JPH069191B2 - 気相成長法による半導体製造装置 - Google Patents
気相成長法による半導体製造装置Info
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- JPH069191B2 JPH069191B2 JP25416886A JP25416886A JPH069191B2 JP H069191 B2 JPH069191 B2 JP H069191B2 JP 25416886 A JP25416886 A JP 25416886A JP 25416886 A JP25416886 A JP 25416886A JP H069191 B2 JPH069191 B2 JP H069191B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は気相成長法による半導体製造装置に関する。
［従来の技術］ 最近、半導体薄膜デバイスの製造技術として、例えばＯ
ＭＶＰＥ法や塩化物ＶＰＥ法の気相成長法（ＶＰＥ法）
を利用する試みがなされている。
ＭＶＰＥ法や塩化物ＶＰＥ法の気相成長法（ＶＰＥ法）
を利用する試みがなされている。
ＯＭＶＰＥ法は、通常液体や固体の状態でバブラーの中
に収められた有機金属化合物をＨ2などのキャリアガス
で蒸気化し、この有機金属化合物の蒸気を水素化物等と
同時に成長炉に導入し、熱、プラズマあるいは光のエネ
ルギーを用いて化学反応を励起し、化合物半導体を成長
させる気相成長法であり、有機金属としてGa(ＣＨ3)3と
In(ＣＨ3)3、水素化物としてAsH3を用いてInGaAsをInP
基板上に成長させる例等がある。
に収められた有機金属化合物をＨ2などのキャリアガス
で蒸気化し、この有機金属化合物の蒸気を水素化物等と
同時に成長炉に導入し、熱、プラズマあるいは光のエネ
ルギーを用いて化学反応を励起し、化合物半導体を成長
させる気相成長法であり、有機金属としてGa(ＣＨ3)3と
In(ＣＨ3)3、水素化物としてAsH3を用いてInGaAsをInP
基板上に成長させる例等がある。
一方、塩化物ＶＰＥ法は、通常液体の状態でバブラーの
中に納められたＶ族元素の塩化物をＨ2などのキャリア
ガスでバブリングして塩化物の蒸気とし、これを成長炉
に導入し、あらかじめ成長炉に納められたIII族金属と
熱的に化学反応させ、化合物半導体を成長させる気相成
長法であり、塩化物としてＡＳＣl3とＰＣl3を用い、金
属としてInとGaを用いて、InGaAsPをInP基板上に成長さ
せる例等がある。
中に納められたＶ族元素の塩化物をＨ2などのキャリア
ガスでバブリングして塩化物の蒸気とし、これを成長炉
に導入し、あらかじめ成長炉に納められたIII族金属と
熱的に化学反応させ、化合物半導体を成長させる気相成
長法であり、塩化物としてＡＳＣl3とＰＣl3を用い、金
属としてInとGaを用いて、InGaAsPをInP基板上に成長さ
せる例等がある。
ところで、このようなＯＭＶＰＥ法や塩化物ＶＰＥ法に
おいてバブラーから原料ガスを供給する場合は、バブラ
ー内に納められた液体あるいは固体原料の飽和蒸気圧が
バブラーの温度によって変化するため、原料ガスの流量
を精密に制御するためにはバブラーの温度を精度良く制
御することが不可欠となる。
おいてバブラーから原料ガスを供給する場合は、バブラ
ー内に納められた液体あるいは固体原料の飽和蒸気圧が
バブラーの温度によって変化するため、原料ガスの流量
を精密に制御するためにはバブラーの温度を精度良く制
御することが不可欠となる。
このような要求から、従来は第８図に示すように、バブ
ラー１３ないし１５の各々に温度調節器１６ないし１８
を設け、各バブラー１３ないし１５の温度を独立に制御
する。
ラー１３ないし１５の各々に温度調節器１６ないし１８
を設け、各バブラー１３ないし１５の温度を独立に制御
する。
第８図において、１は原料ガス供給管であり、原料ガス
供給管１が三方バルブ７の一接続口に連結され、また、
キャリアガス供給管2a,3a及び4aがそれぞれ、温度調節
器１６ないし１８で温度調節されたバブラー１３，１４
及び１５の円筒容器内に収容された上記液体又は固体原
料の内部に挿入されている。該バブラー１３，１４及び
１５の各容器上部に原料ガス供給管2b,3b及び4bの一端
