JPS5946702A - 絶縁性セラミツクペ−スト用無機組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は熱処理によって結晶化しうる絶縁性ガラス粉末
にセラミ、クス粉末と金属酸化物を混合した組成物であ
って、主として、多層厚膜電子回路の絶縁層形成に用い
られる絶縁性セラミックペースト用無機組成物に関−５
ｌ″るものである。

従来多層厚膜電子回路等を製造する最も一般的な方法は
、アルミナ等のセラミックス基板に金（Ａｕ’）、銀（
Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、バランラム（Ｐｄ）、タングス
テン（Ｗ）、モリフデン（Ｍｏ）、およびこれらの合金
からなる導体ペーストを用いて導体回路を印刷し乾燥し
た後これを炉に入れて焼成し導体回路を形成したり、あ
るいはより微細な導体回路を得るためメッキ法により導
体回路を形成し、次にこれら導体回路と第２油導体回路
と絶縁する絶縁層を形成するために絶縁性ガラスペース
トラ塗布し炉に入れて焼成して絶縁層を形成する方法を
用いている。この場合、絶縁性ガラスペーストの塗布に
際しては、第１油導体回路と第２層導体回路を結ふ接続
孔を残す必要がある。次にこの絶縁層面の接続孔に導体
ペーストがつまるように印１＋！：Ｉ、焼成して第２油
導体回路を形成する。このようにしてゼνンに応じて第
３層、鋲４Ｊシｌの折一体回路コ５よび絶縁層を同じ方
法で形成し、用途に応じ醇上部ＩＰ′、に１．Ｃ１ある
いはＬＳＩを接続するなど１−で所υ】の多層電子ｎ路
を実装していた。

これら多ｊ蕾厚膜電子回路形成に心火な絶縁層は、８５
０〜９５０°℃の温度でｍ密に焼結でき、ピンホールが
少ないこと、ふくれなどが出ないこと１．＋＋、４酸性
、（導体回路全メッキ法で形成づる場合特に吸水される
）、ｌｌ−ｉｌ銅電圧、低熱抵抗、低誘を率などの要求
を兼ね備えていることが仙く歎望されている。従来こう
した目的に用いられてきた絶縁層形成用の絶縁性ガラス
ペースト用無機組成物は、８５０〜９５０　’Ｃの温度
で焼成づることにより糺品化する結晶性ガラスのタイプ
のものが用いられでいる（例えば特公昭４６−４２９１
７号−持分＋５ｊ　５１−８６１６８号、句会１１／ｊ
　５１−１０８４４−＠、特公昭５２−３４６４５号な
どの公報参１！（１）。

しかしながら、前記した従来の絶ｔ＃、Ｊ＠形成に用い
られている絶縁性ガラスペーストには一長一短があり、
例えば、コンピュータ用ロジック回路のように多層セラ
ミック基板の＋）ｔ　’Ｎ！’度実装回路のｉ導体回路
形成には厚膜印刷法では１００／１ｍ程度が限界であり
それ以下の微細なラインを必要とするときはメッキ法が
用いられることが多い。これらメッキ法によって形成し
た導体回路上に前記の方法で絶縁層を形成した場合、導
体回路上の絶縁被膜層にふくれが発生して次の導体回路
形成が不能になったりする。またふくれが発生しなくと
もピンホールが多かったり、耐酸性が不十分であったり
、形成導体との密着性が小さかったり、熱抵抗が太きい
などの問題があった。このため菌■・度実装、セラミッ
ク多層厚膜電子回路形成に用いられる絶縁層形成用の階
れた絶縁性セラミックペースト用無機組成物の開発が要
請されている。

本発明の目的は、これら問題点を除去した、すなわち、
和にメッキ法による導体回路上の絶縁層のふくれの発生
がなく、導体との密着性および緻密化に＠れ、ピンホー
ルが少なく、熱抵抗が小きく、ｍｌ酸性にすぐれた絶縁
性セラミックペースト用の無機組成物を提供することに
ある。

