JP2003112048A - セラミック触媒体 - Google Patents
セラミック触媒体Info
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Landscapes
- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
- Porous Artificial Stone Or Porous Ceramic Products (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Exhaust Gas After Treatment (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 NOx吸蔵能を有するとともに、熱容量およ
び圧損が低く、実用性に優れたセラミック担体およびセ
ラミック触媒体を得る。 【解決手段】 コーディエライトの構成元素の一部をN
Ox吸蔵能を有する元素で置換して欠陥を形成すること
により、セラミック表面に触媒成分を直接担持可能な多
数の細孔を形成すると同時に、NOx吸蔵能を有するセ
ラミック担体を得る。γ−アルミナのコート層を形成す
る必要がないので、熱容量および圧損の低いNOx吸蔵
還元触媒が得られる。
び圧損が低く、実用性に優れたセラミック担体およびセ
ラミック触媒体を得る。 【解決手段】 コーディエライトの構成元素の一部をN
Ox吸蔵能を有する元素で置換して欠陥を形成すること
により、セラミック表面に触媒成分を直接担持可能な多
数の細孔を形成すると同時に、NOx吸蔵能を有するセ
ラミック担体を得る。γ−アルミナのコート層を形成す
る必要がないので、熱容量および圧損の低いNOx吸蔵
還元触媒が得られる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車エンジンの
排ガス浄化用触媒等に適用されるセラミック触媒体に関
する。
排ガス浄化用触媒等に適用されるセラミック触媒体に関
する。
【0002】
【従来の技術】近年、地球環境保護のため、自動車の燃
費向上によるCO2 排出量の低減と排出ガスのクリーン
化が要求されている。この対応策として、希薄燃焼(リ
ーンバーン)方式やNOx吸蔵還元触媒の採用が急増し
ている。NOx吸蔵還元触媒は、例えば、図1(c)に
示すように、高耐熱性のコーディエライトハニカム構造
体を担体として用い、その表面にγ−アルミナ等の高比
表面積材料で被覆(コート)して、Pt、Rh等の貴金
属触媒と、NOxを吸着する助触媒を担持してなる。ア
ルカリ金属、アルカリ土類金属よりなる助触媒は、リー
ン雰囲気で放出されるNOxを吸着し、リッチ雰囲気で
放出して貴金属触媒により還元する。これにより、NO
xを無害化することができる。
費向上によるCO2 排出量の低減と排出ガスのクリーン
化が要求されている。この対応策として、希薄燃焼(リ
ーンバーン)方式やNOx吸蔵還元触媒の採用が急増し
ている。NOx吸蔵還元触媒は、例えば、図1(c)に
示すように、高耐熱性のコーディエライトハニカム構造
体を担体として用い、その表面にγ−アルミナ等の高比
表面積材料で被覆(コート)して、Pt、Rh等の貴金
属触媒と、NOxを吸着する助触媒を担持してなる。ア
ルカリ金属、アルカリ土類金属よりなる助触媒は、リー
ン雰囲気で放出されるNOxを吸着し、リッチ雰囲気で
放出して貴金属触媒により還元する。これにより、NO
xを無害化することができる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来のNOx吸蔵還元
触媒で、高比表面積材料のコート層を形成するのは、従
来のコーディエライトハニカム構造体が、必要な量の触
媒成分を担持させるに十分な比表面積を有していないか
らである。しかしながら、ハニカム構造体のセル壁表面
に、高比表面積材料のコート層を形成することは、重量
増加による熱容量増加をまねき、触媒の早期活性化の面
で不利である。また、ハニカム構造体のセルの開口面積
が低下するため圧損が増加するといった不具合がある。
触媒で、高比表面積材料のコート層を形成するのは、従
来のコーディエライトハニカム構造体が、必要な量の触
媒成分を担持させるに十分な比表面積を有していないか
らである。しかしながら、ハニカム構造体のセル壁表面
に、高比表面積材料のコート層を形成することは、重量
増加による熱容量増加をまねき、触媒の早期活性化の面
で不利である。また、ハニカム構造体のセルの開口面積
が低下するため圧損が増加するといった不具合がある。
【0004】一方、本発明者等は、先に、比表面積を向
上させるためにコート層を形成することなく、必要量の
触媒成分を担持可能なセラミック担体を提案した(特願
2000−104994)。そこで、本発明では、この
セラミック担体をNOx吸蔵還元触媒に応用して、NO
x吸蔵能を有するとともに、熱容量および圧損が低く、
実用性に優れたセラミック触媒体を実現することを目的
とする。
上させるためにコート層を形成することなく、必要量の
触媒成分を担持可能なセラミック担体を提案した(特願
2000−104994)。そこで、本発明では、この
セラミック担体をNOx吸蔵還元触媒に応用して、NO
x吸蔵能を有するとともに、熱容量および圧損が低く、
実用性に優れたセラミック触媒体を実現することを目的
とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1のセラ
ミック触媒体は、基材セラミック表面に触媒成分を直接
担持可能なセラミック担体に触媒成分を担持してなり、
かつ上記セラミック担体がNOx吸蔵能を有する金属元
素を含有することを特徴とする。例えば、上記セラミッ
ク担体が基材セラミック表面に多数の微細な細孔を形成
することで、もしくは触媒成分と化学結合する元素を有
することで、コート層を形成することなく、触媒成分を
直接担持可能であり、さらに、NOx吸蔵能を有する金
属元素を有することで、触媒担持能とNOx吸蔵能をあ
わせ有する高機能なセラミック担体が得られる。
ミック触媒体は、基材セラミック表面に触媒成分を直接
担持可能なセラミック担体に触媒成分を担持してなり、
かつ上記セラミック担体がNOx吸蔵能を有する金属元
素を含有することを特徴とする。例えば、上記セラミッ
ク担体が基材セラミック表面に多数の微細な細孔を形成
することで、もしくは触媒成分と化学結合する元素を有
することで、コート層を形成することなく、触媒成分を
直接担持可能であり、さらに、NOx吸蔵能を有する金
属元素を有することで、触媒担持能とNOx吸蔵能をあ
わせ有する高機能なセラミック担体が得られる。
【0006】よって、このようなセラミック担体に触媒
成分を担持した本発明のセラミック触媒体は、コート層
を形成していないので、熱容量および圧損が小さく、熱
膨張係数が大きくなることもない等の優れた特性を有す
る。
成分を担持した本発明のセラミック触媒体は、コート層
を形成していないので、熱容量および圧損が小さく、熱
膨張係数が大きくなることもない等の優れた特性を有す
る。
【0007】請求項2のように、具体的には、上記セラ
ミック担体の上記基材セラミック構成元素の一部を、上
記NOx吸蔵能を有する金属元素で置換することによ
り、NOx吸蔵能を付与することができる。
ミック担体の上記基材セラミック構成元素の一部を、上
記NOx吸蔵能を有する金属元素で置換することによ
り、NOx吸蔵能を付与することができる。
【0008】請求項3のように、具体的には、上記基材
セラミックに上記NOx吸蔵能を有する金属元素を直接
担持することによりNOx吸蔵能を付与することができ
る。
セラミックに上記NOx吸蔵能を有する金属元素を直接
担持することによりNOx吸蔵能を付与することができ
る。
【0009】請求項4のように、上記触媒成分が上記N
Ox吸蔵能を有する金属元素に近接して担持されると、
NOx還元を効率よく行うことができ、触媒性能が向上
する。
Ox吸蔵能を有する金属元素に近接して担持されると、
NOx還元を効率よく行うことができ、触媒性能が向上
する。
【0010】請求項5のように、上記NOx吸蔵能を有
する金属元素としては、例えば、アルカリ金属元素、ア
ルカリ土類金属元素、希土類元素または遷移金属元素が
好適に用いられる。
する金属元素としては、例えば、アルカリ金属元素、ア
ルカリ土類金属元素、希土類元素または遷移金属元素が
好適に用いられる。
【0011】請求項6のように、上記セラミック担体
は、上記基材セラミックを構成する元素のうち少なくと
も1種類またはそれ以上の元素が、構成元素以外の元素
と置換されており、この置換元素に対して上記触媒成分
もしくは上記NOx吸蔵能を有する金属元素を直接担持
可能である担体とすることができる。
は、上記基材セラミックを構成する元素のうち少なくと
も1種類またはそれ以上の元素が、構成元素以外の元素
と置換されており、この置換元素に対して上記触媒成分
もしくは上記NOx吸蔵能を有する金属元素を直接担持
可能である担体とすることができる。
【0012】請求項7のように、具体的には、上記置換
元素上に上記触媒成分もしくは上記NOx吸蔵能を有す
る金属元素が化学的結合により担持されていると、上記
触媒成分もしくは上記NOx吸蔵能を有する金属元素
を、均一分散させることができ、結合力も強い。
元素上に上記触媒成分もしくは上記NOx吸蔵能を有す
る金属元素が化学的結合により担持されていると、上記
触媒成分もしくは上記NOx吸蔵能を有する金属元素
を、均一分散させることができ、結合力も強い。
【0013】請求項8のように、上記置換元素には、そ
の電子軌道にdまたはf軌道を有する少なくとも1種類
またはそれ以上の元素を用いることが化学的結合の強度
が大きいので好ましい。
の電子軌道にdまたはf軌道を有する少なくとも1種類
またはそれ以上の元素を用いることが化学的結合の強度
