JPS632487B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS632487B2
JPS632487B2 JP57144883A JP14488382A JPS632487B2 JP S632487 B2 JPS632487 B2 JP S632487B2 JP 57144883 A JP57144883 A JP 57144883A JP 14488382 A JP14488382 A JP 14488382A JP S632487 B2 JPS632487 B2 JP S632487B2
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JP
Japan
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terminal
semiconductor circuit
transistor
circuit element
control terminal
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Expired
Application number
JP57144883A
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English (en)
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JPS5846706A (ja
Inventor
Shirigooni Maruko
Konshirio Pietoro
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
SGS ATES Componenti Elettronici SpA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SGS ATES Componenti Elettronici SpA filed Critical SGS ATES Componenti Elettronici SpA
Publication of JPS5846706A publication Critical patent/JPS5846706A/ja
Publication of JPS632487B2 publication Critical patent/JPS632487B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M1/00Substation equipment, e.g. for use by subscribers
    • H04M1/60Substation equipment, e.g. for use by subscribers including speech amplifiers
    • H04M1/6016Substation equipment, e.g. for use by subscribers including speech amplifiers in the receiver circuit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はモノリシツクに集積回路化でき且つ加
入者電話セツトや医用電子装置で聴取に困難な時
電気―音響変換器に使用される、電源電圧が低い
可聴周波受信増幅器用のブリツジ出力段に関する
ものである。
加入者電話セツト用の受信増幅器の出力段は、
信号が変動しても、電流消費が厳密に一定でなけ
ればならない。事実、2線電話回線の装置が接続
されている端子は同時に装置の電源端子であると
共に、装置が電気信号に変換するを要する信号の
出力端子であり、それ故もし受信増幅器内で電流
消費に変動があると間違つて信号の変動と考えら
れてしまう。
電源電圧が低い2線電話回線に接続されている
受信増幅器の出力段は電流消費も「電圧損」
(voltage loss)も小さくなければならない。但
し、電圧損とは正規の動作状態で、回線の端子間
の電圧と、電気―音響変換器が接続されている出
力段の端子間に得られる電圧との差として定義さ
れる。出力段の電圧損が小さくなると共に増幅さ
れた信号のダイナミツクレンジの制限が小さくな
る。しかし、電話の場合は、電圧損が僅かに増大
しても電流消費が最小になるように試みる方が重
要である。
電流消費レベルが小さい時信号に最高のダイナ
ミツクレンジを与える可聴周波受信増幅器の出力
段はブリツジ形の回路構成を有するものである。
例えば電話でモノリシツクに集積化でき且つ使
用できる可聴周波受信増幅器用の既知の出力段
は、第1図に示すように、一対の直流電流発生器
A1及びA3と、一対のn―p―n形バイポーラト
ランジスタT2及びT4とにより構成されるブリツ
ジ配置を具える。
トランジスタT2のコレクタと、トランジスタ
T4のコレクタとには夫々点A及びBで電気―音
響変換器TRの第1及び第2の端子に接続される
