JPS63241953A - イオンビーム加工方法 - Google Patents
イオンビーム加工方法Info
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- JPS63241953A JPS63241953A JP62077038A JP7703887A JPS63241953A JP S63241953 A JPS63241953 A JP S63241953A JP 62077038 A JP62077038 A JP 62077038A JP 7703887 A JP7703887 A JP 7703887A JP S63241953 A JPS63241953 A JP S63241953A
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオンビームを走査して照射しながら、試料表
面の微細加工を行うイオンビーム加工装置に関する。加
工の種類としては例えば半導体デバイスあるいは露光用
フォトマスク（Ｘ線マスクを含む）等に、配線または遮
光のための金属パターン膜を追加形成する場合（以下こ
の加工を単に膜付けという）や、不要配線または不要付
着パターンを除去する場合等に利用されるものである。
面の微細加工を行うイオンビーム加工装置に関する。加
工の種類としては例えば半導体デバイスあるいは露光用
フォトマスク（Ｘ線マスクを含む）等に、配線または遮
光のための金属パターン膜を追加形成する場合（以下こ
の加工を単に膜付けという）や、不要配線または不要付
着パターンを除去する場合等に利用されるものである。
（発明の概要〕
本発明はイオンビームを走査しながら照射して試料表面
の加工例えば膜付けをするイオンビーム加工装置におい
て、イオンビーム走査方向を電気的に回転座標変換させ
、３６０°任意方向に偏向走査可能とすることにより、
Ｘ−Ｙ座標軸方向のみならず斜め方向のイオンビーム局
所膜付を可能にし３６０°任意方向での加工手段を提供
するものである。
の加工例えば膜付けをするイオンビーム加工装置におい
て、イオンビーム走査方向を電気的に回転座標変換させ
、３６０°任意方向に偏向走査可能とすることにより、
Ｘ−Ｙ座標軸方向のみならず斜め方向のイオンビーム局
所膜付を可能にし３６０°任意方向での加工手段を提供
するものである。
従来から液体金属イオン源（イオン材料としては例えば
ガリウムを用いる。）より発するイオンビームを集束レ
ンズ系でスポット状に集光し走査電極を用いてマスクス
キャン照射し試料表面の加工例えば膜付けを行うイオン
ビーム加工装置は知られていた、この場合イオンビーム
走査方向はＸ−Ｙ座標軸方向のみであった０例えば第２
図で示すような保護膜に被覆された２本のＩＣ配線２０
１を入れ替える場合、第４図に示すように保護膜を除去
し下層の配線を露出させる加工（以下穴あけという）３
０１を２回及び膜付け３０２を４回及び配線の切断（以
下切断という）３０３を２回加工した。
ガリウムを用いる。）より発するイオンビームを集束レ
ンズ系でスポット状に集光し走査電極を用いてマスクス
キャン照射し試料表面の加工例えば膜付けを行うイオン
ビーム加工装置は知られていた、この場合イオンビーム
走査方向はＸ−Ｙ座標軸方向のみであった０例えば第２
図で示すような保護膜に被覆された２本のＩＣ配線２０
１を入れ替える場合、第４図に示すように保護膜を除去
し下層の配線を露出させる加工（以下穴あけという）３
０１を２回及び膜付け３０２を４回及び配線の切断（以
下切断という）３０３を２回加工した。
前記に示されたように、従来はイオンビーム走査方向が
一定であったため、例えば膜付けを行う場合、形成され
る膜の形状がＸ−Ｙ座標軸方向のみと限定されている関
係上、１箇所の配線のために２回の膜付けを行なう場合
が数多く存在し、イオンビーム加工装置の稼動率を下げ
てしまうという問題点があった。
一定であったため、例えば膜付けを行う場合、形成され
る膜の形状がＸ−Ｙ座標軸方向のみと限定されている関
係上、１箇所の配線のために２回の膜付けを行なう場合
が数多く存在し、イオンビーム加工装置の稼動率を下げ
てしまうという問題点があった。
本発明は前述した従来技術の問題点を解決することを目
的とする。その手段は、イオンビーム加工装置において
、イオンビーム走査信号発生経路中にＸ方向およびＹ方
向の走査信号を回転座標変換する走査方向回転信号発生
部で回転させ、試料を固定した状態で３′６０°任意方
向の加工を行なうものである。
的とする。その手段は、イオンビーム加工装置において
、イオンビーム走査信号発生経路中にＸ方向およびＹ方
向の走査信号を回転座標変換する走査方向回転信号発生
部で回転させ、試料を固定した状態で３′６０°任意方
向の加工を行なうものである。
Ｘ−Ｙ座標上において（ｘ、ｙ）座標の角度θ回転移動
後の座標（ｘ’＋ｙ“）は次式で与えられる。
後の座標（ｘ’＋ｙ“）は次式で与えられる。
ｘ””ｘｃｏｓ θ−）’ ！！＋１ ０！”＝Ｘｓ
ｒｎ Ｏ＋ｙ、。、θ 、 前述の変換式を満足するようにＸ方向およびＹ方向
の走査信号の変換を行なうことにより、イオンビームは
変換式に従い偏向される。すなわちθを変化することで
３６０°任意方向のイオンビーム走査が行われるのであ
る。
ｒｎ Ｏ＋ｙ、。、θ 、 前述の変換式を満足するようにＸ方向およびＹ方向
の走査信号の変換を行なうことにより、イオンビームは
変換式に従い偏向される。すなわちθを変化することで
３６０°任意方向のイオンビーム走査が行われるのであ
る。
以下第１図に従って本発明の好適な実施例を詳細に説明
する。
する。
１はイオンビームを発するイオン源である０例えばガリ
ウム液体金属イオン源が用いられる。２はコンデンサレ
ンズであってイオンビーム発生用電源および制御部１６
及びイオン？ＴＡｌから発生制御されたイオンビームを
集光する。３は上部偏向板であって電圧印加によりコン
デンサレンズ２を通過したイオンビームを大きく屈折さ
せる。必要に応じイオンビームのブランキング等を行な
うためである。４はイオンビーム経路に対して直交する
