JP3945446B2 - セラミック担体とその製造方法 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 120
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 50
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 33
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 claims description 32
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 30
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 24
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 24
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 18
- 239000002734 clay mineral Substances 0.000 claims description 18
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 claims description 16
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 claims description 11
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 claims description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 11
- 239000000454 talc Substances 0.000 claims description 11
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 150000003658 tungsten compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000004898 kneading Methods 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 44
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 6
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 6
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 4
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 3
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 3
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 2-[2,4-di(pentan-2-yl)phenoxy]acetyl chloride Chemical class CCCC(C)C1=CC=C(OCC(Cl)=O)C(C(C)CCC)=C1 NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- HPTYUNKZVDYXLP-UHFFFAOYSA-N aluminum;trihydroxy(trihydroxysilyloxy)silane;hydrate Chemical compound O.[Al].[Al].O[Si](O)(O)O[Si](O)(O)O HPTYUNKZVDYXLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 210000002421 cell wall Anatomy 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- -1 decaite Chemical compound 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052621 halloysite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012510 hollow fiber Substances 0.000 description 1
- 239000003906 humectant Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052622 kaolinite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- SONJTKJMTWTJCT-UHFFFAOYSA-K rhodium(iii) chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Rh+3] SONJTKJMTWTJCT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
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- C04B35/195—Alkaline earth aluminosilicates, e.g. cordierite or anorthite
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
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- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
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- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
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- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3427—Silicates other than clay, e.g. water glass
- C04B2235/3436—Alkaline earth metal silicates, e.g. barium silicate
- C04B2235/3445—Magnesium silicates, e.g. forsterite
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、自動車エンジンの排ガス浄化用触媒等において、触媒を担持させるための担体として用いられるセラミック担体とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
触媒担体用のセラミック担体には、従来より、低熱膨張で耐熱衝撃性の高いコーディエライト(2MgO・2Al2 O3 ・5SiO2 )が広く用いられている。かかるセラミック担体は、一般に、コーディエライトをハニカム状に成形してなり、表面をγ−アルミナで被覆(コート)した後、貴金属触媒を担持させて触媒体としている。コート層を形成するのは、コーディエライトの比表面積が小さく、そのままでは、必要な量の触媒成分を担持させることが困難なためで、高比表面積のγ−アルミナを用いることにより、担体の表面積を大きくすることができる。
【0003】
ところが、担体表面をγ−アルミナでコートすることは、一方で、重量増加による熱容量増加をまねく不具合がある。近年、触媒の早期活性化のために、ハニカム担体のセル壁を薄くして熱容量を下げることが検討されており、コート層の形成はその効果を半減させることになる。また、コート層により熱膨張係数が大きくなる、セル開口面積の縮小により圧損が増加する等の問題があった。
【0004】
このため、コート層を形成することなく、触媒成分を担持可能なセラミック担体について、種々検討がなされている。例えば、酸処理した後、熱処理する方法でコーディエライト自体の比表面積を向上させることができるが、この方法では、酸処理等によりコーディエライトの結晶格子が破壊されて強度が低下する問題があり、実用的ではない。
【0005】
これに対し、本発明者等は、先に、基材セラミックを構成する元素のうちの少なくとも1種類を、構成元素以外の元素と置換することによって、触媒成分を直接担持可能としたセラミック担体を提案した(特許文献1)。この直接担持セラミック担体は、比表面積を向上させるためのコート層が不要で、しかも酸処理等に伴う強度低下の問題がないので、耐久性が必要な自動車用触媒用として有望である。
【0006】
【特許文献1】
特開2001−310128号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ただし、コート層を形成した場合ほどではないものの、置換元素の導入によって、直接担持セラミック担体の熱膨張係数は、コーディエライトのみの場合よりも大きくなる。このため、置換元素の導入に伴う熱膨張係数の増加を極力抑え、コーディエライトの有する優れた特性を維持しながら、触媒成分を直接担持可能とすることが望まれている。
【0008】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、直接担持セラミック担体において、基材セラミックの特性維持と触媒成分の直接担持とを両立させて、より高性能で実用性に優れる直接担持セラミック担体を得ることにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
請求項1のセラミック担体は、基材セラミックがMg、Al、Si、Oを構成元素として有し、これら構成元素以外の元素を第二成分として含有することにより触媒成分を直接担持可能となっている。請求項1のセラミック担体は、上記第二成分としてWおよびTiを含有し、粒子間に熱膨張を吸収する多数の微小間隙を有する構造で、気孔率が28%より大きく、かつ熱膨張係数が2.3×10-6/℃より小さいことを特徴とする。
