JPH0598429A

JPH0598429A - 透明導電膜作製方法及び透明導電膜作製装置

Info

Publication number: JPH0598429A
Application number: JP28708491A
Authority: JP
Inventors: Masaharu Tanaka; 正治田中
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1991-10-07
Filing date: 1991-10-07
Publication date: 1993-04-20

Abstract

(57)【要約】【目的】ＩＴＯもしくはインジウム／スズ合金のターゲ
ットによる透明導電膜の作製を、レーザービームスパッ
タ法により従来の成膜法よりは容易にかつ大きい速度
で、ターゲットの利用効率も良く行なえるようにする。【構成】真空容器１のｙ方向移動とターゲット８のｘ
方向小移動を繰り返し、かつ被処理基板２０を回転させ
ながら、ターゲット８の表面にレーザー光３を万遍なく
照射させる。また酸素を主とする活性化したプラズマガ
スＰの照射を行なって、酸素欠損を気相状態で補いなが
らレーザー光３によってターゲット８の表面からターゲ
ット物質を瞬時に蒸発、気化させ、ほぼそのターゲット
組成を保ったまま被処理基板２０に到達させてＩＴＯ薄
膜を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＯＡ機器、画像機器、
入出力機器、半導体デバイス等に用いられるＩＴＯやイ
ンジウム／スズ合金の透明導電膜を形成する方法及び同
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】ＩＴＯ
透明導電膜等の形成方法としては、真空蒸着法、スパッ
タリング法が主流である。このうち真空蒸着法では、電
子ビーム（ＥＢ）蒸発源を用いた反応性蒸着を行う方法
が一般的であるが、被処理基板温度を３００℃程度と高
く保持する必要があり、成膜速度も５オングストローム
／sec程度と遅く、また形成する膜の透明度と導電性を
左右する酸化反応と結晶化が被処理基板温度に依存する
ため比較的大面積に成膜することが可能であるが成膜速
度の高速化と結晶性の制御に問題がある。一方、スパッ
タリング法は、例えばＤＣマグネトロンスパッタ法によ
ってIn／Sn合金ターゲットによる反応性スパッタリング
法やＩＴＯ酸化物ターゲットを用いるが、大面積基板へ
の成膜に対応できないという欠点がある。また、スパッ
タリング法ではプラズマイオンの高いエネルギーを用い
るため、成膜過程でのダメージが基板上の膜の結晶性に
悪影響を及ぼし、ＩＴＯ膜の低抵抗化を阻害する要因に
なっている。さらに真空蒸着法、スパッタリング法と
も、基板温度を２００〜３００℃程度に加熱保持する必
要があり、成膜プロセスの制御性や再現性に問題があ
る。

【０００３】これらの欠点を解決するために、活性化反
応性蒸着法（ＡＲＥ）やイオンビームスパッタリング法
等のプラズマやイオンを積極的に利用した低温化プロセ
スの開発がなされている。例えば、特開平３−１００６
６号公報で示されるようにイオンビームスパッタ法を用
い、ターゲット物質をスパッタ蒸発させ、さらに酸素イ
オンを主としたイオンビームを照射することにより、化
学的に活性な酸素イオンにより膜の酸化を促進し透明化
を促すと共に、イオンビームのエネルギーを利用して基
板表面での成膜物質の移動やエネルギー付勢によって結
晶性を向上させているものがある。一方、従来のプラズ
マを使ったスパッタリング法では、特開平２−２９０９
７０号公報等で示されるようにプラズマの電子密度分布
に着目し低抵抗化を目指している例もある。

【０００４】しかしながら上述のような真空蒸着法、ス
パッタリング法、これらにプラズマやイオンの作用を利
用する方法では、成膜速度、プロセスの制御性、結晶
性、材料の利用効率などに問題があり低温成膜、低抵抗
化、結晶性、結晶粒径制御、大面積化という諸問題を同
時に解決することは難しく、量産化による低コストでＩ
ＴＯ膜を形成することができない。

