JPS63239892A - 回路基板用組成物 - Google Patents
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(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、回路基板用組成物に関するものである。
［従来の技術］
ガラスセラミックのグリーンシート上に導電ペーストを
所定パターンに印刷し、これを複数枚重ねた後焼成し多
層回路を形成する電子部品が知られている。この電子部
品においては、各層間の導体接続は、あらかじめグリー
ンシートにピアホールを形成し、導電ペーストを印刷す
るか又は、導電性物質を詰め込むことにより行なわれる
。
所定パターンに印刷し、これを複数枚重ねた後焼成し多
層回路を形成する電子部品が知られている。この電子部
品においては、各層間の導体接続は、あらかじめグリー
ンシートにピアホールを形成し、導電ペーストを印刷す
るか又は、導電性物質を詰め込むことにより行なわれる
。
牟かる導電ペーストは、Ａｕペースト、Ａｇ−Ｐｄペー
スト、Ｃｕペースト等であるが、Ａｕペーストはコスト
が高いこと、Ａｇ−Ｐｄペーストは電気抵抗値及び電気
的マイグレーションが大きいことが欠点である。Ｃｕペ
ーストは、形成した導体の電気抵抗値及び電気的マイグ
レーションが小さいこと、半田付けにより侵食され、難
いこと等の利点がある。しかし銅は酸化され易くそれを
防ぐため、導体を形成するための焼成は、酸素濃度１０
ｐｐ■以下の窒素雰囲気中で行なわれている。
スト、Ｃｕペースト等であるが、Ａｕペーストはコスト
が高いこと、Ａｇ−Ｐｄペーストは電気抵抗値及び電気
的マイグレーションが大きいことが欠点である。Ｃｕペ
ーストは、形成した導体の電気抵抗値及び電気的マイグ
レーションが小さいこと、半田付けにより侵食され、難
いこと等の利点がある。しかし銅は酸化され易くそれを
防ぐため、導体を形成するための焼成は、酸素濃度１０
ｐｐ■以下の窒素雰囲気中で行なわれている。
しかしながら、従来のガラスセラミックグリーンシート
をかかる雰囲気中で焼成すると、グリーンシート中の有
機バインダーの除去が不十分で炭素が残留し、基板の抗
折強度及び絶縁抵抗が低いという難点があった。
をかかる雰囲気中で焼成すると、グリーンシート中の有
機バインダーの除去が不十分で炭素が残留し、基板の抗
折強度及び絶縁抵抗が低いという難点があった。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明は、上記低酸素濃度の雰囲気で焼成し前記難点を
生しるこ、どのない回路基板用組成物の提供を目的とす
る。
生しるこ、どのない回路基板用組成物の提供を目的とす
る。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、無機成分が重量表示％でガラス粉末３０〜７
０と耐火物フィラー２８〜７０と酸化剤からなり、当該
ガラス粉末は重量％表示て実質的に５ｉＯｚ３８〜４８
． Ａｌ２Ｏ３１〜８ 、 Ｍｇ０ ０ 〜１０
． Ｂａ０１Ｂ〜２８． ＣａＯ１〜８ 、 Ｓｒ０
０〜１５． Ｂ２０．０．５〜Ｉｓ、 Ｐｂ００〜２０
． Ｚｎ０１０〜２０． ＴｉＯ２＋ＺｒＯ＊ ０〜７
、Ｌｉ、０＋ Ｎａ、０＋に２０ （１−５からなり、
当該耐火フィラーは１重量％表示でアルミナ２０〜６０
．ジルコン０〜４０．コージェライトθ〜３０．フォル
ステライト０〜３０からなり、実質的に非酸化性雰囲気
中で焼成する回路用基板組成物を提供する。
０と耐火物フィラー２８〜７０と酸化剤からなり、当該
ガラス粉末は重量％表示て実質的に５ｉＯｚ３８〜４８