が該容器と通気可能に連結され、原料ガス供給管2a,3a
及び4aの他端は三方バルブ８，９及び１０の各一接続口
に連結される。
供給管１が三方バルブ７の一接続口に連結され、また、
キャリアガス供給管2a,3a及び4aがそれぞれ、温度調節
器１６ないし１８で温度調節されたバブラー１３，１４
及び１５の円筒容器内に収容された上記液体又は固体原
料の内部に挿入されている。該バブラー１３，１４及び
１５の各容器上部に原料ガス供給管2b,3b及び4bの一端
が該容器と通気可能に連結され、原料ガス供給管2a,3a
及び4aの他端は三方バルブ８，９及び１０の各一接続口
に連結される。
また、三方バルブ７，８，９及び１０の他の２個の接続
口はそれぞれキャリアガスを流す成長炉導入管５、並び
に排気装置１２に原料ガスを排気するための排気管６に
連結される。該成長炉導入管５はさらに成長炉１１に連
結され、該成長炉１１で使用された原料ガスが排気装置
１２によって排気される。
口はそれぞれキャリアガスを流す成長炉導入管５、並び
に排気装置１２に原料ガスを排気するための排気管６に
連結される。該成長炉導入管５はさらに成長炉１１に連
結され、該成長炉１１で使用された原料ガスが排気装置
１２によって排気される。
第９図は第８図のバブラー１３，１４及び１５の一部破
断斜視図である。第９図において、バブラー１３，１４
及び１５は円筒形状の容器で構成され、該容器内に上述
の液体又は固体原料が収容されるとともに、該バブラー
１３，１４及び１５の円筒の上表面部にそれぞれ、キャ
リアガス供給管と原料ガス供給管2aと2b、3aと3b、4aと
4bが挿入され、そのうちキャリアガス供給管2a,3a及び4
aがバブラー１３，１４及び１５の容器内に収容された
上記液体又は固体原料３０の中に挿入されるように設け
られている。
断斜視図である。第９図において、バブラー１３，１４
及び１５は円筒形状の容器で構成され、該容器内に上述
の液体又は固体原料が収容されるとともに、該バブラー
１３，１４及び１５の円筒の上表面部にそれぞれ、キャ
リアガス供給管と原料ガス供給管2aと2b、3aと3b、4aと
4bが挿入され、そのうちキャリアガス供給管2a,3a及び4
aがバブラー１３，１４及び１５の容器内に収容された
上記液体又は固体原料３０の中に挿入されるように設け
られている。
［発明が解決しようとする問題点］ ところで、温度調節器１６，１７及び１８によってバブ
ラー１３，１４及び１５の温度を制御する場合でも設定
温度に対する変動は不可避であり、各バブラー１３，１
４及び１５毎に独立して設けた各温度調節器１６，１７
及び１８によって各バブラー１３，１４及び１５の温度
制御を行う従来法では、各バブラー１３，１４及び１５
の温度変動に伴う各バブラー１３，１４及び１５内に納
められた原料の飽和蒸気圧の変動が各バブラー１３，１
４及び１５間で時間的に不規則あるため、複数のバブラ
ー１３，１４及び１５から成長時に同時に成長炉１１へ
導入される各原料ガスの流量比が変動するという問題点
があった。
ラー１３，１４及び１５の温度を制御する場合でも設定
温度に対する変動は不可避であり、各バブラー１３，１
４及び１５毎に独立して設けた各温度調節器１６，１７
及び１８によって各バブラー１３，１４及び１５の温度
制御を行う従来法では、各バブラー１３，１４及び１５
の温度変動に伴う各バブラー１３，１４及び１５内に納
められた原料の飽和蒸気圧の変動が各バブラー１３，１
４及び１５間で時間的に不規則あるため、複数のバブラ
ー１３，１４及び１５から成長時に同時に成長炉１１へ
導入される各原料ガスの流量比が変動するという問題点
があった。
本発明の目的は以上の問題点を解決し、複数のバブラー
から成長時に同時に成長炉へ原料ガスを導入する際の各
バブラーの温度変動による各原料ガス流量比の変動を抑
制し得る気相成長法による半導体製造装置を提供するこ
とにある。
から成長時に同時に成長炉へ原料ガスを導入する際の各
バブラーの温度変動による各原料ガス流量比の変動を抑
制し得る気相成長法による半導体製造装置を提供するこ
とにある。
［問題点を解決するための手段］ 本発明に係る気相成長法による半導体製造装置は、内部
に収容された液体又は固体原料の内部にキャリアガスを
流入することによって上記原料を蒸気化して原料ガスを