【0010】
請求項1のセラミック担体は、Mg、Al、Si、Oを構成元素とするセラミック、例えば、コーディエライト等に、触媒成分との結合力の強い他の元素を第二成分として含有させたもので、第二成分がコーディエライトに固溶し、そこに触媒成分が直接担持する。これによりコート層を不要とすることができる。基材セラミックに導入される第二成分の元素は、触媒成分との結合力の大きいものであることが望ましく、dまたはf軌道を有する元素であるWおよびTiは、触媒成分とエネルギー準位が近いため、電子の授与が生じて結合しやすい。さらに、粒子間に多数の微小間隙を有することで、気孔率が28%より大きくなっており、微小間隙にて熱膨張を吸収可能であるために、従来の直接担持セラミック担体では困難であった2.3×10-6/℃より低い熱膨張係数を達成する。このような低熱膨張の直接担持セラミック担体は、出発原料を適切に選択し、基材となるセラミック結晶の成長を促すとともに、結晶粒径の増大を抑制することで得られ、耐熱衝撃性に優れ、高性能な直接担持セラミック担体が実現する。
【0011】
請求項2のセラミック担体は、上記基材セラミックとしてコーディエライトを用いる。好適には、Mg、Al、Si、Oを構成元素とする上記基材セラミックとしてコーディエライトが用いられ、低熱膨張化の達成が容易である。
【0012】
請求項3のセラミック担体は、コーディエライト量を25mol%以上とする。基材セラミックの有する特性を維持するために、好適には第二成分が固溶したコーディエライト量が25mol%以上であるとよい。熱膨張係数が小さいコーディエライト結晶の生成量を多くすることで、低熱膨張化の達成が容易となる。
【0015】
請求項4のセラミック担体は、上記第二成分としてWおよびTiを含み、このうちのTi源としてルチル型酸化チタンを出発原料とする。上記第二成分としてWおよびTiを用いると、触媒担持能が向上する。また、この時にTiの出発原料としてルチル型酸化チタンを使用すると、結晶粒径の増大を抑制し、粒子間に熱膨張を吸収するサブミクロン〜ミクロンオーダーの微小間隙を多数形成して、熱膨張係数を大きく低減できる。
【0016】
請求項5のセラミック担体は、上記基材セラミックの構成元素のうちのMg源として、粘土鉱物を出発原料とする。粘土鉱物を使用すると、焼成時に結晶が一時分解し、結晶反応が促進されて結晶間に形成される熱膨張係数の高いアモルファス相が減少する。これにより、基材セラミックの熱膨張係数を低下させる効果が得られる。また、粘土鉱物を用いると成形しやすい適度な粘性を持たせることができ、天然原料の処理が少なくコストが安い。
【0017】
請求項6のセラミック担体は、Mg源となる上記粘土鉱物をタルクとする。好適には、粘土鉱物としてタルクを用いると、板状結晶であるため、成形後の結晶が配向性を持ちやすくなる。これが適度な配向であるため、熱膨張係数を低下することができる。
【0018】
請求項7のセラミック担体は、上記基材セラミックの構成元素のうちのAl源として、水酸化アルミニウムを出発原料とする。水酸化アルミニウムを使用すると、焼成時に結晶水が蒸発するため一時分解し、結晶反応が促進される。これにより、結晶間に形成される熱膨張係数の高いアモルファス相が減少し、基材セラミックの熱膨張係数を低下させる効果が得られる。
【0019】
請求項8のセラミック担体は、上記基材セラミックの構成元素のうちのSi源として、非晶質珪素酸化物を出発原料とする。非晶質珪素酸化物を使用することで、結晶粒径の増大を抑制し、粒子間に熱膨張を吸収するサブミクロン〜ミクロンオーダーの間隙をつくる。これにより熱膨張係数を低下させる効果が得られる。また、目的とする結晶以外の結晶の生成を抑え、目的の物質の生成量を向上する。
【0020】
請求項9のセラミック担体は、上記非晶質珪素酸化物を溶融シリカまたは仮焼カオリンとする。具体的には、Si源として溶融シリカまたは仮焼カオリンを使用することができ、上記請求項8の効果が容易に得られる。
【0021】
請求項10のセラミック担体は、気孔率が30%以上であり、かつ熱膨張係数が2.0×10-6/℃以下である。気孔率をより大きくすることで、熱膨張を吸収する間隙を増大させ、さらに熱膨張係数を低減することができる。好適には、上記出発原料を適切に組み合わせることで、気孔率が30%以上とし、2.0×10-6/℃以下の低熱膨張を達成することが可能であり、高性能のセラミック担体を実現できる。
【0022】
請求項11はセラミック担体の製造方法の発明で、基材セラミックがMg、Al、Si、Oを構成元素として有し、これら構成元素以外の元素を第二成分として含有することにより触媒成分を直接担持可能となしたセラミック担体を製造する方法において、上記第二成分としてWおよびTiを用い、Mg源として粘土鉱物を、Al源として水酸化アルミニウムを、Si源として非晶質珪素酸化物を、W源としてタングステンまたはタングステン化合物を、Ti源としてルチル型酸化チタンを使用し、これら出発原料を調合したセラミック原料を混練、成形した後、焼成することを特徴とする。
【0023】