が大きいので好ましい。
【0014】請求項9のように、上記セラミック担体
は、上記基材セラミック表面に上記触媒成分を直接担持
可能な細孔を有しており、この細孔に対して上記触媒成
分もしくは上記NOx吸蔵能を有する金属元素を直接担
持可能である担体とすることもできる。
は、上記基材セラミック表面に上記触媒成分を直接担持
可能な細孔を有しており、この細孔に対して上記触媒成
分もしくは上記NOx吸蔵能を有する金属元素を直接担
持可能である担体とすることもできる。
【0015】請求項10のように、上記触媒成分を直接
担持可能な細孔は、例えば、セラミック結晶格子中の欠
陥、セラミック表面の微細なクラックおよびセラミック
を構成する元素の欠損のうち、少なくとも1種類からな
る。結晶格子中の欠陥は数オングストローム程度、熱衝
撃等によって形成される微細なクラックは数nm程度
と、非常に微細であるので、担体の強度を低下させるこ
となく、上記触媒成分を直接担持可能な細孔を形成可能
である。
担持可能な細孔は、例えば、セラミック結晶格子中の欠
陥、セラミック表面の微細なクラックおよびセラミック
を構成する元素の欠損のうち、少なくとも1種類からな
る。結晶格子中の欠陥は数オングストローム程度、熱衝
撃等によって形成される微細なクラックは数nm程度
と、非常に微細であるので、担体の強度を低下させるこ
となく、上記触媒成分を直接担持可能な細孔を形成可能
である。
【0016】請求項11のように、上記細孔が微細なク
ラックからなる場合、上記微細なクラックの幅は100
nm以下であることが、強度を確保する上で好ましい。
ラックからなる場合、上記微細なクラックの幅は100
nm以下であることが、強度を確保する上で好ましい。
【0017】請求項12のように、上記触媒成分を直接
担持可能な細孔の直径あるいは幅が、担持する触媒成分
イオンの直径の1000倍以下の直径あるいは幅であ
り、このような上記細孔の数が1×1011個/L以上あ
れば、従来と同等量の触媒成分の担持が可能である。
担持可能な細孔の直径あるいは幅が、担持する触媒成分
イオンの直径の1000倍以下の直径あるいは幅であ
り、このような上記細孔の数が1×1011個/L以上あ
れば、従来と同等量の触媒成分の担持が可能である。
【0018】請求項13のように、好適には、上記基材
セラミックとして、コーディエライトを主成分として含
有するものを用いると、耐熱衝撃性が高く、好ましい。
この時、上記細孔は、コーディエライトの構成元素の一
部を価数の異なる金属元素で置換することにより形成さ
れる欠陥からなる。
セラミックとして、コーディエライトを主成分として含
有するものを用いると、耐熱衝撃性が高く、好ましい。
この時、上記細孔は、コーディエライトの構成元素の一
部を価数の異なる金属元素で置換することにより形成さ
れる欠陥からなる。
【0019】請求項14のように、上記欠陥は、例え
ば、酸素欠陥または格子欠陥の少なくとも1種類からな
る。この場合、コーディエライトの単位結晶格子に欠陥
を1個以上有するコーディエライト結晶を4×10-6%
以上含有すると、上記細孔の数が、従来と同等量の触媒
成分を担持可能な数となる。
ば、酸素欠陥または格子欠陥の少なくとも1種類からな
る。この場合、コーディエライトの単位結晶格子に欠陥
を1個以上有するコーディエライト結晶を4×10-6%
以上含有すると、上記細孔の数が、従来と同等量の触媒
成分を担持可能な数となる。
【0020】請求項15のように、上記触媒成分として
は、例えば、貴金属が好適に使用できる。
は、例えば、貴金属が好適に使用できる。
【0021】請求項16のように、上記セラミック担体
の担体形状は、ハニカム状、ペレット状、粉体、フォー
ム体、繊維状および中空繊維状のいずれでもよく、その
少なくとも1種類を用いればよい。
の担体形状は、ハニカム状、ペレット状、粉体、フォー
ム体、繊維状および中空繊維状のいずれでもよく、その
少なくとも1種類を用いればよい。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のセラミック触媒体は、基材セラミック表面に触
媒成分を直接担持可能なセラミック担体であり、かつN
Ox吸蔵能を有する金属元素を含有するセラミック担体
に、触媒成分を担持してなる。本発明のセラミック担体
の基材セラミックとしては、例えば、理論組成が2Mg
O・2Al2 O3 ・5SiO2 で表されるコーディエラ
イトを主成分とするコーディエライトハニカム構造体が
好適に用いられる。コーディエライト以外にも、アルミ
ナ、スピネル、チタン酸アルミニウム、炭化珪素、ムラ
イト等のセラミックを用いることができる。
本発明のセラミック触媒体は、基材セラミック表面に触
媒成分を直接担持可能なセラミック担体であり、かつN
Ox吸蔵能を有する金属元素を含有するセラミック担体
に、触媒成分を担持してなる。本発明のセラミック担体
の基材セラミックとしては、例えば、理論組成が2Mg
O・2Al2 O3 ・5SiO2 で表されるコーディエラ
イトを主成分とするコーディエライトハニカム構造体が
好適に用いられる。コーディエライト以外にも、アルミ
ナ、スピネル、チタン酸アルミニウム、炭化珪素、ムラ
イト等のセラミックを用いることができる。
【0023】本発明の第1の特徴は、触媒成分を直接担
持可能なセラミック担体を用いていることにある。セラ
ミック担体は、基材セラミック表面に触媒成分を直接担
持可能な多数の細孔を有するか、または触媒成分を直接
担持可能な置換元素を有しており、これら細孔ないし置
換元素に対して触媒成分を直接担持可能である。触媒成
分を直接担持可能な細孔は、具体的には、セラミック結
晶格子中の欠陥(酸素欠陥または格子欠陥)、セラミッ
ク表面の微細なクラック、およびセラミックを構成する
元素の欠損のうち、少なくとも1種類からなり、γ−ア
ルミナ等の高比表面積のコート層を形成することなく、
触媒成分を直接担持可能とする。触媒成分イオンの直径
は、通常、0.1nm程度であるので、コーディエライ
トの表面に形成される細孔の直径あるいは幅は、その1
000倍(100nm)以下、好ましくは、1〜100
0倍(0.1〜100nm)、細孔の深さは、触媒成分
イオンの直径の1/2倍(0.05nm)以上であるこ
とが好ましい。また、従来と同等な量の触媒成分(1.
5g/L)を担持可能とするには、細孔の数が、1×1
011個/L以上、好ましくは1×1016個/L以上、よ
り好ましくは1×1017個/L以上であるとよい。
持可能なセラミック担体を用いていることにある。セラ
ミック担体は、基材セラミック表面に触媒成分を直接担
持可能な多数の細孔を有するか、または触媒成分を直接
担持可能な置換元素を有しており、これら細孔ないし置
換元素に対して触媒成分を直接担持可能である。触媒成
分を直接担持可能な細孔は、具体的には、セラミック結
晶格子中の欠陥(酸素欠陥または格子欠陥)、セラミッ
ク表面の微細なクラック、およびセラミックを構成する
元素の欠損のうち、少なくとも1種類からなり、γ−ア
ルミナ等の高比表面積のコート層を形成することなく、
触媒成分を直接担持可能とする。触媒成分イオンの直径
は、通常、0.1nm程度であるので、コーディエライ
トの表面に形成される細孔の直径あるいは幅は、その1
000倍(100nm)以下、好ましくは、1〜100
0倍(0.1〜100nm)、細孔の深さは、触媒成分
イオンの直径の1/2倍(0.05nm)以上であるこ
とが好ましい。また、従来と同等な量の触媒成分(1.
5g/L)を担持可能とするには、細孔の数が、1×1
011個/L以上、好ましくは1×1016個/L以上、よ
り好ましくは1×1017個/L以上であるとよい。
【0024】具体的には、コーディエライトハニカム構
造体が、酸素欠陥あるいは格子欠陥の少なくとも1種類
を単位結晶格子に1個以上有するコーディエライト結晶
を4×10-6%以上、好ましくは、4×10-5%以上含
有する、あるいは、酸素欠陥あるいは格子欠陥の少なく
とも1種類をコーディエライトの単位結晶格子当たり4
×10-8個以上、好ましくは、4×10-7個以上含有す
ると、セラミック担体の細孔の数が上記所定数以上とな
る。
造体が、酸素欠陥あるいは格子欠陥の少なくとも1種類
を単位結晶格子に1個以上有するコーディエライト結晶
を4×10-6%以上、好ましくは、4×10-5%以上含
有する、あるいは、酸素欠陥あるいは格子欠陥の少なく
とも1種類をコーディエライトの単位結晶格子当たり4
×10-8個以上、好ましくは、4×10-7個以上含有す
ると、セラミック担体の細孔の数が上記所定数以上とな
る。
【0025】セラミック表面に形成される細孔のうち、
結晶格子の欠陥には、酸素欠陥と格子欠陥(金属空格子
点と格子歪)がある。酸素欠陥は、セラミック結晶格子
を構成するための酸素が不足することにより生ずる欠陥
で、酸素が抜けたことにより形成される細孔に触媒成分
を担持できる。格子欠陥は、セラミック結晶格子を構成
するために必要な量以上の酸素を取り込むことにより生
じる格子欠陥で、結晶格子の歪みや金属空格子点によっ
て形成される細孔に触媒成分を担持することが可能とな
る。
結晶格子の欠陥には、酸素欠陥と格子欠陥(金属空格子
点と格子歪)がある。酸素欠陥は、セラミック結晶格子
を構成するための酸素が不足することにより生ずる欠陥
で、酸素が抜けたことにより形成される細孔に触媒成分
を担持できる。格子欠陥は、セラミック結晶格子を構成
するために必要な量以上の酸素を取り込むことにより生
じる格子欠陥で、結晶格子の歪みや金属空格子点によっ
て形成される細孔に触媒成分を担持することが可能とな
る。
【0026】結晶格子に酸素欠陥を形成するには、特願
2000−104994に記載したように、Si源、A
l源、Mg源を含むコーディエライト化原料を成形、脱
脂した後、焼成する工程において、焼成雰囲気を減圧
または還元雰囲気とする、原料の少なくとも一部に酸