が、その先では夫々直流電流発生器を介して電源
電圧発生器の正極+Vccに接続される。トランジ
スタT2及びT4のエミツタを電源電圧発生器の負
極−Vccに接続する。トランジスタT2及びT4のベ
ースはトランジスタT2及びT4を夫々制御するn
―p―nバイポーラトランジスタT12及びT14
エミツタに接続すると共に、夫々抵抗R2及びR4
を介して電源電圧発生器の負極−Vccに接続する。
トランジスタT12及びT14のコレクタは+Vccに接
続し、トランジスタT12及びT14のベースは信号
源(図示せず)に接続する。この信号源はこれら
のトランジスタT12及びT14を逆相で制御する。
このタイプのブリツジ出力段の電流消費はほぼ
一定で、たとえ信号がない時でも電流発生器A1
及びA3から供給される電流の和に等しい。
電流発生器A1及びA3は活性領域で動作するp
―n―p形バイポーラトランジスタで構成するの
が典形的で、トランジスタのエミツタを+Vcc
接続し、コレクタを夫々トランジスタT2及びT4
のコレクタに接続する。この既知の出力段の全電
圧損は飽和状態でのn―p―n形の一方のトラン
ジスタT2又はT4のコレクタ―エミツタ電圧
(VCE sat)と、飽和状態での電流発生器A1又は
A3のp―n―p形のトランジスタの一方のコレ
クタ―エミツタ電圧(VCE sat)との和に等し
い。但し、能動領域の限界においてである。
本発明によれば、第1と、第2と、第3と、第
4の半導体回路要素を具え、各々が第1及び第2
の端子並びに制御端子を有し、第1及び第3の半
導体回路要素が第1の導電形を有し、第2及び第
4の半導体回路要素が第1の導電形と反対の第2
の導電形を有し、第1及び第3の半導体回路要素
の第1の端子を共通の直流電流発生回路手段を介
して第1の電源極に接続し、第2及び第4の半導
体回路要素の第1の端子を第1の電源極と反対の
第2の電源極に接続し、第1の半導体回路要素の
第2の端子を第2の半導体回路要素の第2の端子
に接続すると共に、電気音響変換器の第1の端子
に接続するための第1の端子に接続し、第3の半
導体回路要素の第2の端子を第4の半導体回路要
素の第3の端子に接続すると共に、電気音響変換
器の第2の端子に接続するための第2の端子に接
続し、第2の半導体回路要素の制御端子と第4の
半導体回路要素の制御端子とが逆相で入力信号を
受け取るための入力端子を構成し、更に第2の導
電形を有し且つ各々が少なくとも1個の第1及び
第2の端子並びに制御端子を有する第5及び第6
の半導体回路要素を設け、これらの第5と第6の
半導体回路要素の各々の第1の端子を共通直流電
流発生器を介して第2の電源極に接続し、第5と
第6の半導体回路要素の制御端子を第5と第6の
半導体回路要素が逆相で且つ夫々第2及び第4の
半導体回路要素と同相で制御されるように入力端
子に接続し、第5の半導体回路要素の第2の端子
を第3の半導体回路要素の制御端子に接続すると
共に、第1の抵抗要素を介して基準電圧回路手段
に接続し、第6の半導体回路要素の第2の端子を
第1の半導体回路要素の制御入力端子に接続する
と共に、第2の抵抗要素を介して基準電圧回路手
段に接続したことを特徴とする電気―音響変換器
用可聴周波増幅器のブリツジ出力段が提供され
る。
このようにすればモノリシツクに集積回路化で
き且つ従来技術のブリツジ出力段よりも電流の吸
収が小さく、電圧損の方はほぼ等しい、電源電圧
が低い可聴周波受信増幅器のブリツジ出力段が与
えられる。
一実施例を挙げて図面につき本発明を詳細に説
明する。
第1図と第2図を通して同一の要素には同じ符
号を付した。
可聴周波受信増幅器のブリツジ出力段は、第2
図に示すように、一対のp―n―p形バイポーラ
トランジスタT1及びT3と、一対のn―p―n形
バイポーラトランジスタT2及びT4とを具える。
トランジスタT1及びT3のコレクタは夫々トラ
ンジスタT2及びT4のコレクタに接続する。これ
らの2本の接続路は一対の端子A及びBを与え、
これらの端子A及びBに夫々電気―音響トランス
デユーサTRの第1の端子と第2の端子を接続す
る。
トランジスタT1のエミツタはトランジスタT3
のエミツタに接続する。そしてその途中の接続点
を抵抗REを介して電圧源の正極+Vccに接続する
と共に、直接p―n―p形バイポーラトランジス
タT7のエミツタに接続する。トランジスタT7
ベースはコレクタに短絡し、そのコレクタは直流
電流発生器A2を介して電圧源の負極−Vccに接続
する。トランジスタT2及びT4のエミツタは直接
負極−Vccに接続する。
トランジスタT2のベースは抵抗R2を介して負
極−Vccに接続すると共に、n―p―n形バイポ
ーラトランジスタT12のエミツタに接続する。ト
ランジスタT4のベースは抵抗R4を介して負極−
Vccに接続すると共に、n―p―n形バイポーラ
トランジスタT14のエミツタに接続する。トラン
ジスタT12及びT14のコレクタは正極+Vccに接続
する。トランジスタT12及びT14のベースは信号
源(図示せず)に接続する。この信号源はこれら
のトランジスタT12及びT14を逆相で制御する。
