JPH09172013A - 金属パターン膜の形成方法及びその装置 - Google Patents
金属パターン膜の形成方法及びその装置Info
- Publication number
- JPH09172013A JPH09172013A JP30840996A JP30840996A JPH09172013A JP H09172013 A JPH09172013 A JP H09172013A JP 30840996 A JP30840996 A JP 30840996A JP 30840996 A JP30840996 A JP 30840996A JP H09172013 A JPH09172013 A JP H09172013A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- metal
- focused ion
- sample
- hexacarbonyl
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、いわゆる集束イオンビームＣＶＤ
法または、集束イオンビームアシステッドデポジション
法及び装置に関し、マスクの遮光膜や半導体の配線を効
率良くかつ導電性の良いパターン膜を得る。 【解決手段】 使用するガス種及びイオン種ならびに試
料温度、ガスの吹き付け方法を規定することにより、配
線あるいは遮光膜として良好な特性を持つ金属パターン
膜を形成する方法及び装置を提供するものでる。
法または、集束イオンビームアシステッドデポジション
法及び装置に関し、マスクの遮光膜や半導体の配線を効
率良くかつ導電性の良いパターン膜を得る。 【解決手段】 使用するガス種及びイオン種ならびに試
料温度、ガスの吹き付け方法を規定することにより、配
線あるいは遮光膜として良好な特性を持つ金属パターン
膜を形成する方法及び装置を提供するものでる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスあ
るいは露光用フォトマスク（Ｘ線マスクを含む）等に、
配線または遮光のための金属パターン膜を追加形成する
ための方法及び装置に関するものであり、デバイスの配
線変更、不良解析あるいはフォトマスクの欠陥リペア、
パターン変更等に利用されるものである。
るいは露光用フォトマスク（Ｘ線マスクを含む）等に、
配線または遮光のための金属パターン膜を追加形成する
ための方法及び装置に関するものであり、デバイスの配
線変更、不良解析あるいはフォトマスクの欠陥リペア、
パターン変更等に利用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】集束イオンビームを用いてフォトマスク
の欠陥を修正する方法・装置があり「山本昌宏著：月刊
セミコンダクター１．（１９８６）Ｐ９７〜Ｐ１００
（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ １月
号）」にあらわされている。この場合、形成される膜は
カーボン膜であり、光リソグラフィー用マスクの遮光膜
として良好な特性を持つ。また、同様にイオンビームを
用いて金属パターン膜を形成する研究がなされており、
「Ｄ．タケハラその他著、第１７回イオン注入とサブミ
クロン加工のシンポジウム３月号（１９８６）Ｐ１５３
〜Ｐ１５６（Ｄ．ＴＡＫＥＨＡＲＡ ｅｔ ａｌ：Ｔ
ｈｅ １７ＴＨ ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ ＯＮ ＩＯＮ
ＩＭＰＬＡＮＴＡＴＩＯＮ ＡＮＤ ＳＵＢＭＩＣＲＯ
Ｎ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ）」。この例では、集束イ
オンビームではなく、ブロードな希ガスイオンビームを
用い、ソースガスとしてＷＦ6Ｔａ（０Ｃ2Ｈ5）5とを用
いて、Ｗ及びＴａ膜を形成している。しかし、これらの
膜は多量の酸素を含んでおり、比抵抗は１Ω・cm程度で
あって配線に用いるには不適当である。
の欠陥を修正する方法・装置があり「山本昌宏著：月刊
セミコンダクター１．（１９８６）Ｐ９７〜Ｐ１００
（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ １月
号）」にあらわされている。この場合、形成される膜は
カーボン膜であり、光リソグラフィー用マスクの遮光膜
として良好な特性を持つ。また、同様にイオンビームを
用いて金属パターン膜を形成する研究がなされており、