． Ａｌ２Ｏ３１〜８ 、 Ｍｇ０ ０ 〜１０
． Ｂａ０１Ｂ〜２８． ＣａＯ１〜８ 、 Ｓｒ０
０〜１５． Ｂ２０．０．５〜Ｉｓ、 Ｐｂ００〜２０
． Ｚｎ０１０〜２０． ＴｉＯ２＋ＺｒＯ＊ ０〜７
、Ｌｉ、０＋ Ｎａ、０＋に２０ （１−５からなり、
当該耐火フィラーは１重量％表示でアルミナ２０〜６０
．ジルコン０〜４０．コージェライトθ〜３０．フォル
ステライト０〜３０からなり、実質的に非酸化性雰囲気
中で焼成する回路用基板組成物を提供する。
本発明において添加する酸化剤は、酸素濃度約１０ｐｐ
ｍ以下の非酸化性雰囲気で焼成し回路基板を形成する際
組成物中の有機バインダーを酸化除去する作用がある（
脱バインダー効果）。
ｍ以下の非酸化性雰囲気で焼成し回路基板を形成する際
組成物中の有機バインダーを酸化除去する作用がある（
脱バインダー効果）。
酸化剤の添加量は、ガラス粉末及び耐火物フィラーの総
量である無機成分に対し重量で０．０１〜２０％添加す
るのが好ましい、酸化剤の添加量が０．０１％（重量％
表示で、以下同じ）未満では添加による効果が少なく、
他方２０％を越えると基板の耐電圧特性が低下し、又積
層した銅等の導体の配線部分を焼成の際酸化の効果強す
ぎ酸化させるので好ましくない。
量である無機成分に対し重量で０．０１〜２０％添加す
るのが好ましい、酸化剤の添加量が０．０１％（重量％
表示で、以下同じ）未満では添加による効果が少なく、
他方２０％を越えると基板の耐電圧特性が低下し、又積
層した銅等の導体の配線部分を焼成の際酸化の効果強す
ぎ酸化させるので好ましくない。
酸化剤の添加量は上記範囲中０．０５〜１５％の範囲が
より望ましい、特に望ましいは範囲は１〜ｌＯ％であり
、酸化剤としてはＣｅＯ２、ＴｉＯ２，ＢａＯ２゜５ｎ
０２． Ｃ１１０２１Ｖ２０５が使用でき、特にＣｅＯ
２は優れている。
より望ましい、特に望ましいは範囲は１〜ｌＯ％であり
、酸化剤としてはＣｅＯ２、ＴｉＯ２，ＢａＯ２゜５ｎ
０２． Ｃ１１０２１Ｖ２０５が使用でき、特にＣｅＯ
２は優れている。
一方、無機成分中のガラス粉末の含有量は３０％より少
ないと充分な緻密焼結層ができず電気特性が低下し好ま
しくない、一方７０％より多いと焼結基板の抗折強度が
低下したり、銅等の導体との反応性が大きくなり、銅等
の導体の半田漏れ性を損なうので好ましくない、ガラス
粉末は上記範囲中３０〜７０％の範囲が好ましい、特に
望ましい範囲は５０〜６５％である。
ないと充分な緻密焼結層ができず電気特性が低下し好ま
しくない、一方７０％より多いと焼結基板の抗折強度が
低下したり、銅等の導体との反応性が大きくなり、銅等
の導体の半田漏れ性を損なうので好ましくない、ガラス
粉末は上記範囲中３０〜７０％の範囲が好ましい、特に
望ましい範囲は５０〜６５％である。
耐火物フィラーは１．基板の抗折強度を強化するために
添加するもので、２８％より少ないと抗折強度が悪くな
り１０％より多いと焼結性が悪くなる。
添加するもので、２８％より少ないと抗折強度が悪くな
り１０％より多いと焼結性が悪くなる。
耐火物フィラーとしてはアルミナ（ＡＬｚＯｉ）、ジル
コン（Ｚｒ５ｉＯ＜）、コージェライト（ＭｇｚＡ１４
ＳｉｓＯ＋ａ） ＊ フォルステライト（Ｍｇ２Ｓｉ０
４）の混合又は、アルミナ単体が使用できる。
コン（Ｚｒ５ｉＯ＜）、コージェライト（ＭｇｚＡ１４
ＳｉｓＯ＋ａ） ＊ フォルステライト（Ｍｇ２Ｓｉ０
４）の混合又は、アルミナ単体が使用できる。
ガラス粉末は、重量％表示で
ＳｉＯ□ ３８〜４８
ＡＩ２０． １〜８
Ｍｇ０ Ｑ〜１０
Ｃａ０ １〜８
Ｓｒ０ ０〜１５Ｂａ０
１８〜２８ｐｂｏ
ｏ〜２０ＺｎＯ１０〜２０ ８２０３ ０．５〜１５ＴｉＯ，＋Ｚ
ｒＯ□ ０〜７Ｌｉ２０＋ＮａｚＯ＋Ｋｚ
