JPH11218511A - ガスセンサ - Google Patents
ガスセンサInfo
- Publication number
- JPH11218511A JPH11218511A JP32074898A JP32074898A JPH11218511A JP H11218511 A JPH11218511 A JP H11218511A JP 32074898 A JP32074898 A JP 32074898A JP 32074898 A JP32074898 A JP 32074898A JP H11218511 A JPH11218511 A JP H11218511A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- insulating substrate
- lead wires
- electrodes
- electrode pads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】センサの組み立てが容易で、しかもリードワイ
ヤーの接続強度が向上したガスセンサを提供することに
ある。 【解決手段】絶縁基板１は表面にガス感応体膜である感
ガス部４を、裏面にヒータ２を夫々設けてあり、感ガス
部４を設けてある絶縁基板１の表面の角部には感ガス部
４に対応する電極パッド３ａとヒータ２の電極パッド２
ａとを集約配置してある。
ヤーの接続強度が向上したガスセンサを提供することに
ある。 【解決手段】絶縁基板１は表面にガス感応体膜である感
ガス部４を、裏面にヒータ２を夫々設けてあり、感ガス
部４を設けてある絶縁基板１の表面の角部には感ガス部
４に対応する電極パッド３ａとヒータ２の電極パッド２
ａとを集約配置してある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体式ガスセン
サに関するものである。
サに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体式ガスセンサとして、絶縁基板の
一方の主面にガス感応体膜を、他方の主面にヒータを設
けた平板状のガスセンサが提案されているが、夫々の主
面において電極パッドを設けた構造であったため、リー
ドワイヤーを電極パッドに接続する際の作業性や、リー
ドワイヤーの強度等の問題があった。
一方の主面にガス感応体膜を、他方の主面にヒータを設
けた平板状のガスセンサが提案されているが、夫々の主
面において電極パッドを設けた構造であったため、リー
ドワイヤーを電極パッドに接続する際の作業性や、リー
ドワイヤーの強度等の問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の点に
鑑みて為されたもので、その目的とするところはセンサ
の組み立てが容易で、しかもリードワイヤーの接続強度
が向上したガスセンサを提供することにある。
鑑みて為されたもので、その目的とするところはセンサ
の組み立てが容易で、しかもリードワイヤーの接続強度
が向上したガスセンサを提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、絶縁基板の一方の主面にガス感応体膜
を、他方の主面にヒータを設けたガスセンサにおいて、
ガス感応体膜及びヒータの電極パッドを絶縁基板の一つ
の主面側に導通させて集約配置し、各電極パッドと、外
部端子とをリードワイヤーにより接続して成ることを特
徴とする。
に、本発明では、絶縁基板の一方の主面にガス感応体膜
を、他方の主面にヒータを設けたガスセンサにおいて、
ガス感応体膜及びヒータの電極パッドを絶縁基板の一つ
の主面側に導通させて集約配置し、各電極パッドと、外
部端子とをリードワイヤーにより接続して成ることを特
徴とする。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下本発明を実施形態により説明
する。図１は本発明のガスセンサのチップの上面構造を
示しており、図示する例では平板状の絶縁基板１にヒー
タ２と、２本で対を為す膜状電極３とを備えるととも
に、膜状電極３の上にＳｎＯ2 、ＺｎＯ、Ｉｎ2 Ｏ3 等
の金属酸化物半導体からなるガス感応体膜たる感ガス部
４を形成してセンサチップ５を構成している。ここで、
この感ガス部４を形成した絶縁基板１の一つの主面であ
る表面側の４つの角部には膜状電極３，３の端部に形成
された電極パッド３ａと、絶縁基板１の角部に設けた導
電部位を介して絶縁基板１の表面側に引き出されたヒー
タ２の電極パッド２ａとが設けられて電極パッドを絶縁
基板１の表面側に集約配置してある。感ガス部４はスク
リーン印刷やスラリーのディスペンサによる塗布によっ
て形成する。このように形成したセンサチップ５を図２
に示すように基体６に取付け、ケース７内に収納し、基
体６の下面より突出させている外部端子であるピン端子
７の上端に対してワイヤーリード８により接続すること
によりヒータ２及び対の膜状電極３を電気的に接続し、
半導体式ガスセンサを構成する。尚図２中の９は網体で
ある。
する。図１は本発明のガスセンサのチップの上面構造を
示しており、図示する例では平板状の絶縁基板１にヒー
タ２と、２本で対を為す膜状電極３とを備えるととも
に、膜状電極３の上にＳｎＯ2 、ＺｎＯ、Ｉｎ2 Ｏ3 等
の金属酸化物半導体からなるガス感応体膜たる感ガス部
４を形成してセンサチップ５を構成している。ここで、
この感ガス部４を形成した絶縁基板１の一つの主面であ
る表面側の４つの角部には膜状電極３，３の端部に形成
された電極パッド３ａと、絶縁基板１の角部に設けた導
電部位を介して絶縁基板１の表面側に引き出されたヒー
タ２の電極パッド２ａとが設けられて電極パッドを絶縁
基板１の表面側に集約配置してある。感ガス部４はスク
リーン印刷やスラリーのディスペンサによる塗布によっ
て形成する。このように形成したセンサチップ５を図２
に示すように基体６に取付け、ケース７内に収納し、基
体６の下面より突出させている外部端子であるピン端子
７の上端に対してワイヤーリード８により接続すること
によりヒータ２及び対の膜状電極３を電気的に接続し、
半導体式ガスセンサを構成する。尚図２中の９は網体で
ある。
【０００６】
【発明の効果】本発明は、絶縁基板の一方の主面にガス
感応体膜を、他方の主面にヒータを設けたガスセンサに
おいて、ガス感応体膜及びヒータの電極パッドを絶縁基
板の一つの主面の角部に集約配置し、各電極パッドと、
