JPS63232316A - 蒸気圧制御装置 - Google Patents
蒸気圧制御装置Info
- Publication number
- JPS63232316A JPS63232316A JP6417987A JP6417987A JPS63232316A JP S63232316 A JPS63232316 A JP S63232316A JP 6417987 A JP6417987 A JP 6417987A JP 6417987 A JP6417987 A JP 6417987A JP S63232316 A JPS63232316 A JP S63232316A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- vapor pressure
- flow rate
- bubbler
- control device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- VQNPSCRXHSIJTH-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);carbanide Chemical compound [CH3-].[CH3-].[Cd+2] VQNPSCRXHSIJTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 description 2
- ILXWFJOFKUNZJA-UHFFFAOYSA-N ethyltellanylethane Chemical compound CC[Te]CC ILXWFJOFKUNZJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229930014626 natural product Natural products 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は半導体気相成長に用いる原料の蒸気圧制御装置
のバブラの後段に層流素子を用いたガス分流器を設は原
料の安定した所定蒸気圧を得る。
のバブラの後段に層流素子を用いたガス分流器を設は原
料の安定した所定蒸気圧を得る。
本発明は蒸気圧制御装置に係り、特に半導体の気相成長
に用いる原料の蒸気圧制御装置に関する。
に用いる原料の蒸気圧制御装置に関する。
気相成長方法では通常液体原料中にキャリアガスを通じ
、バブルさせることによって適当なキャリアガスと原料
の混合した蒸気圧を得ている。この蒸気圧を精密に制御
することが、良質の半導体を作製する上で非常に大切で
ある。
、バブルさせることによって適当なキャリアガスと原料
の混合した蒸気圧を得ている。この蒸気圧を精密に制御
することが、良質の半導体を作製する上で非常に大切で
ある。
第４図は従来の蒸気圧制御装置を示す模式図である。
まずＨｚ、Ａｒなどのキャリアガス１をマスフローコン
トローラなどの気体流量側？２１Ｉ器２に通し、一定流
量のキャリアガスをバブラー３に送り込む。
トローラなどの気体流量側？２１Ｉ器２に通し、一定流
量のキャリアガスをバブラー３に送り込む。
バブラ内には通常半導体気相成長の原料となる例えばジ
メチルカドミウム、ジエチルテルル等の液状の被蒸発物
４が収納されておりキャリアガスを通じることによって
その温度における飽和蒸気圧を得る。なお、バフラ−は
恒温槽（図示せず）中に設置されて、バブラーの温度が
安定に保たれている。
メチルカドミウム、ジエチルテルル等の液状の被蒸発物
４が収納されておりキャリアガスを通じることによって
その温度における飽和蒸気圧を得る。なお、バフラ−は
恒温槽（図示せず）中に設置されて、バブラーの温度が
安定に保たれている。
第４図に示した従来の装置では、キャリアガスの流量を
例えばｌｅｅ／分程度バブラー内に供給した場合バブラ
ー内にガス（泡）が連続して発生せず安定した蒸気圧が
得られない欠点を有していた。
例えばｌｅｅ／分程度バブラー内に供給した場合バブラ
ー内にガス（泡）が連続して発生せず安定した蒸気圧が
得られない欠点を有していた。
上記問題点は本発明によれば
気体流量制御装置と該気体流量制御装置を経たキャリア
ガスを供給して被蒸発物の蒸気を含むガスを得る被蒸発
物を収容した容器とを具備する蒸気圧制御装置において
、 前記被蒸発物の蒸気を含むガスを所定の流量比に分離す
る分流器を設けることを特徴とする蒸気圧制御装置によ
って解決される。
ガスを供給して被蒸発物の蒸気を含むガスを得る被蒸発
物を収容した容器とを具備する蒸気圧制御装置において
、 前記被蒸発物の蒸気を含むガスを所定の流量比に分離す
る分流器を設けることを特徴とする蒸気圧制御装置によ
って解決される。
本発明によれば気体流量制御装置を経由した多量のガス
を被蒸発物を収容した容器（バブラー）に通し、安定し
た蒸気圧を得た後、分流器に所定のガスが送り込まれる
ので安定した所定量の然発物の蒸気を含むガスを得るこ
とができる。
を被蒸発物を収容した容器（バブラー）に通し、安定し
た蒸気圧を得た後、分流器に所定のガスが送り込まれる
ので安定した所定量の然発物の蒸気を含むガスを得るこ
とができる。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す模式図である。
第１図に示すように本発明に係る蒸気圧制御装置は従来
の気体流量制御器（マスフローコントローラ等）２及び
被蒸発物４を収容した蒸気発生容器３に加えて該容器か
ら出たガスを分流する分流器６を具備している。
の気体流量制御器（マスフローコントローラ等）２及び
被蒸発物４を収容した蒸気発生容器３に加えて該容器か
ら出たガスを分流する分流器６を具備している。
本実施例の装置について従来法（第４図）で問題とした
キャリアガスｌｃｃ／分を通し所定の蒸気圧を得る場合
に則してその実施方法を説明する。
キャリアガスｌｃｃ／分を通し所定の蒸気圧を得る場合
に則してその実施方法を説明する。
１００ｃｃ／分のキャリアガスを気体流量制御器２で作
り出しガラス管８を介してバブラー３内の被蒸発物４、
例えばジメチルカドミウム内に送る。
り出しガラス管８を介してバブラー３内の被蒸発物４、
例えばジメチルカドミウム内に送る。
送られたガスは多くの泡１０を形成する。１００ｃｃＺ
分とキャリア供給量が多いため泡が連続して形成され安
定した蒸気圧を得る。
分とキャリア供給量が多いため泡が連続して形成され安
定した蒸気圧を得る。
このままではキャリア流量が多過ぎるので次に分流器６
を通して分割する。分割比を１＝９９にすれば目的のＩ
ｃｅ／分のガスを得ることができる。
を通して分割する。分割比を１＝９９にすれば目的のＩ
ｃｅ／分のガスを得ることができる。
すなわち第３図に示した分流器６の断面積Ｓ、と８２の
比を１：９９になるように仕切り１１を設ければ可能と
なる。なお１２は層流素子である。
比を１：９９になるように仕切り１１を設ければ可能と
なる。なお１２は層流素子である。
なお、従来法でも、本発明の方法でも被蒸発物の温度は
等しいものとする。
等しいものとする。
また分割後の廃ガスは第１図の破線のように入口に戻し
てやれば再使用できる。
てやれば再使用できる。
さらに低い蒸気圧を得たい場合には第３図のように希釈