上述したように、Mg、Al、Si、Oを構成元素とするセラミック、例えば、コーディエライト等に、触媒成分との結合力の強い他の元素を導入した直接担持セラミック担体を製造する場合には、出発原料の選択が、得られるセラミック担体の特性に大きく影響することが判明した。例えば、粘土鉱物や水酸化アルミニウムは、焼成時に結晶が一時分解し、結晶反応を促進するので、結晶間に形成されるアモルファス相が減少し、熱膨張係数を低下させる。また、非晶質珪素酸化物やルチル型酸化チタンは、結晶粒径の増大を抑制し、粒子間に熱膨張を吸収するサブミクロン〜ミクロンオーダーの間隙をつくる。よって、これら出発原料を適切に組み合わせることにより、基材セラミックの熱膨張係数を大幅に低下させることができる。
【0024】
請求項12の方法では、上記粘土鉱物をタルクとする。好適には、Mg源となる上記粘土鉱物としてタルクを用いると、板状結晶であるため、成形後の結晶が配向性を持ちやすくなる。これが適度な配向であるため、熱膨張係数を低下することができる。
【0025】
請求項13の方法では、上記非晶質珪素酸化物を溶融シリカまたは仮焼カオリンとする。好適には、Si源となる上記非晶質珪素酸化物として溶融シリカまたは仮焼カオリンを用いると、結晶粒径の増大を抑制し、粒子間に熱膨張を吸収するサブミクロン〜ミクロンオーダーの間隙を形成して、熱膨張係数を低下させる効果が得られる。また、目的とする結晶以外の結晶の生成を抑え、目的の物質の生成量を向上する。
【0026】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。本発明のセラミック担体は、Mg、Al、Si、Oを構成元素として有する基材セラミックを用い、基材セラミックに、これら構成元素以外の元素を第二成分として含有させることにより触媒成分を直接担持可能となした直接担持担体である。具体的には基材セラミックに第二成分が固溶し、固溶した第二成分に触媒成分が結合することにより、直接担持可能となる。また、本発明のセラミック担体は、粒子間に熱膨張を吸収する多数の微小間隙を有し、気孔率が28%より大きく、熱膨張係数が2.3×10-6/℃より小さい特性を有している。気孔率は、好ましくは30%以上、より好ましくは35%以上とし、気孔率が大きいほど熱膨張を吸収する効果が高く、熱膨張係数が低減する。熱膨張係数は、好ましくは2.0×10-6/℃以下、より好ましくは1.5×10-6/℃以下とする。このようなセラミック担体は、基材セラミックを構成するMg源、Al源、Si源として、または第二成分となる元素源として、特定の出発原料を用いることにより、実現できる。
【0027】
基材セラミックには、例えば、理論組成が2MgO・2Al2 O3 ・5SiO2 で表されるコーディエライトが好適に使用される。コーディエライトは、低熱膨張で、耐熱衝撃性に優れることから、高温耐久性が要求される排ガス浄化触媒用の担体として好適である。コーディエライトの特性を維持するには、セラミック担体全体における固溶コーディエライト量が25mol%以上であることが望ましい。セラミック担体の形状は、特に制限されず、例えば、ハニカム状、フォーム状、中空糸状、繊維状、粉体状またはペレット状等、種々の形状とすることができる。
【0028】
第二成分としては、基材セラミックを構成する金属元素(Mg、Al、Si)よりも担持される触媒成分との結合力が大きく、触媒成分と化学的に結合可能な元素が好適に用いられる。このような元素の具体例として、その電子軌道にdまたはf軌道を有する元素が挙げられ、好ましくは、dまたはf軌道に空軌道を有する元素が好適に用いられる。dまたはf軌道に空軌道を有する元素は、担持される触媒貴金属等の触媒成分とエネルギー準位が近く、電子の授与が行われやすい。また、酸化状態を二つ以上持つ元素も、電子の授与が行われやすく、触媒成分と結合しやすい。
【0029】
dまたはf軌道に空軌道を有する元素の具体例には、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Ge、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Lu、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt等が挙げられる。上記元素のうち、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Ce、Pr、Eu、Tb、Ta、W、Re、Os、Ir、Ptは、酸化状態を2つ以上有する元素である。好ましくは、Cr、Mo、W、Co、Ti、Fe、Ga、Ni、Cu、Zn、Sc、Y、Ge、Zr、Mnから選ばれる少なくとも1種類またはそれ以上の元素が用いられる。さらに好ましくは、W、Tiを組み合わせて使用するとよい。
【0030】
これらdまたはf軌道に空軌道を有する元素を、基材セラミックに含有させるために、通常は、基材セラミックの構成元素を第二成分の元素で置換、固溶させる。これにより、セラミック担体表面に、触媒成分との結合力が強い元素を存在させて、これら元素または触媒成分を直接担持することができる。これら第二成分で基材セラミックの構成元素(Mg、Al、Si)を置換する場合、第二成分の元素の固溶量は、置換される構成元素の原子数の5ppb以上、好ましくは原子数の5ppm以上とする。固溶量が5ppb以上であれば、例えば平均粒径が50nmの触媒成分を0.01g/L以上担持させることができ、通常の車両用セラミック触媒体に要求される触媒性能を満足することができる。触媒成分の平均粒径が5nmであれば、5ppm以上とすることが望ましい。