Ｏ０〜 ５ からなる組成のものが好ましい。その理由は次の通りで
ある。
１８〜２８ｐｂｏ
ｏ〜２０ＺｎＯ１０〜２０ ８２０３ ０．５〜１５ＴｉＯ，＋Ｚ
ｒＯ□ ０〜７Ｌｉ２０＋ＮａｚＯ＋Ｋｚ
Ｏ０〜 ５ からなる組成のものが好ましい。その理由は次の通りで
ある。
５ｉＯｚは３８％より少ないと焼結基板の誘電率が大き
くなり過ぎ、４８％を越えると焼結温度が高くなり過ぎ
いずれも好ましくない。望ましい範囲は４０〜４７重量
％である。
くなり過ぎ、４８％を越えると焼結温度が高くなり過ぎ
いずれも好ましくない。望ましい範囲は４０〜４７重量
％である。
Ａ１２０ｉは１％より少ないと焼結基板の耐湿性か劣り
、８％を越えるとガラスフリ・ント製造時に失透を生ず
る恐れがありいずれも好ましくない。より好ましくは２
〜７％の範囲である。
、８％を越えるとガラスフリ・ント製造時に失透を生ず
る恐れがありいずれも好ましくない。より好ましくは２
〜７％の範囲である。
ＣａＯ，ＢａＯは、ガラスフリット製造時の溶解性調整
及び熱膨張係数調整成分で１．含有量としてＣａＯは１
％、ＢａＯは１８％より少ないとガラスフリットの溶解
性が悪くなり好ましくない。一方、ＣａＯは８％、 Ｂ
ａＯは２８％より多いと基板の熱膨張係数及び誘電率が
大きくなり過ぎ好ましくない。望ましくはＢａＯか２２
〜２８％であり、ＣａＯか２〜７％である。
及び熱膨張係数調整成分で１．含有量としてＣａＯは１
％、ＢａＯは１８％より少ないとガラスフリットの溶解
性が悪くなり好ましくない。一方、ＣａＯは８％、 Ｂ
ａＯは２８％より多いと基板の熱膨張係数及び誘電率が
大きくなり過ぎ好ましくない。望ましくはＢａＯか２２
〜２８％であり、ＣａＯか２〜７％である。
ＭｇＯ、ＳｒＯは木質的にＣａＯ及びＢａＯと同様の目
的と効果を有する成分であり、ＭｇＯは１０％。
的と効果を有する成分であり、ＭｇＯは１０％。
ＳｒＯは１５％をそれぞれ越えると、ガラス溶解時に失
透がでる恐れかあり好ましくない。
透がでる恐れかあり好ましくない。
望ましくは、ＭｇＯが０〜７％であり、 ＳｒＯか０〜
１０％である。特に望ましい範囲は、ＭｇＯか２〜７％
であり、ＳｒＯが２〜１０％である。
１０％である。特に望ましい範囲は、ＭｇＯか２〜７％
であり、ＳｒＯが２〜１０％である。
ＰｂＯは添加することにより、ガラス軟化温度が低くな
り、基板の焼結温度か下がる。しかし２０％を越えると
基板の誘電率か大きくなり、有機バインダーの除去か不
十分て炭素か残留し望ましくない。望ましくは０〜１８
％であり、特に望ましい範囲は１−１８％である。
り、基板の焼結温度か下がる。しかし２０％を越えると
基板の誘電率か大きくなり、有機バインダーの除去か不
十分て炭素か残留し望ましくない。望ましくは０〜１８
％であり、特に望ましい範囲は１−１８％である。
Ｂ２０．はフリ・ンクス成分であり、０．５％より少な
いとフラックスとしての効果が少ないので好ましくない
。
いとフラックスとしての効果が少ないので好ましくない
。
ＢＪ：＋の成分が１５％より多いと誘電率か少なくなり
電気的特性は向上するが、有機バインダーの除去か不十
分て炭素が残留しやすい傾向になり望ましくない。望ま
しくは１〜８％である。
電気的特性は向上するが、有機バインダーの除去か不十
分て炭素が残留しやすい傾向になり望ましくない。望ま
しくは１〜８％である。
ＺｎＯは、添加することによりガラス軟化温度が低くな
り基板の焼結温度が下がるので望ましい。しかし、２０
％より多いと基板の誘電率が大きくなり、１０％以下で
あるとガラス軟化温度か高くなるので好ましくない。望
ましくは、１２〜２０％である。
り基板の焼結温度が下がるので望ましい。しかし、２０