素を含まない化合物を用い、低酸素濃度雰囲気で焼成す
ることにより、焼成雰囲気または出発原料中の酸素を不
足させるか、酸素以外のセラミックの構成元素の少な
くとも1種類について、その一部を該元素より価数の小
さな元素で置換する方法が採用できる。コーディエライ
トの場合、構成元素は、Si(4+)、Al(3+)、
Mg(2+)と正の電荷を有するので、これらを価数の
小さな元素で置換すると、置換した元素との価数の差と
置換量に相当する正の電荷が不足し、結晶格子としての
電気的中性を維持するため、負の電荷を有するO(2
−)を放出し、酸素欠陥が形成される。
2000−104994に記載したように、Si源、A
l源、Mg源を含むコーディエライト化原料を成形、脱
脂した後、焼成する工程において、焼成雰囲気を減圧
または還元雰囲気とする、原料の少なくとも一部に酸
素を含まない化合物を用い、低酸素濃度雰囲気で焼成す
ることにより、焼成雰囲気または出発原料中の酸素を不
足させるか、酸素以外のセラミックの構成元素の少な
くとも1種類について、その一部を該元素より価数の小
さな元素で置換する方法が採用できる。コーディエライ
トの場合、構成元素は、Si(4+)、Al(3+)、
Mg(2+)と正の電荷を有するので、これらを価数の
小さな元素で置換すると、置換した元素との価数の差と
置換量に相当する正の電荷が不足し、結晶格子としての
電気的中性を維持するため、負の電荷を有するO(2
−)を放出し、酸素欠陥が形成される。
【0027】また、格子欠陥については、酸素以外の
セラミック構成元素の一部を該元素より価数の大きな元
素で置換することにより形成できる。コーディエライト
の構成元素であるSi、Al、Mgの少なくとも一部
を、その元素より価数の大きい元素で置換すると、置換
した元素との価数の差と置換量に相当する正の電荷が過
剰となり、結晶格子としての電気的中性を維持するた
め、負の電荷を有するO(2−)を必要量取り込む。取
り込まれた酸素が障害となって、コーディエライト結晶
格子が整然と並ぶことができなくなり、格子歪が形成さ
れる。あるいは、電気的中性を維持するために、Si、
Al、Mgの一部を放出し、空孔が形成される。この場
合の焼成雰囲気は、大気雰囲気として、酸素が十分に供
給されるようにする。なお、これら欠陥の大きさは数オ
ングストーム以下と考えられるため、窒素分子を用いた
BET法のような通常の比表面積の測定方法では、比表
面積として測定できない。
セラミック構成元素の一部を該元素より価数の大きな元
素で置換することにより形成できる。コーディエライト
の構成元素であるSi、Al、Mgの少なくとも一部
を、その元素より価数の大きい元素で置換すると、置換
した元素との価数の差と置換量に相当する正の電荷が過
剰となり、結晶格子としての電気的中性を維持するた
め、負の電荷を有するO(2−)を必要量取り込む。取
り込まれた酸素が障害となって、コーディエライト結晶
格子が整然と並ぶことができなくなり、格子歪が形成さ
れる。あるいは、電気的中性を維持するために、Si、
Al、Mgの一部を放出し、空孔が形成される。この場
合の焼成雰囲気は、大気雰囲気として、酸素が十分に供
給されるようにする。なお、これら欠陥の大きさは数オ
ングストーム以下と考えられるため、窒素分子を用いた
BET法のような通常の比表面積の測定方法では、比表
面積として測定できない。
【0028】酸素欠陥および格子欠陥の数は、コーディ
エライトハニカム構造体中に含まれる酸素量と相関があ
り、上記した必要量の触媒成分の担持を可能とするに
は、酸素量が47重量%未満(酸素欠陥)または48重
量%より多く(格子欠陥)なるようにするのがよい。酸
素欠陥の形成により、酸素量が47重量%未満になる
と、コーディエライト単位結晶格子中に含まれる酸素数
は17.2より少なくなり、コーディエライトの結晶軸
のbo 軸の格子定数は16.99より小さくなる。ま
た、格子欠陥の形成により、酸素量が48重量%より多
くなると、コーディエライト単位結晶格子中に含まれる
酸素数は17.6より多くなり、コーディエライトの結
晶軸のbo 軸の格子定数は16.99より大きくまたは
小さくなる。
エライトハニカム構造体中に含まれる酸素量と相関があ
り、上記した必要量の触媒成分の担持を可能とするに
は、酸素量が47重量%未満(酸素欠陥)または48重
量%より多く(格子欠陥)なるようにするのがよい。酸
素欠陥の形成により、酸素量が47重量%未満になる
と、コーディエライト単位結晶格子中に含まれる酸素数
は17.2より少なくなり、コーディエライトの結晶軸
のbo 軸の格子定数は16.99より小さくなる。ま
た、格子欠陥の形成により、酸素量が48重量%より多
くなると、コーディエライト単位結晶格子中に含まれる
酸素数は17.6より多くなり、コーディエライトの結
晶軸のbo 軸の格子定数は16.99より大きくまたは
小さくなる。
【0029】触媒担持能を有する細孔のうち、セラミッ
ク表面の微細なクラックは、コーディエライトハニカム
構造体に、熱衝撃または衝撃波を与えることによって、
アモルファス相と結晶相の少なくとも一方に多数形成さ
れる。ハニカム構造体の強度を確保するためには、クラ
ックは小さい方がよく、幅が約100nm以下、好まし
くは約10nm程度ないしそれ以下であるとよい。
ク表面の微細なクラックは、コーディエライトハニカム
構造体に、熱衝撃または衝撃波を与えることによって、
アモルファス相と結晶相の少なくとも一方に多数形成さ
れる。ハニカム構造体の強度を確保するためには、クラ
ックは小さい方がよく、幅が約100nm以下、好まし
くは約10nm程度ないしそれ以下であるとよい。
【0030】熱衝撃を与える方法としては、コーディエ
ライトハニカム構造体を加熱した後、急冷する方法が用
いられる。熱衝撃を与えるのは、コーディエライトハニ
カム構造体内に、コーディエライト結晶相およびアモル
ファス相が形成された後であればよく、通常の方法で、
Si源、Al源、Mg源を含むコーディエライト化原料
を成形、脱脂した後、焼成して得られたコーディエライ
トハニカム構造体を、所定温度に再加熱し、次いで急冷
する方法、あるいは、焼成して冷却する過程で、所定温
度から急冷する方法のいずれを採用することもできる。
熱衝撃によるクラックを発生させるには、通常、加熱温
度と急冷後の温度の差(熱衝撃温度差)が約80℃以上
であればよく、クラックの大きさは熱衝撃温度差が大き
くなるのに伴い大きくなる。ただし、クラックが大きく
なりすぎると、ハニカム構造体としての形状の維持が困
難になるため、熱衝撃温度差は、通常、約900℃以下
とするのがよい。
ライトハニカム構造体を加熱した後、急冷する方法が用
いられる。熱衝撃を与えるのは、コーディエライトハニ
カム構造体内に、コーディエライト結晶相およびアモル
ファス相が形成された後であればよく、通常の方法で、
Si源、Al源、Mg源を含むコーディエライト化原料
を成形、脱脂した後、焼成して得られたコーディエライ
トハニカム構造体を、所定温度に再加熱し、次いで急冷
する方法、あるいは、焼成して冷却する過程で、所定温
度から急冷する方法のいずれを採用することもできる。
熱衝撃によるクラックを発生させるには、通常、加熱温
度と急冷後の温度の差(熱衝撃温度差)が約80℃以上
であればよく、クラックの大きさは熱衝撃温度差が大き
くなるのに伴い大きくなる。ただし、クラックが大きく
なりすぎると、ハニカム構造体としての形状の維持が困
難になるため、熱衝撃温度差は、通常、約900℃以下
とするのがよい。
【0031】コーディエライトハニカム構造体におい
て、アモルファス相は結晶相の周りに層状に存在してい
る。コーディエライトハニカム構造体を加熱した後、急
冷することにより熱衝撃を与えると、アモルファス相と
結晶相では熱膨張係数に差があるために、この熱膨張係
数の差と熱衝撃の温度差に相当する熱応力が、アモルフ
ァス相と結晶相の界面付近に作用する。この熱応力にア
モルファス相あるいは結晶相が耐えられなくなると、微
細なクラックが発生する。微細なクラックの発生量は、
アモルファス相の量によって制御できる。また、熱衝撃
の代わりに、超音波や振動等の衝撃波を与えることもで
き、コーディエライト構造内の強度の低い部分が衝撃波
のエネルギーに耐えられなくなった時に、微細なクラッ
クが発生する。この場合の微細なクラックの発生量は、
衝撃波のエネルギーにより制御できる。
て、アモルファス相は結晶相の周りに層状に存在してい
る。コーディエライトハニカム構造体を加熱した後、急
冷することにより熱衝撃を与えると、アモルファス相と
結晶相では熱膨張係数に差があるために、この熱膨張係
数の差と熱衝撃の温度差に相当する熱応力が、アモルフ
ァス相と結晶相の界面付近に作用する。この熱応力にア
モルファス相あるいは結晶相が耐えられなくなると、微
細なクラックが発生する。微細なクラックの発生量は、
アモルファス相の量によって制御できる。また、熱衝撃
の代わりに、超音波や振動等の衝撃波を与えることもで
き、コーディエライト構造内の強度の低い部分が衝撃波
のエネルギーに耐えられなくなった時に、微細なクラッ
クが発生する。この場合の微細なクラックの発生量は、
衝撃波のエネルギーにより制御できる。
【0032】触媒担持能を有する細孔のうち、セラミッ
クを構成する元素の欠損は、液相法によりコーディエラ
イト構成元素や不純物が溶出することによって形成され
る。例えば、コーディエライト結晶中のMg、Alとい
った金属元素、アモルファス相に含まれるアルカリ金属
元素やアルカリ土類金属またはアモルファス相自身が、
高温高圧水、超臨界流体、あるいはアルカリ溶液等の溶
液に溶出することによって形成され、これら元素の欠損
が細孔となって、触媒を担持可能とする。または、気相
法により、化学的または物理的に欠損を形成することも
できる。例えば、化学的方法としてはドライエッチング
が、物理的方法としてはスパッタエッチングが挙げら
