JPH01239012A - シリコン原料ガス発生装置 - Google Patents
シリコン原料ガス発生装置Info
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- JPH01239012A JPH01239012A JP6532888A JP6532888A JPH01239012A JP H01239012 A JPH01239012 A JP H01239012A JP 6532888 A JP6532888 A JP 6532888A JP 6532888 A JP6532888 A JP 6532888A JP H01239012 A JPH01239012 A JP H01239012A
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- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 title claims abstract 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 41
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 87
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Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(1)発明の目的
[産業上の利用分野]
本発明は、シリコン原料ガス発生装置に関し、特に高速
で気体を流通せしめる高速気体流通管に対しシリコン原
料液体を噴出してシリコン原料液体を気化することによ
りシリコン原料ガスを発生してなるシリコン原料ガス発
生装置に関するものである。
で気体を流通せしめる高速気体流通管に対しシリコン原
料液体を噴出してシリコン原料液体を気化することによ
りシリコン原料ガスを発生してなるシリコン原料ガス発
生装置に関するものである。
[従来の技術]
従来、この種のシリコン原料ガス発生装置としては、シ
リコン原料液体を収容したシリコン原料容器に対して気
体を供給することによりハブリンクを生じせしめそのシ
リコン原料液体を気化してシリコン原料ガスを発生して
いた。
リコン原料液体を収容したシリコン原料容器に対して気
体を供給することによりハブリンクを生じせしめそのシ
リコン原料液体を気化してシリコン原料ガスを発生して
いた。
[解決すべき問題点]
しかしながら従来のシリコン原料ガス発生装置ては、(
i)ハブリンクのための気体の流量制御上の問題からシ
リコン原料ガスをb[]g/分以−1−の11.1合て
発生することかてきない欠点かあり、また(11)気化
熱によってシリコン原料液体の温lバか低下してしまい
1 シリコン原料ガスをffl 詩間にわたり安定1ノ
で発生てきない欠点かあり、加えて ′(i i i)
シリコン原料ガスの流量モニタ装置か複雑な構造てあり
、その保持および点検の作業か困難てかつ大流量の場合
に制御不圭となる欠点かあった。
i)ハブリンクのための気体の流量制御上の問題からシ
リコン原料ガスをb[]g/分以−1−の11.1合て
発生することかてきない欠点かあり、また(11)気化
熱によってシリコン原料液体の温lバか低下してしまい
1 シリコン原料ガスをffl 詩間にわたり安定1ノ
で発生てきない欠点かあり、加えて ′(i i i)
シリコン原料ガスの流量モニタ装置か複雑な構造てあり
、その保持および点検の作業か困難てかつ大流量の場合
に制御不圭となる欠点かあった。
そこて本9!、用は、これらの欠点を除去すべく、高速
て気体を流通せしめる高速気体流通管に対しシリコン原
料液体を噴出してシリコン原料液体を気化することによ
りシリコン原料ガスを発生するシリコン原料ガス発生装
置を提供せんとするものである。
て気体を流通せしめる高速気体流通管に対しシリコン原
料液体を噴出してシリコン原料液体を気化することによ
りシリコン原料ガスを発生するシリコン原料ガス発生装
置を提供せんとするものである。
(2)発f項のいずれか一項記載の構成[問題点の解決
手段] 本発明により提供される問題点の解決り段は、「(a)
高速で気体を流通せしめる高速気体流通管と1 (b)前記高速気体流通管に対しシリコン原料液体を噴
出せしめて気化することに よりシリコン原料ガスを発生する噴出 1段と を備えてなることを特徴とするシリコン原料ガス発生装
置」 である。
