JPH0360050A - 半導体装置 - Google Patents
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に係り、特に電源リード、GNDリ
ードを強化し、集積回路チップに電流を多く供給するこ
とのできるICパッケージに関する。
ードを強化し、集積回路チップに電流を多く供給するこ
とのできるICパッケージに関する。
第3図は従来の半導体装置を示す平面図、第4図は第3
図のA−A’線に沿って切断して見た断面図である。
図のA−A’線に沿って切断して見た断面図である。
第3図、第4図において、本実施例の半導体装置は、半
導体集積回路チップ21を、絶縁基体26上に固着し、
チップ21の主面上のポンディングパッド22と、外部
引き出し用のリード端とを、ボンディングワイヤ25で
、電気的に接続している。
導体集積回路チップ21を、絶縁基体26上に固着し、
チップ21の主面上のポンディングパッド22と、外部
引き出し用のリード端とを、ボンディングワイヤ25で
、電気的に接続している。
ここで、外部引き出し用のリードとして、電源リード2
4′と、GND (接地)リード24と、信号用リード
23とが設けられていた。
4′と、GND (接地)リード24と、信号用リード
23とが設けられていた。
ここで、電源・GNDを強化する時は、信号用リード2
3を、電源GND用リード27のように使用していた。
3を、電源GND用リード27のように使用していた。
前述した従来のICパッケージは、電源リード24’、
GNDリード24が信号用リード23と並んで形成され
ているので、集積回路チップ21の電源、GNDを強化
しようとすると、通常の電源GND用リードの他に、信
号用リード23を電源、GND用リードとして使用しな
ければならない。この信号用リード23は、電源、GN
D用リードに比べて、幅が狭く、抵抗が大きいので、大
きい電流を供給できないという欠点がある。
GNDリード24が信号用リード23と並んで形成され
ているので、集積回路チップ21の電源、GNDを強化
しようとすると、通常の電源GND用リードの他に、信
号用リード23を電源、GND用リードとして使用しな
ければならない。この信号用リード23は、電源、GN
D用リードに比べて、幅が狭く、抵抗が大きいので、大
きい電流を供給できないという欠点がある。
本発明の目的は、前記欠点が解決され、電源リード、G
ND用リードに大きい電流を流し得るようにした半導体
装置を提供することにある。
ND用リードに大きい電流を流し得るようにした半導体
装置を提供することにある。
本発明の構成は、絶縁基体の主面上に半導体集積回路チ
ップが固着され、前記チップの周囲を囲むように、前記
基体の主面上に外部導出リードが設けられ、前記チップ
上のパッドと前記リードとをボンディングワイヤで接続
した半導体装置において、前記チップと前記リードとの
間でかつ前記絶縁基板の主面上に、電源用導電膜、接地
用導電膜が形成され、これら導電膜と、前記チップ上の
パッドとがボンディングワイヤで接続されていることを
特徴とする。
ップが固着され、前記チップの周囲を囲むように、前記
基体の主面上に外部導出リードが設けられ、前記チップ
上のパッドと前記リードとをボンディングワイヤで接続
した半導体装置において、前記チップと前記リードとの
間でかつ前記絶縁基板の主面上に、電源用導電膜、接地
用導電膜が形成され、これら導電膜と、前記チップ上の
パッドとがボンディングワイヤで接続されていることを
特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の半導体装置の平面図、第2
図は第1図のA−A’線に沿って切断して見た断面図で
ある。
図は第1図のA−A’線に沿って切断して見た断面図で
ある。
第1図、第2図において、本実施例の半導体装置は、絶
縁基体16の主面上略中央部に、半導体集積回路チップ
11が固着され、このチップ11の側面を囲むように、
GND用導電導電膜14体16の主面上に形成され、さ
らにGND用導電導電膜14側を囲むように、電源用導
電膜14′が基体16の主面上に形成され、この電源用
導電膜14′の外側に、外部導出用の信号用リード13
が、基板16の主面上に形成される。ここで、チップ1
1上のパッド12とボンディングワイヤ15で、電源用
導電膜14’、GND用導電導電膜14号用リード13
と、それぞれ接続される。
縁基体16の主面上略中央部に、半導体集積回路チップ
11が固着され、このチップ11の側面を囲むように、
GND用導電導電膜14体16の主面上に形成され、さ
らにGND用導電導電膜14側を囲むように、電源用導
電膜14′が基体16の主面上に形成され、この電源用
導電膜14′の外側に、外部導出用の信号用リード13
が、基板16の主面上に形成される。ここで、チップ1
1上のパッド12とボンディングワイヤ15で、電源用
導電膜14’、GND用導電導電膜14号用リード13
と、それぞれ接続される。
これら導電膜14,14’、及びリード13は、基体1
6の裏面から引き出されたピン37.37’37″に、
電気的に接続されている。半導体集積回路チップ11に
、電源、GNDを供給する為の電源、GND用導電導電
膜144’と、ポンディングパッド12とを、ボンディ
ングワイヤ15で接続することにより、半導体集積回路
チップ11に電源、GNDを供給することができる。
6の裏面から引き出されたピン37.37’37″に、
電気的に接続されている。半導体集積回路チップ11に
、電源、GNDを供給する為の電源、GND用導電導電
膜144’と、ポンディングパッド12とを、ボンディ
ングワイヤ15で接続することにより、半導体集積回路
チップ11に電源、GNDを供給することができる。
以上説明したように、本発明は、絶縁基体上に固定した
半導体集積回路チップと絶縁基体周辺の信号用リードと
の間に、半導体集積回路チップを囲むように電源用導電
膜とGND用導電膜とを有することにより、信号用リー
ドを使用せずに、電源、GND用導電膜をボンディング
ワイヤでポンディングパットに接続し、半導体集積回路
チップ内に大きい電流を供給できるという効果がある。
半導体集積回路チップと絶縁基体周辺の信号用リードと
の間に、半導体集積回路チップを囲むように電源用導電
膜とGND用導電膜とを有することにより、信号用リー
ドを使用せずに、電源、GND用導電膜をボンディング
ワイヤでポンディングパットに接続し、半導体集積回路
チップ内に大きい電流を供給できるという効果がある。
4、
第1図は本発明の一実施例の半導体装置を示す平面図、
第2図は第1図のA−A’線に沿って切断した断面図、
第3図は従来の半導体装置を示す平面図、第4図は第3
図のA−A’線に沿って切断した断面図である。 11.21・・・・・・半導体集積回路チップ、12゜
22・・・・・・パッド、13,23・・・・・・信号
用リード、14.14’・・・・・・導電膜、15.1
5’、25・・・・・・ボンディングワイヤ、16・・
・・・・絶縁基体、24゜24′・・・・・・電源GN
D用リード、37.37’37″、46・・・・・・入
出力ピン。
第2図は第1図のA−A’線に沿って切断した断面図、
第3図は従来の半導体装置を示す平面図、第4図は第3
図のA−A’線に沿って切断した断面図である。 11.21・・・・・・半導体集積回路チップ、12゜
22・・・・・・パッド、13,23・・・・・・信号
用リード、14.14’・・・・・・導電膜、15.1
5’、25・・・・・・ボンディングワイヤ、16・・
・・・・絶縁基体、24゜24′・・・・・・電源GN
D用リード、37.37’37″、46・・・・・・入
出力ピン。
Claims (1)
- 絶縁基体の主面上に半導体集積回路チップが固着され、
前記チップの周囲を囲むように、前記基体の主面上に外
部導出リードが設けられ、前記チップ上のパッドと前記
リードとをボンディングワイヤで接続した半導体装置に
おいて、前記チップと前記リードとの間でかつ前記絶縁
基板の主面上に、電源用導電膜、接地用導電膜が形成さ
れ、これら導電膜と、前記チップ上のパッドとがボンデ
ィングワイヤで接続されていることを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1195525A JPH0360050A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1195525A JPH0360050A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0360050A true JPH0360050A (ja) | 1991-03-15 |
Family
ID=16342543
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1195525A Pending JPH0360050A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0360050A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5629840A (en) * | 1992-05-15 | 1997-05-13 | Digital Equipment Corporation | High powered die with bus bars |
US5726490A (en) * | 1994-09-26 | 1998-03-10 | Nec Corporation | Semiconductor device |
US5798909A (en) * | 1995-02-15 | 1998-08-25 | International Business Machines Corporation | Single-tiered organic chip carriers for wire bond-type chips |
US6242814B1 (en) | 1998-07-31 | 2001-06-05 | Lsi Logic Corporation | Universal I/O pad structure for in-line or staggered wire bonding or arrayed flip-chip assembly |
-
1989
- 1989-07-27 JP JP1195525A patent/JPH0360050A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5629840A (en) * | 1992-05-15 | 1997-05-13 | Digital Equipment Corporation | High powered die with bus bars |
US5726490A (en) * | 1994-09-26 | 1998-03-10 | Nec Corporation | Semiconductor device |
US5798909A (en) * | 1995-02-15 | 1998-08-25 | International Business Machines Corporation | Single-tiered organic chip carriers for wire bond-type chips |
US6242814B1 (en) | 1998-07-31 | 2001-06-05 | Lsi Logic Corporation | Universal I/O pad structure for in-line or staggered wire bonding or arrayed flip-chip assembly |
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