れ、エッチング時間や供給エネルギー等により、細孔量
を制御できる。
クを構成する元素の欠損は、液相法によりコーディエラ
イト構成元素や不純物が溶出することによって形成され
る。例えば、コーディエライト結晶中のMg、Alとい
った金属元素、アモルファス相に含まれるアルカリ金属
元素やアルカリ土類金属またはアモルファス相自身が、
高温高圧水、超臨界流体、あるいはアルカリ溶液等の溶
液に溶出することによって形成され、これら元素の欠損
が細孔となって、触媒を担持可能とする。または、気相
法により、化学的または物理的に欠損を形成することも
できる。例えば、化学的方法としてはドライエッチング
が、物理的方法としてはスパッタエッチングが挙げら
れ、エッチング時間や供給エネルギー等により、細孔量
を制御できる。
【0033】さらに、元素置換によって、基材セラミッ
ク表面に触媒担持能を有する元素を多数配置することも
できる。この場合、セラミックの構成元素、例えば、コ
ーディエライトのSi、Al、Mgと置換される元素
は、これら構成元素よりも担持される触媒成分との結合
力が大きく、触媒成分を化学的結合により担持可能な元
素が用いられる。具体的には、これら構成元素と異なる
元素で、その電子軌道にdまたはf軌道を有する元素が
挙げられ、好ましくはdまたはf軌道に空軌道を有する
か、または酸化状態を2つ以上持つ元素が用いられる。
dまたはf軌道に空軌道を有する元素は、担持される触
媒成分とエネルギー準位が近く、電子の授与が行われや
すいため、触媒成分と結合しやすい。また、酸化状態を
2つ以上持つ元素も、電子の授与が行われやすく、同様
の作用が期待できる。
ク表面に触媒担持能を有する元素を多数配置することも
できる。この場合、セラミックの構成元素、例えば、コ
ーディエライトのSi、Al、Mgと置換される元素
は、これら構成元素よりも担持される触媒成分との結合
力が大きく、触媒成分を化学的結合により担持可能な元
素が用いられる。具体的には、これら構成元素と異なる
元素で、その電子軌道にdまたはf軌道を有する元素が
挙げられ、好ましくはdまたはf軌道に空軌道を有する
か、または酸化状態を2つ以上持つ元素が用いられる。
dまたはf軌道に空軌道を有する元素は、担持される触
媒成分とエネルギー準位が近く、電子の授与が行われや
すいため、触媒成分と結合しやすい。また、酸化状態を
2つ以上持つ元素も、電子の授与が行われやすく、同様
の作用が期待できる。
【0034】dまたはf軌道に空軌道を有する元素の具
体例には、W、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、N
i、Zr、Mo、Ru、Rh、Ce、Ir、Pt等が挙
げられ、これら元素のうちの少なくとも1種類またはそ
れ以上を用いることができる。これら元素のうち、W、
Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Mo、Ru、R
h、Ce、Ir、Ptは、酸化状態を2つ以上持つ元素
であり、酸化状態を2つ以上持つ元素の具体例として
は、その他、Cu、Ga、Ge、Se、Pd、Ag、A
u等が挙げられる。
体例には、W、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、N
i、Zr、Mo、Ru、Rh、Ce、Ir、Pt等が挙
げられ、これら元素のうちの少なくとも1種類またはそ
れ以上を用いることができる。これら元素のうち、W、
Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Mo、Ru、R
h、Ce、Ir、Ptは、酸化状態を2つ以上持つ元素
であり、酸化状態を2つ以上持つ元素の具体例として
は、その他、Cu、Ga、Ge、Se、Pd、Ag、A
u等が挙げられる。
【0035】これら置換元素で、セラミックの構成元素
を置換する場合には、上述したように、セラミック原料
中に置換元素を添加、混練する方法を採用することもで
きるが、予め、置換される構成元素の原料の一部を置換
量に応じて減らしておき、通常の方法で、混練、成形、
乾燥させた後、置換元素を含む溶液に含浸させることも
できる。これを溶液から取り出し、乾燥させた後、大気
雰囲気中で脱脂、焼成する。このように成形体に含浸さ
せる方法を用いると、成形体表面に置換元素を多く存在
させることができ、その結果、焼成時に表面で元素置換
がおきて固溶体を生じやすくなるので、好ましい。
を置換する場合には、上述したように、セラミック原料
中に置換元素を添加、混練する方法を採用することもで
きるが、予め、置換される構成元素の原料の一部を置換
量に応じて減らしておき、通常の方法で、混練、成形、
乾燥させた後、置換元素を含む溶液に含浸させることも
できる。これを溶液から取り出し、乾燥させた後、大気
雰囲気中で脱脂、焼成する。このように成形体に含浸さ
せる方法を用いると、成形体表面に置換元素を多く存在
させることができ、その結果、焼成時に表面で元素置換
がおきて固溶体を生じやすくなるので、好ましい。
【0036】置換元素の量は、総置換量が、置換される
構成元素の原子数の0.01%以上50%以下、好まし
くは5〜20%の範囲となるようにするのがよい。な
お、置換元素が、基材セラミックの構成元素と価数の異
なる元素である場合には、上記したように、価数の差に
応じて格子欠陥または酸素欠陥が同時に生じるが、置換
元素を複数使用し、置換元素の酸化数の和と、置換され
る構成元素の酸化数の和と等しくなるようにすれば、欠
陥は生成しない。このように、全体として価数の変化が
ないようにし、触媒成分を置換元素との結合によっての
み担持させるようにしてもよい。
構成元素の原子数の0.01%以上50%以下、好まし
くは5〜20%の範囲となるようにするのがよい。な
お、置換元素が、基材セラミックの構成元素と価数の異
なる元素である場合には、上記したように、価数の差に
応じて格子欠陥または酸素欠陥が同時に生じるが、置換
元素を複数使用し、置換元素の酸化数の和と、置換され
る構成元素の酸化数の和と等しくなるようにすれば、欠
陥は生成しない。このように、全体として価数の変化が
ないようにし、触媒成分を置換元素との結合によっての
み担持させるようにしてもよい。
【0037】本発明の第2の特徴は、セラミック担体
が、NOx吸蔵能を有する金属元素を含有することにあ
る。NOx吸蔵能を有する金属元素としては、例えば、
Na、K、Rb、Cs、Fr等のアルカリ金属元素、M
g、Ca、Sr、Ba、Ra等のアルカリ土類金属元
素、Sc、Y、La、Ce等の希土類元素、Cr、M
n、Fe、Co、Ni、Cu、Zr等の遷移金属元素が
挙げられる。これら元素はいずれも排ガス中のNOxと
反応して硝酸塩を形成するもので、雰囲気に応じてNO
xを吸蔵ないし放出する機能を有する。
が、NOx吸蔵能を有する金属元素を含有することにあ
る。NOx吸蔵能を有する金属元素としては、例えば、
Na、K、Rb、Cs、Fr等のアルカリ金属元素、M
g、Ca、Sr、Ba、Ra等のアルカリ土類金属元
素、Sc、Y、La、Ce等の希土類元素、Cr、M
n、Fe、Co、Ni、Cu、Zr等の遷移金属元素が
挙げられる。これら元素はいずれも排ガス中のNOxと
反応して硝酸塩を形成するもので、雰囲気に応じてNO
xを吸蔵ないし放出する機能を有する。
【0038】本発明では、これらアルカリ金属元素、ア
ルカリ土類金属元素、希土類元素および遷移金属元素か
ら選ばれる少なくとも1種類を、金属もしくは酸化物と
して用いることで、触媒担持能を有する本発明のセラミ
ック担体に、同時にNOx吸蔵能を持たせている。
ルカリ土類金属元素、希土類元素および遷移金属元素か
ら選ばれる少なくとも1種類を、金属もしくは酸化物と
して用いることで、触媒担持能を有する本発明のセラミ
ック担体に、同時にNOx吸蔵能を持たせている。
【0039】NOx吸蔵能を有する金属元素を、セラミ
ック担体に含有させるには、(1) セラミックの構成元素
の一部を、NOx吸蔵能を有する金属元素で置換する、
(2)セラミック担体に設けた触媒担持可能な細孔ないし
元素に、上記NOx吸蔵能を有する物質を担持する、の
2つの手段が採用できる。(1) の手段を用いた場合に
は、同時にセラミック結晶格子中の欠陥からなる細孔を
形成することで、または、触媒成分と結合可能でかつN
Ox吸蔵能を有する元素を用いることで、触媒担持能と
NOx吸蔵能を同時に付与することが可能になる。これ
らの手段について順に説明する。
ック担体に含有させるには、(1) セラミックの構成元素
の一部を、NOx吸蔵能を有する金属元素で置換する、
(2)セラミック担体に設けた触媒担持可能な細孔ないし
元素に、上記NOx吸蔵能を有する物質を担持する、の
2つの手段が採用できる。(1) の手段を用いた場合に
は、同時にセラミック結晶格子中の欠陥からなる細孔を
形成することで、または、触媒成分と結合可能でかつN
Ox吸蔵能を有する元素を用いることで、触媒担持能と
NOx吸蔵能を同時に付与することが可能になる。これ
らの手段について順に説明する。
【0040】例えば、NOx吸蔵能を有するアルカリ金
属元素、アルカリ土類金属元素は、それぞれ価数が1
+、2+であるため、価数の異なるセラミック構成元素
と置換する形でセラミック中に含有させると、上述した
細孔となる欠陥形成方法の、で説明したのと同様に
価数の変化を補うために酸素の過不足が生じ、結晶格子
に酸素欠陥または格子欠陥が形成される。コーディエラ
イトの場合、構成元素の価数は、Si(4+)、Al
(3+)、Mg(2+)であるので、欠陥形成元素とし
てアルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素を使用し、
より価数の大きな構成元素の位置に置換させることで、
酸素欠陥からなる細孔を形成するとともに、NOx吸蔵
能を発現することができる。