％より多いと基板の誘電率が大きくなり、１０％以下で
あるとガラス軟化温度か高くなるので好ましくない。望
ましくは、１２〜２０％である。
Ｔ＋０２＋Ｚｒ０ｚは、必須成分ではないが、添加する
ことにより結晶化を調整できるので望ましい。しかし、
７％を越えるとガラスの軟化温度か高くなったり、基板
の誘電率が大きくなるので好ましくない。望ましくは、
５％以下である。
ことにより結晶化を調整できるので望ましい。しかし、
７％を越えるとガラスの軟化温度か高くなったり、基板
の誘電率が大きくなるので好ましくない。望ましくは、
５％以下である。
Ｌ１２０÷Ｎａ２Ｏ＋ＫｔＯは必須成分ではないか、ガ
ラス溶解性を改善できるので望ましい。しかし電気的マ
イグレーション面より、望ましくは３％未満である。
ラス溶解性を改善できるので望ましい。しかし電気的マ
イグレーション面より、望ましくは３％未満である。
又、上述したように、誘電率と脱バインター効果、誘電
正接、抗折強度を考慮することによって８２０３の添加
量と、誘電正接と抗折強度を考慮してＣｅＯ□の添力Ｗ
量を決定するとガラス組成として８２０３４〜７％、
ＣｅＯ□１〜１０％か特に望ましい。
正接、抗折強度を考慮することによって８２０３の添加
量と、誘電正接と抗折強度を考慮してＣｅＯ□の添力Ｗ
量を決定するとガラス組成として８２０３４〜７％、
ＣｅＯ□１〜１０％か特に望ましい。
上記範囲において誘電率、誘電正接、脱バインダー、抗
折強度を考慮し特に望ましいものはガラス粉末か ５ｉＯｚ ４０〜４７％Ａ１□０３２
〜７ Ｍｇ０ ｏ〜７ Ｃａ０ ２〜７ ＳｒＯ０〜１０ Ｂａ０ ２２〜２８ ｐｂｏ ｏ〜１８ Ｚｎ０ １２〜２０
８２０３４〜７ ＴｉＯ，＋ＺｒＯ２０〜４ Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋に２０ Ｑ〜 ３
であり、酸化剤ＣｅＯｘが１〜１０％がある。
折強度を考慮し特に望ましいものはガラス粉末か ５ｉＯｚ ４０〜４７％Ａ１□０３２
〜７ Ｍｇ０ ｏ〜７ Ｃａ０ ２〜７ ＳｒＯ０〜１０ Ｂａ０ ２２〜２８ ｐｂｏ ｏ〜１８ Ｚｎ０ １２〜２０
８２０３４〜７ ＴｉＯ，＋ＺｒＯ２０〜４ Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋に２０ Ｑ〜 ３
であり、酸化剤ＣｅＯｘが１〜１０％がある。
前記耐火フィラーは重量％表示で
アルミナ ２０〜６０ 、ジルコン
０〜４０ コージェライト ０〜３０ フォルステライト ０〜３０ からなる組成のものか望ましい。
０〜４０ コージェライト ０〜３０ フォルステライト ０〜３０ からなる組成のものか望ましい。
その理由は、以下の通りである。
アルミナは、２０％より少ないと抗折強度が低下し、６
０％より多いと焼結性か悪くなるとともに誘電率が大き
くなる。望ましくは、３０〜５５％である。
０％より多いと焼結性か悪くなるとともに誘電率が大き
くなる。望ましくは、３０〜５５％である。
ジルコンは、抗折強度を増加させるためと熱膨張を小さ
くするために添加するが、４０％より多いと焼結性が悪
くなる。望ましくは０〜２０％である。
くするために添加するが、４０％より多いと焼結性が悪
くなる。望ましくは０〜２０％である。
コージェライトは、熱膨張を小さくするためと、誘電率
を小さくするために添加するが、３０％以上添加すると
焼結性が悪くなる。望ましくは０〜２０％である。
を小さくするために添加するが、３０％以上添加すると
焼結性が悪くなる。望ましくは０〜２０％である。
フォルステライトは、誘電率を小さくするため添加する
が、３０％以上添加すると焼結性が悪くなる。望ましく
は０〜２０％である。