手段] 本発明により提供される問題点の解決り段は、「(a)
高速で気体を流通せしめる高速気体流通管と1 (b)前記高速気体流通管に対しシリコン原料液体を噴
出せしめて気化することに よりシリコン原料ガスを発生する噴出 1段と を備えてなることを特徴とするシリコン原料ガス発生装
置」 である。
[作用]
未発IJIにかかるシリコン原料ガス発生装置は。
高速で気体を流通せしめる高速気体流通管に対しシリコ
ン原料液体を噴出手段により噴出してなるので、(i)
気化熱の影響を回避しておりシリコン原料ガスを長時間
にわたり安定して発生せしめる作用をなし、また(1i
)ハブリンクのための気体な供給する必要かなくシリコ
ン原料ガスの供給絨を増大せしめる作用をなし、ひいて
は(iii)シリコン原料ガスの法談モニタ装置の構造
を簡潔化し大Ii量の場合てもその制御を可能とする作
用なす。
ン原料液体を噴出手段により噴出してなるので、(i)
気化熱の影響を回避しておりシリコン原料ガスを長時間
にわたり安定して発生せしめる作用をなし、また(1i
)ハブリンクのための気体な供給する必要かなくシリコ
ン原料ガスの供給絨を増大せしめる作用をなし、ひいて
は(iii)シリコン原料ガスの法談モニタ装置の構造
を簡潔化し大Ii量の場合てもその制御を可能とする作
用なす。
[実施例]
次に本発明について、添付図面を参照しつつ具体的に説
Illする。
Illする。
第11”3は、未発す1にかかるシリコン原料ガス発生
装置の一実施例を示す部分断面図である。
装置の一実施例を示す部分断面図である。
まず本発明にかかるシリコン原料ガス発生装置の一実施
例について、その構成を詳細に説1!1する。
例について、その構成を詳細に説1!1する。
すは本発明にかかるシリコン原料ガス発生4・1:置て
あって、シリコン原料液体(たとえば1へりクロロシラ
ンS i lic l :lあるいはテトラクロロシラ
ン5IC14) llaを収容するシリコンEC料容器
11と、シリコン原料容々11に対し加圧されたガス(
たとえば窒素ガス)を供給するためのガス供給管12と
、ガス供給管12に対して配設されておりガスの圧力を
調節する圧力調節装置13と、気体(たとえば水素ガス
)を高速(たとえば2501/分以七)で流通せしめる
ための高速気体流通管14と、シリコン原料容器11か
ら高速気体流通管14に対してシリコン原料液体11a
を供給するためのシリコン原料液体供給管15と、シリ
コン原料液体供給Ii?15に対して配設されておりシ
リコン原料液体11aの供給量を調節する流+4:A節
装置16とを包有している。
あって、シリコン原料液体(たとえば1へりクロロシラ
ンS i lic l :lあるいはテトラクロロシラ
ン5IC14) llaを収容するシリコンEC料容器
11と、シリコン原料容々11に対し加圧されたガス(
たとえば窒素ガス)を供給するためのガス供給管12と
、ガス供給管12に対して配設されておりガスの圧力を
調節する圧力調節装置13と、気体(たとえば水素ガス
)を高速(たとえば2501/分以七)で流通せしめる
ための高速気体流通管14と、シリコン原料容器11か
ら高速気体流通管14に対してシリコン原料液体11a
を供給するためのシリコン原料液体供給管15と、シリ
コン原料液体供給Ii?15に対して配設されておりシ
リコン原料液体11aの供給量を調節する流+4:A節
装置16とを包有している。
ここて高速気体流通管14を流通せしめられる気体は、
加熱手段(図示せず)により予め加熱されておれば、シ
リコン原料液体の気化を促進できるのて好ましいが、未
発11は、これに限定されるものではない。
加熱手段(図示せず)により予め加熱されておれば、シ
リコン原料液体の気化を促進できるのて好ましいが、未
発11は、これに限定されるものではない。
同様にシリコン原料容器11に対して加熱r段(lA示
せず)を配置賢しシリコン原ネ1液体11aを加熱して
おけば、シリコン原本1液体の気化を促進3Cきるので
好ましいが、未発IJ+は、これに限定されるものては
ない。
せず)を配置賢しシリコン原ネ1液体11aを加熱して
おけば、シリコン原本1液体の気化を促進3Cきるので
好ましいが、未発IJ+は、これに限定されるものては
ない。
更に本ff1lJIにかかるシリコン原料ガス発生装置
の一実施例について、その作用を詳細に説明する。
の一実施例について、その作用を詳細に説明する。
高速気体流通管14を介して気体(たとえば水素ガス)
を、矢印へ方向に高速(たとえば2501/分以上)て
持続的に流通せしめる。
を、矢印へ方向に高速(たとえば2501/分以上)て