本発明は、 ＪｒＩ、　Ｓ　　％表ノｊマで、 ８五〇、４０〜６５％　（好ましくは４５〜６０％）Ｐ
ｌ）０　　５〜２０％　（ｑ　　　　８〜１８％）Ｂ、
０３３〜１８％　（ｑ　　　５〜１５Ｌ′；′ｏ）ｃａ
ｏ　　　２〜１５％　（ｌｌ　　　３〜１０％）ＭｇＯ
Ｏ１２□−１０’７ｏ　　（Ｕ　　　Ｏ，４〜５％　）
Ｂａ０　０．２　□−１０％　（ｑ　　　Ｏ，３〜７’
ｌ’０）Ｎａ、０　１〜５％　（ｔｔ、　　　　２〜４
％）ＫＯ１〜　５％　（／／　　　　１〜４％）Ｔｉ（
Ｊ２０．５〜ｌＯ％　（Ｉｌ　　　ｌ〜　６％）’１ｒ
Ｏｔ　Ｏ，５〜１５％　（ｔｔ　　　　ｌ〜Ｉ　Ｏ’１
０　）を合耐１００％とな／！、）ようにした組成を翁
し、１０００℃以下の温度で熱処理することにより結晶
化しうるカラス拐料とＡＩ　２０３　ｒ　ＭｇＯ・ＡＩ
、す、。

Ａｔ、０．−８４０．、　、３Ａｌ、０ｓ−Ｆ３，０．
μｒ０２からなるＩＩより選はれた少なくともｌ柚のセ
ラミックス粉末をｒ（’ｆ、　＋４％−Ｃ２０〜６０％
の範囲、反ひ酸化＋ｌｌｉ　＃ｒ（ＺｎＯ）を重量％で
１〜８％の範囲で含む組成を有することを特徴とする絶
縁性セラミックペースト用無機組成物を得る。

このような本発明の絶縁性セラミックペースト用無機組
成物は、例えばθこのような材料および方法によって製
造し得る。すなわちガラスの調整に当っては、目標組成
になるように各成分の原料を秤量してバッチを調整し、
このノくツナを１４００〜１５００℃で１〜３時間加熱
して熔解し力゛ラス化する。熔解ガラスを水冷し、また
は厚い鉄板上に流しフレーク状に成形し得られたガラス
片をアルミナボールミルなどで微粉末にし、平均粒径０
５〜４μｍのガラス粉末を得る； またセラミックス粉末は平均粒径０３〜５／１ｍ。

ＺｎＯの粒径は（）、１〜１μｍの彼粉、末が適当であ
る。

前記方法で得られたカラス粉末にＡｉｌ記セラミックス
粉末を２０〜６０亘彊：％、ＺｎＯを１〜８重量％置換
して配合し、アルミナボールで１〜３　ｔｔ、（ｉＲ１
湿式混合するなどしてガラス粉末とセラミックス粉末お
よびＺ、０との均質な混合わ）末、すなＪノち本発明の
絶縁性セラミ、クペースト用無機組成物を得る。

なおこの際用いられる原料粉末は明確化のだめ酸化物に
換算表記しだが、鉱物、酸化物、炭酸塩、水酸化物など
の形で通常の方法により使用されるのは勿論である。

かくして得られた本発明の粉末状無機組成物にビヒクル
を添加混合して例えば三本ロールミル等を用いて十分混
練し、均一に分散させて印刷に適した枯展を有する絶、
練性セラミックペーストを得る。なお本発明においてビ
ヒクルの成分については何ら限定を要しない。バインダ
ーとしてｆｔＪ−エチルセルロース、ポーリビニルフチ
ラールナトノ４常用いられているもので十分であり、ｒ
ｌＡｌ：用いて５〜１５７１１ｉ？ｔ％溶液とすると好
都合である。溶媒としては、βまだはαテルピネオール
、ｎ−７チルカルビトール、７チルカルヒトールアセテ
ート、エチルヵルヒトールアセテートなど４′年独まだ
は２種以上混合して用いるとよい。

？Ｋに本発明において絶縁性セラミックペースト用無機
組成物のガラス粉末とセラミ、ラス粉末、ＺｎＯとの配
合比、ガラス粉末の組成について各々の範囲を特許請求
の範囲に記しノド−如く限定した理由について述べる。

まず１本発明に係る絶縁セラミックペースト用無機組成
物の主成分の一つであるガラス粉末の組成についで述べ
れば、５１０２は、ガラスのネットワークフォーマ−で
あり、本発明のガラスを焼成熱処理し結晶化したとき析
出するケイカイ石（ＣａＯ−、Ｓ　１ｏｔ）　　結晶を
構成する成分である。Ｓｉｎ。