が、３０％以上添加すると焼結性が悪くなる。望ましく
は０〜２０％である。
本発明においてガラス等の各粉末の粒径は特に限定され
ず、０．５〜５μ程度のものが使用される。中でも、ガ
ラス粉末の平均粒径は１〜４ｇｍの範囲のものか好まし
く、耐火物フィラー及び酸化剤の平均粒径は０．５〜３
μ麹の範囲のものが好ましい。ガラス粉末の平均粒径が
１ｇｍより小さくなると、収縮特性が大きくなると同時
にそのバラツキも大きくなるので好ましくなく、一方、
４＃Ｌ■より大きくなると焼結構造の緻密化が難しくな
るのて好ましくない。
ず、０．５〜５μ程度のものが使用される。中でも、ガ
ラス粉末の平均粒径は１〜４ｇｍの範囲のものか好まし
く、耐火物フィラー及び酸化剤の平均粒径は０．５〜３
μ麹の範囲のものが好ましい。ガラス粉末の平均粒径が
１ｇｍより小さくなると、収縮特性が大きくなると同時
にそのバラツキも大きくなるので好ましくなく、一方、
４＃Ｌ■より大きくなると焼結構造の緻密化が難しくな
るのて好ましくない。
耐火物フィラー及び酸化剤の平均粒径が０．５ルーより
小さくなると、実質的に入手困難になると共に高価とな
り、好ましくなく ３ｐｍより大きくなると焼結構造
の緻密化が難しくなるので好ましくない。
小さくなると、実質的に入手困難になると共に高価とな
り、好ましくなく ３ｐｍより大きくなると焼結構造
の緻密化が難しくなるので好ましくない。
本発明の組成物は、各粉末が上記割合にて混合されてい
るものであるが、それを使用した回路基板は例えば次の
ようにして製造される。
るものであるが、それを使用した回路基板は例えば次の
ようにして製造される。
本発明の組成物に有機バインダー、可塑剤・溶剤を添加
し混練してスラリーを作成する。この有機バインダーと
しては、ブチラール樹脂。
し混練してスラリーを作成する。この有機バインダーと
しては、ブチラール樹脂。
アクリル樹脂、可塑剤としてはフタル酸ジブチル、フタ
ル酸ジオクチル、フタル酸ブチル−ベンジル、溶剤とし
ては、トルエン、アルコール等いずれも常用されている
ものが使用できる。
ル酸ジオクチル、フタル酸ブチル−ベンジル、溶剤とし
ては、トルエン、アルコール等いずれも常用されている
ものが使用できる。
次いでこのスラリーをシートに成形し、乾燥することに
より未焼結のシート、いわゆるグリーンシートが作成さ
れる０次いで、このグリーンシートにピアホールを設け
１片面に銅ベーストを所定の回路パターンに厚膜印刷す
る。
より未焼結のシート、いわゆるグリーンシートが作成さ
れる０次いで、このグリーンシートにピアホールを設け
１片面に銅ベーストを所定の回路パターンに厚膜印刷す
る。
この時、ピアホールには銅ペーストが充填される。ピア
ホールへのペーストの充填は回路パターンの印刷とは、
別の工程で行なうこともできる。次に、これらの印刷グ
リーンシートを所定の枚数重ね合わせ、熱圧着により一
体化し。
ホールへのペーストの充填は回路パターンの印刷とは、
別の工程で行なうこともできる。次に、これらの印刷グ
リーンシートを所定の枚数重ね合わせ、熱圧着により一
体化し。
焼成し、グリーンシート及び回路を焼結する。
かくして多層回路基板が製造される。
［実施例］
表１のＮｏ、１〜５９及び比較例１〜１４のガラス組成
を調合し、白金坩堝に入れ、１４００〜１５００℃で２
〜４時間、加熱攪拌溶解した０次いで、これを水砕し、
更に粉砕装置により耐火物フィラーとガラス粉末と酸化
剤とが所定の割合になるように粉砕兼混合した。
を調合し、白金坩堝に入れ、１４００〜１５００℃で２
〜４時間、加熱攪拌溶解した０次いで、これを水砕し、
更に粉砕装置により耐火物フィラーとガラス粉末と酸化
剤とが所定の割合になるように粉砕兼混合した。