【0031】
より好ましくは、第二成分の元素の固溶量が、置換される構成元素の原子数の0.01%以上50%以下となるようにする。第二成分の元素の合計量が、0.01%に満たないと、触媒成分を担持できるサイト数が少なくなり、50%を越えると、基材セラミックの特性が失われるため、好ましくない。構成元素の1つを複数の第二成分の元素で置換する場合には、その総置換量が上記範囲となるようにする。通常は、基材セラミックや第二成分の元素の種類に応じて、固溶量が最適となるように、すなわち、基材セラミックの有する強度、熱膨張係数といった機械的特性および耐熱性、耐候性等を低下させることなく、必要の触媒担持量が確保できるように、適宜選択するとよい。例えば、基材セラミックがコーディエライトであり、第二成分の元素が、W、Tiである時には、その固溶量が置換される構成元素の原子数の2ないし7%の範囲とすると最適である。
【0032】
本発明のセラミック担体を製造するには、例えば、基材セラミックの原料を調製する際に、予め、置換される構成元素(Mg、Al、Si)の原料の一部を置換量に応じて減らしておき、第二成分の元素の原料を所定量添加する。このセラミック原料を調合し、通常の方法で、混練、成形、乾燥させた後、大気雰囲気中で焼成する。この時、本発明では、Mg源、Al源、Si源となるこれらの出発原料と、第二成分の元素の出発原料として、特定の化合物を使用する。これは、出発原料によって、焼成時の結晶化反応の反応性等が異なるためで、これら出発原料を適切に組み合わせることにより、得られるセラミック担体の微細構造、気孔率を制御し、熱膨張係数を低減することができる。
【0033】
具体的には、本発明のセラミック担体の構成元素(Mg、Al、Si)中、Mg源として粘土鉱物を使用する。粘土鉱物を出発原料とすると、焼成時に結晶が一時的に分解し、結晶反応が促進される。これにより、結晶間に形成される熱膨張係数の高いアモルファス相が減少し、セラミック担体の熱膨張係数を低下させる。また、粘土鉱物を用いると成形しやすい適度な粘性を持たせることができ、天然原料の処理が少なくコストが安い。好適には、粘土鉱物としてタルクを用いると、板状結晶であるため、成形後の結晶が配向性を持ちやすくなる。これが適度な配向であるために、熱膨張係数を低下させることができる。
【0034】
基材セラミックの構成元素のうちAl源としては、水酸化アルミニウムが好適に使用される。水酸化アルミニウムを出発原料として使用すると、焼成時に結晶水が蒸発するため一時分解し、結晶反応が促進される。これにより、結晶間に形成される熱膨張係数の高いアモルファス相が減少し、基材セラミックの熱膨張係数を低下させる効果が得られる。Al源として安価なアルミナを併用することもできる。
【0035】
上記基材セラミックの構成元素のうちSi源としては、カオリンが一般に用いられるが、好適には、非晶質珪素酸化物が使用できる。非晶質珪素酸化物を出発原料として使用することで、結晶粒径の増大を抑制し、粒子間に熱膨張を吸収するサブミクロン〜ミクロンオーダーの微小間隙を形成できる。これにより熱膨張係数を低下させる効果が得られる。また、目的とする結晶(例えば、コーディエライト)以外の結晶の生成を抑え、目的の物質の生成量を向上することができる。好適には、非晶質珪素酸化物として、溶融シリカまたは仮焼カオリンが使用される。仮焼カオリンは、例えば、カオリナイト、デッカイト、ハロイサイト等を仮焼して得られる。
【0036】
上記第二成分としては、上記した種々の元素が使用できるが、特に、Tiを使用し、Ti源としてルチル型酸化チタン(ルチル型TiO2 )を用いると、熱膨張係数の低減に効果がある。これは、ルチル型酸化チタンを使用することで、結晶粒径の増大を抑制し、粒子間に熱膨張を吸収するサブミクロン〜ミクロンオーダーの微小間隙を形成する効果が得られるためで、熱膨張係数を大きく低減できる。また、Wを使用すると触媒成分との結合力が強くなる。よって、好適には、W、Tiを組み合わせて使用するとよく、触媒担持能の向上と低熱膨張化が可能で、より効果的である。Wの出発原料としては、タングステンまたはタングステン化合物、例えば、酸化タングステン(WO3 )が好適に使用される。
【0037】
このようにして得られたセラミック担体に担持させる触媒成分としては、例えば、Pt、Rh、Pd、Ru、Au、Ag、Ir、In等の貴金属元素が好適に用いられ、これら貴金属元素から選ばれる少なくとも一種類またはそれ以上を使用する。この時、これら触媒貴金属の平均粒径は、100nm以下であることが望ましい。平均粒径を100nm以下と小さくすることで、触媒重量あたりの浄化性能を向上できる。また、必要に応じて種々の助触媒を付加することもできる。助触媒には、例えば、Hf、Ti、Cu、Ni、Fe、Co、W、Mn、Cr、V、Se、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Sc、Ba、Ka等やランタノイド元素(La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)等の金属元素およびそれらの酸化物または複合酸化物が挙げられ、劣化抑制、酸素吸蔵能、触媒劣化検出といった目的に応じて、これら元素のうちの1種類または複数種類を目的に応じて使用する。
【0038】