【０００５】このような問題を解決するため、レーザー
を用いたスパッタ作用によってターゲット組成を損なう
ことなく高速にターゲット物質を薄膜化する技術が開発
されている。例えば、特開平２−３１０３６３号公報に
見られるように、酸化物薄膜を形成するためレーザー光
を用いる場合に被照射材料の表面層の物理的状態が変化
することを防止するため、表面層近傍にガスを供給して
材料の変質を防ぐ方法が開発されている。しかしながら
このような方法をＩＴＯ膜のレーザー蒸着にそのまま適
用することは難しく、さらに低温成膜かつ大面積化に対
応したＩＴＯ導電性薄膜作製に適用することはできな
い。

【０００６】即ち、ＩＴＯ酸化物ターゲット表面からレ
ーザー光によって瞬時に蒸発させられたターゲット物質
は、正確にはターゲット組成を保ったまま蒸気化され
ず、ターゲットを構成する元素のIn、Sn、OがO、In、Sn
の順で分散しながら酸素が欠損した状態で基板に蒸着す
ることになる。このため基板上に形成された膜を薄膜Ｘ
線分析（ＷＤＳ分析）で調べると、Inの微粒塊もしくは
Inリッチな粒塊がアイランド状に形成され、かつ酸素が
欠損した状態であるため、膜質が透明性および導電性に
劣るという結果になる。酸素イオンを主とするプラズマ
ガス、活性化された酸素ガスを基板に照射しながら行う
方法も考えられているがイオン源が非常に高価なもので
あり、プラズマ発生のためプロセス中の真空度（圧力）
も１０^-4〜１０^-5Torrとなり、高真空プロセスの問題で
装置構成が複雑になってしまい、さらに基板の加熱も必
要であるという問題がある。

【０００７】本発明はこのようの従来の種々の問題点に
鑑みてなしたもので、従来の成膜法よりは容易にかつ大
きい速度で、しかもターゲットの利用効率も良く成膜で
きる透明導電膜作製方法及び透明導電膜作製装置を提供
することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明に係る透明導電膜
作製方法は上記目的を達成するための構成として、真空
容器、真空排気系、イオン源、ガス導入系及びレーザー
光源からなる透明導電膜作製装置において、ＩＴＯもし
くはインジウム／スズ合金のターゲットに対向させて被
処理基板を配置し、上記レーザー光源から射出するレー
ザー光によって上記ターゲット表面の物質をレーザービ
ームスパッタ法によって蒸発させると共に、上記イオン
源により酸素イオンを主とするプラズマイオンを上記被
処理基板に照射して上記被処理基板上に透明導電膜を形
成するようにしたものである。

【０００９】本発明に係る透明導電膜作製装置は上記目
的を達成するための構成として、真空容器、真空排気
系、イオン源、ガス導入系及びレーザー光源を備えた真
空容器内に、ＩＴＯもしくはインジウム／スズ合金のタ
ーゲットを配置し、上記レーザー光源から射出するレー
ザー光によって上記ターゲット表面の物質をレーザービ
ームスパッタ法によって蒸発させると共に、上記イオン
源により酸素イオンを主とするプラズマイオンを上記被
処理基板に照射して上記被処理基板上に透明導電膜を形
成するようにしたものである。

【００１０】上記透明導電膜作製装置は、上記ターゲッ
トより大面積で矩形の被処理基板を上記真空容器内で回
転させつつ反復移動させる手段と、上記真空容器自体を
上記レーザー光に対して反復移動させる手段とを有する
するようにしてもよい。

【００１１】また本発明に係る透明導電膜作製方法は上
記目的を達成するための構成として、真空容器内に、レ
ーザー蒸着用容器、熱陰極型電子銃、酸素ガス供給系、
真空排気系及びレーザー光源を備え、上記レーザー蒸着
用容器を上記真空容器から仕切って設置し、該レーザー
蒸発用容器内にＩＴＯもしくはインジウム／スズ合金の
ターゲットを配し、上記レーザー光源から射出するレー
ザー光によって上記ターゲット表面の物質を蒸発させつ
つ上記酸素ガス供給系から酸素ガスを導入し、該導入さ
れた酸素ガスを熱陰極型電子銃から出た電子により活性
化し、上記レーザー蒸発用容器に対向配置した被処理基
板上に透明導電膜を形成するようにしたものである。