第2図に示す出力段はまた一対のn―p―n形
バイポーラトランジスタT5及びT6を具えるが、
これらのトランジスタT5及びT6のベースも信号
源に接続する。この信号源はこれらのトランジス
タT5及びT6を互に逆相で且つ夫々トランジスタ
T12及びT14と同相になるように制御する。トラ
ンジスタT5及びT6のエミツタは一つに接続し、
共通直流電流源A1を介して負極−Vccに接続す
る。
トランジスタT5及びT6のコレクタは夫々接続
点E及びFでトランジスタT3及びT1のベースに
接続する。これらの接続点E及びFは夫々抵抗
R3及びR1を介してp―n―p形バイポーラトラ
ンジスタT8のコレクタに接続する。トランジス
タT8のエミツタは抵抗R8を介して正極+Vccに接
続し、ベースは直接トランジスタT7のコレクタ
に接続する。
第2図に示す回路の動作は下記の通りである。
トランジスタT8のコレクタ電流からトランジ
スタT1及びT3のベース電流を差し引いたものが
トランジスタT5及びT6を介して流れるが、これ
は直流電流源A1によりセツトされ、一定である。
トランジスタT8のエミツタ電流も一定となり、
このため抵抗R8両端間には一定の電圧降下VR8
が生ずる。
VR8+VBET8=VRE+VBET7 であるから、当業者には既知の手段を用い(例え
ば直流電流源A1とA2とを同じにする)ることに
より、トランジスタT7のベース―エミツタ電圧
VBET7をトランジスタT8のベース―エミツタ電圧
VBET8と等しくする、即ち VBET7=VBET8 とすることができる。この時抵抗RE両端間の電
圧VREは抵抗R8両端間の電圧降下VR8に等しく
なる。即ち、 VRE=VR8 それ故電圧VREは一定となる。このため、抵抗
REを流れる電流REは予じめ定めることができ、
一定とすることができる。
それ故両端子間に電圧降下VREを生ずる抵抗RE
は直流電流源と看做することができる。
直流電流発生器A2により供給される電流RE
一定部A2がトランジスタT7を流れる。REの残
りがブリツジのトランジスタT1,T2,T3及びT4
並びに2個の端子AとBの間の電気―音響変換器
TRを流れる。ブリツジ要素内を流れる直流電流
REA2の分布、従つてトランスデユーサ内を
流れる正味の電流は信号により決まる。信号がな
い場合は、トランジスタT1及びT2を流れる電流
がトランジスタT8及びT4を流れる電流に等しく
なり、トランスデユーサTRを流れる正味の電流
は零に等しい。
この出力段ではトランジスタT2及びT4を流れ
る電流だけでなく、トランジスタT1及びT3を流
れる電流も、トランジスタT5及びT6により、増
幅され、変換されるべき信号の関数として変化す
る。信号が予じめ定められたレベルを越えると、
全電流REA2が2個のトランジスタT1及びT3
の一方だけを流れ、これにより従来技術の出力段
に対して、電気―音響変換器の電力は等しいにも
かゝわらず、電流消費がほぼ半分ですむ。
例えば、変換さるべき信号がトランジスタT4
のコレクタ電流を増大させ、トランジスタT2
コレクタ電流を減少させ、その結果端子Aから電
気―音響変換器TRを通つて端子Bに電流が流れ
る場合を考察する。トランジスタT6のコレクタ
電流は同時に増大し、トランジスタT5のコレク
タ電流は減少し、この結果抵抗R1両端間の電圧
降下が増大し、抵抗R3両端間の電圧降下が減少
する。これに加えて、トランジスタT1のベース
―エミツタ電圧及びベース電流が増大し、トラン
ジスタT3のベース―エミツタ電圧及びベース電
流が減少する。蓋し、トランジスタT1のコレク
タ電流が増大し、トランジスタT3のコレクタ電
流が減少するからである。この結果従来技術の回
路に比して電気―音響変換器TRを流れる電流が
等しくても回路の電流消費は小さくなる。
信号がトランジスタT2のコレクタ電流を増大
させ、トランジスタT4のコレクタ電流を減少さ
せる時は、ブリツジ出力段は上述したところと同
じ態様で、但し上述したところと対称的に動作す
る。
電圧損はn―p―nトランジスタのコレクタ―
エミツタ飽和電圧と、p―n―pトランジスタの
コレクタ―エミツタ電圧と、抵抗RE両端間の電
圧降下との和に等しい。而して抵抗R8はVR8
従つてVREがずつと小さい(普通は0.06V以下)
ような値を有する。それ故p―n―pトランジス
タのコレクタ―エミツタ飽和電圧と、抵抗RE
端間の電圧降下との和は実際にはp―n―pトラ
ンジスタの飽和電圧にほぼ等しい。従つて本発明
に係るブリツジ出力段の電圧損は従来技術のブリ
ツジ出力段の電圧損にほぼ等しい。
この可聴周波受信増幅器用の好適なブリツジ出
力段は既知の集積技術を用いてモノリシツク半導
体ブロツクに集積するのに殊に適している。
以上本発明の唯一つの実施例を述べただけであ
るが、本発明の範囲内で種々の変更を加えること
ができる。例えば、抵抗R3及び抵抗R1はダイオ
ードで置き換えることができる。また直接信号源
に接続する代りに、トランジスタT5及びT6のベ
ースを夫々トランジスタT12及びT14のエミツタ
に接続してもよい。また、トランジスタT5及び