属元素、アルカリ土類金属元素は、それぞれ価数が1
+、2+であるため、価数の異なるセラミック構成元素
と置換する形でセラミック中に含有させると、上述した
細孔となる欠陥形成方法の、で説明したのと同様に
価数の変化を補うために酸素の過不足が生じ、結晶格子
に酸素欠陥または格子欠陥が形成される。コーディエラ
イトの場合、構成元素の価数は、Si(4+)、Al
(3+)、Mg(2+)であるので、欠陥形成元素とし
てアルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素を使用し、
より価数の大きな構成元素の位置に置換させることで、
酸素欠陥からなる細孔を形成するとともに、NOx吸蔵
能を発現することができる。
【0041】置換方法は、上記、で説明したのと同
様で、Si源、Al源の少なくとも一部を、欠陥形成元
素の化合物に代えたコーディエライト原料を用いればよ
い。また、dまたはf軌道を空軌道を有する置換元素と
して例示したCe、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、C
u等は、同時に、NOx吸蔵能を有するので、これら元
素を用いても、同様の作用効果が得られる。
様で、Si源、Al源の少なくとも一部を、欠陥形成元
素の化合物に代えたコーディエライト原料を用いればよ
い。また、dまたはf軌道を空軌道を有する置換元素と
して例示したCe、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、C
u等は、同時に、NOx吸蔵能を有するので、これら元
素を用いても、同様の作用効果が得られる。
【0042】このセラミック担体に、貴金属等よりなる
触媒成分を担持させることで、γ−アルミナのコートな
しに、NOx吸蔵還元触媒となるセラミック触媒体が容
易に得られる。図1(a)に示すように、このセラミッ
ク触媒体は、ハニカム構造の担体の組成中に、NOx吸
蔵能を有するアルカリ金属、アルカリ土類金属等を欠陥
形成元素として含有し、これによって形成される細孔
に、Pt、Rh等の触媒成分を担持させているので、主
触媒であるPt、Rh等と、助触媒となるNOx吸蔵能
を有する金属元素が近接する。従って、吸蔵されたNO
xが放出された時に、近接する貴金属触媒によって容易
に還元することができるので、NOx浄化効率が向上す
る利点がある。
触媒成分を担持させることで、γ−アルミナのコートな
しに、NOx吸蔵還元触媒となるセラミック触媒体が容
易に得られる。図1(a)に示すように、このセラミッ
ク触媒体は、ハニカム構造の担体の組成中に、NOx吸
蔵能を有するアルカリ金属、アルカリ土類金属等を欠陥
形成元素として含有し、これによって形成される細孔
に、Pt、Rh等の触媒成分を担持させているので、主
触媒であるPt、Rh等と、助触媒となるNOx吸蔵能
を有する金属元素が近接する。従って、吸蔵されたNO
xが放出された時に、近接する貴金属触媒によって容易
に還元することができるので、NOx浄化効率が向上す
る利点がある。
【0043】ここで、セラミック担体に形成される細孔
を、NOx吸蔵能を有する金属元素の置換のみによって
形成する必要はなく、他の置換元素を用いたり、あるい
は焼成後に熱衝撃や衝撃波を加えて微細なクラックを形
成する等、上述した細孔形成方法を複数組み合わせるこ
ともできる。このようにすれば、必要に応じて細孔の数
を増加させ、触媒成分の担持に十分な数とすることがで
きる。
を、NOx吸蔵能を有する金属元素の置換のみによって
形成する必要はなく、他の置換元素を用いたり、あるい
は焼成後に熱衝撃や衝撃波を加えて微細なクラックを形
成する等、上述した細孔形成方法を複数組み合わせるこ
ともできる。このようにすれば、必要に応じて細孔の数
を増加させ、触媒成分の担持に十分な数とすることがで
きる。
【0044】触媒成分を担持する場合には、触媒成分を
溶媒に溶解して、コーディエライトハニカム構造体に含
浸させる。これにより、格子欠陥やクラック等の細孔内
に触媒成分が保持され、または置換元素との結合によっ
て、γ−アルミナのコートなしに、0.1g/L以上の
触媒成分を担持することができる。触媒成分としては、
Pt、Rh、Pd等の貴金属触媒が好適に使用される。
触媒成分を担持させるための溶媒は水でもよいが、本発
明のコーディエライトハニカム構造体に形成される欠陥
やクラック等の細孔が微細であるため、水よりも表面張
力の小さな溶媒、例えばメタノール等のアルコール系溶
媒を用いるとより好ましい。水のように表面張力の大き
い溶媒は、細孔内に浸透しにくいため、細孔を十分に活
用できない場合があるが、表面張力の小さな溶媒を用い
ることで、微細な細孔内にも入り込むことができ、細孔
を十分に活用して、0.5g/L以上の触媒成分を担持
することが可能である。
溶媒に溶解して、コーディエライトハニカム構造体に含
浸させる。これにより、格子欠陥やクラック等の細孔内
に触媒成分が保持され、または置換元素との結合によっ
て、γ−アルミナのコートなしに、0.1g/L以上の
触媒成分を担持することができる。触媒成分としては、
Pt、Rh、Pd等の貴金属触媒が好適に使用される。
触媒成分を担持させるための溶媒は水でもよいが、本発
明のコーディエライトハニカム構造体に形成される欠陥
やクラック等の細孔が微細であるため、水よりも表面張
力の小さな溶媒、例えばメタノール等のアルコール系溶
媒を用いるとより好ましい。水のように表面張力の大き
い溶媒は、細孔内に浸透しにくいため、細孔を十分に活
用できない場合があるが、表面張力の小さな溶媒を用い
ることで、微細な細孔内にも入り込むことができ、細孔
を十分に活用して、0.5g/L以上の触媒成分を担持
することが可能である。
【0045】NOx吸蔵能を有する金属元素で置換する
代わりに、(2) の手段のように、上記した方法で形成し
た触媒担持可能な細孔または元素を有するコーディエラ
イトハニカム構造体よりなる担体に、NOx吸蔵能を有
する金属元素を担持させて、NOx吸蔵能を有するセラ
ミック担体とすることも、もちろんできる。この場合の
NOx吸蔵能を有する金属元素の担持方法は、上記触媒
成分の担持と同様に行い、例えば、NOx吸蔵能を有す
る金属元素を含む塩(硝酸塩、酢酸塩、塩化合物、炭酸
塩等)を溶媒に溶解し、含浸させることによって、γ−
アルミナをコートすることなく、容易に必要量の助触媒
成分を担持させることができる。さらに、同様にして、
貴金属等の触媒成分を担持させることにより、図1
(b)に示すように、セラミック担体の細孔内に、NO
x吸蔵能を有するアルカリ金属、アルカリ土類金属、希
土類、遷移金属と、Pt、Rh等の貴金属触媒を担持さ
せたセラミック触媒体が得られる。
代わりに、(2) の手段のように、上記した方法で形成し
た触媒担持可能な細孔または元素を有するコーディエラ
イトハニカム構造体よりなる担体に、NOx吸蔵能を有
する金属元素を担持させて、NOx吸蔵能を有するセラ
ミック担体とすることも、もちろんできる。この場合の
NOx吸蔵能を有する金属元素の担持方法は、上記触媒
成分の担持と同様に行い、例えば、NOx吸蔵能を有す
る金属元素を含む塩(硝酸塩、酢酸塩、塩化合物、炭酸
塩等)を溶媒に溶解し、含浸させることによって、γ−
アルミナをコートすることなく、容易に必要量の助触媒
成分を担持させることができる。さらに、同様にして、
貴金属等の触媒成分を担持させることにより、図1
(b)に示すように、セラミック担体の細孔内に、NO
x吸蔵能を有するアルカリ金属、アルカリ土類金属、希
土類、遷移金属と、Pt、Rh等の貴金属触媒を担持さ
せたセラミック触媒体が得られる。
【0046】このようにして得られたセラミック触媒体
は、図1(c)に示した従来のセラミック触媒体に比べ
て、熱容量および圧損の低減が可能となる。また、この
セラミック触媒体の浄化性能を向上させるために、さら
に、外部から熱エネルギーや電気エネルギー等を投入す
る構成としてもよい。例えば、図2(a)に示すよう
に、セラミック触媒体の上流側に熱源としてのヒータを
できるだけ近接させて設置し(3cm以内)、加熱する
ことで、セラミック触媒体に入る排気ガス温度を300
℃以上に上げ、浄化性能を90%から97%に向上でき
る。電気エネルギーとしては、図2(b)のように、セ
ラミック触媒体の周囲にプラズマ発生装置を配置し、高
周波を供給して、セラミック触媒体にプラズマを供給す
る方法があり、同様の効果が得られる。
は、図1(c)に示した従来のセラミック触媒体に比べ
て、熱容量および圧損の低減が可能となる。また、この
セラミック触媒体の浄化性能を向上させるために、さら
に、外部から熱エネルギーや電気エネルギー等を投入す
る構成としてもよい。例えば、図2(a)に示すよう
に、セラミック触媒体の上流側に熱源としてのヒータを
できるだけ近接させて設置し(3cm以内)、加熱する
ことで、セラミック触媒体に入る排気ガス温度を300
℃以上に上げ、浄化性能を90%から97%に向上でき
る。電気エネルギーとしては、図2(b)のように、セ
ラミック触媒体の周囲にプラズマ発生装置を配置し、高
周波を供給して、セラミック触媒体にプラズマを供給す
る方法があり、同様の効果が得られる。
【0047】ここで、担体形状は、ハニカム形状の他、
ペレット、粉体等の形状であってもよい。さらに、図3
(a)〜(c)に示すフォーム体、繊維状および中空繊
維状であってもよく、ハニカム形状に比べて表面積が大
きくできる。特に、繊維状および中空繊維状の場合は、
ガスと触媒との接触面積を増すことができる。また、フ
ォーム体は、ペレット、粉体、繊維状および中空繊維状
より圧損が小さく、さらにガス流路が複雑となるため、
ガスと触媒とが触れやすく、反応効率が高い。
ペレット、粉体等の形状であってもよい。さらに、図3
(a)〜(c)に示すフォーム体、繊維状および中空繊
維状であってもよく、ハニカム形状に比べて表面積が大