本発明のセラミック担体に、これら触媒成分を担持させるには、通常、所望の触媒成分を含む溶液にセラミック担体を浸漬し、乾燥させた後、焼成する方法が用いられる。2種類以上の触媒成分を組み合わせて使用する場合は、複数の触媒成分を含む溶液を調製してセラミック担体を浸漬させればよい。例えば、PtとRhを主触媒成分として用いる場合には、ヘキサクロロ白金酸と塩化ロジウムを含有する溶液を用いることができる。また、種々の助触媒成分を併用することもできる。触媒成分の担持量は、通常、触媒貴金属で0.05〜10g/L、助触媒で1〜250g/Lの範囲とすることが好ましい。
【0039】
【実施例】
(実施例1〜3、比較例1)
次に、上記方法に従い、基材セラミックをコーディエライトとし、第二成分として、WおよびTiを固溶させた本発明のセラミック担体を作製した。WおよびTiの出発原料には、酸化タングステン(WO3 )およびルチル型酸化チタン(ルチル型TiO2 )を使用した。また、コーディエライトを構成する金属元素(Al、Mg、Si)の出発原料には、Mg源となる粘土鉱物としてタルクを、Al源として水酸化アルミニウム(Al(OH)3 )とアルミナ(AlO2 )を、Si源としてカオリンを使用した。Si源の5%をWで、同じくSi源の5%をTiで置換して、これら出発原料の粉末をコーディエライトの理論組成点付近となるように調合した。この調合原料にバインダ、潤滑剤および保湿剤等を適量添加し、通常の方法で混練したものを成形して、乾燥させた。この乾燥体を大気雰囲気中、900℃で脱脂した後、1260℃で焼成して本発明のセラミック担体のサンプルを得た(実施例1)。
【0040】
また、Al源を水酸化アルミニウムのみとした以外は、同じ出発原料を使用して、同様の方法でセラミック担体を得た(実施例2)。さらに、Si源として非晶質珪素酸化物である溶融シリカを使用した場合(実施例3)、Ti源としてアナターゼ型酸化チタンを使用した場合(比較例1)についても、同様の方法でセラミック担体を得た。得られたセラミック担体の熱膨張係数をそれぞれ測定した結果を図1に示す。
【0041】
図1に明らかなように、ルチル型酸化チタンを使用した実施例1〜3では、いずれも熱膨張係数が1.5×10-6/℃以下であり、従来困難であった2.0×10-6/℃以下の低熱膨張化が達成できた。また、Al源を水酸化アルミニウムのみとした実施例2では、アルミナを併用している実施例1の熱膨張係数(1.5×10-6/℃)よりも、熱膨張係数が低くなっており(1.4×10-6/℃)、Si源を溶融シリカをした実施例3では、さらに熱膨張係数が低くなっている(1.0×10-6/℃)。これに対し、アナターゼ型酸化チタンを使用した比較例1は、熱膨張係数が2.3×10-6/℃と大きくなっており、出発原料の選択が、得られるセラミック担体の特性に大きく影響することがわかる。
【0042】
図2(a)、(b)に比較例1と実施例2のセラミック担体のSEM観察像を示す。図を比較して明らかなように、アルミナと水酸化アルミニウム、アナターゼ型酸化チタンを用いた比較例1のサンプルよりも、水酸化アルミニウム、ルチル型酸化チタンを用いた実施例2のサンプルの方が、結晶粒径が小さい。また、比較例1では、粒子と粒子の間の間隙が少ないが、実施例3では粒子間にサブミクロン〜ミクロンオーダーの多数の間隙が形成されていることがわかる。これは、酸化チタンとしてアナターゼ型を用いたものは、反応が進んで溶け気味となり粒子同士が融着して、粒子と粒子の間に間隙が少なくなるのに対し、ルチル型では、反応が抑制されて粒子間に間隙ができやすくなるためと考えられる。
【0043】
図3は、比較例1と実施例2、3のセラミック担体の気孔率を測定した結果を示すものである。図3において、アルミナと水酸化アルミニウム、アナターゼ型酸化チタンを用いた比較例1の気孔率が28%であるのに対し、水酸化アルミニウム、ルチル型酸化チタンを用いた実施例2、3では、気孔率が35%を超えている。このように、出発原料を適切に選択することで、結晶粒径の増大を抑制し、粒子間にサブミクロン〜ミクロンオーダーの多数の間隙を形成して、気孔率を30%以上とすることができる。実施例2、3のサンプルで熱膨張係数が低減している理由は、熱で粒子が膨張すると、この微小間隙がまず埋まり、その間は担体としての膨張が生じないために、熱膨張を吸収した状態になるからである。粒子間隙以上に粒子が膨張すると、担体に熱膨張が生じることになる。
【0044】
なお、Si源をカオリンとした実施例2の気孔率よりも、溶融シリカとした実施例3では、さらに気孔率が大きくなっており、溶融シリカを用いることで、結晶粒径の増大を抑制し、粒子間に微小間隙を形成する効果が高くなることがわかる。また、図4に示すように、溶融シリカとした実施例3では、基材全体に占めるコーディエライト量が60mol%を超えており、溶融シリカを用いることで、コーディエライトの結晶化反応が促進され、生成量が増大することがわかる。その結果、微小間隙による熱膨張の吸収と、低熱膨張のコーディエライト量の増大によって、上述した図1の通り、熱膨張係数が大きく低減する。
【0045】
