JPS60245227A - パタ−ン膜の形成方法 - Google Patents
パタ−ン膜の形成方法Info
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- JPS60245227A JPS60245227A JP59101944A JP10194484A JPS60245227A JP S60245227 A JPS60245227 A JP S60245227A JP 59101944 A JP59101944 A JP 59101944A JP 10194484 A JP10194484 A JP 10194484A JP S60245227 A JPS60245227 A JP S60245227A
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- Japan
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- molybdenum
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- gold
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造工程のなかで必要とされる
パターン膜の形成方法に関し、例えは線マスクの白点欠
陥修正及びＬＳＩ基板の断線の修理も可態にするもので
ある。
パターン膜の形成方法に関し、例えは線マスクの白点欠
陥修正及びＬＳＩ基板の断線の修理も可態にするもので
ある。
半導体製造工程において使用されるマスクおよびレチク
ルはパターンを露光しエツチングすることにより製造さ
れるが、この際パターンに欠陥が生じて問題となってい
る。この欠陥には２種類あり、１つは削られるべき個所
が残ってしまったもので黒点欠陥と呼び、もう１つは残
るべき個所が削られてしまったもので白点欠陥とよぶ。
ルはパターンを露光しエツチングすることにより製造さ
れるが、この際パターンに欠陥が生じて問題となってい
る。この欠陥には２種類あり、１つは削られるべき個所
が残ってしまったもので黒点欠陥と呼び、もう１つは残
るべき個所が削られてしまったもので白点欠陥とよぶ。
この欠陥のうち白点欠陥を修正する従来技術はホトマス
クの白点欠陥修正技術であった。すなわち特公昭５Ｂ−
４６０５５に述べられているようにホトマスク表面近傍
に有機化合物の存在する雰囲更に１７で電子ビームを白
点欠陥個所に照射してカーボン膜を形成する方法である
。ところでこのようにして形成したパターン膜は露光す
る光が可視光ないし遠視外光である場合には充分な遮光
性を持っているがＸ線露光に対しては効力が弱い。なぜ
ならば炭素を主成分とする膜では原子番号が低くて充分
なＸ線吸収係数を持たないからである。
クの白点欠陥修正技術であった。すなわち特公昭５Ｂ−
４６０５５に述べられているようにホトマスク表面近傍
に有機化合物の存在する雰囲更に１７で電子ビームを白
点欠陥個所に照射してカーボン膜を形成する方法である
。ところでこのようにして形成したパターン膜は露光す
る光が可視光ないし遠視外光である場合には充分な遮光
性を持っているがＸ線露光に対しては効力が弱い。なぜ
ならば炭素を主成分とする膜では原子番号が低くて充分
なＸ線吸収係数を持たないからである。
一方、ＬＳＩ基板上で信号を出し入れするワード線やビ
ット線等の導電性パターンにバースト欠陥等の断線が生
じて問題となっている。このような断線を炭素を主成分
とする膜を形成して修理すると、放射性の１４（３の崩
壊によってＬＳＩが誤動作することがある。すなわち、
ＬＥＩ■基板上の配線の断線を修理する技術は現在のと
ころ存在せず、断線を有するＬ８エチツプは廃棄されて
いる。
ット線等の導電性パターンにバースト欠陥等の断線が生
じて問題となっている。このような断線を炭素を主成分
とする膜を形成して修理すると、放射性の１４（３の崩
壊によってＬＳＩが誤動作することがある。すなわち、
ＬＥＩ■基板上の配線の断線を修理する技術は現在のと
ころ存在せず、断線を有するＬ８エチツプは廃棄されて
いる。
本発明の目的は上記した従来技術の限界をなくし、Ｘ線
マスクの白点欠陥修正及びＬＳＩ基板上の導電性パター
ンの修−理を可能にすると共に、Ｘ線マスクの形成、Ｌ
ＳＩ基板上の導電性パターンの作成を可能にする手段を
提供するものである。
マスクの白点欠陥修正及びＬＳＩ基板上の導電性パター
ンの修−理を可能にすると共に、Ｘ線マスクの形成、Ｌ
ＳＩ基板上の導電性パターンの作成を可能にする手段を
提供するものである。
即ち金、モリブデン、パラジウム、タンタルまたはタン
グステン化合物の蒸気を使用することを特徴とするもの
である。
グステン化合物の蒸気を使用することを特徴とするもの
である。