方向に移動できる可動絞りである。５は非点補正レンズ
であって、可動絞り４を通過したイオンビームの非点補
正を行ない真円イオンビームスポットを得るためのレン
ズである。６は対物レンズであって非点補正されたイオ
ンビームのスポットを試ギ４９表面上に結像するための
ものである。７は走査電極であってＸ及び７２組の電極
よりなる。
ウム液体金属イオン源が用いられる。２はコンデンサレ
ンズであってイオンビーム発生用電源および制御部１６
及びイオン？ＴＡｌから発生制御されたイオンビームを
集光する。３は上部偏向板であって電圧印加によりコン
デンサレンズ２を通過したイオンビームを大きく屈折さ
せる。必要に応じイオンビームのブランキング等を行な
うためである。４はイオンビーム経路に対して直交する
方向に移動できる可動絞りである。５は非点補正レンズ
であって、可動絞り４を通過したイオンビームの非点補
正を行ない真円イオンビームスポットを得るためのレン
ズである。６は対物レンズであって非点補正されたイオ
ンビームのスポットを試ギ４９表面上に結像するための
ものである。７は走査電極であってＸ及び７２組の電極
よりなる。
イオンビームスポットを試料上でラスクスキャンし例え
ば半導体デバイスの補修加工を行なう。８はガス銃であ
って例えばヘキサカルボニル金属蒸気を半導体デバイス
の膜付は箇所に吹きつけるものである。同時に膜付は箇
所にイオンビームを走査しながら照射しヘキサカルボニ
ル金属蒸気を金属化し膜付けを行なう、前記試料９表面
がら放出される二次荷電粒子は二次荷電粒子検出器１ｏ
によって検出され、信号増幅処理部１１により増幅およ
び処理され輝度信号となり、走査制御部１３からの走査
信号と共にディスプレイ１２に入力されて二次荷電粒子
像が表示される。この二次荷電粒子像によって試料９上
の金属パターン膜を形成すべき位置を探し出し、走査方
向回転信号発生部１５で前記二次荷電粒子像を回転移動
させ、走査範囲設定部１４で前記金属パターン膜を形成
すべき領域を設定し膜付加工を行なう０例えば前記第２
図のＩＣ配線２０１の入れ替えを本発明の方法で実現し
た場合、第３図に示すように、穴あけ３０１を２回およ
び膜付け３０２を３回および切断３０３を２回とするこ
とで所望の加工が終了する。従って本例の場合、本発明
により膜付は回数が１回減することになる。
ば半導体デバイスの補修加工を行なう。８はガス銃であ
って例えばヘキサカルボニル金属蒸気を半導体デバイス
の膜付は箇所に吹きつけるものである。同時に膜付は箇
所にイオンビームを走査しながら照射しヘキサカルボニ
ル金属蒸気を金属化し膜付けを行なう、前記試料９表面
がら放出される二次荷電粒子は二次荷電粒子検出器１ｏ
によって検出され、信号増幅処理部１１により増幅およ
び処理され輝度信号となり、走査制御部１３からの走査
信号と共にディスプレイ１２に入力されて二次荷電粒子
像が表示される。この二次荷電粒子像によって試料９上
の金属パターン膜を形成すべき位置を探し出し、走査方
向回転信号発生部１５で前記二次荷電粒子像を回転移動
させ、走査範囲設定部１４で前記金属パターン膜を形成
すべき領域を設定し膜付加工を行なう０例えば前記第２
図のＩＣ配線２０１の入れ替えを本発明の方法で実現し
た場合、第３図に示すように、穴あけ３０１を２回およ
び膜付け３０２を３回および切断３０３を２回とするこ
とで所望の加工が終了する。従って本例の場合、本発明
により膜付は回数が１回減することになる。
以上述べたように本発明によれば、イオンビーム走査信
号発生経路中に走査方向回転信号発生部を介在させ、二
次荷電粒子像を任意角度で回転移動することで、斜め方
向など３６０°任意方向のイオンビーム局所膜付を可能
とした。その結果加工箇所数を低減することができるよ
うになり加ニスピードを向上させる効果がある。
号発生経路中に走査方向回転信号発生部を介在させ、二
次荷電粒子像を任意角度で回転移動することで、斜め方
向など３６０°任意方向のイオンビーム局所膜付を可能
とした。その結果加工箇所数を低減することができるよ
うになり加ニスピードを向上させる効果がある。
第１図は本発明の実施例を示す装置構成図、第２図は本
発明の方法を実現するためのＩＣ配線例の平面図、第３
図は本発明を利用した前記第２図の配線入れ替え加工実
施例の平面図、第４図は前記第２図の配線入れ替えの従
来の方法による実施例の平面図である。 １・・・イオン源 ２・・・コンデンサレンズ ３・・・上部偏向板 ４・・・可動絞り ５・・・非点補正レンズ ６・・・対物レンズ ７・・・走査電極 ８・・・ガス銃 ９・・・試料 １０・・・二次荷電粒子検出器 １１・・・信号増幅処理部 １２・・・ディスプレイ １３・・・走査制御部 １４・・・走査範囲設定部 １５・・・走査方向回転信号発生部 １６・・・イオンビーム発生用電源及び制御部２０１
・・ＩＣ配線 ３０１ ・・穴あけ箇所 ３０２ ・・膜付は箇所 ３０３ ・・切断箇所 以上
発明の方法を実現するためのＩＣ配線例の平面図、第３
図は本発明を利用した前記第２図の配線入れ替え加工実
施例の平面図、第４図は前記第２図の配線入れ替えの従
来の方法による実施例の平面図である。 １・・・イオン源 ２・・・コンデンサレンズ ３・・・上部偏向板 ４・・・可動絞り ５・・・非点補正レンズ ６・・・対物レンズ ７・・・走査電極 ８・・・ガス銃 ９・・・試料 １０・・・二次荷電粒子検出器 １１・・・信号増幅処理部 １２・・・ディスプレイ １３・・・走査制御部 １４・・・走査範囲設定部 １５・・・走査方向回転信号発生部 １６・・・イオンビーム発生用電源及び制御部２０１
・・ＩＣ配線 ３０１ ・・穴あけ箇所 ３０２ ・・膜付は箇所 ３０３ ・・切断箇所 以上
Claims (1)
- イオン源から発するイオンビームを集束レンズ系で集光
し走査電極で走査させながら試料表面に照射する手段と
、原料ガスを試料表面に吹きつけるガス銃を組み合わせ
た、イオンビーム局所膜付装置において、イオンビーム
走査方向を電気的に回転座標変換させ、３６０°任意方
向に偏向走査可能とすることにより、Ｘ−Ｙ座標軸方向
のみならず斜め方向のイオンビーム局所膜付けを可能と