図5は、Mg源としてタルクを、Al源として水酸化アルミニウムを、Si源として溶融シリカを用い、酸化タングステンおよびルチル型酸化チタンを添加、混合してセラミック担体を作製する際の反応プロセスを示すものである。この場合、水酸化アルミニウムは200〜300℃で脱水してアモルファスとなり、次いで、酸化タングステンが500〜700℃で脱水してアモルファスとなり、タルクが700〜900℃で脱水してアモルファスとなる。これらアモルファスとなった水酸化アルミニウム、酸化タングステン、タルクと最後まで残っている溶融シリカが1000℃から反応して固溶コーディエライトが生成される。
【0046】
従来、セラミック担体を製造する場合には、反応性のよい材料を出発原料として選択する傾向にあったが、図1ないし図5の結果から必ずしもこの限りではなく、出発原料の影響が大きいことがわかる。例えば、比較的低温で脱水分解するカオリンに代えて溶融シリカを使用することで、低熱膨張化が可能であり、コーディエライト以外の結晶の生成を抑制するとともに、結晶粒径の増大が抑制されるものと思われる。また、酸化チタンの場合も、反応性のよいアナターゼ型に代えてルチル型を使用し、反応性を適度とすることで、結晶粒径の増大を抑制し、粒子間に間隙を形成できる。セラミック担体が熱で膨張すると、この間隙がまず埋まり、その間は担体としても膨張が生じないために、熱膨張を吸収した形となり、その結果、熱膨張係数を低く抑えることができる。
【0047】
以上により、本発明のセラミック担体によれば、出発原料を適切に選択し、組み合わせることで、生成するコーディエライト量や結晶粒径、気孔率等を制御し、低熱膨張係数を低減して、耐熱衝撃性を大幅に向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明実施例において出発原料を変化させた時の熱膨張係数の変化を比較して示す図である。
【図2】図2(a)は比較例1のセラミック担体の結晶構造を示す写真(SEM観察像)、図2(b)は実施例1のセラミック担体の結晶構造を示す写真(SEM観察像)である。
【図3】図3は比較例1、実施例2、3において出発原料を変化させた時の気孔率の変化を比較して示す図である。
【図4】図4は実施例2、3のセラミック担体のコーディエライト量を比較して示す図である。
【図5】図5は実施例3のセラミック担体の反応プロセスを説明するための図である。
Claims (13)
- 基材セラミックがMg、Al、Si、Oを構成元素として有し、これら構成元素以外の元素を第二成分として含有することにより触媒成分を直接担持可能となしたセラミック担体であって、上記第二成分としてWおよびTiを含有し、粒子間に熱膨張を吸収する多数の微小間隙を有しており、気孔率が28%より大きく、かつ熱膨張係数が2.3×10-6/℃より小さいことを特徴とするセラミック担体。
- 上記基材セラミックがコーディエライトである請求項1記載のセラミック担体。
- コーディエライト量が25mol%以上である請求項2記載のセラミック担体。
- 上記第二成分のうちのTi源としてルチル型酸化チタンを出発原料とする請求項1ないし3のいずれか記載のセラミック担体。
- 上記基材セラミックの構成元素のうちのMg源として、粘土鉱物を出発原料とする請求項1ないし4のいずれか記載のセラミック担体。
- 上記粘土鉱物がタルクである請求項5記載のセラミック担体。
- 上記基材セラミックの構成元素のうちのAl源として、水酸化アルミニウムを出発原料とする請求項1ないし6のいずれか記載のセラミック担体。
- 上記基材セラミックの構成元素のうちのSi源として、非晶質珪素酸化物を出発原料とする請求項1ないし7のいずれか記載のセラミック担体。
- 上記非晶質珪素酸化物が溶融シリカまたは仮焼カオリンである請求項8記載のセラミック担体。
- 気孔率が30%以上であり、かつ熱膨張係数が2.0×10 -6 /℃以下である請求項1ないし9のいずれか記載のセラミック担体。
- 基材セラミックがMg、Al、Si、Oを構成元素として有し、これら構成元素以外の少なくとも一種の元素を第二成分として含有することにより触媒成分を直接担持可能となしたセラミック担体を製造する方法において、上記第二成分としてWおよびTiを用い、Mg源として粘土鉱物を、Al源として水酸化アルミニウムを、Si源として非晶質珪素酸化物を、W源としてタングステンまたはタングステン化合物を、Ti源としてルチル型酸化チタンを使用し、これら出発原料を調合したセラミック原料を混練、成形した後、焼成することを特徴とするセラミック担体の製造方法。
- 上記粘土鉱物がタルクである請求項11記載のセラミック担体の製造方法。
- 上記非晶質珪素酸化物が溶融シリカまたは仮焼カオリンである請求項11または12記載のセラミック担体の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003120142A JP3945446B2 (ja) | 2003-04-24 | 2003-04-24 | セラミック担体とその製造方法 |
DE102004019944A DE102004019944A1 (de) | 2003-04-24 | 2004-04-23 | Keramischer Träger und Herstellungsverfahren für diesen |
CNB2004100369313A CN1253405C (zh) | 2003-04-24 | 2004-04-23 | 陶瓷载体及其制备方法 |