〈４０％ではガラスの軟化点が低くなり過ぎ、熱処理時
結晶化する前にガラスが軟化し汗、動し過ぎる。８ｉ０
．）６５％では、ガラス化が困難であると共に、結晶化
のだめの熱処理温度が１０００″Ｇを超えるＭＪ温が必
要となる。ＣａＯもまた析出するケイカイ石結晶を構成
する成分である。ＣａＯ〈２％では、ケイカイ石の析出
する釦が少なく、商賓凰実装セラミック多層厚膜回路の
メッキ法による導体回路上に形成した絶縁被膜層にふく
れが発件しで好ましくない。ｃａｏ＞ｉｓ％では、耐酸
性が低下すると共にガラスが熔解時失透し易くなる。

ＰｂＯおよびＢ２Ｏ３は、ガラスの熔解時のフラックス
として用いられる。ＰｂＯ＜５％、Ｂ、０３（３％では
、ガラスの熔解性が悪くなる。ｐｂｏ＞　２０％。

Ｂ、０３）　１８％−Ｃは、ガラスの軟化点が低くなり
過ぎ゛、熱処理時、結晶化する前に軟化流動を起し、７
アインパターンの絶縁被膜層の焼結形成が困難となる。

ｌ３ａＯ及びＭｇＯは、ガラスの熔解性を向上させうる
。また絶縁・層形成の際の１−１４加熱によってガラス
の結晶化させるのに寄与すると共に緻届“化に効果があ
る。１３ａＯ（０，２％、　ｋｉｇＯ（（１，２％では
上記効果社小烙い。ＢａＯ＞１０％、　ｒｖｔｇｏ＞　
１ｏ％では、力゛ラスの熱膨張係数が大きくなり過ぎた
り、結晶化のための熱処理口、匪が向くなり過きる。ま
た緻密化を阻害したりする。

Ｎａ２Ｏおよびに２Ｑは、ガラスの熔解性を向上さ一ヒ
うる。まだガラスの軟化点を逸鹿に制御するが限度範囲
以下で目、その効果はなく、限定範囲を超えれば耐酸性
が劣化し好ましくない。

Ｔｉｅ、およびＺ　ｒ　Ｏｔは、ガラスの結晶化を制御
するために含有される。Ｔ　ｉ　Ｏｔ　（０，５％、　
Ｚｒ０ｔ　（０，５％では、十分な結晶化が得られない
。Ｔｉｅ、　）　１０％。

’１ｒｏｔ　）　１５％では、ガラスが熔解時失透し易
くガラス化が困難となり好呼しくない。

絶縁性セラミックペースト用無機組成物のもう一つの主
成分であるセラミックス粉末（ｌ−前記ガラス粉末に置
換して配合することにより、ガラス粉末とセラミックス
粉末とからなる組定物の熱処理の結晶化の促進、結晶化
後の残留ガラスによる流動性及び絶縁層表面の発泡の抑
制、あるいは熱抵抗の低下、耐酸性、緻密化などの効果
を勾えることができる。ガラス粉末に置換して配合する
セラミックス粉末をＮ量比で２０％以下とすると、絶縁
層は緻密ではあるが、表面は発泡し易くなったり、環体
との密着性が低下したり、熱抵抗がより大きくなったり
して好ましくない。まだ６０％を超えれは、８５０〜１
０００℃の比較的低い温度では＃ＸＩＨな絶縁層は得ら
れず、ピンホールが増加して絶縁性が低下する。

なおセラミ、クス粉末としては、前記の如く種々あるが
、このうち、アルミナ（Ａ１２０ｇ）は熱伝導率の商い
物質であり、これをセラミックス粉末として用いると、
形成された絶縁層の熱伝導率は、ガラス増体層に比較し
２〜４倍の大きさとなる。