【００１２】本発明に係る透明導電膜作製装置は、真空
容器、該真空容器内に仕切って設置したレーザー蒸着用
容器、熱陰極型電子銃、酸素ガス供給系、真空排気系及
びレーザー光源からなる透明導電膜作製装置において、
上記レーザー蒸発用容器内にＩＴＯもしくはインジウム
／スズ合金のターゲットを配し、上記レーザー光源から
射出するレーザー光によって上記ターゲット表面の物質
を蒸発させつつ上記酸素ガス供給系から酸素ガスを導入
し、該導入された酸素ガスを熱陰極型電子銃から出た電
子により活性化し、上記レーザー蒸発用容器に対向配置
した被処理基板上に透明導電膜を形成するようにしたも
のである。

【００１３】上記透明導電膜作製装置は、上記被処理基
板に低周波電圧と直流電圧を重畳した電圧を印加する手
段を有するようにもできる。

【００１４】

【実施例】図１ないし図６は本発明の第１実施例を示
す。まず本実施例の構成を説明すると、図中１は真空容
器で、ターボ分子ポンプもしくはクライオポンプを主ポ
ンプとする真空排気系２を備え、１０^-7Torr台まで真空
排気され得るようになっている。また真空容器１にはレ
ーザー光３を導入するための透過窓４が設けられてい
る。この透過窓４は、図２に示すように長手方向に長さ
ｌを有する。レーザー光３は、例えばArF、KrFなどのエ
キシマレーザー光で、図示せぬレーザー光源から射出さ
れ、真空容器１外の平面鏡５で反射された後に集光レン
ズ６を介して透過窓４を通り、さらに真空容器１内の平
面鏡７で反射された後にターゲット８に照射されるよう
になっている。

【００１５】ターゲット８はＩＴＯ酸化物燒結体ターゲ
ット（もしくはインジウムとスズの合金ターゲット）で
あり、図３（Ａ）に示すように、長手方向に長さｌ₀を
有する。また平面鏡７は図３（Ｂ）に示すように長手方
向に長さｌ₁を有する矩形のものである。そして透過窓
４、平面鏡７及びターゲット８の各長手方向の長さｌ₀
との関係はｌ＞ｌ₁＞ｌ₀としてある。

【００１６】ターゲット８を搭載したターゲットホルダ
ー９は、回転運動を直線運動に変換するラックアンドピ
ニオン機構を備える回転導入装置１０に連結され、ｘ方
向に反復直線運動すると同時に真空容器１自体を紙面に
垂直なｙ方向（図１では図示の必要から斜め方向に向け
てある。）に反復移動させるようになっている。なお、
真空容器１は台座１１に設けられたスライドレール１２
に沿って図示せぬ駆動機構によりｙ方向に反復移動する
よう駆動されるようになっている。

【００１７】図１中の１３はプラズマイオン源で、例え
ば電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）放電によるプラズ
マを利用するものである。ＥＣＲ放電によるプラズマ
は、磁場発生用電磁石１４による磁場の強さ８７５ガウ
スと、２．４５GHzのマイクロ波による電子サイクロト
ロン共鳴を利用して発生させる。図中１５はマイクロ波
導波管（一部図示を省略）、１６はマイクロ波発生電
源、１７は電磁石コイルの電源、１８はプラズマイオン
を遮断するためのシャッター機構である。さらに図中１
９はプラズマイオン源に酸素を主成分とするアルゴンと
の混合ガスを導入するためのガス導入系である。本装置
では、プラズマイオン源１３によって主として酸素ガス
プラズマを生成させ、被処理基板２０に照射するもので
ある。

【００１８】被処理基板２０をターゲット８に対向させ
て保持するための基板ホルダー２１は、被処理基板２０
とは反対側に加熱ヒーター２２を備え、回転駆動装置２
３により成膜中は一定速度で回転駆動されるようになっ
ている。被処理基板２０とターゲット８との配置関係は
図４に示すようになる。