きくできる。特に、繊維状および中空繊維状の場合は、
ガスと触媒との接触面積を増すことができる。また、フ
ォーム体は、ペレット、粉体、繊維状および中空繊維状
より圧損が小さく、さらにガス流路が複雑となるため、
ガスと触媒とが触れやすく、反応効率が高い。
【0048】
【実施例】以下に本発明の実施例および比較例を示す。
(実施例1〜6)コーディエライト化原料として、タル
ク、カオリン、アルミナおよび水酸化アルミニウムと、
Si源の10%をSiと価数が異なりNOx吸蔵能を有
する元素(Ba、Sr)の化合物を使用し、これら出発
原料をコーディエライトの理論組成点付近となるように
調合した。この調合原料に、バインダ、潤滑剤および保
湿剤、水分を適量添加し、混練して粘土状としたもの
を、セル壁厚100μm 、セル密度400cpsi(1
平方インチ当たりのセル個数)、直径50mmのハニカ
ム形状に成形した。このハニカム構造体を大気雰囲気で
1390℃で2時間保持することにより焼成して、本発
明のセラミック担体とした(実施例1、2)。
ク、カオリン、アルミナおよび水酸化アルミニウムと、
Si源の10%をSiと価数が異なりNOx吸蔵能を有
する元素(Ba、Sr)の化合物を使用し、これら出発
原料をコーディエライトの理論組成点付近となるように
調合した。この調合原料に、バインダ、潤滑剤および保
湿剤、水分を適量添加し、混練して粘土状としたもの
を、セル壁厚100μm 、セル密度400cpsi(1
平方インチ当たりのセル個数)、直径50mmのハニカ
ム形状に成形した。このハニカム構造体を大気雰囲気で
1390℃で2時間保持することにより焼成して、本発
明のセラミック担体とした(実施例1、2)。
【0049】また、コーディエライト化原料として、タ
ルク、カオリン、アルミナおよび水酸化アルミニウム
と、Al源の10%をAlと価数が異なりNOx吸蔵能
を有する元素(Ba、Sr)の化合物を使用して同様に
焼成したもの(実施例3、4)、コーディエライト化原
料として、タルク、カオリン、アルミナおよび水酸化ア
ルミニウムと、Mg源の10%をMgと価数が異なりN
Ox吸蔵能を有する元素(Cs、K)の化合物を使用し
て同様に焼成したもの(実施例5、6)を製作した。
ルク、カオリン、アルミナおよび水酸化アルミニウム
と、Al源の10%をAlと価数が異なりNOx吸蔵能
を有する元素(Ba、Sr)の化合物を使用して同様に
焼成したもの(実施例3、4)、コーディエライト化原
料として、タルク、カオリン、アルミナおよび水酸化ア
ルミニウムと、Mg源の10%をMgと価数が異なりN
Ox吸蔵能を有する元素(Cs、K)の化合物を使用し
て同様に焼成したもの(実施例5、6)を製作した。
【0050】得られたハニカム構造体のそれぞれにつ
き、コーディエライト結晶の結晶軸のa0 軸の格子定
数、Pt担持量、ハニカム構造体の流路方向の熱膨張係
数、および流路方向の圧壊強度、およびNOx吸蔵量を
測定して、結果を表1に記した。ここで、コーディエラ
イト結晶の結晶軸のa0 軸の格子定数は、X線回折の粉
末法でのコーディエライト(100)面の回折ピーク位
置から求め、回折ピーク位置の補正のためMn2 O3 を
測定サンプルに添加し、Mn2 O3(112+面)を基
準とした。Pt担持量は、白金溶液を用いてハニカム構
造体にPtを担持させたハニカム構造体を粉砕して蛍光
X線装置で測定した。熱膨張係数の測定は押棒式熱膨張
計法で行い、25℃から800℃の間の平均の熱膨張係
数で評価した。ハニカム構造体の流路方向の圧壊強度
は、直径1インチで長さ1インチの円柱を切り出し、流
路方向に荷重を加えて破壊された時点の圧力を圧壊強度
とした。また、NOx吸蔵量は、1000ppmNOガ
ス雰囲気下でO2 ガスを5%流した時(N2 バランス)
の、セラミック触媒体入口と出口におけるNOx濃度変
化から、NOx低下量、すなわちセラミック触媒体に吸
蔵されたNOx量を求め、NOx吸蔵量とした。
き、コーディエライト結晶の結晶軸のa0 軸の格子定
数、Pt担持量、ハニカム構造体の流路方向の熱膨張係
数、および流路方向の圧壊強度、およびNOx吸蔵量を
測定して、結果を表1に記した。ここで、コーディエラ
イト結晶の結晶軸のa0 軸の格子定数は、X線回折の粉
末法でのコーディエライト(100)面の回折ピーク位
置から求め、回折ピーク位置の補正のためMn2 O3 を
測定サンプルに添加し、Mn2 O3(112+面)を基
準とした。Pt担持量は、白金溶液を用いてハニカム構
造体にPtを担持させたハニカム構造体を粉砕して蛍光
X線装置で測定した。熱膨張係数の測定は押棒式熱膨張
計法で行い、25℃から800℃の間の平均の熱膨張係
数で評価した。ハニカム構造体の流路方向の圧壊強度
は、直径1インチで長さ1インチの円柱を切り出し、流
路方向に荷重を加えて破壊された時点の圧力を圧壊強度
とした。また、NOx吸蔵量は、1000ppmNOガ
ス雰囲気下でO2 ガスを5%流した時(N2 バランス)
の、セラミック触媒体入口と出口におけるNOx濃度変
化から、NOx低下量、すなわちセラミック触媒体に吸
蔵されたNOx量を求め、NOx吸蔵量とした。
【0051】
【表1】
【0052】(実施例7〜10)コーディエライト化原
料として、タルク、カオリン、アルミナおよび水酸化ア
ルミニウムと、Al源の10%をAlと価数が異なる酸
化タングステン(WO3)を使用し、コーディエライト
の理論組成点付近となるように調合した。この調合原料
に、バインダ、潤滑剤および保湿剤、水分を適量添加
し、混練して粘土状としたものを、セル壁厚100μm
、セル密度400cpsi(1平方インチ当たりのセ
ル個数)、直径50mmのハニカム形状に成形した。こ
のハニカム構造体を大気雰囲気で1390℃で2時間保
持することにより焼成した。得られたハニカム構造体
に、NOx吸蔵能を有する元素(Ba、Sr、Cs、
K)のイオンを担持した。NOx吸蔵能を有する元素を
担持させるための溶媒としては、水またはエタノールを
用い、ハニカム構造体を含浸、乾燥させた後、大気雰囲
気中で焼き付けて、本発明のセラミック担体とした。
料として、タルク、カオリン、アルミナおよび水酸化ア
ルミニウムと、Al源の10%をAlと価数が異なる酸
化タングステン(WO3)を使用し、コーディエライト
の理論組成点付近となるように調合した。この調合原料
に、バインダ、潤滑剤および保湿剤、水分を適量添加
し、混練して粘土状としたものを、セル壁厚100μm
、セル密度400cpsi(1平方インチ当たりのセ
ル個数)、直径50mmのハニカム形状に成形した。こ
のハニカム構造体を大気雰囲気で1390℃で2時間保
持することにより焼成した。得られたハニカム構造体
に、NOx吸蔵能を有する元素(Ba、Sr、Cs、
K)のイオンを担持した。NOx吸蔵能を有する元素を
担持させるための溶媒としては、水またはエタノールを
用い、ハニカム構造体を含浸、乾燥させた後、大気雰囲
気中で焼き付けて、本発明のセラミック担体とした。
【0053】得られたハニカム構造体のそれぞれにつ
き、Pt担持量、ハニカム構造体の流路方向の熱膨張係
数、および流路方向の圧壊強度、およびNOx吸蔵量を
測定して、結果を表2に記した。
き、Pt担持量、ハニカム構造体の流路方向の熱膨張係
数、および流路方向の圧壊強度、およびNOx吸蔵量を
測定して、結果を表2に記した。
【0054】
【表2】
【0055】(比較例1)次に、比較のため、コーディ
エライト化原料として、タルク、カオリン、アルミナお
よび水酸化アルミニウムを使用し、置換元素を用いず
に、同様の方法で得たコーディエライトハニカム構造体
を担体とし、γ−アルミナよりなるコート層を形成し
て、その表面に、NOx吸蔵能を有する元素(Ba)の
イオンとPt触媒を担持させた。同様の方法で、Pt担
持量、ハニカム構造体の流路方向の熱膨張係数、および
流路方向の圧壊強度、およびNOx吸蔵量を測定して、
結果を表2に併記した。なお、Pt担持量は、γ−アル
ミナをコートしないセラミック担体について測定した。
エライト化原料として、タルク、カオリン、アルミナお
よび水酸化アルミニウムを使用し、置換元素を用いず
に、同様の方法で得たコーディエライトハニカム構造体
を担体とし、γ−アルミナよりなるコート層を形成し
て、その表面に、NOx吸蔵能を有する元素(Ba)の
イオンとPt触媒を担持させた。同様の方法で、Pt担
持量、ハニカム構造体の流路方向の熱膨張係数、および
流路方向の圧壊強度、およびNOx吸蔵量を測定して、
結果を表2に併記した。なお、Pt担持量は、γ−アル
ミナをコートしないセラミック担体について測定した。
【0056】表1、2から明らかなように、コーディエ
ライト構成元素であるSi、Al、Mgを価数の小さな
元素で置換した実施例1〜6では、コーディエライト結
晶の結晶軸のa0 軸の格子定数は小さくなっており、コ
ーディエライト単位結晶格子に含まれる酸素数が減少し
て、酸素欠陥が形成していることが確認された。このセ
ラミック担体にPtを担持させたところ、4.5〜8.
6g/LのPtが担持され、図3(a)のように、NO
x吸蔵能を有する元素によって形成される酸素欠陥にP
tが担持されていると考えられる。実施例1〜6の熱膨
張係数はすべて、触媒担体に必要とされる1.0×10
-6/℃以下を満足する。流路方向の圧壊強度も、すべて
11.92MPa以上と触媒コンバータへの組付け荷重
に耐えるのに必要とされる流路方向の圧壊強度10MP
aを越えている。NOx吸蔵量は、0.7モル以上を示
し、NOx吸蔵触媒として十分使用できるレベルである
ことが分かる。
ライト構成元素であるSi、Al、Mgを価数の小さな
元素で置換した実施例1〜6では、コーディエライト結
晶の結晶軸のa0 軸の格子定数は小さくなっており、コ
ーディエライト単位結晶格子に含まれる酸素数が減少し
て、酸素欠陥が形成していることが確認された。このセ
ラミック担体にPtを担持させたところ、4.5〜8.
