JPS62177937A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPS62177937A
JPS62177937A JP1940486A JP1940486A JPS62177937A JP S62177937 A JPS62177937 A JP S62177937A JP 1940486 A JP1940486 A JP 1940486A JP 1940486 A JP1940486 A JP 1940486A JP S62177937 A JPS62177937 A JP S62177937A
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JP
Japan
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pellet
wafer
electrical characteristics
integrated circuit
semiconductor integrated
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Application number
JP1940486A
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English (en)
Inventor
Toshiaki Otsu
大津　寿昭
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路装置（以下ＩＣと略す）に関
し、特に、ＩＣベレット上の電極配置に関する。
〔従来の技術〕
従来、ＩＣベレットには、第２図に示す様に金属を蒸着
することによシ、金属電極１が形成されている。これら
の金属電極の一部は、電極とＩＣのリードフレーム間を
金属線で電気的に接続し、ＩＣの内部回路とＩＣ周辺の
外部回路間の電気信号の伝達を可能とするためのもので
あシ、その他の金属電極は、ウェハー状態におけるＩＣ
ベレット２の電気的特性を検査するためにのみ形成され
ている。
また、ウェハー上において、ＩＣは、ウェハーを切断し
、ＩＣベレットを単体として抽出する際に、ＩＣの内部
素子を破壊しない様に、隣シ合うＩＣベレットは、約１
００μの幅を有するスクライブ線３を介在させて形成さ
れている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
前述の様なＩＣベレットでは、ウェハー状態での電気的
特性検査にのみ使用される金属電極が、ＩＣペレット上
に形成されているため、ＩＣベレットの面積が増大する
という欠点がある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明による半導体集積回路装置は、ウェハー状態での
電気的特性検査を行うためにのみ使用される金属電極を
ウェハーのスクライプ線上に形成している。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明によるＩＣベレット２を含むＩＣウェハ
ーの一部分を示す。ＩＣベレット２にはＩＣの内部回路
とＩＣのリードを電気的に結合させるだめの金属線をボ
ンディングするだめの金属電極４が形成されており、ウ
ェノ・−状態での電気的特性検査にのみ使用される金属
電極５はウェハーのスクライプ線３上に形成されている
。
〔発明の効果〕
以上説明した様に、本発明は、ウェハー状態での電気的
特性検査にのみ使用される金属電極５をスクライプ線３
上に形成することにより、ＩＣベレット２の面積を縮少
することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のＩＣベレットを含むＩＣウェハーの概
観図、第２図は従来のＩＣベレットを含むＩＣウェハー
の概観図である。 ｌ・・・・・・・・・金属電極 ２　　　　ＩＣベレット ３　　　スクライブ線 ４　　　ボンディングに使用される金属電極５　　　ウ
ェハー状態での電気的特性検査にのみ使用される金属電
極 ＣＹ′）Ｎ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ウェハー検査専用の電極が、スクライブ線上に配置され
    ていることを特徴とする半導体集積回路装置。
JP1940486A 1986-01-30 1986-01-30 半導体集積回路装置 Pending JPS62177937A (ja)

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