「Ｄ．タケハラその他著、第１７回イオン注入とサブミ
クロン加工のシンポジウム３月号（１９８６）Ｐ１５３
〜Ｐ１５６（Ｄ．ＴＡＫＥＨＡＲＡ ｅｔ ａｌ：Ｔ
ｈｅ １７ＴＨ ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ ＯＮ ＩＯＮ
ＩＭＰＬＡＮＴＡＴＩＯＮ ＡＮＤ ＳＵＢＭＩＣＲＯ
Ｎ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ）」。この例では、集束イ
オンビームではなく、ブロードな希ガスイオンビームを
用い、ソースガスとしてＷＦ6Ｔａ（０Ｃ2Ｈ5）5とを用
いて、Ｗ及びＴａ膜を形成している。しかし、これらの
膜は多量の酸素を含んでおり、比抵抗は１Ω・cm程度で
あって配線に用いるには不適当である。
【０００３】
【発明名が解決しようとする課題】前記に示されたよう
に、従来はイオンビームを用いてマスクレスデポジショ
ンする技術はあっても、それによって半導体デバイスへ
の追加配線用、あるいはＸ線マスクの金属パターン欠損
欠陥のリペア用に適した微細な金属パターン膜を形成す
ることは不可能であった。
に、従来はイオンビームを用いてマスクレスデポジショ
ンする技術はあっても、それによって半導体デバイスへ
の追加配線用、あるいはＸ線マスクの金属パターン欠損
欠陥のリペア用に適した微細な金属パターン膜を形成す
ることは不可能であった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の問題点を
解決するために開発されたもので、その手段は、集束イ
オンビーム発生部、上記集束イオンビームを偏向走査す
るための偏向電極、上記集束イオンビームを照射する試
料を載置するＸ−Ｙステージ、上記集束イオンビームの
照射領域近傍に局所的にヘキサカルボニル金属蒸気を吹
きつけるための吹出口を持つガス銃、前記試料を冷却す
る機構等で構成されている。ヘキサカルボニル金属蒸気
の種類はＷ（Ｃ０）6、Ｍｏ（Ｃ０）6、Ｃｒ（Ｃ０）6
等とし、前記ガス銃のガス源の加熱温度は＋４０〜＋６
０℃程度として前記蒸気を発生させる。前記試料は試料
冷却機構によって＋２５〜−５０℃程度の間の所定の温
度に冷却される。集束イオンビームのイオン種は、液体
金属イオン源によって得ることの容易なＧａイオンまた
は、Ａｕ，Ｂｉ，Ｐｂイオン等の重元素イオンを用い
る。
解決するために開発されたもので、その手段は、集束イ
オンビーム発生部、上記集束イオンビームを偏向走査す
るための偏向電極、上記集束イオンビームを照射する試
料を載置するＸ−Ｙステージ、上記集束イオンビームの
照射領域近傍に局所的にヘキサカルボニル金属蒸気を吹
きつけるための吹出口を持つガス銃、前記試料を冷却す
る機構等で構成されている。ヘキサカルボニル金属蒸気
の種類はＷ（Ｃ０）6、Ｍｏ（Ｃ０）6、Ｃｒ（Ｃ０）6
等とし、前記ガス銃のガス源の加熱温度は＋４０〜＋６
０℃程度として前記蒸気を発生させる。前記試料は試料
冷却機構によって＋２５〜−５０℃程度の間の所定の温
度に冷却される。集束イオンビームのイオン種は、液体
金属イオン源によって得ることの容易なＧａイオンまた
は、Ａｕ，Ｂｉ，Ｐｂイオン等の重元素イオンを用い
る。
【０００５】上記構成の主要手段の作用は、まずイオン
ビームの照射領域あるいは近傍に吹出口を持つガス銃に
よって局所的に効率良くヘキサカルボニル金属蒸気を試
料に吹きつけられ、また試料冷却機構によって試料を冷
却することにより、吹きつけられたヘキサカルボニル金
属蒸気が効率的に試料表面に吸着される。以上のように
してヘキサカルボニル金属蒸気を吸着させた試料表面
に、集束イオンビーム発生部、偏向電極、走査制御部、
イオンビーム走査領域設定部等によって集束及び走査制
御された集束イオンビームが照射される。ヘキサカルボ
ニル金属蒸気を連続的に吹きつけつつ、集束イオンビー
ム走査を繰り返すことにより、走査回数に比例した膜厚
を持つ金属パターン膜が形成される。
ビームの照射領域あるいは近傍に吹出口を持つガス銃に
よって局所的に効率良くヘキサカルボニル金属蒸気を試
料に吹きつけられ、また試料冷却機構によって試料を冷
却することにより、吹きつけられたヘキサカルボニル金
属蒸気が効率的に試料表面に吸着される。以上のように
してヘキサカルボニル金属蒸気を吸着させた試料表面
に、集束イオンビーム発生部、偏向電極、走査制御部、
イオンビーム走査領域設定部等によって集束及び走査制
御された集束イオンビームが照射される。ヘキサカルボ