以下、本発明による１実施例として、パターン膜の修正
、修理を行なう場合について説明する。
、修理を行なう場合について説明する。
第１図において、１は基鈑、２は金等の高原子番号物質
で描かれたパターン、３１．５２．３５は代表的な白点
欠陥でそれぞれ素子脱落１．断線、ピンホールを示して
おり、いずれもＸ線が透過してしまうために何らかの加
工をしてＸ線遮蔽の能力を持たせる必要がある。
で描かれたパターン、３１．５２．３５は代表的な白点
欠陥でそれぞれ素子脱落１．断線、ピンホールを示して
おり、いずれもＸ線が透過してしまうために何らかの加
工をしてＸ線遮蔽の能力を持たせる必要がある。
第２図（８，）は、化合物蒸気を基板に吹き付けつつレ
ーザーまたは粒子ビームを照射することによってパター
ン膜の形成を行なう装置図で、１は基板で第１図に示し
たものの断面、４けレーザーまたは粒子ビームの発生源
、５はレーザーまたは粒子ビームを示す。ここで粒子ビ
ームとは電子ビーム、イオンビーム、中性粒子ビームを
意味する。
ーザーまたは粒子ビームを照射することによってパター
ン膜の形成を行なう装置図で、１は基板で第１図に示し
たものの断面、４けレーザーまたは粒子ビームの発生源
、５はレーザーまたは粒子ビームを示す。ここで粒子ビ
ームとは電子ビーム、イオンビーム、中性粒子ビームを
意味する。
また６は化合物蒸気供給源で、化合物を加熱する機構ま
たはバルブの開閉機構等によって化合物蒸気７を基板表
面の所定位置に吹きつける量を調節できる構造となって
いる。８は支持鈑で、基板１を保持し、基板１の温度を
制御し、かつレーザーまたは粒子ビーム５を基板１の任
意の個所に照射できるように移動できるような構造とな
っている。
たはバルブの開閉機構等によって化合物蒸気７を基板表
面の所定位置に吹きつける量を調節できる構造となって
いる。８は支持鈑で、基板１を保持し、基板１の温度を
制御し、かつレーザーまたは粒子ビーム５を基板１の任
意の個所に照射できるように移動できるような構造とな
っている。
甘た、以上に述べた系は粒子ビームや化合物蒸気７の散
乱を防ぐために１０−’Ｔｏｒｒ以下の真空に保たれて
いる。第２図（ｂ）は上記の装置を使用してパターン膜
を形成する現象を説明するための図である。化合物蒸気
７が基板１に吹き付けられて付着すると、基板温度や化
合物層によって定まる一足の時間付着位置に留まった後
に蒸発する。
乱を防ぐために１０−’Ｔｏｒｒ以下の真空に保たれて
いる。第２図（ｂ）は上記の装置を使用してパターン膜
を形成する現象を説明するための図である。化合物蒸気
７が基板１に吹き付けられて付着すると、基板温度や化
合物層によって定まる一足の時間付着位置に留まった後
に蒸発する。
このとき化合物の吹き付は位置には付着化合物層９が生
じる。ここで基板１を適当なｆＡ度に調節して付着化合
物層を適当な厚さにすると以下に説明するような良好な
パターン膜の形成を行なえる。
じる。ここで基板１を適当なｆＡ度に調節して付着化合
物層を適当な厚さにすると以下に説明するような良好な
パターン膜の形成を行なえる。
すなわち、付着化合物層９にレーザーまたは粒子ビーム
５を照射すると化合物は分解または化合してパターン膜
１０が時間と共に堆積するように成成する。一方、レー
ザーまたは粒子ビーム照射位置１１以外の化合物吹き付
は位置に生じる付着化合物層９の厚さは必要とするパタ
ーン膜１ｏの厚さに比べて薄い状態で平衡となる。そし
て化合物の蒸気７の供給を止めると付着化合物層９はす
みやかに蒸発によって消滅し、パターン膜形成に伺ら障
害をもたらさない。第２図（ｃ）は上記方法によってパ
ターン膜８を形成したことを示す図である。さて、上記
の方法において、トリメチル金、臭化ジメチル金、メチ
ル（トリフェニルホスフィン）金のうち１種類若しく
Ｆ１２ ｇＨ類以上の混合物を使用してパターン膜の形
成を行なうと、化合物中の金は全てパターン膜中に留ま
り、炭素、水素、臭素の大部分は炭化水素ガス、水素ガ
ス、臭素ガス等として散逸する。その結果、パターン膜
はその主成分が全となゆ、Ｘ線マスクとしては１μｍ程
度の膜厚で充分なＸ線遮蔽能力を持っていた。
５を照射すると化合物は分解または化合してパターン膜
１０が時間と共に堆積するように成成する。一方、レー
ザーまたは粒子ビーム照射位置１１以外の化合物吹き付
は位置に生じる付着化合物層９の厚さは必要とするパタ
ーン膜１ｏの厚さに比べて薄い状態で平衡となる。そし
て化合物の蒸気７の供給を止めると付着化合物層９はす
みやかに蒸発によって消滅し、パターン膜形成に伺ら障
害をもたらさない。第２図（ｃ）は上記方法によってパ
ターン膜８を形成したことを示す図である。さて、上記
の方法において、トリメチル金、臭化ジメチル金、メチ
ル（トリフェニルホスフィン）金のうち１種類若しく
Ｆ１２ ｇＨ類以上の混合物を使用してパターン膜の形