発生するバブラーと、 上記バブラーに連結され、上記原料ガスにより半導体の
結晶を気相成長させる成長炉とを備えた気相成長法によ
る半導体製造装置において、 上記バブラーが互いに隔離され、それぞれ上記原料を収
容するための複数の容器と、 それぞれ上記複数の容器に連結され、上記複数の容器に
それぞれ独立してキャリアガスを導入する複数のキャリ
アガス供給管と、 それぞれ上記複数の容器に連結され、上記複数の容器に
おいて発生された各原料ガスをそれぞれ独立して上記成
長炉に放出する複数の原料ガス供給管と、 上記バブラーの複数の容器を共通に温度制御する温度制
御手段とを備えたことを特徴とする。
に収容された液体又は固体原料の内部にキャリアガスを
流入することによって上記原料を蒸気化して原料ガスを
発生するバブラーと、 上記バブラーに連結され、上記原料ガスにより半導体の
結晶を気相成長させる成長炉とを備えた気相成長法によ
る半導体製造装置において、 上記バブラーが互いに隔離され、それぞれ上記原料を収
容するための複数の容器と、 それぞれ上記複数の容器に連結され、上記複数の容器に
それぞれ独立してキャリアガスを導入する複数のキャリ
アガス供給管と、 それぞれ上記複数の容器に連結され、上記複数の容器に
おいて発生された各原料ガスをそれぞれ独立して上記成
長炉に放出する複数の原料ガス供給管と、 上記バブラーの複数の容器を共通に温度制御する温度制
御手段とを備えたことを特徴とする。
［作用］ 以上のように構成することにより、上記バブラーの複数
の容器内にそれぞれ上記原料が収容され、各キャリアガ
スがそれぞれ並列で独立して上記複数のキャリアガス供
給管を介して上記複数の容器に導入された後、上記各容
器で原料ガスを発生させ、当該原料ガスが上記複数の原
料ガス供給管を介してそれぞれ並列で独立して上記成長
炉に放出される。一方、上記バブラーの複数の容器が上
記温度制御手段によって同時に温度制御される。
の容器内にそれぞれ上記原料が収容され、各キャリアガ
スがそれぞれ並列で独立して上記複数のキャリアガス供
給管を介して上記複数の容器に導入された後、上記各容
器で原料ガスを発生させ、当該原料ガスが上記複数の原
料ガス供給管を介してそれぞれ並列で独立して上記成長
炉に放出される。一方、上記バブラーの複数の容器が上
記温度制御手段によって同時に温度制御される。
従って、上記バブラーの各容器の温度が設定温度に対し
て変動しても、この温度変動に伴う上記バブラーの各容
器内の各原料の飽和蒸気圧の変動における圧力増減方向
及び時間的変化が同一であり、上記バブラーの各容器か
ら供給される各原料ガスの流量比の変動が最小限に抑制
される。
て変動しても、この温度変動に伴う上記バブラーの各容
器内の各原料の飽和蒸気圧の変動における圧力増減方向
及び時間的変化が同一であり、上記バブラーの各容器か
ら供給される各原料ガスの流量比の変動が最小限に抑制
される。
［実施例］ 第１図は本発明の一実施例である気相成長法による半導
体製造装置のブロック図であり、第１図において第８図
と同一のものについては、同一の符号を付している。第
１図の半導体製造装置が第８図の従来例の装置と異なる
のは、２個のバブラー１３及び１４が、該バブラー１３
及び１４に対応する２個の容器２０a及び２０bを備える
１個のバブラー２０に、置き換えられていることであ
る。
体製造装置のブロック図であり、第１図において第８図
と同一のものについては、同一の符号を付している。第
１図の半導体製造装置が第８図の従来例の装置と異なる
のは、２個のバブラー１３及び１４が、該バブラー１３
及び１４に対応する２個の容器２０a及び２０bを備える
１個のバブラー２０に、置き換えられていることであ
る。
第２図は第１図のバブラー２０の一部破断斜視図であ
り、第３図は第２図のＡ−Ａ,線における横断面図であ
る。以下、第１図ないし第３図を参照して本発明に係る
気相成長法による半導体製造装置について説明する。
り、第３図は第２図のＡ−Ａ,線における横断面図であ
る。以下、第１図ないし第３図を参照して本発明に係る
気相成長法による半導体製造装置について説明する。
第１図において、原料ガス供給管１が三方バルブ７の一
接続口に連結される。また、バブラー２０は外径約１０
cm、長さ約１５cmの円筒形状であってステンレス鋼にて