次いでこれらに有機バインダーとして、メチルメタクリ
レート樹脂、可塑剤としてフタル酸ジブチル並びに溶剤
としてトルエンを添加し混練して粘度１００００〜３０
０００ｃｐｓのスラリーを作成した０次いでこのスラリ
ーを約０．２■ｌ厚のシートにした後、７０°Ｃで約２
時間乾燥した。このシートに、銅ペーストをスクリーン
印刷し、１０枚１組に重ね合せ、７０℃１００ｋｇ／ｃ
■２で熱圧着した。次いでこのシートを最高温度９００
℃ 、ピーク時間１０分、酸素濃度５ｐｐｍ、流量２０
文／■ｉｎの窒素雰囲気中で焼成し、多層基板を製造し
た。
レート樹脂、可塑剤としてフタル酸ジブチル並びに溶剤
としてトルエンを添加し混練して粘度１００００〜３０
０００ｃｐｓのスラリーを作成した０次いでこのスラリ
ーを約０．２■ｌ厚のシートにした後、７０°Ｃで約２
時間乾燥した。このシートに、銅ペーストをスクリーン
印刷し、１０枚１組に重ね合せ、７０℃１００ｋｇ／ｃ
■２で熱圧着した。次いでこのシートを最高温度９００
℃ 、ピーク時間１０分、酸素濃度５ｐｐｍ、流量２０
文／■ｉｎの窒素雰囲気中で焼成し、多層基板を製造し
た。
この多層基板について、耐電圧（ｋＶ／ｍ■）、絶縁抵
抗（Ω）、ＩＭＨｚのときの誘電率及び誘電正接（％）
、２５〜５００℃の熱膨張率（／’０） 、 ３点曲
げによる抗折強度（ｋｇ／ｃ＋ｓ２） 、目視による基
板の黒化の有無及びカーボン分析による残留カーボン濃
度（ｐｐｍ）を同表に示した。
抗（Ω）、ＩＭＨｚのときの誘電率及び誘電正接（％）
、２５〜５００℃の熱膨張率（／’０） 、 ３点曲
げによる抗折強度（ｋｇ／ｃ＋ｓ２） 、目視による基
板の黒化の有無及びカーボン分析による残留カーボン濃
度（ｐｐｍ）を同表に示した。
表１におい実施例２４〜２８．４２はＥ１２０３の少量
添加でのＣｅＯ２以外の酸化剤の効果を示したものであ
るが、ＣｅＧ２と比較すると、黒化はないが、残留カー
ボン量は多い。
添加でのＣｅＯ２以外の酸化剤の効果を示したものであ
るが、ＣｅＧ２と比較すると、黒化はないが、残留カー
ボン量は多い。
実施例１１と実施例２４〜２８を比較すると、酸化剤以
外の組成は同じでありながら、残留カーボンの量は、実
施例２４〜２８の方が多く、＃電圧に関しても実施例１
１の方がはるかに優れており、ＣｅＯ２が酸化剤として
絶大なる効果を示すことがわかった。従って酸化剤とし
ては、 ＣｅＯ２が他の酸化剤よりはるかに効果が大き
く酸化剤として優れている。
外の組成は同じでありながら、残留カーボンの量は、実
施例２４〜２８の方が多く、＃電圧に関しても実施例１
１の方がはるかに優れており、ＣｅＯ２が酸化剤として
絶大なる効果を示すことがわかった。従って酸化剤とし
ては、 ＣｅＯ２が他の酸化剤よりはるかに効果が大き
く酸化剤として優れている。
又、比較例３〜８．１２〜１４は、Ｂ２Ｏ３が１５−ｔ
％以上添加した例であるが、比較例３〜Ｂは、残留カー
ボン量が、５２０ｐｐｍ以上であり、耐電圧も０．５〜
５．８ｋＶ／＋ａ＋＋＋と低く好ましくない。
％以上添加した例であるが、比較例３〜Ｂは、残留カー
ボン量が、５２０ｐｐｍ以上であり、耐電圧も０．５〜
５．８ｋＶ／＋ａ＋＋＋と低く好ましくない。
酸化剤を２５ｗｔ％以上添加した場合（比較例７゜８）
は、残留カーボンは少なく、耐電圧も大きく、これらの
点て問題はないが、導体か酸化され、誘電正接が１．（
１％と大きく、抗折強度が１０００ｋｇ／ｃｔａ”以下
と低いので１回路基板として好ましくない。
は、残留カーボンは少なく、耐電圧も大きく、これらの
点て問題はないが、導体か酸化され、誘電正接が１．（
１％と大きく、抗折強度が１０００ｋｇ／ｃｔａ”以下
と低いので１回路基板として好ましくない。