持続的に流通せしめる。
この状yEて、圧力調1酊装置13を3J節することに
より適度の圧力のガス(たとえば窒素ガス)を、ガス供
給管12を介してシリコン原料容器11に対し供給する
。
より適度の圧力のガス(たとえば窒素ガス)を、ガス供
給管12を介してシリコン原料容器11に対し供給する
。
シリコン原料容器11では、ガスの圧力によってシリコ
ン原料液体(たとえばトリクロロシランS i IIc
I vあるいはテトラクロロシラン5iC11) l
laかシリコンb;(料液体供給管15へ供給される。
ン原料液体(たとえばトリクロロシランS i IIc
I vあるいはテトラクロロシラン5iC11) l
laかシリコンb;(料液体供給管15へ供給される。
シリコンB;〔料液体供給管15ては、流星調節装置1
6を調節することにより適度の流量とされたシリコン原
料液体11aが、高速気体流通管14へ供給されている
。
6を調節することにより適度の流量とされたシリコン原
料液体11aが、高速気体流通管14へ供給されている
。
高速気体流通管14に供給されたシリコン原料液体11
aは、気化されてシリコン原料ガスとされたのち、高速
の気体によって後続の装置たとえば化7的蒸看装置へ供
給される。
aは、気化されてシリコン原料ガスとされたのち、高速
の気体によって後続の装置たとえば化7的蒸看装置へ供
給される。
加えて本発明にかかるシリコン原料ガス発生装置′4の
一実施例について、その理解を一層深めるために具体的
な数値などを挙げて説IJIJする。
一実施例について、その理解を一層深めるために具体的
な数値などを挙げて説IJIJする。
(実施例)
シリコン原料液体11aとしてトリクロロシラン5il
tC13を収容したシリコン原料容器+1に対し、圧力
、21箇装置13を調節することにより2.IIKg/
cm2の窒素カスを供給しつつ、流3.1−調節装置I
6を、調節してシリコン原ネ]液体供給Ii′i′15
を介し3ot+ g/分の;1.1合てl−リクロロシ
ランS i IIc I:lを高速気体流通管14に1
■出せしめた。
tC13を収容したシリコン原料容器+1に対し、圧力
、21箇装置13を調節することにより2.IIKg/
cm2の窒素カスを供給しつつ、流3.1−調節装置I
6を、調節してシリコン原ネ]液体供給Ii′i′15
を介し3ot+ g/分の;1.1合てl−リクロロシ
ランS i IIc I:lを高速気体流通管14に1
■出せしめた。
高速気体流通管14には、水素ガスか25()〜3【1
0文7分の速度て供給されており、シリコン原料ガスす
なわちトリクロロシラン5itlChガスか:ll10
g/分まて発生てきた。
0文7分の速度て供給されており、シリコン原料ガスす
なわちトリクロロシラン5itlChガスか:ll10
g/分まて発生てきた。
安定にシリコン原料ガスすなわちトリクロロシランS
i IIc I 3ガスを連続して発生できる時間は、
シリコン原料容器IIの容(、シひいてはシリコン原料
容器11に収容されたシリコン原ネ゛1液体11aすな
わちトリクロロシラン5illC1:lの(,1によっ
て決定された。
i IIc I 3ガスを連続して発生できる時間は、
シリコン原料容器IIの容(、シひいてはシリコン原料
容器11に収容されたシリコン原ネ゛1液体11aすな
わちトリクロロシラン5illC1:lの(,1によっ
て決定された。
以」二の結果は、第1表に示されている。
第 1 表
(比較例)
シリコン原料容器中のシリコン原料液体(ここてはトリ
クロロシランS i IIc l 3 )に対して窒素
ガスを供給し、ハブリンクによりトリクロロシランS
i IIc 1.を気化せしめてシリコン原料ガスすな
わちトリクロロシラン5illChガスを発生した。
クロロシランS i IIc l 3 )に対して窒素
ガスを供給し、ハブリンクによりトリクロロシランS
i IIc 1.を気化せしめてシリコン原料ガスすな
わちトリクロロシラン5illChガスを発生した。
トリクロロシラン5illC1iガスは、60g/分ま
て発生てきた。
て発生てきた。
安定にシリコン原料ガスすなわちトリクロロシラン5i
llChガスを連続して発生てきる時間は、シリコン原
料液体(ここではトリクロロシラン5illC1z)の
気化熱によってその液温が低下してしまい、約1.0時
間に過ぎなかった。
llChガスを連続して発生てきる時間は、シリコン原
料液体(ここではトリクロロシラン5illC1z)の
気化熱によってその液温が低下してしまい、約1.0時
間に過ぎなかった。
以−Lの結果は、第1表に併せて示されている。
