JPS63234578A - ホ−ル効果装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、砒化ガリウムを出発材料とするホール効果を
持つホール効果装置に関するものである。

従来の技術 従来、この種の砒化ガリウムホール効果装置は、第４図
、第５図に示すような構造であった。第４図、第５図に
おいて、１．２は入力電極、３．４は出力電極、６はｎ
活性層、６はホール効果検出部、８はオーミックメタル
、９は？活性層、１ｏはボンディングワイヤー、１１は
ＧａＡｓセミインシュレータ層、１２．１３は５ｉ０２
層、１４はパッシベーション層でアル。

発明が解決しようとする問題点 このような従来の構造では、通常ホール効果検出部６の
面積がチップ面積の晃以上を占めていた。

そのためウェーハの影響を非常に受けやすかった。

特にエッチビットデンシテー（以下Ｅ、Ｐ、Ｄ　）やウ
ェーハの不純物の影響を受けやすく不平衡電圧が大きく
なるという問題があった。

本発明は、このような問題を解決するもので、Ｅ、Ｐ、
Ｄやウェーハの不純物の影響を受けにくくシ、不平衡電
圧が大きくなるのを抑えることを目的とするものである
。

問題点を解決するだめの手段 この問題を解決するために本発明は、ホール効果検出部
の周辺の活性層をオーミックメタルを介して配線層に接
続し、オーミックメタルの接続部分以外の配線層上にボ
ンディングパットを形成した構造にした。

作用 この構造により、ホール効果検出部の面積を小さくする
ことができるため、ウェーハの影響を受けにくくなり、
安定な素子が実現でき、不平衡電圧は小さくなり拡散歩
留りが向上するという作用が得られる。

実施例 第１図は、本発明の一実施例によるホール効果装置の断
面図であり、第２図はその平面図である。

第１図、第２図において、１，２は入力電極、３゜４は
出力電極、６はホール効果検出部６０周辺のｎ活性層、
６はホール効果検出部、７は配線まだは引きまわし電極
（これらを総称して配線層と呼ぶ）、８はｎ活性層５の
端部と配線層７とを接続するオーミックメタル、９はオ
ーミック接触を良好にするだめの？活性層、１０は配線
層７の最外端に形成されたポンデイングパツド（入出力
電極１〜４に相当）に接続されたボンディングワイヤー
、１１はＧａＡｓセミインシュレータ層、１２゜１３は
５ｉ０２層１４はパッシベーション層である。

第１図、第２図から明らかなように、本実施例において
は、ホール効果検出部６の周辺のｎ活性層６がオーミッ
クメタル８を介して配線層７に接続され、この配線層７
の他端にボンディングパッドが形成されている。

このようにすればホール効果検出部６の面積を小さくす
ることができ、その結果、ウェーノ・の影響を受けにく
くなり、安定な素子が実現できる。

また不平衡行田が小さくなるだめ、拡散歩留りも向上す
る。

さらに、従来の構成であれば、オーミックメタル８とポ
ンデイングパツドが同一箇所にあるだめ、このホール効
果装置と同一の基板上に他の素子（たとえばＦＥＴや抵
抗）を組込むことができず、別の基板に形成した他の素
子とホール効果装置とをワイヤーで接続することしかで
きなかったが、本実施例のようにオーミックメタル８と
ボンディングパッドの位置をずらし、その間を配線層７
で接続すれば、この配線層７の一部に抵抗層を組込んだ
り、ＦＥＴ等の素子を組込むことができる。

このだめホール効果装置とその周辺回路とを同一基板上
に集積化することも可能になる。

なお、ホール効果検出部６而積を小さくしても、従来の
マスクパターンをそのまま縮小すれば検出感度が悪くな
ることはない。

すなわち、第５図に示す従来例において、検出感度は入
力電極１．２間の距離ｌとｎ活性層５の幅Ｗ、出力電極
３．４間の距離ｌ′とｎ活性層５の幅Ｗ′の比ｌ：ｗ：
１’：ｗ’で決まり、この比を最適に設定することによ
って最高の検出感度を得ることができる。したがって第
１図に示す実施例においても、ホール効果検出部６とｎ
活性層５の長さおよび幅の比を、第５図の従来例での最
適比と同じになるように設定すれば、従来と同様の検出
感度が得られる。

第３図は従来製品と本実施例製品の不平衡電圧特性を比
較して示すものであシ、人は本実施例のＢは従来の特性
である。第３図から本実施例によれば、不平衡電圧が従
来のものに比べて著しく小くなっていることがわかる。

発明の効果 以上のように、本発明によれば、ウェーハの影響を受け
にくくなり、不平衡電圧が小さくなるため拡散歩留りが
向上し、かつチップサイズが縮小できるという効果が得
られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例によるホール効果装置の断面
図、第２図はその平面図、第３図は従来製品と本発明実
施例製品の不平衡電圧特性を比較した特性図、第４図は
従来のホール効果装置の断面図、第６図はその平面図で
ある。 １．２・・・・・入力電極、３．４・・・・出力電極、
５・・・・・・ｎ活性層、６・・・・・ホール効果検出
部、７・・・・配線層、８・・・・・オーミックメタル
、９・・・・ｎ十活性層、１ｏ・・・・・・ボンディン
グワイヤー、１１・・・・・・Ｇ＆人Ｓセミインシュレ
ータ層、１２．１３・・・・・・３ｉ０．、　層、　１
４・・・・・・パッシベーション層。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名＋４
−−△７３電歇 ３．４−−−ｊ汽力′Ｉ ｓ　−−−ｎ珀１ ６−−−エー、レタカＶ験出薔や ７−　配係］ １０−、ｒｃ’ソ；２ンｙ”−７（ｆ ｒｔ−ｃ、ｔＬうメＳインシュレタ 第３図 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　ホール効果検出部の周辺の活性層をオーミックメタル
   を介して配線層に接続し、上記オーミックメタルの接続
   部分以外の上記配線層上にボンディングパッドを形成し
   たことを特徴とするホール効果装置。