【００１９】図中２４はプラズマの電子温度、電子密度
を測定する探針（ラングミュアプローブ）である。プラ
ズマ中に電気的に絶縁された針状の電極２７を挿入し、
直流電圧を印加したとき電極に流入するイオン、電子に
よる荷電粒子の電流の電圧−電流特性を得ることによっ
て電子温度が求まり、計算によって電子密度を得ること
ができるものである。そして２５は探針２４の測定回路
系、２６は探針測定データを解析しコイル電源１７にフ
ィードバック信号を送るための計測制御系である。なお
探針２４に備えられた電極２７は、図示せぬ駆動機構に
よりプラズマイオン源１３の中心軸から半径方向に移動
可能であり、プラズマイオン源１３から流出するプラズ
マ流Ｐの断面の電子密度分布を調べることが可能なもの
である。また図中２８は真空容器１の圧力を計測する真
空計である。

【００２０】次に本実施例の作用を説明する。外部に固
定されたレーザー光源に対し、真空容器１を透過窓４の
長手方向の間をレーザー光３が透過するようにｙ方向に
移動させ、ｌだけ動いた時点でターゲット８をある位置
Δｘだけｘ方向（紙面に平行な方向）に移動させ、その
後真空容器１を距離ｌだけ逆方向にｙ軸方向に戻し、さ
らにターゲット８をｘ方向にΔｘだけ移動させる。この
ような移動の繰り返しにより、細長い矩形ターゲット８
の表面には焦点スポットが固定されたレーザー光３が万
遍なく照射される。またプラズマイオン源１３とガス導
入系１９により、酸素を主とする活性化したプラズマガ
スの照射を行なって、酸素欠損を気相状態で補いながら
レーザー光３によってターゲット８の表面からターゲッ
ト物質を瞬時に蒸発（スパッタリング）、気化させ、ほ
ぼそのターゲット組成を保ったまま被処理基板２０に到
達させてＩＴＯ薄膜を形成する。そして上述のように、
矩形の細長いターゲット８の表面層にくまなくレーザー
光３を照射しながら、かつ被処理基板２０を回転させる
ことにより、小さいターゲット面積ながら大面積の基板
上ににＩＴＯ透明導電膜を５×１０^-5Torrという高真空
状態において蒸着する。

【００２１】本発明者らの行なった成膜処理では、従来
の真空蒸着法やプラズマを利用したスパッタリング法に
比べて成膜速度が数倍速くなり、また活性化した酸素プ
ラズマにより基板温度が８０℃程度で成膜が可能であっ
た。即ち、プラズマイオンをアシストさせて照射するこ
とによりプラズマ中の電子作用も酸素イオンの活性化を
助長し、基板上の薄膜形成時に電子の持つ熱エネルギー
により基板を３００〜４００℃に加熱するのと同等の物
理、化学的効果を与えることができたものと考えられ
た。また形成した膜の組成をストイキオメトリーに近い
透明で導電性にすぐれ、また密着性のよいものとするこ
とができた。さらに、プラズマイオン照射によって活性
化した酸素を供給し、アルゴンイオンで軽微に基板表面
上の面を適度に衝撃を加えて不純物を除去すると共に、
結晶粒の形成及びマイグレーション効果により緻密な膜
を形成することができた。そしてターゲットの利用率は
１００％に近いものが得られた。図５（Ａ）、（Ｂ）
は、磁場コイル電流が１３５Ａのときの電子密度の分布
に対応する被処理基板上のシート抵抗の分布を示し、図
６（Ａ）、（Ｂ）は、磁場コイル電流が１６０Ａのとき
の電子密度の分布を示し、広い範囲に亘り高い電子密度
を有するプラズマ流を照射することにより、大面積にお
いて低抵抗化が実現できた例を示す。