外部端子とをリードワイヤーにより接続したので、リー
ドワイヤーを全て同一面から取り付けることができ、そ
のため電極パッドとリードワイヤーとの接続方法を自動
スポット溶接、自動超音波熱圧着機、自動ペースト定量
突出装置等を利用することが可能となり、その結果セン
サ組み立て工程が容易となり、またセンサに衝撃が加わ
っても同一面から取り付けてある４本のリードワイヤー
に衝撃が均等に分散し、そのためリードワイヤーの接続
強度が向上するという効果がある。
感応体膜を、他方の主面にヒータを設けたガスセンサに
おいて、ガス感応体膜及びヒータの電極パッドを絶縁基
板の一つの主面の角部に集約配置し、各電極パッドと、
外部端子とをリードワイヤーにより接続したので、リー
ドワイヤーを全て同一面から取り付けることができ、そ
のため電極パッドとリードワイヤーとの接続方法を自動
スポット溶接、自動超音波熱圧着機、自動ペースト定量
突出装置等を利用することが可能となり、その結果セン
サ組み立て工程が容易となり、またセンサに衝撃が加わ
っても同一面から取り付けてある４本のリードワイヤー
に衝撃が均等に分散し、そのためリードワイヤーの接続
強度が向上するという効果がある。
【図１】本発明の一実施形態のガスセンサに用いるセン
サチップの平面図である。
サチップの平面図である。
【図２】同上の全体斜視図である。
１ 絶縁基板 ２ ヒータ ３ 膜状電極 ４ 感ガス部 ５ センサチップ ２ａ，３ａ 電極パッド
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基板の一方の主面にガス感応体膜を、
他方の主面にヒータを設けたガスセンサにおいて、ガス
感応体膜及びヒータの電極パッドを絶縁基板の一つの主
面側に導通させて集約配置し、各電極パッドと、外部端
子とをリードワイヤーにより接続して成ることを特徴と
するガスセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32074898A JPH11218511A (ja) | 1993-11-18 | 1998-11-11 | ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28937493A JPH07140102A (ja) | 1993-11-18 | 1993-11-18 | 半導体式ガスセンサとその検知対象ガス設定方法 |
| JP32074898A JPH11218511A (ja) | 1993-11-18 | 1998-11-11 | ガスセンサ |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28937493A Division JPH07140102A (ja) | 1993-11-18 | 1993-11-18 | 半導体式ガスセンサとその検知対象ガス設定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11218511A true JPH11218511A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=17742388
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28937493A Pending JPH07140102A (ja) | 1993-11-18 | 1993-11-18 | 半導体式ガスセンサとその検知対象ガス設定方法 |
| JP32074898A Pending JPH11218511A (ja) | 1993-11-18 | 1998-11-11 | ガスセンサ |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28937493A Pending JPH07140102A (ja) | 1993-11-18 | 1993-11-18 | 半導体式ガスセンサとその検知対象ガス設定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPH07140102A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006133180A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Fis Inc | ガス検出素子の製造方法 |
| KR100773025B1 (ko) | 2004-02-27 | 2007-11-05 | 이엠씨마이크로시스템 주식회사 | 반도체식 가스센서, 그 구동방법 및 제조방법 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7060217B2 (ja) * | 2018-09-07 | 2022-04-26 | フィガロ技研株式会社 | ガス検出装置 |
| CN113155905B (zh) * | 2021-03-03 | 2022-09-13 | 南开大学 | 一种Ag修饰的ZnO-In2O3气敏材料的制备方法 |
-
1993
- 1993-11-18 JP JP28937493A patent/JPH07140102A/ja active Pending
-
1998
- 1998-11-11 JP JP32074898A patent/JPH11218511A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100773025B1 (ko) | 2004-02-27 | 2007-11-05 | 이엠씨마이크로시스템 주식회사 | 반도체식 가스센서, 그 구동방법 및 제조방법 |
| JP2006133180A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Fis Inc | ガス検出素子の製造方法 |
| JP4537830B2 (ja) * | 2004-11-09 | 2010-09-08 | エフアイエス株式会社 | ガス検出装置の製造方法およびガス検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07140102A (ja) | 1995-06-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010605 |