6g/LのPtが担持され、図3(a)のように、NO
x吸蔵能を有する元素によって形成される酸素欠陥にP
tが担持されていると考えられる。実施例1〜6の熱膨
張係数はすべて、触媒担体に必要とされる1.0×10
-6/℃以下を満足する。流路方向の圧壊強度も、すべて
11.92MPa以上と触媒コンバータへの組付け荷重
に耐えるのに必要とされる流路方向の圧壊強度10MP
aを越えている。NOx吸蔵量は、0.7モル以上を示
し、NOx吸蔵触媒として十分使用できるレベルである
ことが分かる。
【0057】また、実施例7〜10では、図3(b)の
ように、置換元素により酸素欠陥を形成したセラミック
担体に、NOx吸蔵能を有する元素とPt触媒を担持さ
せた構造となっている。実施例7〜10でも、Pt担持
量、熱膨張係数、流路方向の圧壊強度、NOx吸蔵量
は、実施例1〜6と同等レベルである。
ように、置換元素により酸素欠陥を形成したセラミック
担体に、NOx吸蔵能を有する元素とPt触媒を担持さ
せた構造となっている。実施例7〜10でも、Pt担持
量、熱膨張係数、流路方向の圧壊強度、NOx吸蔵量
は、実施例1〜6と同等レベルである。
【0058】ここで、本発明のセラミック担体は、図3
(a)に図示されるように、コーディエライト単位結晶
格子中のNOx吸蔵能を有する欠陥形成元素の近傍に触
媒が担持されるため、NOx吸蔵能が最大限に発揮され
ることになる。そのため、NOx吸蔵能のバラツキが小
さくなり、安定した製品を供給できる。図3(b)の構
成も同様であり、NOx吸蔵能を有する元素とPt触媒
が比較的近傍に担持されるため、バラツキはやや大きく
なるものの、NOx吸蔵量は増加し、同等の効果が得ら
れる。これに対し、比較例の構成では、比表面積の大き
なγ−アルミナに、NOx吸蔵能を有する元素とPt触
媒を担持させるため、これらの距離が近いものと遠いも
のができ、NOx吸蔵能のバラツキが大きくなる。
(a)に図示されるように、コーディエライト単位結晶
格子中のNOx吸蔵能を有する欠陥形成元素の近傍に触
媒が担持されるため、NOx吸蔵能が最大限に発揮され
ることになる。そのため、NOx吸蔵能のバラツキが小
さくなり、安定した製品を供給できる。図3(b)の構
成も同様であり、NOx吸蔵能を有する元素とPt触媒
が比較的近傍に担持されるため、バラツキはやや大きく
なるものの、NOx吸蔵量は増加し、同等の効果が得ら
れる。これに対し、比較例の構成では、比表面積の大き
なγ−アルミナに、NOx吸蔵能を有する元素とPt触
媒を担持させるため、これらの距離が近いものと遠いも
のができ、NOx吸蔵能のバラツキが大きくなる。
【0059】(実施例11〜14)コーディエライト化
原料として、タルク、カオリン、アルミナおよび水酸化
アルミニウムを用い、コーディエライトの構成元素であ
るAlをWで元素置換したセラミック担体を作製した。
まず、コーディエライト化原料から、予めAl源の5〜
20%を減らした材料を使用し、上記各実施例と同様の
方法でハニカム形状の成形体を作製し、乾燥させた。次
いで、この乾燥体を置換元素であるWの化合物としてW
O3 を含む溶液に含浸させた。これを溶液から取り出
し、乾燥させて、ハニカム成形体の表面に置換されるW
O3 が多く存在する状態とし、大気雰囲気中、900℃
で脱脂した後、昇温速度5〜75℃/hr、1300〜
1390に保持して焼成した。
原料として、タルク、カオリン、アルミナおよび水酸化
アルミニウムを用い、コーディエライトの構成元素であ
るAlをWで元素置換したセラミック担体を作製した。
まず、コーディエライト化原料から、予めAl源の5〜
20%を減らした材料を使用し、上記各実施例と同様の
方法でハニカム形状の成形体を作製し、乾燥させた。次
いで、この乾燥体を置換元素であるWの化合物としてW
O3 を含む溶液に含浸させた。これを溶液から取り出
し、乾燥させて、ハニカム成形体の表面に置換されるW
O3 が多く存在する状態とし、大気雰囲気中、900℃
で脱脂した後、昇温速度5〜75℃/hr、1300〜
1390に保持して焼成した。
【0060】得られたハニカム構造体を、NOx吸蔵能
を有する金属元素(Na、Mg、Y、Zr)の硝酸塩
と、触媒原料(0.07mol/L塩化白金酸、0.0
5mol/L塩化ロジウム)を含む水またはアルコール
溶液に含浸した。溶液から取り出したハニカム構造体を
乾燥させた後、大気雰囲気中、500℃で2時間焼成し
て、セラミック触媒体を得た。
を有する金属元素(Na、Mg、Y、Zr)の硝酸塩
と、触媒原料(0.07mol/L塩化白金酸、0.0
5mol/L塩化ロジウム)を含む水またはアルコール
溶液に含浸した。溶液から取り出したハニカム構造体を
乾燥させた後、大気雰囲気中、500℃で2時間焼成し
て、セラミック触媒体を得た。
【0061】得られたセラミック触媒体のNOx吸蔵量
を、同様の方法でそれぞれ測定し、結果を表3に記し
た。塩基性の強いアルカリ金属(Na)、アルカリ土類
金属(Mg)の他、希土類(Y)、遷移金属(Zr)の
各元素でもNO吸蔵能を示すことが確認された。また、
置換元素であるWの結合エネルギーをXPSを用いて測
定したところ、触媒成分およびNOx吸蔵能を有する元
素を担持させることによって、結合エネルギーが変化し
ており、これら元素との間に化学結合が存在しているこ
とが確認された。セラミック担体の他の構成元素には、
価数の変化は見られなかった。
を、同様の方法でそれぞれ測定し、結果を表3に記し
た。塩基性の強いアルカリ金属(Na)、アルカリ土類
金属(Mg)の他、希土類(Y)、遷移金属(Zr)の
各元素でもNO吸蔵能を示すことが確認された。また、
置換元素であるWの結合エネルギーをXPSを用いて測
定したところ、触媒成分およびNOx吸蔵能を有する元
素を担持させることによって、結合エネルギーが変化し
ており、これら元素との間に化学結合が存在しているこ
とが確認された。セラミック担体の他の構成元素には、
価数の変化は見られなかった。
【0062】
【表3】
【0063】(実施例15〜16)コーディエライト化
原料として、タルク、カオリン、アルミナおよび水酸化
アルミニウムと、Si源の20%をSiと価数が異なる
酸化タングステン(WO3)10%と、Siと価数が異
なりNOx吸蔵能を有する元素(Ba、Sr)の化合物
10%を使用し、これら出発原料をコーディエライトの
理論組成点付近となるように調合した。この調合原料
に、バインダ、潤滑剤および保湿剤、水分を適量添加
し、混練して粘土状としたものを、セル壁厚100μm
、セル密度400cpsi(1平方インチ当たりのセ
ル個数)、直径50mmのハニカム形状に成形した。こ
のハニカム構造体を大気雰囲気で1290℃で2時間保
持することにより焼成して、本発明のセラミック担体と
した(実施例15、16)。
原料として、タルク、カオリン、アルミナおよび水酸化
アルミニウムと、Si源の20%をSiと価数が異なる
酸化タングステン(WO3)10%と、Siと価数が異
なりNOx吸蔵能を有する元素(Ba、Sr)の化合物
10%を使用し、これら出発原料をコーディエライトの
理論組成点付近となるように調合した。この調合原料
に、バインダ、潤滑剤および保湿剤、水分を適量添加
し、混練して粘土状としたものを、セル壁厚100μm
、セル密度400cpsi(1平方インチ当たりのセ
ル個数)、直径50mmのハニカム形状に成形した。こ
のハニカム構造体を大気雰囲気で1290℃で2時間保
持することにより焼成して、本発明のセラミック担体と
した(実施例15、16)。
【0064】得られたハニカム構造体のそれぞれにつ
き、Pt担持量、ハニカム構造体の流路方向の熱膨張係
数、および流路方向の圧壊強度、およびNOx吸蔵量を
測定して、結果を表4に記した。
き、Pt担持量、ハニカム構造体の流路方向の熱膨張係
数、および流路方向の圧壊強度、およびNOx吸蔵量を
測定して、結果を表4に記した。
【0065】(実施例17〜18)コーディエライト化
原料として、タルク、カオリン、アルミナおよび水酸化
アルミニウムと、Si源の20%をSiと価数が異なる
酸化タングステン(WO3)10%と、酸化コバルト
(CoO)10%を使用して置換し、これら出発原料を
コーディエライトの理論組成点付近となるように調合し
た。この調合原料に、バインダ、潤滑剤および保湿剤、
水分を適量添加し、混練して粘土状としたものを、セル
壁厚100μm 、セル密度400cpsi(1平方イン
チ当たりのセル個数)、直径50mmのハニカム形状に
成形した。このハニカム構造体を大気雰囲気で1290
℃で2時間保持することにより焼成して、本発明のセラ
ミック担体とした。
原料として、タルク、カオリン、アルミナおよび水酸化
アルミニウムと、Si源の20%をSiと価数が異なる
酸化タングステン(WO3)10%と、酸化コバルト
(CoO)10%を使用して置換し、これら出発原料を
コーディエライトの理論組成点付近となるように調合し
た。この調合原料に、バインダ、潤滑剤および保湿剤、
水分を適量添加し、混練して粘土状としたものを、セル
壁厚100μm 、セル密度400cpsi(1平方イン
チ当たりのセル個数)、直径50mmのハニカム形状に
成形した。このハニカム構造体を大気雰囲気で1290
℃で2時間保持することにより焼成して、本発明のセラ
ミック担体とした。
【0066】得られたハニカム構造体に、NOx吸蔵能
を有する元素(Ba、K)のイオンを担持した。NOx
吸蔵能を有する元素を担持させるための溶媒としては、
水またはエタノールを用い、ハニカム構造体を含浸、乾
燥させた後、大気雰囲気中で焼き付けて、本発明のセラ
ミック担体とした。(実施例17、18)。
を有する元素(Ba、K)のイオンを担持した。NOx
吸蔵能を有する元素を担持させるための溶媒としては、
水またはエタノールを用い、ハニカム構造体を含浸、乾
燥させた後、大気雰囲気中で焼き付けて、本発明のセラ
ミック担体とした。(実施例17、18)。
【0067】得られたハニカム構造体のそれぞれにつ
き、Pt担持量、ハニカム構造体の流路方向の熱膨張係
数、および流路方向の圧壊強度、およびNOx吸蔵量を
測定して、結果を表4に記した。
き、Pt担持量、ハニカム構造体の流路方向の熱膨張係
数、および流路方向の圧壊強度、およびNOx吸蔵量を
測定して、結果を表4に記した。
【0068】
【表4】
【図1】(a)、(b)は本発明のセラミック触媒体の
構造を示す模式図、(c)は従来のセラミック触媒体の
構造を示す模式図である。
構造を示す模式図、(c)は従来のセラミック触媒体の
構造を示す模式図である。
【図2】(a)、(b)は本発明のセラミック触媒体に
エネルギーを供給する手段を併設した構成を示す図であ
る。
エネルギーを供給する手段を併設した構成を示す図であ
る。
【図3】本発明のセラミック触媒体の形状例を示す図
で、(a)はフォーム体、(b)は繊維状、(c)は中
空繊維状のセラミック触媒体を示す模式図である。
で、(a)はフォーム体、(b)は繊維状、(c)は中
空繊維状のセラミック触媒体を示す模式図である。
【図4】(a)は実施例1〜6のセラミック触媒体の構
成を示す模式図、(b)は実施例7〜10のセラミック
触媒体の構成を示す模式図、(c)は比較例1のセラミ
ック触媒体の構成を示す模式図である。
成を示す模式図、(b)は実施例7〜10のセラミック
触媒体の構成を示す模式図、(c)は比較例1のセラミ
ック触媒体の構成を示す模式図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考)