【００２２】図７及び図８は本発明の第２実施例を示
す。なお第１実施例と共通する部分、要素については共
通する符号を付して説明する。真空容器１は真空排気系
２により１０^-8Torr台まで真空排気され得るようになっ
ている。真空容器１内には、レーザー蒸発用容器３０が
隔離形成してあり、ＩＴＯ酸化物ターゲット（またはイ
ンジウム／スズ合金ターゲット）８がターゲットホルダ
ー９ごと収容、設置してある。レーザー蒸発用容器３０
には、別途の真空排気系３１がコンダクタンス可変バル
ブ３２を含む真空排気管３３を介して接続してあり、真
空容器１とは別個に真空排気されるようになっている。
なおターゲットホルダー９は第１実施例とはことなり回
転導入装置１０によってｘ方向及びｙ方向に連続して動
かすことができる。

【００２３】レーザー蒸発用容器３０の上部には、蒸気
物質噴出孔３４が設けてある。この蒸気物質噴出孔３４
には、図８で詳細に示すようにテーパー形状の金属管３
５が立設してあり、金属管３５には途中部位にガス導入
管３６が接続され、また上端には絶縁材３７によって電
気的に絶縁された金属メッシュ電極３８が付設してあ
る。なお金属管３５の材料としては例えばＳＵＳ３０４
を、絶縁材３７の材料としては例えばアルミナを、金属
メッシュ電極３８の材料としては例えばタングステンメ
ッシュ材を用いる。

【００２４】真空容器１に設けたレーザー光３を導入す
るための透過窓４内には、レーザー光３をレーザー蒸発
用容器３０内へ入射させるためのレーザー光導入管３９
が設けてあり、二重構造としてある。

【００２５】図中４０は電源で、基板ホルダー２１に接
離自在に保持させた被処理基板２０には、電源４０から
直流負電圧によってバイアスされた低周波電圧が印加さ
れるようになっている。また４１は四重極型質量分析計
であり、計測・制御系４２に接続されて被処理基板２０
の近傍に配置され、レーザー光３によって蒸発させられ
たターゲット物質の組成元素と組成比をレーザー光のパ
ワーに応じて測定する。図中４３は電子放出源にLaB₆を
用いた熱陰極型電子銃であり、４４はその電源である。
図中４５はマスフローコントローラーで、ガス導入系１
９の途中に設けてあり、ガス導入管３６を介して金属管
３５内に酸素ガスを供給するようになっている。さらに
図中４６は直流電源であり、金属メッシュ電極３８に直
流電圧を印加するためのものである。また図中４７はシ
ャッターである。

【００２６】被処理基板２０に印加する低周波電圧は、
例えば５００ｗ、５０KHzで、バイアスの直流電圧は−
４００Ｖとする。被処理基板２０に低周波電圧を印加す
るのは、直流の負バイアス電圧の効果によりイオン化さ
れ、活性化された蒸発粒子を被処理基板２０方向に加速
し、絶縁体基板の場合には基板の帯電を防止し、熱陰極
型電子銃４３から出た電子を被処理基板２０と金属メッ
シュ電極３８の間の空間で振動させ、被処理基板２０に
電子の照射効果を与えるためである。

【００２７】本実施例の作用を説明する。まずレーザー
蒸発用容器３０内を真空排気系３１により１０^-5Torr台
まで真空排気した後、ターゲット８に対するレーザー光
３の照射によって蒸発させられたターゲット物質の組成
元素と組成比をレーザー光３のパワーに応じて予め四重
極型質量分析計４１によって測定し、特に酸素成分比を
モニターしておく。さらにガス導入系１９により酸素ガ
スを金属管３５内に供給し、熱陰極型電子銃４３によっ
て電子ビームを放出しつつ、金属メッシュ電極３８に直
流電源４６を用いて＋３０〜２００Ｖの直流電圧を印加
して電子ビームを導き、導入された酸素ガスを活性化
（イオン化、ラジカル化）する。この時レーザー光３の
エネルギーによって蒸発させられたターゲット物質は活
性な状態になっており、電子ビームとの衝突によってイ
オン化した酸素原子と共にクラスターイオンの様態にな
っていると考えられる。

【００２８】そしてレーザー蒸発用容器３０と金属管３
５内の圧力は１０^-3Torr台、その外側の真空容器１内の
圧力は１０^-6Torr台となり、レーザー蒸発用容器３０内
の蒸発物質は内外の差圧により被処理基板２０に向かっ
て膨張噴出する。そして電子ビーム衝突により活性なク
ラスター状となったイオンは負電圧にバイアス印加され
た被処理基板２０に向かって成膜粒子となり、被処理基
板２０にＩＴＯ膜が堆積する。被処理基板２０には上述
のように負バイアス電圧に対して５０KHzの低周波電圧
が印加されており、熱陰極型電子銃４３から放出される
電子流の一部は被処理基板２０に向かって照射され、被
処理基板２０を加熱すると共に蒸発物質を基板近傍にお
いて再び活性化して成膜しやすくする。

【００２９】さらに被処理基板２０の近傍に置かれた四
重極型質量分析計４１により、成膜粒子をイオン化して
その元素組成、特に酸素成分比をモニターしながら活性
化された酸素とターゲット８から蒸発するターゲット物
質との反応合成の過程における酸素成分比の変動量をモ
ニターし、化学量論的組成比を一定に保つように、金属
メッシュ電極３８に印加する電圧と酸素導入量を制御す
るため、直流電源４６及びマスフローコントローラー４
５にフィードバック信号を送って最適値を決める。

【００３０】なお本発明は、他の酸化物、窒化物系のセ
ラミックス薄膜にも同様にして用いることができる。

【００３１】

【発明の効果】請求項１に係る透明導電膜作製方法及び
請求項２に係る透明導電膜作製装置は以上説明してきた
ように、レーザー光によるスパッタ効果を利用すること
により、高真空状態においてＩＴＯターゲットの組成に
近い状態で被処理基板上にＩＴＯ薄膜を形成することが
でき、成膜速度を従来の真空蒸着法、プラズマを利用し
たスパッタリング法に比べて数倍速くすることができる
ようになるという効果がある。またプラズマイオンを基
板にアシストして照射することにより、ターゲット組成
の蒸発時における変動を補い、活性化された酸素イオン
とプラズマ電子を供給することにより低温でストイキオ
メトリーに近い組成で透明かつ導電性に優れたＩＴＯ薄
膜を形成することができるという効果がある。

【００３２】請求項３に係る透明導電膜作製装置は上記
共通の効果に加え、小面積を有するターゲットにまんべ
んなくレーザー光を照射でき、ターゲットの利用効率が
１００％に近いうえ、照射時に受ける物理科学的効果が
プラズマイオンの場合と違い組成の変動を引き起こさな
いという効果があり、さらに被処理基板を回転させるこ
とにより大面積基板に効率良くＩＴＯ薄膜等を形成する
ことができるという効果がある。

【００３３】請求項４に係る透明導電膜作製方法及び請
求項５に係る透明導電膜作製装置は以上説明してきたよ
うに、レーザー光による蒸発を利用してターゲット物質
を蒸気化し噴出させることによってクラスター（塊状）
にして、かつ酸素ガスを導入して熱陰極型電子銃から出
た電子により活性化て蒸着することによって、従来の成
膜法よりは大きい成膜速度で容易にターゲット組成に近
い組成をもつ透明薄膜を基板に形成することができるよ
うになるという効果がある。

【００３４】請求項６に係る透明導電膜作製装置は上記
共通の効果に加え、直流電圧と低周波電圧を重畳して基
板に印加することにより、基板表面を熱的に活性化して
不純物粒子を除去すると共に基板に加熱機構がなくても
反応合成に必要な温度を基板に与えることができ、基板
へのバイアス直流負電圧によって、ターゲットから蒸発
してくる活性な粒子を基板の方に加速し、基板に衝突さ
せて化合反応を促進し、マイグレーション効果により緻
密かつ透明で密着性の良い薄膜を低温で形成することが
できるようになるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例装置の概要を示す部分断面図であ
る。