T6により構成される差動構造は一層複雑な差動
構造により置き換えることができ、トランジスタ
T1及びT3はダーリントン形の回路で置き換える
ことができる。更に、当業者には既知の適当な回
路の変更を加えた上で、前述した回路に含まれる
バイポーラトランジスタを全て又は一部電界効果
トランジスタで置き換えることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は既知の可聴周波受信増幅器のブリツジ
出力段の回路図、第2図は本発明の一実施例のブ
リツジ出力段の回路図である。 T…トランジスタ(半導体回路要素を構成す
る)、R…抵抗要素(R3…第1の抵抗要素、R1
第2の抵抗要素、RE…第3の抵抗要素、R8…第
4の抵抗要素)、+Vcc…第1の電源極、−Vcc…第
2の電源極、TR…電気音響変換器、A…直流電
流発生器。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 第1と、第2と、第3と、第4の半導体回路
    要素を具え、各々が第1及び第2の端子並びに制
    御端子を有し、第1及び第3の半導体回路要素が
    第1の導電形を有し、第2及び第4の半導体回路
    要素が第1の導電形と反対の第2の導電形を有
    し、第1及び第3の半導体回路要素の第1の端子
    を共通の直流電流発生回路手段を介して第1の電
    源極に接続し、第2及び第4の半導体回路要素の
    第1の端子を第1の電源極と反対の第2の電源極
    に接続し、第1の半導体回路要素の第2の端子を
    第2の半導体回路要素の第2の端子に接続すると
    共に、電気音響変換器の第1の端子に接続するた
    めの第1の端子に接続し、第3の半導体回路要素
    の第2の端子を第4の半導体回路要素の第2の端
    子に接続すると共に、電気音響変換器の第2の端
    子に接続するための第2の端子に接続し、第2の
    半導体回路要素の制御端子と第4の半導体回路要
    素の制御端子とが逆相で入力信号を受け取るため
    の入力端子を構成し、更に第2の導電形を有し且
    つ各々が少なくとも1個の第1及び第2の端子並
    びに制御端子を有する第5及び第6の半導体回路
    要素を設け、これらの第5と第6の半導体回路要
    素の各々の第1の端子を共通直流電流発生器を介
    して第2の電源極に接続し、第5と第6の半導体
    回路要素の制御端子を第5と第6の半導体回路要
    素が逆相で且つ夫々第2及び第4の半導体回路と
    同相で制御されるように入力端子に接続し、第5
    の半導体回路要素の第2の端子を第3の半導体回
    路要素の制御端子に接続すると共に、第1の抵抗
    要素を介して基準電圧回路手段に接続し、第6の
    半導体回路要素の第2の端子を第1の半導体回路
    要素の制御入力端子に接続すると共に、第2の抵
    抗要素を介して基準電圧回路手段に接続したこと
    を特徴とする電気―音響変換器用可聴周波増幅器
    のブリツジ出力段。 2 第5と第6の半導体回路要素の制御端子を
    夫々第2と第4の半導体回路要素の入力端子に接
    続したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載の電気―音響変換器用可聴周波増幅器のブリツ
    ジ出力段。 3 第1と第2の抵抗要素を抵抗としたことを特
    徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項記載の
    電気―音響変換器用可聴周波増幅器のブリツジ出
    力段。 4 第1と第2の抵抗要素をダイオードとしたこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項
    記載の電気―音響変換器用可聴周波増幅器のブリ
    ツジ出力段。 5 共通直流電流発生回路手段に第3の抵抗要素
    と、第1の導電形を有し且つ少なくとも1個の第
    1及び第2の端子並びに制御端子を有する第7の
    半導体回路要素とを設け、この第7の半導体回路
    要素の第1の端子と制御端子とを直流電流発生器
    を介して第2の電源極に接続し、第2の端子を第
    1の半導体回路要素の第1の端子と第3の半導体
    回路要素の第1の端子との間の接続点に接続する
    と共に、第3の抵抗要素を介して第1の電源極に
    接続し、基準電圧回路手段に第1の導電形を有し
    且つ第1及び第2の端子並びに制御端子を有する
    第8の半導体回路要素を設け、この第8の半導体
    回路要素の第1の端子を第4の抵抗要素を介して
    第1の電源極に接続し、第8の半導体回路要素の
    制御端子を第7の半導体回路要素の第1の端子に
    接続し、第8の半導体回路要素の第2の端子を
    夫々第1及び第2の抵抗要素を介して第5及び第
    6の半導体回路要素の第2の端子に接続したこと