(3)発明の効果
上述より明らかなように本発明にかかるシリコン原料ガ
ス発生装置は、 (a)高速て気体を流通せしめる高速気体流通管と、 (b)前記高速気体流通管に対しシリコン原料液体を噴
出せしめて気化することによ りシリコン原料ガスを発生する噴出手 段と を罰えてなるのて、 (i)シリコン原料液体の気化熱の影 ツを回避でき、ひいてはシリコ ン原料ガスを長時間にわたり安 定して供給できる効果 を有し、また (ii)ハフリングのための気体を供給する必要かなく
、シリコン原料 ガスの供給敬を増大せしめるこ とかてきる効果 を有し、ひいては (iii)シリコン原料ガスの原着モニタ装置の構造を
@深化し大流量の 場合てもその制御を01能とてき る効果 を有する。
ス発生装置は、 (a)高速て気体を流通せしめる高速気体流通管と、 (b)前記高速気体流通管に対しシリコン原料液体を噴
出せしめて気化することによ りシリコン原料ガスを発生する噴出手 段と を罰えてなるのて、 (i)シリコン原料液体の気化熱の影 ツを回避でき、ひいてはシリコ ン原料ガスを長時間にわたり安 定して供給できる効果 を有し、また (ii)ハフリングのための気体を供給する必要かなく
、シリコン原料 ガスの供給敬を増大せしめるこ とかてきる効果 を有し、ひいては (iii)シリコン原料ガスの原着モニタ装置の構造を
@深化し大流量の 場合てもその制御を01能とてき る効果 を有する。
第1図は、本発明にかかるシリコン原料ガス発生装置の
一実施例を示す部分断面図である。
一実施例を示す部分断面図である。
Claims (4)
- (1)(a)高速で気体を流通せしめる高速気体流通管
と、 (b)前記高速気体流通管に対しシリコン原料液体を噴
出せしめて気化することによりシリコン原料ガスを発生
する噴出手段と を備えてなることを特徴とするシリコン原料ガス発生装
置。 - (2)シリコン原料液体が、加熱手段により加熱されて
なることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の
シリコン原料ガス発生装置。 - (3)噴出手段が、 (a)シリコン原料液体を収容するシリコン原料容器と
、 (b)前記シリコン原料容器に対して加圧されたガスを
供給するガス供給管と、 (c)前記シリコン原料液体を高速気体流通管に対して
供給するために、前記シリコン原料容器を前記高速気体
流通管に対し連通せしめるシリコン原料液体供給管と を包有してなることを特徴とする特許請求の範囲第(1
)項もしくは第(2)項記載のシリコン原料ガス発生装
置。 - (4)高速気体流通管によって供給される気体が、加熱
手段により予め加熱されてなることを特徴とする特許請
求の範囲第(1)項ないし第(3)項のいずれか一項記
載のシリコン原料ガス発生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6532888A JPH01239012A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | シリコン原料ガス発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6532888A JPH01239012A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | シリコン原料ガス発生装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01239012A true JPH01239012A (ja) | 1989-09-25 |
Family
ID=13283741
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6532888A Pending JPH01239012A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | シリコン原料ガス発生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01239012A (ja) |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP6532888A patent/JPH01239012A/ja active Pending
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