【図２】レーザー光の透過窓の外観を示す斜視図であ
る。

【図３】（Ａ）がターゲットの外観を示す斜視図、
（Ｂ）がレーザー光反射用の平面鏡の外観を示す斜視図
である。

【図４】ターゲットと被処理基板の配置関係を示す平面
図である。

【図５】磁場コイル電流が１３５Ａのときの電子密度の
分布に対応する被処理基板上のシート抵抗の分布を示す
グラフである。

【図６】磁場コイル電流が１６０Ａのときの電子密度の
分布を示すグラフである。

【図７】第２実施例装置の概要を示す部分断面図であ
る。

【図８】真空容器内に仕切ったレーザー蒸発用容器の蒸
発物質噴出孔近傍を拡大して示す断面図である。

【符号の説明】

１真空容器２、３１真空排気系３レーザー光４透過窓７平面鏡８ターゲット９ターゲットホルダー１０回転導入装置１３プラズマイオン源１９ガス導入系２０被処理基板２１基板ホルダー２３回転駆動装置３０レーザー蒸発用容器３４蒸気物質噴出孔３８金属メッシュ電極４０電源４１四重極型質量分析計４３熱陰極型電子銃４５マスフローコントローラー

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空容器、真空排気系、イオン源、ガス
導入系及びレーザー光源からなる透明導電膜作製装置に
おいて、ＩＴＯもしくはインジウム／スズ合金のターゲ
ットに対向させて被処理基板を配置し、上記レーザー光
源から射出するレーザー光によって上記ターゲット表面
の物質をレーザービームスパッタ法によって蒸発させる
と共に、上記イオン源により酸素イオンを主とするプラ
ズマイオンを上記被処理基板に照射して上記被処理基板
上に透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜
作製方法。
【請求項２】真空容器、真空排気系、イオン源、ガス
導入系及びレーザー光源を備えた真空容器内に、ＩＴＯ
もしくはインジウム／スズ合金のターゲットを配置し、
上記レーザー光源から射出するレーザー光によって上記
ターゲット表面の物質をレーザービームスパッタ法によ
って蒸発させると共に、上記イオン源により酸素イオン
を主とするプラズマイオンを上記被処理基板に照射して
上記被処理基板上に透明導電膜を形成することを特徴と
する透明導電膜作製装置。
【請求項３】上記ターゲットより大面積で矩形の被処
理基板を上記真空容器内で回転させつつ反復移動させる
手段と、上記真空容器自体を上記レーザー光に対して反
復移動させる手段とを有することを特徴とする請求項２
の透明導電膜作製装置。
【請求項４】真空容器内に、レーザー蒸着用容器、熱
陰極型電子銃、酸素ガス供給系、真空排気系及びレーザ
ー光源を備え、上記レーザー蒸着用容器を上記真空容器
から仕切って設置し、該レーザー蒸発用容器内にＩＴＯ
もしくはインジウム／スズ合金のターゲットを配し、上
記レーザー光源から射出するレーザー光によって上記タ
ーゲット表面の物質を蒸発させつつ上記酸素ガス供給系
から酸素ガスを導入し、該導入された酸素ガスを熱陰極
型電子銃から出た電子により活性化し、上記レーザー蒸
発用容器に対向配置した被処理基板上に透明導電膜を形
成することを特徴とする透明導電膜作製方法。
【請求項５】真空容器、該真空容器内に仕切って設置
したレーザー蒸着用容器、熱陰極型電子銃、酸素ガス供
給系、真空排気系及びレーザー光源からなる透明導電膜
作製装置において、上記レーザー蒸発用容器内にＩＴＯ
もしくはインジウム／スズ合金のターゲットを配し、上
記レーザー光源から射出するレーザー光によって上記タ
ーゲット表面の物質を蒸発させつつ上記酸素ガス供給系
から酸素ガスを導入し、該導入された酸素ガスを熱陰極
型電子銃から出た電子により活性化し、上記レーザー蒸
発用容器に対向配置した被処理基板上に透明導電膜を形
成することを特徴とする透明導電膜作製装置。
【請求項６】上記被処理基板に低周波電圧と直流電圧
を重畳した電圧を印加する手段を有することを特徴とす
る請求項５の透明導電膜作製装置。