比較例９ 、１０ 、１．１は、Ｂｉ２Ｏ，を添加した
例であるか、ＣｅＯ２２ｗｔ％添加しても残留カーボン
か多く回路基板として望ましくない。
例であるか、ＣｅＯ２２ｗｔ％添加しても残留カーボン
か多く回路基板として望ましくない。
比較例１２〜１４は、Ｂ２Ｏ３を２０ｗｔ％以上添加し
た時の例である残留カーボンの除去か行われておらず回
路基板として好ましくない。
た時の例である残留カーボンの除去か行われておらず回
路基板として好ましくない。
比較例２Ｉと２２は積層数を１０層ではなく３層、窒素
流量を２０層旦／層１ｎではなく５０又／膿ｉｎ、焼成
時間を１０分てはなく１時間とした場合である。
流量を２０層旦／層１ｎではなく５０又／膿ｉｎ、焼成
時間を１０分てはなく１時間とした場合である。
以上よりわかるように、ＣｅＯ，は積層数を増加したり
、焼成時間、焼成時の窒素流量を減らしても、十分に酸
化剤としての効果があり、Ｃｕペーストを導体形成に使
用する多層回路基板に適している。
、焼成時間、焼成時の窒素流量を減らしても、十分に酸
化剤としての効果があり、Ｃｕペーストを導体形成に使
用する多層回路基板に適している。
なお、各特性の評価方法は次のとおりである。
耐電圧 菊水電子製直流電圧発生装置を用い、１分毎に
１００ｖの昇圧を行い、 絶縁破壊電圧を測定した。温度２５± １℃、温度４５±１％、測定パターン 間隔０．１７ｍｍ 絶縁抵抗 タケグ理研製振動容量型微少電流計によりｔ
ｏｏ ｖ印加後の１分間値を測定した。温度２５±ｉ’
ｃ、湿度４５±１％、測定パターン間隔： ０．１７層
層誘電率、誘電正接 安藤電気製交流ブリッジによりＩ
ＭＨｚの特性を測定し評価し た。温度２５±１℃、湿度４５±１％ 熱膨張率 真空理工製熱膨張計により２５℃から５００
℃までの熱膨張を測定し評価 した。
１００ｖの昇圧を行い、 絶縁破壊電圧を測定した。温度２５± １℃、温度４５±１％、測定パターン 間隔０．１７ｍｍ 絶縁抵抗 タケグ理研製振動容量型微少電流計によりｔ
ｏｏ ｖ印加後の１分間値を測定した。温度２５±ｉ’
ｃ、湿度４５±１％、測定パターン間隔： ０．１７層
層誘電率、誘電正接 安藤電気製交流ブリッジによりＩ
ＭＨｚの特性を測定し評価し た。温度２５±１℃、湿度４５±１％ 熱膨張率 真空理工製熱膨張計により２５℃から５００
℃までの熱膨張を測定し評価 した。
抗折強度 東洋ボールドウィン製強度試験機により測定
した。焼結基板を巾１０ １■、長さ５０ｎ＋蓮に切断し２０１１１１の２支点上
に載置、支点間中央に０．５ ｍｍ／分の速度で荷重を
加え破損したときの 荷重を測定し、評価した。
した。焼結基板を巾１０ １■、長さ５０ｎ＋蓮に切断し２０１１１１の２支点上
に載置、支点間中央に０．５ ｍｍ／分の速度で荷重を
加え破損したときの 荷重を測定し、評価した。
黒化の有無 肉眼により黒化の検出されたものを有りと
し、検出されないものを なしと記載した。
し、検出されないものを なしと記載した。
残留カーボン ＬＥＣＯ社製カーボン分析計により、基
板を粉砕したセラミック粉中 のカーボン量を測定した。
板を粉砕したセラミック粉中 のカーボン量を測定した。
［発明の効果］
本発明による組成物は、低酸素濃度低温度で焼成し、電
気的特性、熱膨張率、抗折強度に優れた基板が形成でき
るので、導体形成用としてＣｕペーストの如く非酸化性
雰囲気の焼成を必要とする多層回路基板に適している。
気的特性、熱膨張率、抗折強度に優れた基板が形成でき
るので、導体形成用としてＣｕペーストの如く非酸化性
雰囲気の焼成を必要とする多層回路基板に適している。
酸化剤としてＣｅ０．１〜ｌＯ冑ｔ％とガラス粉末とし
テ５ｉＯ２４０〜４７％、ＡＩ。０．２〜７ ％、Ｍｇ