なり、キャリアガス供給管2a及び3aがそれぞれ、第２図
に示すように、バブラー２０の互いに隔離された容器２
０a及び２０b内に収容されている上述の有機金属化合物
又はＶ族元素の塩化物の液体又は固体原料３０（以下、
気相成長用原料という。）内に挿入されるようにバブラ
ー２０に連結される。この原料ガス供給管2b及び3bの一
端がバブラー２０の容器２０a及び２０bの上表面部に、
該容器２０a及び２０bの内部と通気可能に連結され、一
方、該原料ガス供給管2b及び3bの他端が三方バルブ８及
び９の各一接続口に連結される。また、キャリアガス供
給管4aが、従来例と同様にバブラー１５内に収容されて
いる気相成長用原料３０の内部に挿入されるようにバブ
ラー１５に連結される。原料ガス供給管4bの一端がバブ
ラー１５の上表面部に該バブラー１５の内部と通気可能
に連結され、一方、該原料ガス供給管4bの他端が三方バ
ルブ１０の一接続口に連結される。ここで、バブラー２
０及び１５は、それぞれ温度調節器１６及び１７によっ
て温度調節される。また、三方バルブ７，８，９及び１
０の他の２個の接続口は、それぞれキャリアガスを流す
成長炉導入管５、並びに排気装置１２に原料ガスを排気
するための排気管６に連結され、該成長炉導入管５はさ
らに成長炉１１に連結され、該成長炉１１で使用された
原料ガスが排気装置１２によって排気される。
接続口に連結される。また、バブラー２０は外径約１０
cm、長さ約１５cmの円筒形状であってステンレス鋼にて
なり、キャリアガス供給管2a及び3aがそれぞれ、第２図
に示すように、バブラー２０の互いに隔離された容器２
０a及び２０b内に収容されている上述の有機金属化合物
又はＶ族元素の塩化物の液体又は固体原料３０（以下、
気相成長用原料という。）内に挿入されるようにバブラ
ー２０に連結される。この原料ガス供給管2b及び3bの一
端がバブラー２０の容器２０a及び２０bの上表面部に、
該容器２０a及び２０bの内部と通気可能に連結され、一
方、該原料ガス供給管2b及び3bの他端が三方バルブ８及
び９の各一接続口に連結される。また、キャリアガス供
給管4aが、従来例と同様にバブラー１５内に収容されて
いる気相成長用原料３０の内部に挿入されるようにバブ
ラー１５に連結される。原料ガス供給管4bの一端がバブ
ラー１５の上表面部に該バブラー１５の内部と通気可能
に連結され、一方、該原料ガス供給管4bの他端が三方バ
ルブ１０の一接続口に連結される。ここで、バブラー２
０及び１５は、それぞれ温度調節器１６及び１７によっ
て温度調節される。また、三方バルブ７，８，９及び１
０の他の２個の接続口は、それぞれキャリアガスを流す
成長炉導入管５、並びに排気装置１２に原料ガスを排気
するための排気管６に連結され、該成長炉導入管５はさ
らに成長炉１１に連結され、該成長炉１１で使用された
原料ガスが排気装置１２によって排気される。
以上のように構成された半導体製造装置において、例え
ばＯＭＶＰＥ法によって所定の半導体基板上に結晶軸を
そろえて所望の結晶を成長させる場合、成長炉１１内に
上記半導体基板を置き、バブラー２０の容器２０ａ及び
２０b、並びにバブラー１５内に有機金属化合物を収容
する。その後、Ｈ2等のキャリアガスを原料ガス供給管2
a,3a及び4aを介して上記有機金属化合物内に流入するこ
とによって該有機金属化合物を蒸気化させ、該有機金属
化合物のガスを三方バルブ８，９及び１０を介して成長
炉１１に供給する。さらに、別途、熱、プラズマ又は光
のエネルギーを用いて化学反応を励起して、化合物半導
体の結晶を上記半導体基板上に成長させることができ
る。また、塩化物ＶＰＥ法による場合も従来例と同様に
化合物半導体を基板上に成長させることができる。
ばＯＭＶＰＥ法によって所定の半導体基板上に結晶軸を
そろえて所望の結晶を成長させる場合、成長炉１１内に
上記半導体基板を置き、バブラー２０の容器２０ａ及び
２０b、並びにバブラー１５内に有機金属化合物を収容
する。その後、Ｈ2等のキャリアガスを原料ガス供給管2
a,3a及び4aを介して上記有機金属化合物内に流入するこ
とによって該有機金属化合物を蒸気化させ、該有機金属
化合物のガスを三方バルブ８，９及び１０を介して成長
炉１１に供給する。さらに、別途、熱、プラズマ又は光
のエネルギーを用いて化学反応を励起して、化合物半導
体の結晶を上記半導体基板上に成長させることができ
る。また、塩化物ＶＰＥ法による場合も従来例と同様に
化合物半導体を基板上に成長させることができる。
以上の本発明の装置によれば、成長時に同時に成長炉１
１へ導入される原料ガスを供給するバブラー２０の容器
２０a及び２０bを単一の温度調節器１６によって同時に
温度制御するため、バブラー２０の容器２０a及び２０b
の温度が設定温度に対して変動しても、この温度変動に
伴う容器２０a及び２０b内の各原料の飽和蒸気圧の変動
における圧力増減方向及び時間的変化が同一であり、従
って、バブラー２０の容器２０a及び２０bから供給され
る各原料ガスの流量比の変動が最小限に抑制される。
１へ導入される原料ガスを供給するバブラー２０の容器
２０a及び２０bを単一の温度調節器１６によって同時に
温度制御するため、バブラー２０の容器２０a及び２０b
の温度が設定温度に対して変動しても、この温度変動に
伴う容器２０a及び２０b内の各原料の飽和蒸気圧の変動
における圧力増減方向及び時間的変化が同一であり、従
って、バブラー２０の容器２０a及び２０bから供給され
る各原料ガスの流量比の変動が最小限に抑制される。
第４図は第２図のバブラー２０の第２の実施例であるバ
ブラー２１の一部破断斜視図であり、第５図は第４図の
Ａ−Ａ'線についての横断面図である。このバブラー２
１はバブラー２０とバブラー１５の機能をともに備え、
３個の容器２１a，２１b及び２１cを備えている。バブ
ラー２１は外径約１０cm、長さ約１５cmの円筒形状であ
ってステンレス鋼にてなり、第５図に示すように、円筒
断面において１２０度ずつの領域に分割され互いに隔離
された３個の容器２１a，２１b及び２１cを備えてい
る。各容器２１a，２１b及び２１c内には気相成長用原
料３０が収容され、各キャリアガス供給管2a,3a及び4a
が各容器２１a，２１b及び２１c内の気相成長用原料３
０の内部に挿入されるようにバブラー２１に連結され
る。また、原料ガス供給管2b,3b及び4bがそれぞれ、バ
ブラー２１の上表面部に該バブラー２１の各容器２１
a，２１b及び２１cの内部と通気可能に連結される。さ
らに、バブラー２１は温度調節器１６によって温度調節
される。以上のように構成することによって、バブラー
２１はバブラー２０と同様の効果を有する。
ブラー２１の一部破断斜視図であり、第５図は第４図の
Ａ−Ａ'線についての横断面図である。このバブラー２
１はバブラー２０とバブラー１５の機能をともに備え、
３個の容器２１a，２１b及び２１cを備えている。バブ
ラー２１は外径約１０cm、長さ約１５cmの円筒形状であ
ってステンレス鋼にてなり、第５図に示すように、円筒
断面において１２０度ずつの領域に分割され互いに隔離
された３個の容器２１a，２１b及び２１cを備えてい
る。各容器２１a，２１b及び２１c内には気相成長用原
料３０が収容され、各キャリアガス供給管2a,3a及び4a
が各容器２１a，２１b及び２１c内の気相成長用原料３
０の内部に挿入されるようにバブラー２１に連結され
る。また、原料ガス供給管2b,3b及び4bがそれぞれ、バ
ブラー２１の上表面部に該バブラー２１の各容器２１
a，２１b及び２１cの内部と通気可能に連結される。さ
らに、バブラー２１は温度調節器１６によって温度調節
される。以上のように構成することによって、バブラー
２１はバブラー２０と同様の効果を有する。
第６図は第２図のバブラー２０の第３の実施例であるバ
ブラー２２の一部破断斜視図であり、第７図は第６図の
Ａ−Ａ'線についての横断面図である。第６図のバブラ
ー２２が第４図のバブラー２１と異なるのは、３個の各
容器２２a，２２b及び２２cをそれぞれ分離させること
ができることであり、その他の構造はバブラー２１と同
様である。このバブラー２２は、第７図に示すように円
筒断面において１２０度ずつの領域に分割され、互いに
隔離されて形成された３個の容器２２a，２２b及び２２
cを備え、ここで、第４図のバブラー２１と同一形状で
ある１個の円筒形状のバブラー２２を構成している。
ブラー２２の一部破断斜視図であり、第７図は第６図の
Ａ−Ａ'線についての横断面図である。第６図のバブラ
ー２２が第４図のバブラー２１と異なるのは、３個の各
容器２２a，２２b及び２２cをそれぞれ分離させること
ができることであり、その他の構造はバブラー２１と同
様である。このバブラー２２は、第７図に示すように円
筒断面において１２０度ずつの領域に分割され、互いに
隔離されて形成された３個の容器２２a，２２b及び２２
cを備え、ここで、第４図のバブラー２１と同一形状で
ある１個の円筒形状のバブラー２２を構成している。
以上のように構成することによって、バブラー２２はバ
ブラー２０及び２１と同様の効果を有するとともに、各
容器２２a，２２b及び２２cを分離することができるの
で、各容器２２a，２２b及び２２cに収容される複数の
原料を別々に取り替えることができ、柔軟性のある運用
を行うことができる。
ブラー２０及び２１と同様の効果を有するとともに、各
容器２２a，２２b及び２２cを分離することができるの
で、各容器２２a，２２b及び２２cに収容される複数の
原料を別々に取り替えることができ、柔軟性のある運用
を行うことができる。
［発明の効果］ 以上詳述したように本発明によれば、内部に収容された
液体又は固体原料の内部にキャリアガスを流入すること
によって上記原料を蒸気化するバブラーが互いに隔離さ
れ、上記複数の容器にそれぞれ独立してキャリアガスを
導入する複数のキャリアガス供給管と、上記複数の容器
において発生された各原料ガスをそれぞれ独立して上記
成長炉に放出する複数の原料ガス供給管とを備え、上記
バブラーの複数の容器が上記温度制御手段によって同時
に温度制御される。
液体又は固体原料の内部にキャリアガスを流入すること
によって上記原料を蒸気化するバブラーが互いに隔離さ
れ、上記複数の容器にそれぞれ独立してキャリアガスを
導入する複数のキャリアガス供給管と、上記複数の容器
において発生された各原料ガスをそれぞれ独立して上記
成長炉に放出する複数の原料ガス供給管とを備え、上記
バブラーの複数の容器が上記温度制御手段によって同時
に温度制御される。
従って、上記バブラーの複数の各容器の温度が設定温度
に対して変動しても、この温度変動に伴う上記バブラー
の各容器内の各原料に飽和蒸気圧の変動における圧力増
減方向及び時間的変化が同一であり、上記バブラーの各
容器から供給される各原料ガスの流量比の変動が最小限
に抑制される。これによって、特に、例えばＯＭＶＰＥ
法や塩化物ＶＰＥ法による混晶半導体成長の組成制御及
び再現性を従来例に比較して改善することができるとい
う利点がある。
に対して変動しても、この温度変動に伴う上記バブラー
の各容器内の各原料に飽和蒸気圧の変動における圧力増
減方向及び時間的変化が同一であり、上記バブラーの各
容器から供給される各原料ガスの流量比の変動が最小限
に抑制される。これによって、特に、例えばＯＭＶＰＥ
法や塩化物ＶＰＥ法による混晶半導体成長の組成制御及
び再現性を従来例に比較して改善することができるとい
う利点がある。
第１図は本発明の一実施例である気相成長法による半導
体製造装置のブロック図、 第２図は第１図のバブラーの第１の実施例の一部破断斜
視図、 第３図は第２図のバブラーのＡ−Ａ′線についての横断
面図、 第４図は第１図のバブラーの第２の実施例の一部破断斜
視図、 第５図は第４図のバブラーのＡ−Ａ′線についての横断
面図、 第６図は第１図のバブラーの第３の実施例の一部破断斜
視図、 第７図は第６図のバブラーのＡ−Ａ′線についての横断
面図、 第８図は従来例の気相成長法による半導体製造装置のブ
ロック図、 第９図は第８図のバブラーの一部破断斜視図である。 １，2b,3b,4b…原料ガス供給管、 2a,3a,4a…キャリアガス供給管、 ５…成長炉導入管、６…排気管、 ７，８，９，１０…三方バルブ、 １１…成長炉、１２…排気装置、 １５，２０，２１，２２…バブラー、 ２０a，２０b，２１a，２１b，２１c，２２a， ２２b，２２c…バブラーの容器、 ３０…気相成長用原料。
体製造装置のブロック図、 第２図は第１図のバブラーの第１の実施例の一部破断斜
視図、 第３図は第２図のバブラーのＡ−Ａ′線についての横断
面図、 第４図は第１図のバブラーの第２の実施例の一部破断斜
視図、 第５図は第４図のバブラーのＡ−Ａ′線についての横断
面図、 第６図は第１図のバブラーの第３の実施例の一部破断斜
視図、 第７図は第６図のバブラーのＡ−Ａ′線についての横断
面図、 第８図は従来例の気相成長法による半導体製造装置のブ
ロック図、 第９図は第８図のバブラーの一部破断斜視図である。 １，2b,3b,4b…原料ガス供給管、 2a,3a,4a…キャリアガス供給管、 ５…成長炉導入管、６…排気管、 ７，８，９，１０…三方バルブ、 １１…成長炉、１２…排気装置、 １５，２０，２１，２２…バブラー、 ２０a，２０b，２１a，２１b，２１c，２２a， ２２b，２２c…バブラーの容器、 ３０…気相成長用原料。
Claims (2)
- 【請求項１】内部に収容された液体又は固体原料の内部
にキャリアガスを流入することによって上記原料を蒸気
化して原料ガスを発生するバブラーと、 上記バブラーに連結され、上記原料ガスにより半導体の
結晶を気相成長させる成長炉とを備えた気相成長法によ
る半導体製造装置において、 上記バブラーが互いに隔離され、それぞれ上記原料を収
容するための複数の容器と、 それぞれ上記複数の容器に連結され、上記複数の容器に
それぞれ独立してキャリアガスを導入する複数のキャリ
アガス供給管と、 それぞれ上記複数の容器に連結され、上記複数の容器に
おいて発生された各原料ガスをそれぞれ独立して上記成
長炉に放出する複数の原料ガス供給管と、 上記バブラーの複数の容器を共通に温度制御する温度制
御手段とを備えたことを特徴とする気相成長法による半
導体製造装置。 - 【請求項２】上記バブラーの複数の容器が分離可能に構
成されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
気相成長法による半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25416886A JPH069191B2 (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 気相成長法による半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25416886A JPH069191B2 (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 気相成長法による半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63107111A JPS63107111A (ja) | 1988-05-12 |
| JPH069191B2 true JPH069191B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=17261177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25416886A Expired - Fee Related JPH069191B2 (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 気相成長法による半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH069191B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69027496T2 (de) * | 1989-09-26 | 1996-10-31 | Canon Kk | Gasversorgungsvorrichtung und ihre Verwendung für eine Filmabscheidungsanlage |
| KR100893437B1 (ko) * | 2003-03-24 | 2009-04-17 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 카본 나노 구조물의 고효율 합성 방법, 장치 및 카본 나노 구조물 |
-
1986
- 1986-10-24 JP JP25416886A patent/JPH069191B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63107111A (ja) | 1988-05-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |