JPH0350842A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH0350842A JPH0350842A JP1187762A JP18776289A JPH0350842A JP H0350842 A JPH0350842 A JP H0350842A JP 1187762 A JP1187762 A JP 1187762A JP 18776289 A JP18776289 A JP 18776289A JP H0350842 A JPH0350842 A JP H0350842A
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- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 101100123053 Arabidopsis thaliana GSH1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100298888 Arabidopsis thaliana PAD2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101150092599 Padi2 gene Proteins 0.000 description 1
- 102100035735 Protein-arginine deiminase type-2 Human genes 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は少なくとも2個以上の半導体素子を搭載する半
導体装置に関する。
導体装置に関する。
従来この種の2個以上の半導体素子を搭載する半導体装
置は第2図に示すように半導体素子IC4から半導体素
子IC3へ電源、必要な信号を供給するか又は各々の半
導体素子間の必要最少限の信号の伝達を半導体素子間を
接続するボンディング・ワイヤー線を介して行ない、他
は、外部リード端子から各々の半導体素子に供給してい
た。
置は第2図に示すように半導体素子IC4から半導体素
子IC3へ電源、必要な信号を供給するか又は各々の半
導体素子間の必要最少限の信号の伝達を半導体素子間を
接続するボンディング・ワイヤー線を介して行ない、他
は、外部リード端子から各々の半導体素子に供給してい
た。
上述した従来の2個以上の半導体素子を搭載する半導体
装置ではそれぞれの半導体素子に必要な信号、電源を一
方的に一方の半導体素子から他方の半導体へ供給する、
又は半導体素子で伝達すべき信号を除いては独立に外部
リード端子から半導体素子に供給されていた。
装置ではそれぞれの半導体素子に必要な信号、電源を一
方的に一方の半導体素子から他方の半導体へ供給する、
又は半導体素子で伝達すべき信号を除いては独立に外部
リード端子から半導体素子に供給されていた。
この為に外部リード端子のビン配置に対する各信号の設
定に対しては各々の半導体装置関係により大きな規制を
受け、例えば第2図のように図下側は全て空きピンにな
ってしまう等、自由な信号のピン配置設定ができないと
いう欠点があった。
定に対しては各々の半導体装置関係により大きな規制を
受け、例えば第2図のように図下側は全て空きピンにな
ってしまう等、自由な信号のピン配置設定ができないと
いう欠点があった。
本発明の半導体装置は少なくとも2個の半導体素子を搭
載し、且つ半導体素子と外部リード端子間、及び、半導
体素子間をポンディング・ワイヤー線を介して電気に接
続する半導体装置において、少なくとも1個以上の電気
的信号又は電源を外部リード端子からポンディング・ワ
イヤー線1を介して半導体素子1へ導き、該半導体素子
1の内部配線を通じ、ポンディング・ワイヤー線2を介
して、半導体素子2へ供給する事を半導体素子1及び半
導体素子2間で相互に行なう事を有している。
載し、且つ半導体素子と外部リード端子間、及び、半導
体素子間をポンディング・ワイヤー線を介して電気に接
続する半導体装置において、少なくとも1個以上の電気
的信号又は電源を外部リード端子からポンディング・ワ
イヤー線1を介して半導体素子1へ導き、該半導体素子
1の内部配線を通じ、ポンディング・ワイヤー線2を介
して、半導体素子2へ供給する事を半導体素子1及び半
導体素子2間で相互に行なう事を有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1−a図は本発明の一実施例の平面図であり、第1−
6図は第1−a図中の半導体素子ICIを拡大した平面
図である。チップ搭載部分であるアイランド部に半導体
素子ICIとIC2がマウントされ、半導体素子IC2
のパッド部と外部リード端子、又は、半導体素子IC2
のパッド部とがポンディング・ワイヤー線により電気的
に接続されている。又、同様に半導体素子ICIの残り
のパッドは外部リード端子にポンディング・ワイヤー線
で電気的に接続されている。このとき第1−b図に示す
ようにICIに外部リード端子からポンディング・ワイ
ヤー線を介して接続されているパッドと(例えばPAD
I)とIC2とポンディング・ワイヤー線を介して接続
されているパッド(例えばPAD2)の間を工C1の内
部配線であるアルミ配線で接続している。このとき、こ
の信号配線はICの内部回路部分には供給されない。
6図は第1−a図中の半導体素子ICIを拡大した平面
図である。チップ搭載部分であるアイランド部に半導体
素子ICIとIC2がマウントされ、半導体素子IC2