ニル金属蒸気を連続的に吹きつけつつ、集束イオンビー
ム走査を繰り返すことにより、走査回数に比例した膜厚
を持つ金属パターン膜が形成される。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例に示した図
面に基づき詳細に説明する。集束イオンビーム発生部１
を図２にて説明する。イオン化する物質３０はＧａ金属
であり、その表面のみを加熱溶融させるためにヒーター
３１が巻かれている。溶融したＧａ金属は、引き出し電
極３２により引き出されＧａイオンとなり、さらに加速
電極３３により加速される。加速されたＧａイオンは集
束レンズ系３４によりイオンビームとして集束される。
更に、ブランキング電極により、集束イオンビームの試
料上への照射をオン・オフする。更に図２において、真
空容器２１内は、真空ポンプ１０により真空状態になっ
ている。
面に基づき詳細に説明する。集束イオンビーム発生部１
を図２にて説明する。イオン化する物質３０はＧａ金属
であり、その表面のみを加熱溶融させるためにヒーター
３１が巻かれている。溶融したＧａ金属は、引き出し電
極３２により引き出されＧａイオンとなり、さらに加速
電極３３により加速される。加速されたＧａイオンは集
束レンズ系３４によりイオンビームとして集束される。
更に、ブランキング電極により、集束イオンビームの試
料上への照射をオン・オフする。更に図２において、真
空容器２１内は、真空ポンプ１０により真空状態になっ
ている。
【０００７】集束イオンビーム発生用電源及び制御部１
１及び集束イオンビーム発生部１によって発生制御され
た集束イオンビーム３は、Ｘ−Ｙステージ５、断熱材１
７、冷却プレート１６と下から順に積み重ねられたもの
の上に載置された試料４に照射され、偏向電極（Ｘ及び
Ｙ）２によって前記試料４上を走査される。前記試料４
表面から放出される二次荷電粒子は二次荷電粒子検出器
６によって検出され、信号増幅処理部１４によって増幅
及び処理されて輝度信号となり、走査制御部１２からの
走査信号と共にディスプレイ１５に入力されて二次荷電
粒子像が表示される。この二次荷電粒子像によって試料
４上の金属パターン膜を形成すべき位置をさがし出し、
走査範囲設定部１３で前記金属パターン膜を形成すべき
領域を設定する。デポジション開始信号によってガス銃
７のバルブ８が開き、ヘキサカルボニル金属蒸気が、試
料４表面に吹きつけられる。
１及び集束イオンビーム発生部１によって発生制御され
た集束イオンビーム３は、Ｘ−Ｙステージ５、断熱材１
７、冷却プレート１６と下から順に積み重ねられたもの
の上に載置された試料４に照射され、偏向電極（Ｘ及び
Ｙ）２によって前記試料４上を走査される。前記試料４
表面から放出される二次荷電粒子は二次荷電粒子検出器
６によって検出され、信号増幅処理部１４によって増幅
及び処理されて輝度信号となり、走査制御部１２からの
走査信号と共にディスプレイ１５に入力されて二次荷電
粒子像が表示される。この二次荷電粒子像によって試料
４上の金属パターン膜を形成すべき位置をさがし出し、
走査範囲設定部１３で前記金属パターン膜を形成すべき
領域を設定する。デポジション開始信号によってガス銃
７のバルブ８が開き、ヘキサカルボニル金属蒸気が、試
料４表面に吹きつけられる。
【０００８】この時、ガス源９はヒーターにより一定温
度に加熱され、また試料４は冷却プレート１６等の冷却
機構により一定温度に冷却されている。上記のようにし
て、ヘキサカルボニル金属蒸気を吸着させた試料４表面
に、前記走査範囲設定部１３によって走査範囲、走査回
数を制御された集束イオンビームが照射される。すると
集束イオンビームが照射された領域でヘキサカルボニル
金属が分解されてＣ０ガスが真空中に放出され、金属が
デポジションつまり析出される。連続して前記ヘキサカ
ルボニル金属ガスを吹きつけつつ集束イオンビーム３の
走査を繰り返すことにより走査回数に比例した膜厚を持
つ金属パターン膜が形成される。
度に加熱され、また試料４は冷却プレート１６等の冷却
機構により一定温度に冷却されている。上記のようにし
て、ヘキサカルボニル金属蒸気を吸着させた試料４表面
に、前記走査範囲設定部１３によって走査範囲、走査回
数を制御された集束イオンビームが照射される。すると
集束イオンビームが照射された領域でヘキサカルボニル
金属が分解されてＣ０ガスが真空中に放出され、金属が
デポジションつまり析出される。連続して前記ヘキサカ
ルボニル金属ガスを吹きつけつつ集束イオンビーム３の
走査を繰り返すことにより走査回数に比例した膜厚を持