ライン１３を設けることが好ましい。
ライン１３を設けることが好ましい。
以上説明したように本発明によれば安定したアワが得ら
れないような少量のキャリア供給の場合も、バブラーに
は多量のキャリアガスを流せるのでガス中の蒸気圧制御
を安定に行なうことができる。
れないような少量のキャリア供給の場合も、バブラーに
は多量のキャリアガスを流せるのでガス中の蒸気圧制御
を安定に行なうことができる。
第１図は本発明の一実施例を示す模式図であり；第２図
は層流素子を用いた分流器の模式図であり； 第３図は本発明装置に希釈ラインを配設した模式図であ
り； 第４図は従来の蒸気圧制御装置を示す模式図である。 １・・・キャリアガス（）（ｚ 、Ａｒ等）２・・・気
体流量制御器、 ３・・・容器（バブラー）４・・・被
蒸発物（液体）、 ５・・・被蒸発物の蒸気を含むキャリアガス、５ａ・・
・所定量の被蒸発物蒸気を含むキャリアガス、 ５ｂ・・・廃ガス、 ６・・・分流器。 実施例 ′＄１図 １・・・キャリアガス ２・・・気体流量制御器 ３・・・容器 ４・・・被蒸発物 ６６・・・分流器 実施例 第３図 従来例
は層流素子を用いた分流器の模式図であり； 第３図は本発明装置に希釈ラインを配設した模式図であ
り； 第４図は従来の蒸気圧制御装置を示す模式図である。 １・・・キャリアガス（）（ｚ 、Ａｒ等）２・・・気
体流量制御器、 ３・・・容器（バブラー）４・・・被
蒸発物（液体）、 ５・・・被蒸発物の蒸気を含むキャリアガス、５ａ・・
・所定量の被蒸発物蒸気を含むキャリアガス、 ５ｂ・・・廃ガス、 ６・・・分流器。 実施例 ′＄１図 １・・・キャリアガス ２・・・気体流量制御器 ３・・・容器 ４・・・被蒸発物 ６６・・・分流器 実施例 第３図 従来例
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、気体流量制御装置（２）と該気体流量制御装置を経
たキャリアガス（１）を供給して被蒸発物の蒸気を含む
ガスを得る被蒸発物（４）を収容した容器（３）とを具
備する蒸気圧制御装置において、 前記被蒸発物（４）の蒸気を含むガスを所定の流量比に
分離する分流器（６）を設けることを特徴とする蒸気圧
制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6417987A JPS63232316A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 蒸気圧制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6417987A JPS63232316A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 蒸気圧制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63232316A true JPS63232316A (ja) | 1988-09-28 |
Family
ID=13250575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6417987A Pending JPS63232316A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 蒸気圧制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63232316A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002141293A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-05-17 | Asm Japan Kk | 半導体製造装置 |
-
1987
- 1987-03-20 JP JP6417987A patent/JPS63232316A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002141293A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-05-17 | Asm Japan Kk | 半導体製造装置 |
| JP4753224B2 (ja) * | 2000-08-22 | 2011-08-24 | 日本エー・エス・エム株式会社 | ガスラインシステム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0620964A (ja) | 薄膜成長装置 | |
| JP2002083777A (ja) | バブラー | |
| JP2003313098A5 (ja) | ||
| JPS63232316A (ja) | 蒸気圧制御装置 | |
| US6089548A (en) | Process and device for converting a liquid stream flow into a gas stream flow | |
| JPH0927455A (ja) | 半導体基板の製造方法と原料ガスの供給装置 | |
| KR890007368A (ko) | 화합물 반도체 제조 장치 | |
| JPH0499312A (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
| JPS6484717A (en) | Semiconductor thin film vapor growth apparatus | |
| GB1031519A (en) | Method of producing vapours of controlled composition | |
| KR100397046B1 (ko) | 박막 증착 장치 및 그 방법 | |
| JPH05251348A (ja) | バブラおよびガス供給装置 | |
| JPH0740556B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH04177826A (ja) | 半導体装置製造用薬品容器 | |
| JPS52124859A (en) | Continuous vapor phase growth apparatus | |
| JPH01215793A (ja) | 化学的蒸着装置 | |
| JPH0712475U (ja) | 気相成長のための液体原料蒸発装置 | |
| JPH01239012A (ja) | シリコン原料ガス発生装置 | |
| JPH0375295A (ja) | 有機金属材料用バブラ | |
| JPH09181061A (ja) | 液体原料の気化方法および供給装置ならびにそれを用いて構成された半導体製造装置 | |
| JPH04322736A (ja) | 原料供給装置 | |
| JPH0687458B2 (ja) | 気相エピタキシヤル成長方法 | |
| JPH069191B2 (ja) | 気相成長法による半導体製造装置 | |
| JPS6114196A (ja) | 有機金属熱分解気相成長装置用原料容器 | |
| JPH01318229A (ja) | 半導体気相成長装置 |