JPS63122159A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS63122159A JPS63122159A JP61268213A JP26821386A JPS63122159A JP S63122159 A JPS63122159 A JP S63122159A JP 61268213 A JP61268213 A JP 61268213A JP 26821386 A JP26821386 A JP 26821386A JP S63122159 A JPS63122159 A JP S63122159A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の構造に関し、特にリードフレーム
を使用する半導体装置におけるリードフレームの構造に
関するものである。
を使用する半導体装置におけるリードフレームの構造に
関するものである。
従来のリードフレームにおいては、アイランドと電気的
な結合を必要とする場合には、アイランドとリードを切
シ離さないよう設計し加工しなければならなかった、ま
たこのような手段を回避するため、アイランド吊シの部
分からリードへフイアボンデイングを行うという手法も
用いられるが、この方法でもアイランド吊シと隣接する
リードにのみしか適用できないという欠点があった。
な結合を必要とする場合には、アイランドとリードを切
シ離さないよう設計し加工しなければならなかった、ま
たこのような手段を回避するため、アイランド吊シの部
分からリードへフイアボンデイングを行うという手法も
用いられるが、この方法でもアイランド吊シと隣接する
リードにのみしか適用できないという欠点があった。
上述した従来の構造のリードフレームでは、アイランド
と結合したリード（以下グラウンドピンと称する）がそ
の加工時に固定されてしまうためリードフレームの利用
性が乏しくなるという欠点が有る。
と結合したリード（以下グラウンドピンと称する）がそ
の加工時に固定されてしまうためリードフレームの利用
性が乏しくなるという欠点が有る。
本発明による半導体装置では、リードフレーム上にアイ
ランド部分を取シ囲むように絶縁性樹脂膜と更にその上
に設けられた導電性金属薄膜を有している。
ランド部分を取シ囲むように絶縁性樹脂膜と更にその上
に設けられた導電性金属薄膜を有している。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図（ｂ）及び上面図
（０である。半導体素子１は、全編細線２でリードフレ
ームと電気的に結合している。またアイランド３は金属
細線２Ｉによって絶縁性樹脂［４の上に設けられた金属
薄膜５と電気的に結合している、ここでグラウンドピン
として必要なリード６は金属細線２″によって金属薄膜
５と結合しておシ、グラウンドピンとして機能するので
ある。尚絶縁性樹脂としてはポリイミド、金属薄膜とし
ては銅十ニッケル＋金の三層構造が適当である。この絶
縁性樹脂膜４は裏面の粘着層（図中では省略）によシリ
ードフレームと接着されている。
（０である。半導体素子１は、全編細線２でリードフレ
ームと電気的に結合している。またアイランド３は金属
細線２Ｉによって絶縁性樹脂［４の上に設けられた金属
薄膜５と電気的に結合している、ここでグラウンドピン
として必要なリード６は金属細線２″によって金属薄膜
５と結合しておシ、グラウンドピンとして機能するので
ある。尚絶縁性樹脂としてはポリイミド、金属薄膜とし
ては銅十ニッケル＋金の三層構造が適当である。この絶
縁性樹脂膜４は裏面の粘着層（図中では省略）によシリ
ードフレームと接着されている。
第２図は本発明の実施例２の上面図である。アイランド
３は金属細線２′及び２″と絶縁性樹脂膜４の上に設け
られた金属薄膜４を介してリード６′と電気的に結合し
ているため、リード６′はグラウンドピンとして機能す
るのである。
３は金属細線２′及び２″と絶縁性樹脂膜４の上に設け
られた金属薄膜４を介してリード６′と電気的に結合し
ているため、リード６′はグラウンドピンとして機能す
るのである。
以上説明したように、本発明においてはリードフレーム
上にリードフレームとは絶縁された状態の金属薄膜を設
け、必要なリードにワイアボンディングを行うことＫよ
シ、任意のリードをグラウンドピンとして機能させるこ
とができる。これによシ、リードフレームの内部形状は
グラウンドピンとするリードを設けるために変更する必
要がなくなシリードフレームの測用性が増し、加えて、
同一形状のリードフレームのみで良くなるため、量産効
果によシコストも低減できるのである。
上にリードフレームとは絶縁された状態の金属薄膜を設
け、必要なリードにワイアボンディングを行うことＫよ
シ、任意のリードをグラウンドピンとして機能させるこ
とができる。これによシ、リードフレームの内部形状は
グラウンドピンとするリードを設けるために変更する必
要がなくなシリードフレームの測用性が増し、加えて、
同一形状のリードフレームのみで良くなるため、量産効
果によシコストも低減できるのである。
第１図（ａ）は本発明の実２ｉ占例１の上面図、第１図
（ｂ怠第１図（ａ）のＡ−Ａ線断面図、第２図は本発明
の実施例２の上面図、第３図は従来のリードフレームの
内部形状の上面図である。 １・・・・・・半導体素子、２．２’、γ・・・・・・
金属細線、３・・・・・・アイランド、４・・・・・・
絶縁性樹脂、５・・・・・・金属薄膜％ ６ 、６’
、 ６”・・・・・・グラウンドピンとして機能するリ
ード、フ・・・・・・リードとアイランドを結合する朶
橋部分。 （α］ （Ｚｌ） 第 プ レボ 察 ２Ｔ！Ｉ 茅 ３ 回
（ｂ怠第１図（ａ）のＡ−Ａ線断面図、第２図は本発明
の実施例２の上面図、第３図は従来のリードフレームの
内部形状の上面図である。 １・・・・・・半導体素子、２．２’、γ・・・・・・
金属細線、３・・・・・・アイランド、４・・・・・・
絶縁性樹脂、５・・・・・・金属薄膜％ ６ 、６’
、 ６”・・・・・・グラウンドピンとして機能するリ
ード、フ・・・・・・リードとアイランドを結合する朶
橋部分。 （α］ （Ｚｌ） 第 プ レボ 察 ２Ｔ！Ｉ 茅 ３ 回
Claims (1)
- 任意のリードをアイランドと電気的に結合にする事を目
的としてリードフレーム上に絶縁性樹脂膜と金属薄膜と
からなる薄膜を設けた事を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61268213A JPS63122159A (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61268213A JPS63122159A (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63122159A true JPS63122159A (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=17455484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61268213A Pending JPS63122159A (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63122159A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0493058A (ja) * | 1990-08-08 | 1992-03-25 | Rohm Co Ltd | リードフレームおよびこれを使用して製造された半導体装置 |
| FR2668651A1 (fr) * | 1990-10-29 | 1992-04-30 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit integre a boitier moule comprenant un dispositif de reduction de l'impedance dynamique. |
| EP0503201A3 (ja) * | 1990-12-20 | 1994-03-16 | Toshiba Kk | |
| US6625005B2 (en) | 2000-07-11 | 2003-09-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor circuit device having power and ground lines adapted for high-frequency operation |
| JP2010258159A (ja) * | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-11-10 JP JP61268213A patent/JPS63122159A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0493058A (ja) * | 1990-08-08 | 1992-03-25 | Rohm Co Ltd | リードフレームおよびこれを使用して製造された半導体装置 |
| FR2668651A1 (fr) * | 1990-10-29 | 1992-04-30 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit integre a boitier moule comprenant un dispositif de reduction de l'impedance dynamique. |
| US5243496A (en) * | 1990-10-29 | 1993-09-07 | Sgs-Thomson Microelectronics S.A. | Molded case integrated circuit with a dynamic impedance reducing device |
| EP0503201A3 (ja) * | 1990-12-20 | 1994-03-16 | Toshiba Kk | |
| US5473514A (en) * | 1990-12-20 | 1995-12-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having an interconnecting circuit board |
| US5613295A (en) * | 1990-12-20 | 1997-03-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having an interconnecting circuit board and method for manufacturing same |
| US5715147A (en) * | 1990-12-20 | 1998-02-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having an interconnecting circuit board |
| US6625005B2 (en) | 2000-07-11 | 2003-09-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor circuit device having power and ground lines adapted for high-frequency operation |
| JP2010258159A (ja) * | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
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