つ金属パターン膜が形成される。
【０００９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、膜形成の
ための原料ガスを従来用いられたハロゲン化金属蒸気で
なくヘキサカルボニル金属蒸気としたことにより試料冷
却温度を液体窒素温度近くまで冷却することなく室温よ
り低くする程度でも効率的に試料表面に吸着されるよう
になり、その結果、膜成長速度が速くなり、かつ導電
性、膜付着力等の良好な膜が得られるようになった。一
例として原料ガスをＷ（Ｃ０）６とし集束イオンビーム
のイオン種をＧａイオンとした場合には、形成された膜
の比抵抗は１０-4〜１０-4Ω・cm程度となり、またサブ
ミクロンの線幅が得られることがわかった。膜の主成分
はＷでありＧａ、Ｃを含むＯはほとんど含まないこと、
硬度、付着力も十分高いことから、この方法によって形
成される膜は、半導体デバイスへの追加配線あるいは、
Ｘ線マスクの金属パターン欠損欠陥のリペアに用いるに
適している。Ｘ線マスクのリペアを行う場合には、さら
に集束イオンビームのイオン種をＡｕ，Ｂｉ，Ｐｂイオ
ン等の重元素イオンとし、原料ガスをＷ（Ｃ０）６とす
ることにより、より一層Ｘ線の吸収係数の大きな膜を形
成することができる。
ための原料ガスを従来用いられたハロゲン化金属蒸気で
なくヘキサカルボニル金属蒸気としたことにより試料冷
却温度を液体窒素温度近くまで冷却することなく室温よ
り低くする程度でも効率的に試料表面に吸着されるよう
になり、その結果、膜成長速度が速くなり、かつ導電
性、膜付着力等の良好な膜が得られるようになった。一
例として原料ガスをＷ（Ｃ０）６とし集束イオンビーム
のイオン種をＧａイオンとした場合には、形成された膜
の比抵抗は１０-4〜１０-4Ω・cm程度となり、またサブ
ミクロンの線幅が得られることがわかった。膜の主成分
はＷでありＧａ、Ｃを含むＯはほとんど含まないこと、
硬度、付着力も十分高いことから、この方法によって形
成される膜は、半導体デバイスへの追加配線あるいは、
Ｘ線マスクの金属パターン欠損欠陥のリペアに用いるに
適している。Ｘ線マスクのリペアを行う場合には、さら
に集束イオンビームのイオン種をＡｕ，Ｂｉ，Ｐｂイオ
ン等の重元素イオンとし、原料ガスをＷ（Ｃ０）６とす
ることにより、より一層Ｘ線の吸収係数の大きな膜を形
成することができる。
【図１】図１は本発明による金属パターン膜の形成方法
及び装置の実施例の構成図である。
及び装置の実施例の構成図である。
【図２】図２は集束イオンビーム発生部のブロック図で
ある。
ある。
１ 集束イオンビーム発生部、 ２ 偏向電極、 ３ 集束イオンビーム、 ４ 試料 ５ Ｘ−Ｙステージ ６ 二次荷電粒子検出器 ７ ガス銃の吹出口 ８ バルブ ９ ガス源 １０ 真空ポンプ １１ 集束イオンビーム発生用電源及び制御部 １２ 走査制御部 １３ 走査範囲設定部 １４ 信号増幅処理部 １５ ディスプレイ １６ 冷却プレート １７ 断熱材 １８ フレキシブル熱伝導体 １９ 冷却器
Claims (4)
- 【請求項１】 液体金属イオン源と引き出されたイオン
ビームを集束するための集束レンズ系と、前記イオンビ
ームを試料上でオン・オフするためのブランキング電極
とからなる集束イオンビーム発生部と、前記集束イオン
ビームを偏向走査するための偏向電極と、前記集束イオ
ンビームが照射される試料を載置し試料を室温以下の所
定の温度に冷却保持する機構を備え、Ｘ−Ｙ方向に移動
可能なＸ−Ｙステージと、前記試料の集束イオンビーム
照射位置表面に原料ガスを局所的に吹き付けるためのガ
ス銃と、前記ガス銃にガスを供給し、ガス原料を収容し
加熱する機能を備えたガス源と、集束イオンビーム照射
により発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検
出器とからなり、前記ガス源にヘキサカルボニル金属粉
末を収容加熱し、蒸気化し、前記集束イオンビームの照
射領域またはその近傍に前記ヘキサカルボニル金属蒸気
を吹き付け、前記Ｘ−Ｙステージの冷却保持する機構に
より試料表面を冷却保持し、前記試料表面に前記ヘキサ
カルボニル金属を吸着させ、前記ヘキサカルボニル金属
を吸着した試料表面に、前記集束イオンビームを所定領
域で所定回数繰り返し走査させ照射することにより、ヘ
キサカルボニル金属を分解させ、前記試料表面に金属を
析出させることを特徴とする金属パタ−ン膜の形成方
法。 - 【請求項２】集束イオンビームのイオン種がＧａ，Ａ
ｕ，ＢｉまたはＰｂイオンであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の金属パターン膜の形成方法。 - 【請求項３】 ヘキサカルボニル金属がＷ（Ｃ０）6、
Ｍo（Ｃ０）6又はＣｒ（Ｃ０）6であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の金属パターン膜の形成方
法。 - 【請求項４】 液体金属イオン源と引き出されたイオン
ビームを集束するための集束レンズ系と、前記イオンビ
ームを試料上でオン・オフするためのブランキング電極
とからなる集束イオンビーム発生部と、前記集束イオン
ビームを偏向走査するための偏向電極と、前記集束イオ
ンビームが照射される試料を載置し試料を室温以下の所
定の温度に冷却保持する機構を備え、Ｘ−Ｙ方向に移動
可能なＸ−Ｙステージと、前記試料の集束イオンビーム
照射位置表面に原料ガスを局所的に吹き付けるためのガ
ス銃と、前記ガス銃にガスを供給し、ガス原料を収容し
加熱する機能を備えたガス源と、集束イオンビーム照射
により発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検
出器とからなり、前記ガス源にヘキサカルボニル金属粉
末を収容加熱し、蒸気化し、前記集束イオンビームの照
射領域またはその近傍に前記ヘキサカルボニル金属蒸気
を吹きつけ、前記Ｘ−Ｙステージの冷却保持する機構に
より試料表面を冷却保持し、前記試料表面に前記ヘキサ
カルボニル金属を吸着させ、前記ヘキサカルボニル金属
を吸着した試料表面に、前記集束イオンビームを所定領
域で所定回数繰り返し走査させ照射することにより、ヘ
キサカルボニル金属を分解させ、前記試料表面に金属を
析出させることを特徴とする金属パターン膜の形成装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30840996A JPH09172013A (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | 金属パターン膜の形成方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30840996A JPH09172013A (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | 金属パターン膜の形成方法及びその装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61124146A Division JPS62281349A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | 金属パタ−ン膜の形成方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09172013A true JPH09172013A (ja) | 1997-06-30 |
Family
ID=17980721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30840996A Pending JPH09172013A (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | 金属パターン膜の形成方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09172013A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60245227A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-05 | Seiko Instr & Electronics Ltd | パタ−ン膜の形成方法 |
-
1996
- 1996-11-19 JP JP30840996A patent/JPH09172013A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60245227A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-05 | Seiko Instr & Electronics Ltd | パタ−ン膜の形成方法 |
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