C04B 41/85 F01N 3/28 301C
F01N 3/28 301P
301 B01D 53/36 104A
ZAB
102H
(72)発明者 小池 和彦
愛知県西尾市下羽角町岩谷14番地 株式会
社日本自動車部品総合研究所内
(72)発明者 田中 政一
愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 株式会
社デンソー内
(72)発明者 近藤 寿治
愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 株式会
社デンソー内
(72)発明者 近藤 高史
愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 株式会
社デンソー内
(72)発明者 長谷 智実
愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 株式会
社デンソー内
(72)発明者 長谷川 順
愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 株式会
社デンソー内
Fターム(参考) 3G091 AA02 AB06 BA01 GA06 GA11
GB02Y GB04Y GB10X GB17X
4D048 AA06 AB02 AB07 BA03X
BA14X BA15X BA18X BA27X
BA30X BA31Y BA32Y BA33X
BA34Y BA41X BB01 BB02
BB08 BB17 EA04
4G019 FA11 FA12 FA13
4G069 AA03 AA08 BA01B BC01A
BC03B BC06B BC08A BC12B
BC13B BC29A BC32A BC33A
BC38A BC60B BC68B BC69A
BC71B BC75B CA03 CA08
CA13 DA06 EA02X EA03X
EA19 EB11 EC09X EC09Y
ED03 ED06 ED10 FA01 FA02
FA03 FB14 FB17 FB19
Claims (16)
- 【請求項1】 基材セラミック表面に触媒成分を直接担
持可能なセラミック担体に触媒成分を担持してなるセラ
ミック触媒体であって、上記セラミック担体がNOx吸
蔵能を有する金属元素を含有することを特徴とするセラ
ミック触媒体。 - 【請求項2】 上記セラミック担体の上記基材セラミッ
ク構成元素の一部を、上記NOx吸蔵能を有する金属元
素で置換することにより、NOx吸蔵能を付与した請求
項1記載のセラミック触媒体。 - 【請求項3】 上記触媒成分を直接担持可能なセラミッ
ク担体に、上記NOx吸蔵能を有する金属元素を担持す
ることにより、NOx吸蔵能を付与した請求項1記載の
セラミック触媒体。 - 【請求項4】 上記触媒成分が上記NOx吸蔵能を有す
る金属元素に近接して担持される請求項3記載のセラミ
ック触媒体。 - 【請求項5】 上記NOx吸蔵能を有する金属元素がア
ルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、希土類元素ま
たは遷移金属元素である請求項1ないし4のいずれか記
載のセラミック触媒体。 - 【請求項6】 上記セラミック担体は、上記基材セラミ
ックを構成する元素のうち少なくとも1種類またはそれ
以上の元素が、構成元素以外の元素と置換されており、
この置換元素に対して上記触媒成分もしくは上記NOx
吸蔵能を有する金属元素を直接担持可能であることを特
徴とする請求項3記載のセラミック触媒体。 - 【請求項7】 上記置換元素上に上記触媒成分もしくは
上記NOx吸蔵能を有する金属元素が化学的結合により
担持されていることを特徴とする請求項6記載のセラミ
ック触媒体。 - 【請求項8】 上記置換元素はその電子軌道にdまたは
f軌道を有する少なくとも1種類またはそれ以上の元素
である請求項6または7記載のセラミック触媒体。 - 【請求項9】 上記セラミック担体は、上記基材セラミ
ック表面に上記触媒成分を直接担持可能な細孔を有して
おり、この細孔に対して上記触媒成分もしくは上記NO
x吸蔵能を有する金属元素を直接担持可能であることを
特徴とする請求項3記載のセラミック触媒体。 - 【請求項10】 上記触媒成分を直接担持可能な細孔
が、セラミック結晶格子中の欠陥、セラミック表面の微
細なクラックおよびセラミックを構成する元素の欠損の
うち、少なくとも1種類からなる請求項9記載のセラミ
ック触媒体。 - 【請求項11】 上記微細なクラックの幅が100nm
以下である請求項10記載のセラミック触媒体。 - 【請求項12】 上記触媒成分を直接担持可能な細孔の
直径あるいは幅が、担持する触媒成分イオンの直径の1
000倍以下の直径あるいは幅であり、上記細孔の数が
1×1011個/L以上である請求項10記載のセラミッ
ク触媒体。 - 【請求項13】 上記基材セラミックがコーディエライ
トを主成分として含有し、上記細孔がコーディエライト
の構成元素の一部を価数の異なる金属元素で置換するこ
とにより形成される欠陥からなる請求項10記載のセラ
ミック触媒体。 - 【請求項14】 上記欠陥は酸素欠陥または格子欠陥の
少なくとも1種類からなり、コーディエライトの単位結
晶格子に欠陥を1個以上有するコーディエライト結晶を
4×10-6%以上含有する請求項13記載のセラミック
触媒体。 - 【請求項15】 上記触媒成分が貴金属である請求項1
ないし14のいずれか記載のセラミック触媒体。 - 【請求項16】 上記セラミック担体の担体形状が、ハ
ニカム状、ペレット状、粉体、フォーム体、繊維状およ
び中空繊維状の少なくとも1種類である請求項1ないし
15のいずれか記載のセラミック触媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001300326A JP2003112048A (ja) | 2000-09-29 | 2001-09-28 | セラミック触媒体 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000-297944 | 2000-09-29 | ||
JP2000297944 | 2000-09-29 | ||
JP2001229018 | 2001-07-30 | ||
JP2001-229018 | 2001-07-30 | ||
JP2001300326A JP2003112048A (ja) | 2000-09-29 | 2001-09-28 | セラミック触媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003112048A true JP2003112048A (ja) | 2003-04-15 |
Family
ID=27344792
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001300326A Withdrawn JP2003112048A (ja) | 2000-09-29 | 2001-09-28 | セラミック触媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003112048A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007196212A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-08-09 | Denso Corp | 六角ハニカム構造体 |
WO2009118872A1 (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | イビデン株式会社 | ハニカム構造体 |
WO2009118874A1 (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | イビデン株式会社 | ハニカム構造体 |
WO2009118871A1 (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | イビデン株式会社 | ハニカム構造体 |
WO2009118873A1 (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | イビデン株式会社 | ハニカム構造体 |
US8197767B2 (en) | 2009-03-31 | 2012-06-12 | Ibiden Co., Ltd. | Honeycomb structure |
-
2001
- 2001-09-28 JP JP2001300326A patent/JP2003112048A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007196212A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-08-09 | Denso Corp | 六角ハニカム構造体 |
WO2009118872A1 (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | イビデン株式会社 | ハニカム構造体 |
WO2009118874A1 (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | イビデン株式会社 | ハニカム構造体 |
WO2009118871A1 (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | イビデン株式会社 | ハニカム構造体 |
WO2009118873A1 (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | イビデン株式会社 | ハニカム構造体 |
US7851403B2 (en) | 2008-03-27 | 2010-12-14 | Ibiden Co., Ltd. | Honeycomb structure |
JPWO2009118871A1 (ja) * | 2008-03-27 | 2011-07-21 | イビデン株式会社 | ハニカム構造体 |
US8323766B2 (en) | 2008-03-27 | 2012-12-04 | Ibiden Co., Ltd. | Honeycomb structure |
US8323767B2 (en) | 2008-03-27 | 2012-12-04 | Ibiden Co., Ltd. | Honeycomb structure |
JP5249791B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2013-07-31 | イビデン株式会社 | ハニカム構造体 |
JP5249790B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2013-07-31 | イビデン株式会社 | ハニカム構造体 |
US8197767B2 (en) | 2009-03-31 | 2012-06-12 | Ibiden Co., Ltd. | Honeycomb structure |
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