ／アシス
ト制御部、１８は試料位置制御部、１９は真空排気系制
御部、２０はアシストガス制御部、２１はディスプレイ
、２２はキーボード、２３はディスクを表す。
本発明の１実施例構成を用いた具体的応用例を示す。 図中、１は本発明に係わるパターン生成装置、２はイオ
ン銃、２−１はイオン源、２−２は電極、３ば偏向電極
（ＤＥＦ）、４は対物レンズ、５は試料、６は試料台、
７は試料移動機構、８は検出器、９はアシストガスを吹
きつけるガス銃、１０はニードルバルブ、１１はガス源
、１２は真空排気装置、１３−１．１３−３は高電圧発
生装置、１３−２はイオン加速電圧制御部、１３−４は
焦点合せ制御部、１４は走査制御部、１５は信号増幅処
理部、１６は照射位置制御部、１７はスパッタ／アシス
ト制御部、１８は試料位置制御部、１９は真空排気系制
御部、２０はアシストガス制御部、２１はディスプレイ
、２２はキーボード、２３はディスクを表す。
Claims (1)
- 細く絞られた態様で試料面を照射するイオンビームと
、該イオンビームを偏向して試料面を走査する走査手段
と、該走査手段を用いてイオンビームを試料面に走査す
ることによって当該試料から放射あるいは当該試料に吸
収される荷電粒子に関する情報を検出する荷電粒子検出
器と、該荷電粒子検出器を用いて検出された荷電粒子に
よって生成された像を表示する表示装置とを備えたパタ
ーン生成装置において、前記イオンビームによって照射
されている試料面に対して複数個のノズルから夫々異な
るガスを必要に応じて吹きつけ得るよう構成した、ある
いは／および１個のノズルから所望のガスを吹きつけ得
るよう構成したガス吹きつけ装置を備え、前記表示装置
上に表示されている表示情報に基づいて新たに導電性の
パターンあるいは新たに絶縁性のパターンを生成しよう
とする領域に対して前記イオンビームを照射しつつ前記
ガス吹きつけ装置を用いて導電性のパターンあるいは絶
縁性のパターンを生成すべきガスを吹きつけて新たな導
電性のパターンと新たな絶縁性のパターンとを積層する
態様で生成するよう構成したことを特徴とするパターン
生成装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60087275A JPH0715905B2 (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | イオンビーム加工装置 |
| EP86303036A EP0199585B1 (en) | 1985-04-23 | 1986-04-22 | Apparatus for depositing electrically conductive and/or electrically insulating material on a workpiece |
| DE8686303036T DE3672378D1 (de) | 1985-04-23 | 1986-04-22 | Vorrichtung zur abscheidung eines elektrisch leitenden und/oder nichtleitenden materials auf einem gegenstand. |
| US07/244,128 US5086230A (en) | 1985-04-23 | 1988-09-14 | Apparatus for forming, correcting pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60087275A JPH0715905B2 (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | イオンビーム加工装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6172813A Division JP2558614B2 (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | パターン膜生成方法 |
| JP6172812A Division JP2558613B2 (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | パターン膜生成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61245553A true JPS61245553A (ja) | 1986-10-31 |
| JPH0715905B2 JPH0715905B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=13910217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60087275A Expired - Lifetime JPH0715905B2 (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | イオンビーム加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0715905B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63241953A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-07 | Seiko Instr & Electronics Ltd | イオンビーム加工方法 |
| JPS6423555A (en) * | 1987-07-20 | 1989-01-26 | Hitachi Ltd | Wiring formation and device therefor |
| JPH01137547A (ja) * | 1987-11-25 | 1989-05-30 | Hitachi Ltd | 集束エネルギービーム加工装置および加工方法 |
| JPH0340434A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-21 | Hitachi Ltd | 接続配線を有する半導体装置並びに半導体装置における接続配線形成方法及びその装置 |
| JPH0385729A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-10 | Hitachi Ltd | 配線形成方法 |
| US5149973A (en) * | 1990-07-02 | 1992-09-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for wiring semiconductor device using energy beam and wiring method by using the same |
| JPH08250496A (ja) * | 1995-12-22 | 1996-09-27 | Seiko Instr Inc | イオンビーム加工装置 |
| JPH0922911A (ja) * | 1996-04-22 | 1997-01-21 | Seiko Instr Inc | パターン生成装置 |
| JPH09115907A (ja) * | 1996-04-22 | 1997-05-02 | Seiko Instr Inc | パターン生成方法 |
| JPH1032204A (ja) * | 1997-04-07 | 1998-02-03 | Seiko Instr Inc | パターン修正装置 |
| JPH1032205A (ja) * | 1997-04-07 | 1998-02-03 | Seiko Instr Inc | パターン修正方法 |
Citations (1)
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| JPS59168652A (ja) * | 1983-03-16 | 1984-09-22 | Hitachi Ltd | 素子修正方法及びその装置 |
-
1985
- 1985-04-23 JP JP60087275A patent/JPH0715905B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59168652A (ja) * | 1983-03-16 | 1984-09-22 | Hitachi Ltd | 素子修正方法及びその装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5306663A (en) * | 1990-07-02 | 1994-04-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of wiring semiconductor device using energy beam |
| US5149973A (en) * | 1990-07-02 | 1992-09-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for wiring semiconductor device using energy beam and wiring method by using the same |
| JPH08250496A (ja) * | 1995-12-22 | 1996-09-27 | Seiko Instr Inc | イオンビーム加工装置 |
| JP2829302B2 (ja) * | 1995-12-22 | 1998-11-25 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | イオンビーム加工装置 |
| JPH0922911A (ja) * | 1996-04-22 | 1997-01-21 | Seiko Instr Inc | パターン生成装置 |
| JPH09115907A (ja) * | 1996-04-22 | 1997-05-02 | Seiko Instr Inc | パターン生成方法 |
| JPH1032204A (ja) * | 1997-04-07 | 1998-02-03 | Seiko Instr Inc | パターン修正装置 |
| JPH1032205A (ja) * | 1997-04-07 | 1998-02-03 | Seiko Instr Inc | パターン修正方法 |
| JP3013158B2 (ja) * | 1997-04-07 | 2000-02-28 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | パターン修正方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0715905B2 (ja) | 1995-02-22 |
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