することを特徴とするイオンビーム加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62077038A JPH077763B2 (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | イオンビーム加工方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62077038A JPH077763B2 (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | イオンビーム加工方法とその装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7335351A Division JP2829302B2 (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | イオンビーム加工装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63241953A true JPS63241953A (ja) | 1988-10-07 |
| JPH077763B2 JPH077763B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=13622596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62077038A Expired - Lifetime JPH077763B2 (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | イオンビーム加工方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077763B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08250496A (ja) * | 1995-12-22 | 1996-09-27 | Seiko Instr Inc | イオンビーム加工装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60245227A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-05 | Seiko Instr & Electronics Ltd | パタ−ン膜の形成方法 |
| JPS6188440A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-06 | Hitachi Ltd | 試料像表示装置 |
| JPS61176042A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-07 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビ−ム加工機の陰極モニタリング方法及びそのための装置 |
| JPS61245553A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Seiko Instr & Electronics Ltd | イオンビーム加工装置 |
| JPS6242157A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-24 | Seiko Instr & Electronics Ltd | イオンビ−ム照射加工装置 |
-
1987
- 1987-03-30 JP JP62077038A patent/JPH077763B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60245227A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-05 | Seiko Instr & Electronics Ltd | パタ−ン膜の形成方法 |
| JPS6188440A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-06 | Hitachi Ltd | 試料像表示装置 |
| JPS61176042A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-07 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビ−ム加工機の陰極モニタリング方法及びそのための装置 |
| JPS61245553A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Seiko Instr & Electronics Ltd | イオンビーム加工装置 |
| JPS6242157A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-24 | Seiko Instr & Electronics Ltd | イオンビ−ム照射加工装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08250496A (ja) * | 1995-12-22 | 1996-09-27 | Seiko Instr Inc | イオンビーム加工装置 |
| JP2829302B2 (ja) * | 1995-12-22 | 1998-11-25 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | イオンビーム加工装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH077763B2 (ja) | 1995-01-30 |
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