成を行なうと、化合物中の金は全てパターン膜中に留ま
り、炭素、水素、臭素の大部分は炭化水素ガス、水素ガ
ス、臭素ガス等として散逸する。その結果、パターン膜
はその主成分が全となゆ、Ｘ線マスクとしては１μｍ程
度の膜厚で充分なＸ線遮蔽能力を持っていた。
寸た。パラジウムの化合物、例えばアリルＣシクロペン
タジェニル、）パラジウム、ジクロロ（１゜５−シクロ
オクタジエン）パラジウム、ジ−８一ジクロロピヌ（エ
チレン）２パラジウム、ビス（アリル）パラジウムを使
用してパターン膜形成を行なった場合すたけ上記金化合
物と上記パラジウム化合物の混合物ケ使用してパラジウ
ム膜または金パラジウムの膜を形成した場合にも１μｍ
厚程度で充分なＸ線遮蔽能力が得られた。−万、ヘキサ
カルボニルモリブデン、ビス（η−ベンゼン）モリブデ
ン、トリカルボニル（メチル）（η−シクロペンタジェ
ニル）モリブテン、ヘキサカルボニルビス（η−シクロ
ペンタジェニル）２モリブデン、テトラキス（η−アリ
ル）２モリブデン、ｔｒａ、ｎｓ −［ビス（２窒素）
ビス（１，２−ビスジフェニルホスフィノエタン）モリ
ブデン〕、テトラヒドリドビス（１，２−ビスジフェニ
ルホスフィンエタン）モリブデン、ジクロロビス（η−
シクロペンタジェニル）モリブデン、ペンタカルボニル
（トリフェニルホスヒイン）モリブテンのうち１種類若
しくは２種類以上の混合物を使用してパターン膜の形成
を行なうと、純度の高いモリブデン９パターン膜が得ら
れた。また、タンタルの化合物、例えはジクロロトリメ
チルタンタル、テトラカルボニル（シクロペンタジェニ
ル）タンタル、テトラクロロメチルタンタル、トリヒド
リ小゛ピヌ（シクロペンタジェニル）タンタルや、タン
グステンの化合物、例えばビス（ベンゼン）タングステ
ン、ヘキサカルボニルタングステン、ヘキサメチルタン
グステン、トリカルボニル（ベンゼン）タングステンの
うち１種類若しくは２ｆｉ類以上の混合物を使用してパ
ターン膜の形成を行なうと、純度の高いタンタルまたは
モリブデンのパターン膜が得られた。伺、モリブデン、
タンタル、タングステンは熱膨張係数がシリコンに近い
ために基板の熱処理を行なうときに有利な性質を持って
おり、さらに自然には安定な同位体しか存在しない点で
も有利である。
タジェニル、）パラジウム、ジクロロ（１゜５−シクロ
オクタジエン）パラジウム、ジ−８一ジクロロピヌ（エ
チレン）２パラジウム、ビス（アリル）パラジウムを使
用してパターン膜形成を行なった場合すたけ上記金化合
物と上記パラジウム化合物の混合物ケ使用してパラジウ
ム膜または金パラジウムの膜を形成した場合にも１μｍ
厚程度で充分なＸ線遮蔽能力が得られた。−万、ヘキサ
カルボニルモリブデン、ビス（η−ベンゼン）モリブデ
ン、トリカルボニル（メチル）（η−シクロペンタジェ
ニル）モリブテン、ヘキサカルボニルビス（η−シクロ
ペンタジェニル）２モリブデン、テトラキス（η−アリ
ル）２モリブデン、ｔｒａ、ｎｓ −［ビス（２窒素）
ビス（１，２−ビスジフェニルホスフィノエタン）モリ
ブデン〕、テトラヒドリドビス（１，２−ビスジフェニ
ルホスフィンエタン）モリブデン、ジクロロビス（η−
シクロペンタジェニル）モリブデン、ペンタカルボニル
（トリフェニルホスヒイン）モリブテンのうち１種類若
しくは２種類以上の混合物を使用してパターン膜の形成
を行なうと、純度の高いモリブデン９パターン膜が得ら
れた。また、タンタルの化合物、例えはジクロロトリメ
チルタンタル、テトラカルボニル（シクロペンタジェニ
ル）タンタル、テトラクロロメチルタンタル、トリヒド
リ小゛ピヌ（シクロペンタジェニル）タンタルや、タン
グステンの化合物、例えばビス（ベンゼン）タングステ
ン、ヘキサカルボニルタングステン、ヘキサメチルタン
グステン、トリカルボニル（ベンゼン）タングステンの
うち１種類若しくは２ｆｉ類以上の混合物を使用してパ
ターン膜の形成を行なうと、純度の高いタンタルまたは
モリブデンのパターン膜が得られた。伺、モリブデン、
タンタル、タングステンは熱膨張係数がシリコンに近い
ために基板の熱処理を行なうときに有利な性質を持って
おり、さらに自然には安定な同位体しか存在しない点で
も有利である。
以上詳しく説明してきたように本発明によれは従来技術
では不可能であったＸ線マスクの白点欠陥またはＬＳＩ
基板上の配線の断線の修正が可能となり、良品率の飛躍
的な向上が見込まれる。
では不可能であったＸ線マスクの白点欠陥またはＬＳＩ
基板上の配線の断線の修正が可能となり、良品率の飛躍
的な向上が見込まれる。
さらに、本実施例においては、パターンの欠陥の修正、
修理を行なう場合について説明したが、本発明によって
直接マスク上のパターンまたはＬＳＩ基板上のパターン
を形成させることも可能である。
修理を行なう場合について説明したが、本発明によって