    を特徴とする特許請求の範囲前記各項のいずれか
    一項に記載の電気―音響変換器用可聴周波増幅器
    のブリツジ出力段。 6 第4の抵抗要素を抵抗としたことを特徴とす
    る特許請求の範囲第5項記載の電気―音響変換器
    用可聴周波増幅器のブリツジ出力段。 7 半導体回路要素の少なくとも一つを夫々半導
    体要素の第1及び第2の端子並びに制御端子であ
    る第1及び第2の端子並びに制御端子を有するト
    ランジスタとしたことを特徴とする特許請求の範
    囲前記各項のいずれか一項に記載の電気―音響変
    換用可聴周波増幅器のブリツジ出力段。 8 第2と第4の半導体回路要素が各々同一導電
    形で且つ第1及び第2の端子並びに制御端子を有
    する第1(T2及びT4)及び第2のトランジスタを
    具え、第1のトランジスタの第1及び第2の端子
    並びに第2のトランジスタの制御端子が半導体回
    路要素自体の夫々第1及び第2の端子並びに制御
    端子を構成し、第2のトランジスタの第1の端子
    が第1のトランジスタの制御端子に接続されると
    共に、抵抗を介して第2の電源極に接続され、第
    2のトランジスタの第2の端子が第1の電源極に
    接続されることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項に記載の電気―音響変換器用可聴周波増幅器の
    ブリツジ出力段。 9 第2と第4の半導体回路要素が各々同一導電
    形で且つ第1及び第2の端子並びに制御端子を有
    する第1及び第2のトランジスタを具え、第1の
    トランジスタの第1及び第2の端子並びに第2の
    トランジスタの制御端子が半導体回路要素自体の
    夫々第1及び第2の端子並びに制御端子を構成
    し、第2の半導体回路要素の第2のトランジスタ
    の第1の端子が第2の半導体回路要素の第1のト
    ランジスタの制御端子に接続されると共に、第5
    の半導体回路要素の制御端子に接続され且つ抵抗
    を介して第2の電源極に接続され、第4の半導体
    回路要素の第2のトランジスタの第1の端子が第
    4の半導体回路要素の第1のトランジスタの制御
    端子に接続されると共に、第6の回路要素の制御
    端子に接続され且つ抵抗を介して第2の電源極に
    接続され、第2と第4の半導体回路要素の第2の
    トランジスタの第2の端子が第1の電源極に接続
    される特許請求の範囲第2項に記載の電気―音響
    変換器用可聴周波増幅器のブリツジ出力段。 10 第1と第3の半導体回路要素が各々同一導
    電形を有し、各々第1及び第2の端子並びに制御
    端子を有する第1と第2のトランジスタを具え、
    第1のトランジスタの第1及び第2の端子並びに
    第2のトランジスタの制御端子が半導体回路要素
    自体の夫々第1及び第2の端子並びに制御端子を
    構成し、第2のトランジスタの第1及び第2の端
    子を第1のトランジスタの制御端子に接続すると
    共に、第2の電源極に接続したことを特徴とする
    特許請求の範囲前記各項のいずれか一項に記載の
    電気―音響変換器用可聴周波増幅器のブリツジ出
    力段。 11 トランジスタをバイポーラトランジスタと
    し、各トランジスタの第1の端子、制御端子及び
    第2の端子を夫々パイポーラトランジスタのエミ
    ツタ、ベース及びコレクタとしたことを特徴とす
    る特許請求の範囲第7項ないし第10項のいずれ
    か一項に記載の電気―音響変換器用可聴周波増幅
    器のブリツジ出力段。 12 トランジスタを電界効果トランジスタと
    し、各トランジスタの第1の端子、制御端子及び
    第2の端子を電界効果トランジスタのソース、ゲ
    ート及びドレインとしたことを特徴とする特許請
    求の範囲第7項ないし第10項のいずれか一項に
    記載の電気―音響変換器用可聴周波増幅器のブリ
    ツジ出力段。
JP57144883A 1981-08-26 1982-08-23 電気−音響変換器用可聴周波増幅器のブリツジ出力段 Granted JPS5846706A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT23646A/81 1981-08-26
IT23646/81A IT1168164B (it) 1981-08-26 1981-08-26 Stadio finale a ponte per un aplificatore audio di ricezione

Publications (2)

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JPS5846706A JPS5846706A (ja) 1983-03-18
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