JPH04177826A - 半導体装置製造用薬品容器 - Google Patents
半導体装置製造用薬品容器Info
- Publication number
- JPH04177826A JPH04177826A JP30689290A JP30689290A JPH04177826A JP H04177826 A JPH04177826 A JP H04177826A JP 30689290 A JP30689290 A JP 30689290A JP 30689290 A JP30689290 A JP 30689290A JP H04177826 A JPH04177826 A JP H04177826A
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- Japan
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- container
- partition plate
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- pipe
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置製造用薬品容器に関し、特に半導
体基板に不純物を拡散したり気相成長を行う為の気化ガ
スを発生させる半導体装置製造用薬品容器に関する。
体基板に不純物を拡散したり気相成長を行う為の気化ガ
スを発生させる半導体装置製造用薬品容器に関する。
従来の半導体装置製造用薬品容器（以下バブラーと記す
）は第３図（ａ）、（ｂ）に示すように、閉じた容器１
１の上面を貫通し容器１１の内部底面近傍で開口を有す
るバブリング用ガス導入管３と、容器１１の上面に設け
て容器１１内に入れた液体原料をバブリングして得られ
た気化ガスを外部に導出するための気化ガス導出管４と
を有して構成される。
）は第３図（ａ）、（ｂ）に示すように、閉じた容器１
１の上面を貫通し容器１１の内部底面近傍で開口を有す
るバブリング用ガス導入管３と、容器１１の上面に設け
て容器１１内に入れた液体原料をバブリングして得られ
た気化ガスを外部に導出するための気化ガス導出管４と
を有して構成される。
第４図（ａ）〜（ｄ）は従来のバブラーの使用例を説明
するための動作順に示した断面図である。
するための動作順に示した断面図である。
まず、第４ ＜ （ａ ）に示すように、空のバブラー
を準備する。
を準備する。
次に、第４図（ｂ）に示すように、ガス導入管３又は導
出管４の何れかより液体原料８を容器１１内に一定量注
入する。
出管４の何れかより液体原料８を容器１１内に一定量注
入する。
次に、第４図（ｃ）に示すように、バブリング用ガス導
入管３から不活性カス９を導入することにより液体原料
８が気化され、気化されたガス１０は気化ガス導出管４
から外部に取出され不純物拡散装置や気相成長装置に送
られる。
入管３から不活性カス９を導入することにより液体原料
８が気化され、気化されたガス１０は気化ガス導出管４
から外部に取出され不純物拡散装置や気相成長装置に送
られる。
次に第４図（ｄ）に示すように、更にバブリングを続け
ると液体原料８は減少し、バブラー内における液体原料
の気化ガス１ｏの濃度は経時的に低くなっていく。
ると液体原料８は減少し、バブラー内における液体原料
の気化ガス１ｏの濃度は経時的に低くなっていく。
この従来のバブラーでは、容器内の液体原料が経時的に
減少していくに従って容器内の気化ガスの原料の濃度が
低くなり半導体基板に不純物拡散を行う時、拡散される
量が経時的に変動したり、気相成長を行う時、成長する
膜質に変化が生じる為、製品に悪影響を及ぼし半導体装
置の品質を低下させるという問題点があった。
減少していくに従って容器内の気化ガスの原料の濃度が
低くなり半導体基板に不純物拡散を行う時、拡散される
量が経時的に変動したり、気相成長を行う時、成長する
膜質に変化が生じる為、製品に悪影響を及ぼし半導体装
置の品質を低下させるという問題点があった。
本発明のバブラーは、閉じた容器の上面に設けて容器内
に液体原料を導入する原料導入管と、前記容器の内側に
設けて容器内を上部と下部に２分割する仕切板と５前記
仕切板に設けて前記容器の下部の中城に開口を有する補
充管と、前記容器の上面及び仕切板を貫通して容器の底
面近傍に開口を有するバブリング用ガス導入管と、前記
容器の上面及び仕切板を貫通して前記仕切板の直下に開
口を有する気化ガス導出管と、前記原料導入管の上端に
設けて前記容器の上部を密封する栓とを有する。
に液体原料を導入する原料導入管と、前記容器の内側に
設けて容器内を上部と下部に２分割する仕切板と５前記
仕切板に設けて前記容器の下部の中城に開口を有する補
充管と、前記容器の上面及び仕切板を貫通して容器の底
面近傍に開口を有するバブリング用ガス導入管と、前記
容器の上面及び仕切板を貫通して前記仕切板の直下に開
口を有する気化ガス導出管と、前記原料導入管の上端に
設けて前記容器の上部を密封する栓とを有する。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ＞、（ｂ）は本発明の一実施例を示す斜視図
及び断面図である。
及び断面図である。
第１図（ａ）、（ｂ）に示すように、閉じた容器１１の
上面に設けて容器１１内に液体原料を導入する原料導入
管１と、容器１１の内側に水平に設けて容器１１を上部
と下部に２分割する仕切板５と、仕切板５より下方へ向
けて設けて容器１１の下部の中城に開口を有する原料の
補充管６と、容器１１の上面及び仕切板５を貫通して容
器１１の底面近くに開口を有するバブリング用ガス導入
管３と、容器１１の上面及び仕切板５を貫通して仕切板
５の直下に開口を有する気化ガス導出管４と、原料導入
管１の上端に設けて容器１１の上部を密封する栓２とを
有して構成される。
上面に設けて容器１１内に液体原料を導入する原料導入
管１と、容器１１の内側に水平に設けて容器１１を上部
と下部に２分割する仕切板５と、仕切板５より下方へ向
けて設けて容器１１の下部の中城に開口を有する原料の
補充管６と、容器１１の上面及び仕切板５を貫通して容
器１１の底面近くに開口を有するバブリング用ガス導入
管３と、容器１１の上面及び仕切板５を貫通して仕切板
５の直下に開口を有する気化ガス導出管４と、原料導入
管１の上端に設けて容器１１の上部を密封する栓２とを
有して構成される。
第２図（ａ）〜（ｆ）は本発明のバブラーの使用例を説
明するための動作順に示した断面図である。
明するための動作順に示した断面図である。
まず、第２図（ａ）に示すように、空のバブラーを用意
する。
する。
次に、第２図（ｂ）に示すように原料導入管１より液体
原料８を注入して仕切板５の下部に入れる。
原料８を注入して仕切板５の下部に入れる。
次に、第２図（Ｃ）に示すように、原料導入管１より容
器１１の上部を排気して補充管６より液体原料８を上部
へ吸い上げる。
器１１の上部を排気して補充管６より液体原料８を上部
へ吸い上げる。
次に、第２［Ｍ（ｄ）に示すように、下部の液体原料８
が補充管６の下端まで達した状態で原料導入管１の上端
を栓２で密封する。
が補充管６の下端まで達した状態で原料導入管１の上端
を栓２で密封する。
次に、第２図（ｅ）に示すように、バブリング用カス導
入管３より不活性カス９を吹込んで液体原料８をバブリ
ングし、液体原料８を気化させる。液体原料８の気化ガ
ス１０は不活性カスつと共に気化ガス導出管４より外部
に取出され半導体基板の不純物拡散装置や気相成長装置
に送られる。
入管３より不活性カス９を吹込んで液体原料８をバブリ
ングし、液体原料８を気化させる。液体原料８の気化ガ
ス１０は不活性カスつと共に気化ガス導出管４より外部
に取出され半導体基板の不純物拡散装置や気相成長装置
に送られる。
次に、第２図（ｆ）に示すように、液体原料８のハフリ
ンクを続けて容器下部の液体原料８が減少すると上部か
ら補充管６を経由して液体原料が下部に流れ落ちて下部
の液体原料８が補充され、下部の液体原料８の量を常に
一定に保つことができる。従って、下部の液体原料の量
及び下部の気体の量を一定に保つことにより、気化ガス
１０の濃度を一定にすることができる。
ンクを続けて容器下部の液体原料８が減少すると上部か
ら補充管６を経由して液体原料が下部に流れ落ちて下部
の液体原料８が補充され、下部の液体原料８の量を常に
一定に保つことができる。従って、下部の液体原料の量
及び下部の気体の量を一定に保つことにより、気化ガス
１０の濃度を一定にすることができる。
以上説明したように本発明は、容器内に容器を上部と下
部に２分割する仕切板及び上部から下部に原料を補充す
る補充管を設けることにより、下部に入れた液体原料の
量を一定に保つことがてき、気化カスの濃度を常に一定
に保つことかできるため、導体基板に拡散される不純物
の量や気相成長される膜質を一定にして半導体装置の品
質を向上させるという効果を有する。
部に２分割する仕切板及び上部から下部に原料を補充す
る補充管を設けることにより、下部に入れた液体原料の
量を一定に保つことがてき、気化カスの濃度を常に一定
に保つことかできるため、導体基板に拡散される不純物
の量や気相成長される膜質を一定にして半導体装置の品
質を向上させるという効果を有する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例を示す斜視図
及び断面図、第２図（ａ）〜（ｆ）は本発明のバブラー
の使用例を説明するための動作順に示した断面図、第３
図（ａ）、（ｂ）は従来のバブラーの一例を示す斜視図
及び断面図、第４図（ａ）〜（ｄ）は従来のバブラーの
使用例を説明するための動作順に示した断面図である。 １・・・液体原料導入管、２・・・栓、３・・・バブリ
ング用ガス導入管、４・・・気化ガス導出管、５・・・
仕切板、６・・・補充管、８・・・液体原料、９・・・
不活性カス、１０・・・気化ガス、１１・・・容器。
及び断面図、第２図（ａ）〜（ｆ）は本発明のバブラー
の使用例を説明するための動作順に示した断面図、第３
図（ａ）、（ｂ）は従来のバブラーの一例を示す斜視図
及び断面図、第４図（ａ）〜（ｄ）は従来のバブラーの
使用例を説明するための動作順に示した断面図である。 １・・・液体原料導入管、２・・・栓、３・・・バブリ
ング用ガス導入管、４・・・気化ガス導出管、５・・・
仕切板、６・・・補充管、８・・・液体原料、９・・・
不活性カス、１０・・・気化ガス、１１・・・容器。
Claims (1)
- 閉じた容器の上面に設けて容器内に液体原料を導入す
る原料導入管と、前記容器の内側に設けて容器内を上部
と下部に２分割する仕切板と、前記仕切板に設けて前記
容器の下部の中城に開口を有する補充管と、前記容器の
上面及び仕切板を貫通して容器の底面近傍に開口を有す
るバブリング用ガス導入管と、前記容器の上面及び仕切
板を貫通して前記仕切板の直下に開口を有する気化ガス
導出管と、前記原料導入管の上端に設けて前記容器の上
部を密封する栓とを有することを特徴とする半導体装置
製造用薬品容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30689290A JPH04177826A (ja) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | 半導体装置製造用薬品容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30689290A JPH04177826A (ja) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | 半導体装置製造用薬品容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04177826A true JPH04177826A (ja) | 1992-06-25 |
Family
ID=17962514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30689290A Pending JPH04177826A (ja) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | 半導体装置製造用薬品容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04177826A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8135270B2 (en) | 2009-07-24 | 2012-03-13 | Fujifilm Corporation | Imaging device and imaging method |
| JP2016192515A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 株式会社東芝 | 気化システム |
-
1990
- 1990-11-13 JP JP30689290A patent/JPH04177826A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8135270B2 (en) | 2009-07-24 | 2012-03-13 | Fujifilm Corporation | Imaging device and imaging method |
| JP2016192515A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 株式会社東芝 | 気化システム |
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