特に、多層部ｊ１〆回路の重密度化に伴い、必然的に放
熱性の大きい無ｔに絶縁ルｉが截求され、その意味にお
いてアルミナの使用が好ましい。

絶縁性セラミックペースト用無機組成物として前記ガラ
ス粉末とセラミックス粉末とを配合して得られ、これを
用いで尚密度実装センミック基板の多層厚膜回路の絶縁
層を形成しｌこ場合、絶縁性１１１ｊ酸性ｔま十分であ
る。またピンホールの少ない緻密で比較的熱抵抗の小さ
い絶縁層被祠をｊｌ）ることが出きる。しかし、メッキ
法で形成した導体回路との重着性が不十分でありまたふ
くれ等の発生がある。、酸化亜鉛（ｚｎｏ）は、前記カ
ラス粉末の一１゛〜Ｉ５を置換して添加し、セラミック
スね末と配合することにより、ガラス粉末とセラミック
ス粉末および「狭化曲銘とからなる組成物の熱処理の結
晶化の促−４１２、結晶化後の残留ガラスＶＣよる流動
性およびメッキ法による形成した導体りの絶縁層表面の
発泡の抑制、あるいはメッキ法ｅ（よる形成導体と絶縁
層との密着性向上に効果がある。ガラス粉７（Ｖ（置換
して添加配合するＺｎＯを重ｌｊｊ比て゛］％以ドでは
冷加効果りなく、また８％を超えれげ、形ａ　した絶縁
層はピンホールか」Ｉ〜加して緻密な絶縁層（・、（得
られず、絶縁性か低下；７て好ましくない。

まだ酸化非鉛をカラス粉末姉閥換七す、カラス組成の１
成分として添加した場合上記効果カニ得られずメッキ法
による形成した尋体土の絶緘１ｅ＋衣面の発泡および絶
縁層とメッキ法による形成導体との■′着性が大幅に低
１する。

以下本発明の実施例を埜げ、それに基いて叶卸ｉに胱明
する。

実施例−１ Ｓｉｎ、　５６．０７框量％（以下単に％と表＋ｉｔｆ
　）、１３．０８６．８　％　、　　Ｐ　ｂｏ　　ｌ（
３，６”ｏ　　、　　Ｎａ２Ｏ２，３７％　、　　ｌ＜
、、０　２．１　７％、　ＭｇＯ０，４１％１ＣａＯ５
４％　１３ａＯｆｌ、２１　’ｉ’ｏ　、　’］、’　
＋　０２４．４７％、　Ｚｒ（Ｊ２５．５％　の組成を
杓するカラス粉本を前記方法により製造し、更にアルミ
ナボールミルを用いアルコールを分散媒としヱ１６時間
湿式粉砕したつこｉｔを６＋で整粒した後アルコールを
乾燥させ平均粒径０９１μｍの粒度を持つカラス粉末を
（１，１・た。セラミックス粉末は平均粒径１５μｍの
粒度のアルミブー粉末を用いた。まだＺｎＱは平均粒径
０２μｍの粒度を持つ粉末を用いた。ガラス粉末とセラ
ミック粉末とＺｎＯとの配合比率はガラス粉末４４％、
セラミックスわ）未５４％ＺＩＯ（ｉ−２％とした。各
々の粉末を所定］肌秤灰し、アルミナホールミルで分散
姐としてアルコールを用い３時間混合した後、アルコー
ルｒ乾燥さぜ均Ｉｇ（なガラスセラミックス混合粉末を
１号だ。ヒヒクルは、エチルセルロー１５％溶液とし溶
媒にα−テルピネオールを用いた。ヒヒクル３０％、ガ
ラスセラミックス混合粉末７０％【五本「Ｊ−ルミルを
用いて十分混練し粉末をビヒクルＶＣ均一に分散さ−１
−トペースト化した。

（ス、）られた絶縁性セラミックペーストのＨ・ｒ価Ｖ
ｔｌ　ｉｔｌ、５０ｘ５０Ｘ０．８ｉｍｔ　９６％”２
Ｏｓ　ｌｌｓ板にＡ、を／ｆツキ法でメタライズして下
部電極としこの上に本発明に調製した絶縁セラミックペ
ーストをスクリーンで塗布乾燥した後、９３０℃で１０
分間電気炉で焼結したものを用いた。焼結時の雰１）１
気は３″−、気中で、焼結ザイクル（胃、温、ピーク温
度、降温、炉外Ｊ（ソリ出し）は６０分であった。絶縁
性セラＳ２クペースト塗布乾燥、焼結を２度カシ゛・り
返し膜１’（’４０μｍの絶縁層を得た。ｉＱられた絶
縁層の表面しく：Ａｕペーストを塗布乾燥し９３０°Ｃ
で８分間焼成し２て上部電（東とした。

これをＩ　ＭＨ２で測定した。誘電率は８４、訪電損失
は０・００１８、絶縁抵抗は２×１０　Ω砿（ａｔＺｏ
ｏ　ＶＤＣ）　”’ＣアラＩｔ、。

ピンホールの測定は、絶縁層中を流、ｈる郡弱なリーク
電流を御］定するとビン水−ルカニ多い場合リーク電流
がＪ（’７加し、逆にピンホールが少ない砲台す−ク霜
流は減少することを利用した。力θ、−５先ず、前記し
た本爽施と同じ牽件でＡ、１２０３　　基板上に導体（
Ａｌｌ）　　をメタライズしその士にＡイ′：にイ、ノ
・との膜厚４０ｐｍを形成し、メタライズの一部と電ｉ
ｙ４とする。これをＮａＣｌ３％水溶液（電解液）に浸
漬し、もう片刃の電イ（３３は銅板にし同水溶液に浸し
ＤＣｌｏｖを印加１−一（リーク電流を画定した。

１）−−り電流は２０μ八であった。

基板上に本実施と同じ条件で絶縁層の膜厚４ｏμｍを形
成しその上知メッキ法によるＡｕ電ｍ　４　Ｘ　４　＊
ｒ、１を複数重ｊ１形成した。この電極上に銅製のコア
（竿ジ付）（ｉｒｉｎ／Ｐｂハンダで接着しこのコアに
不ン伺７ツク（！ｌ−ネン込んで引張り試験機で°帛゛
着強度を測定した。平均密着強１紺は２．２　Ｋｇ　／
　ｒｎｙｔｌであった。

ビヒクルの入らない上記カラスセラミックス粉末を８０
０１１７ばて加圧成形しこれを電気炉で９３０℃−１０
分曲焼結して的径２０１ＩＩｍ厚沁１皿の焼結体を得た
。これをｉ！＋１１定し、熱伝導率０．００４６Ｃａｌ
／Ｃｍ　”　Ｓｅｅ・℃の４ｖｊを得た。、また前記、
メッキによるＡｌｌ　導体」。漫で形成した絶縁被膜層
の発泡およびふくれけ発任しなかっに０ 実施例　２ Ｓｒ　（Ｊ２５９４％、　Ｂ、０．１０．５％、　ＰＩ
）ＯＪ　Ｏ，０％。

Ｎａ、０２．４％、に、０２．２％、　ＭｇＯＯ，４１
％　ＣａＯ３，４％。

１（ａＯＯ，２２％、　’Ｉ’ｉ０．　／１．４７％、
　Ｚｒ０７５．５％の組成のガラスをｉｆＬ均粒径１．
２／ｚｍの粉末Ｅｅ度に調製したものを４２％と平均粒
径２．３　ｐｍのアルミナ粉末５４％と平均粒径０．２
μｍのＺｎＯを４％とを実施例１と同じ方法、同じ条件
で混合、乾燥、ペースト化し、絶縁層を形成して緒特性
を測定した。

その結果、誘電率８２、超電損失０．００２１　、絶縁
抵抗６×１０９ｃｍ（ａｔｌｏｏＶＪ）Ｃ）、！Ｊ−り
’ＪＬ流５０μｍ　、　密Ｍ　強度２．３　ｋ；ｇ　／
　ｍｙｌ、熱伝導率（＋、００４４ＣａＪ／Ｃ：Ｉｎ−
８８Ｃ・℃テあった。また絶縁液ハ＋′Ａ層（１）　発
泡およびぷくれはなかった。

実施例−３ Ｓｉｎ、　　５２．３’？ら　、　　Ｂ、０３８．８　
％　、　　ＰｂＯ１６，６％　、　　Ｎａ、０２．３７
％、　Ｋ、０２．０７％、　ＭｇＯ０，４１％、　ｃａ
ｏ　５．４％。

ＢａＯＯ，３１％、　Ｔｉｅ２７．１４％、　ＺｒＯ２
Ｌ　０．０％　の組成のガラスを常法で製造した平均粒
径０７９μｍのカラス粉末３８％と＝ｌＬ均粒径３．０
μｍのアルミナ粉末５４％と平均粒径０．２μｍのＺｎ
Ｏを８％とを配合し、これを実施例１と同じ方法、同じ
条件で１昆合、乾燥、ペースト化して、絶縁層の形ｒＪ
：’、　ｆ行ｙ、１い緒特性をａｔ１：定した。

その結果、誘電率８４、ｈ　ｆｔ）、ｇ１１失０．００
２５−　絶縁抵抗４Ｘ１０”Ωａｎ　（ａ　ｔ　１００
■ＩＪＣ）、リーク電流１５０μＡ、品着強１（２５縁
／藤、熱伝導庵０．（１０６６Ｃａｔ／函・％・℃であ
った。またメッキ導体（Ａｕ）上の絶縁被膜層の発泡お
よびふくれり、紹められなかった。

比較例１ ガラス粉末およびセラミック粉末の組ｌ或および組成比
、粉末粒度等の晶売件をメーｈｉｌ＋　？ｌｉ　１と同
様になイ）ように作製した。カラス粉５４＝４ａ％とア
ルミナ粉末５４％とを配合し、２ｎ０　＠・心ツノｎ　
Ｌない、１１（〜４ｆ５ｙ組成物を実施例１と同じ力Ｗ
、同じ条件１九合、卓乙炙・１セ、ペースト化して絶縁
ｊ・ｌをノド７ｊＬ−い楢′１漬性を６１す定した。

その結果、誘電率８３．副祖イ４１失０．００３８．絶
縁抵抗２．５ＸｌＯ”Ω（Ｍｌ　（ａｔ　１００ＶＩＪ
Ｃ）、リーク電流４５μＡ、密着’ｊｊ＋度１．８　Ｋ
ｇ　／　ｔｎｎχ、熱ｆｉ：　ｉＱ、　阜（＋、００４
４Ｃ３１／　ｃｍ　・５ｅＣｉ　・”Ｃであった。まだ
メッキ導体（Ａｕ）上の絶縁層に発泡およびふくれが多
数発／トした。

比較例２ 従来、厚膜積層用絶縁ペースト回７．Ｉｙ　’Ｉ脅物に
結晶化ガラスが用いられていた。例えｉｊ’、　Ｓ　１
ｏ２５３％。

ＡＩ、Ｏｓ３％、　Ｌ＋２０１７％、　Ｍｇ０１２％、
　１ｒ０２８．４％。

Ｐ、０．１１．９％の組成比のガラス粉末のみである。

これを実施例１の方法、条件でペースト化し、像型、焼
結して絶縁層全形成し、緒特性をｉｔ！１１定した。

その結果、絶縁抵抗２×ｌＯΩＧ、熱伝ｍ単０．００２
２Ｃａｌ　　／ｌ、１ｎ−８ｆ”Ａ　・　℃、　　リ　
−　り　’￥＄１’、ＩＩＬ　　１２００　μＡ　−密
着強度０．４５　Ｋｇ　／　ｍｌであった。またメッキ
Ｊ！’１．　ｋｉ−（Ａｕ）上の絶縁被膜層をｊ、発泡
及びふく肛か１１１（む発生した。

以上峠、明したように本発明の絶縁性セラミックペース
ト用無機組成物を用いた結果は、従来の結晶化ガラス系
の絶縁ペーストに比べ、メッキ導体（Ａｕ）上の絶縁被
膜層の発泡およびふくれの発生がなく、また絶縁層の緻
幇性、密着１コト、ｐ：％　Ｉｒ、２１．率が簡れだ絶
縁ペーストの提供がｏ４能となり、１ツｉ；々多層電子
回路の実装の尚密度化、イ４頼ヂ１．の同上に寄与する
ことができる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 重お・％弐ホで ５ｉｎ２４０〜６５％、Ｐ１）０５〜２０％Ｂ２０．　
   ３−１８％、ＣａＯ２〜１５％ＭｇＯＯ，２〜１０％、
   　　Ｂ、ＯＯ，２−１０％Ｎ３，０　１−　５％、　　
   Ｋ２Ｏ１−ｓｏ、’。 ＴＨＯ□０．５−１０％、　　Ｚｒ（Ｊ２　（１，５〜
   １５％を合計１００％となるようにした組成を有するカ
   ラス旧料と、ＡＩ、（Ｊ３．Ｍｇｏ−Ａｔ２ｏ３　、Ａ
   Ｉ、０．・Ｓｉｎ、。 ３　Ａｌ　２０ｇ　”　Ｓ　ｉ０２　、　Ｚｒ０ｔから
   なる町より選ばれた１種以上のセラミックス拐料を霜邦
   ％１２０〜６０％の範囲及び酸化０鉛（ＺｎＯ）をｊｌ
   ’ｃ　Ｊ＋Ｌ４％で１−８％の範囲で含む組成を有する
   ことを１４ｇ１．とする絶縁性セラミックペースト用無
   機組成物。