Ｏ０〜７％、ＣａＯ２〜７％、５ｒＯ０〜１０％。Ｂａ
０２２〜２８％、 Ｐｂ０ ０ 〜１８％、 Ｚｎ０
１２〜２［１％、 Ｕ２Ｏ。
テ５ｉＯ２４０〜４７％、ＡＩ。０．２〜７ ％、Ｍｇ
Ｏ０〜７％、ＣａＯ２〜７％、５ｒＯ０〜１０％。Ｂａ
０２２〜２８％、 Ｐｂ０ ０ 〜１８％、 Ｚｎ０
１２〜２［１％、 Ｕ２Ｏ。
４〜７ ％、 Ｔｉｅ□ ＋ Ｚｒ０．０ 〜４
％、 Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋に２００〜３％からなるも
のとは、誘電率、誘電正接、脱バインダー効果、抗折強
度が優れるのて特に好ましい。
％、 Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋に２００〜３％からなるも
のとは、誘電率、誘電正接、脱バインダー効果、抗折強
度が優れるのて特に好ましい。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）無機成分が重量表示％でガラス粉末３０〜７０と耐
火物フィラー２８〜７０と酸化剤からなり、当該ガラス
粉末は重量％表示で実質的にＳｉＯ＿２３８〜４８、Ａ
ｌ＿２Ｏ＿３１〜８、ＭｇＯ０〜１０、ＢａＯ１８〜２
８、ＣａＯ１〜８、ＳｒＯ０〜１５、Ｂ＿２Ｏ＿３０．
５〜１５、ＰｂＯ０〜２０、ＺｎＯ１０〜２０、ＴｉＯ
＿２＋ＺｒＯ＿２０〜７、Ｌｉ＿２Ｏ＋Ｎａ＿２Ｏ＋Ｋ
＿２Ｏ０〜５からなり、当該耐火フィラーは、重量％表
示でアルミナ２０〜６０、ジルコン０〜４０、コージェ
ライト０〜３０、フォルステライト０〜３０からなり、
実質的に非酸化性雰囲気中で焼成する回路用基板組成物
。 ２）前記酸化剤が０．０１〜２０重量％添加してなる特
許請求の範囲許請求の範囲第１項記載の回路用基板組成
物。 ３）前記酸化剤がＣｅＯ＿２、ＴｉＯ＿２、ＢａＯ＿２
、ＳｎＯ＿２、ＣａＯ＿２、Ｖ＿２Ｏ＿５から選ばれた
少なくとも１種である特許請求の範囲第２項記載の回路
基板用組成物。 ４）前記酸化剤がＣｅＯ＿２１〜１０重量％であり、前
記ガラス粉末は、重量％表示で ＳｉＯ４０〜４７、Ａ１＿２Ｏ＿３２〜７ ＭｇＯ０〜７、ＣａＯ２〜７ ＳｒＯ０〜１０、ＢａＯ２２〜２８ ＰｂＯ０〜１８、 ＺｎＯ１２〜２０、Ｂ＿２Ｏ＿３１〜８、 ＴｉＯ＿２＋ＺｒＯ＿２０〜４、 Ｌｉ＿２Ｏ＋Ｎａ＿２Ｏ＋Ｋ＿２Ｏ０〜３ からなる特許請求の範囲第１項記載の回路基板用組成物
。
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|---|---|---|---|
| JP61-101061 | 1986-05-02 | ||
| JP10106186 | 1986-05-02 | ||
| JP26670286 | 1986-11-11 | ||
| JP61-266702 | 1986-11-11 |
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|---|---|
| JPS63239892A true JPS63239892A (ja) | 1988-10-05 |
| JP2507418B2 JP2507418B2 (ja) | 1996-06-12 |
Family
ID=26441984
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Country Status (2)
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1988
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