直接マスク上のパターンまたはＬＳＩ基板上のパターン
を形成させることも可能である。
第１図は白点欠陥を有するＸ線マスクの部分平面図、第
２図は化合物を基板に吹き付けつつレーザーまたは粒子
ビームを照射することによってパターン膜形成を行なう
例を説明するだめの断面図である。 １・・・基板 ２・・・パターン ３１・・・素子脱落 ５２・・・断線 ３３・・・ピンホール ４・・・レーザーまたは粒子ビーム発生源５・・・レー
ザーまたは粒子ビーム ６・・・化合物蒸気供給源 ７・・・化合物蒸気 ８・・・支持板 ９・・・付着化合物層 １０・・・パターン膜 １１・・・レーザーまたは粒子ビーム照射位置以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 最 上 務
２図は化合物を基板に吹き付けつつレーザーまたは粒子
ビームを照射することによってパターン膜形成を行なう
例を説明するだめの断面図である。 １・・・基板 ２・・・パターン ３１・・・素子脱落 ５２・・・断線 ３３・・・ピンホール ４・・・レーザーまたは粒子ビーム発生源５・・・レー
ザーまたは粒子ビーム ６・・・化合物蒸気供給源 ７・・・化合物蒸気 ８・・・支持板 ９・・・付着化合物層 １０・・・パターン膜 １１・・・レーザーまたは粒子ビーム照射位置以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 最 上 務
Claims (3)
- （１）基板の所定個所の温度を制御しながら、化合物の
蒸気の存在する一１気内でレーザーまたは粒子ビーム
前記基板の所定個所に照射して、前記化合物を分解また
は化合させることにより固体化してパターン膜を形成す
るパターン膜の形成方法において、前記化合物が金、モ
リブデン、パラジウム、タンタルまた灯タングステンの
化合物を使用してパターン膜を形成するようにしたパタ
ーン膜の形ｆｆ７ｊ法。 - （２）前記金属元素の化合物が、トリメチル金、臭化ジ
メチル金、メチル（トリフェニルホスフィン）金のうち
１種類若しくは２種類以上の混合物である特許請求の範
囲第１項記載のパターン膜の形成方法。 - （３）前記金属元素の化合物がヘキサカルボニルモリブ
デン、ビス（η−ベンゼン）モリブデン、トリカルボニ
ル（メチル）（η−シクロペンダジェニル）２モリブデ
ン、テトラキス（η−アリル）２モリブデン、ｔｒａｎ
ｓ’−（ビス（２窒素）ビス（１，２−ビスジフェニル
ホスフィノエタン）モリブデン１、テトラヒドリドビス
（１，２−ビスジフェニルホスフィノエタン′）モリブ
デン、ジクロロビス（η−シクロペンタジェニル）モリ
ブデン、ペンタカルボニル（トリフェニルホスフィン）
モリブデン、のうち１種類若しくは２ｓ類以上の混合物
である特許請求の範囲第１項記載のバターシ膜の形成力
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59101944A JPS60245227A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | パタ−ン膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59101944A JPS60245227A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | パタ−ン膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245227A true JPS60245227A (ja) | 1985-12-05 |
Family
ID=14314004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59101944A Pending JPS60245227A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | パタ−ン膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60245227A (ja) |
Cited By (15)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS6315550U (ja) * | 1986-07-16 | 1988-02-01 | ||
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-
1984
- 1984-05-21 JP JP59101944A patent/JPS60245227A/ja active Pending
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