US10/830,443 US20040224835A1 (en) | 2003-04-24 | 2004-04-23 | Ceramic carrier and production method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003120142A JP3945446B2 (ja) | 2003-04-24 | 2003-04-24 | セラミック担体とその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004321936A JP2004321936A (ja) | 2004-11-18 |
JP3945446B2 true JP3945446B2 (ja) | 2007-07-18 |
Family
ID=33308125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003120142A Expired - Fee Related JP3945446B2 (ja) | 2003-04-24 | 2003-04-24 | セラミック担体とその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040224835A1 (ja) |
JP (1) | JP3945446B2 (ja) |
CN (1) | CN1253405C (ja) |
DE (1) | DE102004019944A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009026059B4 (de) * | 2009-06-29 | 2024-02-01 | Krones Aktiengesellschaft | Vorrichtung zum Aufspreizen einer Folienbahn |
WO2012057215A1 (ja) * | 2010-10-26 | 2012-05-03 | 京セラ株式会社 | コージェライト質セラミックスおよびこれを用いた半導体製造装置用部材 |
CN102515775B (zh) * | 2011-12-16 | 2013-11-20 | 河南东大高温节能材料有限公司 | 一种节能蜂窝陶瓷的制备方法 |
CN103623711B (zh) * | 2013-11-01 | 2015-09-30 | 郭庆 | 一种中空平板结构过滤陶瓷膜元件制备方法 |
JP6880542B2 (ja) * | 2015-07-30 | 2021-06-02 | 日本電気株式会社 | 軸受装置 |
JP7296795B2 (ja) * | 2019-06-26 | 2023-06-23 | 京セラ株式会社 | コーディエライト質結晶 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5731938B2 (ja) * | 1973-10-11 | 1982-07-07 | ||
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-
2003
- 2003-04-24 JP JP2003120142A patent/JP3945446B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-04-23 DE DE102004019944A patent/DE102004019944A1/de not_active Withdrawn
- 2004-04-23 US US10/830,443 patent/US20040224835A1/en not_active Abandoned
- 2004-04-23 CN CNB2004100369313A patent/CN1253405C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1253405C (zh) | 2006-04-26 |
US20040224835A1 (en) | 2004-11-11 |
JP2004321936A (ja) | 2004-11-18 |
CN1539790A (zh) | 2004-10-27 |
DE102004019944A1 (de) | 2004-11-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050608 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060424 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060706 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
A521 | Written amendment |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100420 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110420 Year of fee payment: 4 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |