JPS6233769A - 液体原料のバブリング装置 - Google Patents
液体原料のバブリング装置Info
- Publication number
- JPS6233769A JPS6233769A JP17166385A JP17166385A JPS6233769A JP S6233769 A JPS6233769 A JP S6233769A JP 17166385 A JP17166385 A JP 17166385A JP 17166385 A JP17166385 A JP 17166385A JP S6233769 A JPS6233769 A JP S6233769A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- liquid raw
- carrier gas
- small holes
- gas supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J7/00—Apparatus for generating gases
- B01J7/02—Apparatus for generating gases by wet methods
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
- B01J4/001—Feed or outlet devices as such, e.g. feeding tubes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体等の化学気相処理に用いる液体原料
を、反応室に供給するためにキャリアガスのバブル（泡
）によって蒸気化させるバブリング装置に関する。
を、反応室に供給するためにキャリアガスのバブル（泡
）によって蒸気化させるバブリング装置に関する。
ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ ）やＲＩ Ｅ （Ｒｅａｃｔｉｖｅ
Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）等の工程を含む半導体の製
造プロセスにおいて、常温、常圧のもとて液体である原
料をガス状にして反応室に供給する場合、第３図に示す
ように、液体原料１を収納した密封容器２内にキャリア
ガス供給管３を原料液面下まで挿入し、この供給管３を
通してマスフローコントローラ等の流量調節器４により
流量制御されたキャリアガス５を一般には恒温に保たれ
る液体原料中に放出し、この放出によるバブリングで蒸
気化した原料とキャリアガスの混合気６を容器２の上部
に設けた管７に流して図示しない反応室へと導く方法が
一般的に採られている。
ｏｓｉｔｉｏｎ ）やＲＩ Ｅ （Ｒｅａｃｔｉｖｅ
Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）等の工程を含む半導体の製
造プロセスにおいて、常温、常圧のもとて液体である原
料をガス状にして反応室に供給する場合、第３図に示す
ように、液体原料１を収納した密封容器２内にキャリア
ガス供給管３を原料液面下まで挿入し、この供給管３を
通してマスフローコントローラ等の流量調節器４により
流量制御されたキャリアガス５を一般には恒温に保たれ
る液体原料中に放出し、この放出によるバブリングで蒸
気化した原料とキャリアガスの混合気６を容器２の上部
に設けた管７に流して図示しない反応室へと導く方法が
一般的に採られている。
ところで、この方法では、当然のことながら、キャリア
ガスはパップフレとして液体原料中に放出させるため、
キャリアガス流は脈流となるが、従来のこの種バリブリ
ング装置におけるキャリアガス供給管は、単に先端の開
口した管を液体原料中に挿入したものであって、キャリ
アガスは比較的大きなバブルとなって時間的にもある程
度規則的に液中に放出されることから、その脈流の度合
が大きい。このため、脈流に付随する流量調節器４の出
口圧力（２次圧力）の変動によりキャリアガス流量の制
御性が低下し、また、容器２内の圧力の変動中も大きく
なる。
ガスはパップフレとして液体原料中に放出させるため、
キャリアガス流は脈流となるが、従来のこの種バリブリ
ング装置におけるキャリアガス供給管は、単に先端の開
口した管を液体原料中に挿入したものであって、キャリ
アガスは比較的大きなバブルとなって時間的にもある程
度規則的に液中に放出されることから、その脈流の度合
が大きい。このため、脈流に付随する流量調節器４の出
口圧力（２次圧力）の変動によりキャリアガス流量の制
御性が低下し、また、容器２内の圧力の変動中も大きく
なる。
ところが、液体原料のバブリングによる蒸気化量は、キ
ャリアガス流量と液体原料容器内の圧力に依存し、従っ
て、キャリアガスのバブルをバブリングに利用する従来
のバブリング装置では、液体原料の蒸気化量、換言すれ
ば反応室への供給量を精密に制御するのが難しく、化学
処理する製品の品質に悪影響を及ぼす欠点があった。
ャリアガス流量と液体原料容器内の圧力に依存し、従っ
て、キャリアガスのバブルをバブリングに利用する従来
のバブリング装置では、液体原料の蒸気化量、換言すれ
ば反応室への供給量を精密に制御するのが難しく、化学
処理する製品の品質に悪影響を及ぼす欠点があった。
この発明は、上記の問題を無くすため、液体原料中に浸
漬するキャリアガス供給管の先端を密閉し、その先端付
近の管側面に、好ましくは原料液面からほゞ同一深さ位
置に揃う複数の小孔を周方向に位置を変えて設け、この
小孔よりキャリアガスのバブルを発生させるようにした
ものである。
漬するキャリアガス供給管の先端を密閉し、その先端付
近の管側面に、好ましくは原料液面からほゞ同一深さ位
置に揃う複数の小孔を周方向に位置を変えて設け、この
小孔よりキャリアガスのバブルを発生させるようにした
ものである。
このように、複数の小孔からキャリアガスを分散放出す
れば、個々のバブルが小さくなり、また、その放出時刻
の規則性も無くなるため、キャリアガス流の脈流が小さ
く抑えられる。
れば、個々のバブルが小さくなり、また、その放出時刻
の規則性も無くなるため、キャリアガス流の脈流が小さ
く抑えられる。
第１図及び第２図にこの発明の実施例を示す。
例示のバブリング装置のキャリアガス供給管８は、外径
１／４インチのステンレス管であって、その先端は端板
９によって塞がれ、また、先端から若干（例えば先端か
ら３間膜度）後退した管の側面には、同一水平円周上に
位置する直径り、 ５ ｒｔｒｍ程度の貫通した小孔１
０を等間隔に６個設けである。
１／４インチのステンレス管であって、その先端は端板
９によって塞がれ、また、先端から若干（例えば先端か
ら３間膜度）後退した管の側面には、同一水平円周上に
位置する直径り、 ５ ｒｔｒｍ程度の貫通した小孔１
０を等間隔に６個設けである。
なお、小孔１０は複数あればよく、特に６個に限定され
るものではない。また、その孔径も１．５問に限定され
ない。
るものではない。また、その孔径も１．５問に限定され
ない。
このキャリアガス供給管８をステンレス製の容器２に納
められたＴＭＧ〔トリメチルガリウム：（Ｃ［ｌ３）３
Ｇａ〕 等の液体原料１中に小孔１０が液面下に位置
するように挿入し、先端の小孔１０よリマスフローコン
トローラ等の流量調節器４によって流量制御されたＨ２
等のキャリアガス５を液体原料１中にバブル１１と
して放出するように構成されたのが例示のバブリング装
置であって、パフリングにより蒸気化した原料はキャリ
アガスとの混合気６となって容器２の上部に取付けられ
たステンレス製の管７を通して反応室に導かれる。
められたＴＭＧ〔トリメチルガリウム：（Ｃ［ｌ３）３
Ｇａ〕 等の液体原料１中に小孔１０が液面下に位置
するように挿入し、先端の小孔１０よリマスフローコン
トローラ等の流量調節器４によって流量制御されたＨ２
等のキャリアガス５を液体原料１中にバブル１１と
して放出するように構成されたのが例示のバブリング装
置であって、パフリングにより蒸気化した原料はキャリ
アガスとの混合気６となって容器２の上部に取付けられ
たステンレス製の管７を通して反応室に導かれる。
以上述べたこの発明のバブリング装置によれば、流量調
節器を経由したキャリアガスを、供給管の先端付近に設
けた小孔から分散して液体嘱料中に放出するので、各バ
ブルが非常に小さくなり、また、その発生時期の規則性
もなくなる。従って、全体としてのキャリアガスの脈流
は非常に小さなものとなり、脈流に起因する液体原料の
蒸気化量の変動が効果的に回避される。
節器を経由したキャリアガスを、供給管の先端付近に設
けた小孔から分散して液体嘱料中に放出するので、各バ
ブルが非常に小さくなり、また、その発生時期の規則性
もなくなる。従って、全体としてのキャリアガスの脈流
は非常に小さなものとなり、脈流に起因する液体原料の
蒸気化量の変動が効果的に回避される。
第１図は、この発明のバブリング装置の全体を表わす模
式図、第２図はキャリアガス供給管の先端部を示す斜視
図、第３図は従来のバブリング装置の模式図である。 １・・・液体原料、２・・・密封容器、４・・・流量調
節器、５・・・キャリアガス、６・・・混合気、７・・
・反応室に通じる管、８・・・キャリアガス、１Ｌｓｆ
管、９・・・端板、１゜・・・小孔、１１・・・バブル
式図、第２図はキャリアガス供給管の先端部を示す斜視
図、第３図は従来のバブリング装置の模式図である。 １・・・液体原料、２・・・密封容器、４・・・流量調
節器、５・・・キャリアガス、６・・・混合気、７・・
・反応室に通じる管、８・・・キャリアガス、１Ｌｓｆ
管、９・・・端板、１゜・・・小孔、１１・・・バブル
Claims (2)
- （１）流量調節器を経由したキャリアガスをキャリアガ
ス供給管を通して密封容器内の液体原料中にバブルとし
て放出し、上記液体原料を蒸気化させるバブリング装置
において、液体原料中に浸漬される上記キャリアガス供
給管の先端を密閉し、その先端付近の管側面に複数の小
孔を周方向に位置をずらして設けたことを特徴とする液
体原料のバブリング装置。 - （２）上記複数の小孔が原料液面からほゞ同一深さの位
置に揃えて設けてあることを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項記載の液体原料のバブリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17166385A JPS6233769A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 液体原料のバブリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17166385A JPS6233769A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 液体原料のバブリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6233769A true JPS6233769A (ja) | 1987-02-13 |
Family
ID=15927388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17166385A Pending JPS6233769A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 液体原料のバブリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6233769A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990007587A1 (en) * | 1988-12-29 | 1990-07-12 | Tadahiro Ohmi | Feeder for process gas |
| US5476547A (en) * | 1989-09-26 | 1995-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Gas feeding device for controlled vaporization of an organometallic compound used in deposition film formation |
| US5591267A (en) * | 1988-01-11 | 1997-01-07 | Ohmi; Tadahiro | Reduced pressure device |
| US5789086A (en) * | 1990-03-05 | 1998-08-04 | Ohmi; Tadahiro | Stainless steel surface having passivation film |
| US5906688A (en) * | 1989-01-11 | 1999-05-25 | Ohmi; Tadahiro | Method of forming a passivation film |
| JP2005230819A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Cs Clean Systems Ag | バブラーを再充填するための装置及び方法 |
| JP2008302016A (ja) * | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Isao Yamabe | 除塵用粘着テープ巻着ロール |
-
1985
- 1985-08-02 JP JP17166385A patent/JPS6233769A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5591267A (en) * | 1988-01-11 | 1997-01-07 | Ohmi; Tadahiro | Reduced pressure device |
| WO1990007587A1 (en) * | 1988-12-29 | 1990-07-12 | Tadahiro Ohmi | Feeder for process gas |
| US5906688A (en) * | 1989-01-11 | 1999-05-25 | Ohmi; Tadahiro | Method of forming a passivation film |
| US5755885A (en) * | 1989-09-19 | 1998-05-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Gas feeding device for controlled vaporization of an organometallic compound used in deposition film formation |
| US5476547A (en) * | 1989-09-26 | 1995-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Gas feeding device for controlled vaporization of an organometallic compound used in deposition film formation |
| US5789086A (en) * | 1990-03-05 | 1998-08-04 | Ohmi; Tadahiro | Stainless steel surface having passivation film |
| JP2005230819A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Cs Clean Systems Ag | バブラーを再充填するための装置及び方法 |
| JP2008302016A (ja) * | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Isao Yamabe | 除塵用粘着テープ巻着ロール |
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