のパッド部と外部リード端子、又は、半導体素子IC2
のパッド部とがポンディング・ワイヤー線により電気的
に接続されている。又、同様に半導体素子ICIの残り
のパッドは外部リード端子にポンディング・ワイヤー線
で電気的に接続されている。このとき第1−b図に示す
ようにICIに外部リード端子からポンディング・ワイ
ヤー線を介して接続されているパッドと(例えばPAD
I)とIC2とポンディング・ワイヤー線を介して接続
されているパッド(例えばPAD2)の間を工C1の内
部配線であるアルミ配線で接続している。このとき、こ
の信号配線はICの内部回路部分には供給されない。
以上説明したように本発明は、第1−a、1−b図に示
すような半導体素子ICI内を内部配線で通過し、外部
リード端子から半導体素子ICIを介して半導体素子I
C2に電気的信号又は電源を供給し、逆に外部リード端
子から半導体素子間C2を介して半導体素子ICIに供
給し、相互に行なう事により外部リード端子のビン配置
に対する信号の設定の自由度を大幅に上げる事ができる
という効果がある。
すような半導体素子ICI内を内部配線で通過し、外部
リード端子から半導体素子ICIを介して半導体素子I
C2に電気的信号又は電源を供給し、逆に外部リード端
子から半導体素子間C2を介して半導体素子ICIに供
給し、相互に行なう事により外部リード端子のビン配置
に対する信号の設定の自由度を大幅に上げる事ができる
という効果がある。
第1−a図は本発明の一実施例の平面図であり、第1−
b図は第1−a図中のICIの部分の拡大図である。第
2図は従来の2チツプ搭載型ICの平面図である。 1.7・・・・・・外部リード端子、2,8・・・・・
・ポンディング・ワイヤー線、3,9・・・・・・アイ
ランド部、4・・・・・・パッド部、訃・・・・・内部
配線(アルミ配線)6・・・・・・内部回路部分、IC
I、IC2,IC3゜IC4・・・・・・半導体素子。
b図は第1−a図中のICIの部分の拡大図である。第
2図は従来の2チツプ搭載型ICの平面図である。 1.7・・・・・・外部リード端子、2,8・・・・・
・ポンディング・ワイヤー線、3,9・・・・・・アイ
ランド部、4・・・・・・パッド部、訃・・・・・内部
配線(アルミ配線)6・・・・・・内部回路部分、IC
I、IC2,IC3゜IC4・・・・・・半導体素子。
Claims (1)
- 少なくとも2個の半導体素子を搭載し、且つ半導体素子
と外部リード端子間、及び半導体素子間をボンディング
・ワイヤー線を介して電気的に接続する半導体装置にお
いて、少なくとも1個以上の電気的信号又は電源を外部
リード端子から第1のボンディング・ワイヤー線を介し
て第1の半導体素子へ導き、該半導体素子の内部配線を
通じ且つ第2のボンディング・ワイヤー線を介して第2
の半導体素子へ供給する事を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1187762A JPH0350842A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1187762A JPH0350842A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0350842A true JPH0350842A (ja) | 1991-03-05 |
Family
ID=16211760
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1187762A Pending JPH0350842A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0350842A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8951847B2 (en) | 2012-01-18 | 2015-02-10 | Intersil Americas LLC | Package leadframe for dual side assembly |
EP3002784A1 (en) * | 2014-09-30 | 2016-04-06 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
-
1989
- 1989-07-19 JP JP1187762A patent/JPH0350842A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8951847B2 (en) | 2012-01-18 | 2015-02-10 | Intersil Americas LLC | Package leadframe for dual side assembly |
EP3002784A1 (en) * | 2014-09-30 | 2016-04-06 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
JP2016072520A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US9530721B2 (en) | 2014-09-30 | 2016-12-27 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
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