JPH0947697A - 液体気化供給装置 - Google Patents
液体気化供給装置Info
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- JPH0947697A JPH0947697A JP7222686A JP22268695A JPH0947697A JP H0947697 A JPH0947697 A JP H0947697A JP 7222686 A JP7222686 A JP 7222686A JP 22268695 A JP22268695 A JP 22268695A JP H0947697 A JPH0947697 A JP H0947697A
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- liquid
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液体ソースの気化効率を改善してガス発生量
（濃度）を安定化し、半導体製造における成膜プロセ
ス、塗布プロセスを安定なものにすること。 【解決手段】 液体ソースを気化し、液体ソースを気相
状態のガスに生成する液体気化供給装置において、液体
ソースを気化する気化部（ヒータ９と気化通路１３から
なる）の上流側に、液体ソースを霧化する霧化器７を設
け、この霧化器７によって液体ソースを霧化して気化部
に供給し気化する。
（濃度）を安定化し、半導体製造における成膜プロセ
ス、塗布プロセスを安定なものにすること。 【解決手段】 液体ソースを気化し、液体ソースを気相
状態のガスに生成する液体気化供給装置において、液体
ソースを気化する気化部（ヒータ９と気化通路１３から
なる）の上流側に、液体ソースを霧化する霧化器７を設
け、この霧化器７によって液体ソースを霧化して気化部
に供給し気化する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体製造にて使
用される成膜装置や塗布装置に原料ガスを供給する液体
気化供給装置に関し、特に液体ソースを気相状態のガス
に生成する液体気化供給装置に関するものである。
用される成膜装置や塗布装置に原料ガスを供給する液体
気化供給装置に関し、特に液体ソースを気相状態のガス
に生成する液体気化供給装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造における成膜や塗布におい
て、原材料として液体ソースを使用する場合、液体ソー
スを気化し、これを原料ガスとして成膜装置や塗布装置
に供給するために、液体気化供給装置が使用される。従
来の液体気化供給装置は、ヒータによる加熱式の気化部
を有し、この気化部に液体ソースをそのまま供給し、こ
れを加熱することにより気化させていた。
て、原材料として液体ソースを使用する場合、液体ソー
スを気化し、これを原料ガスとして成膜装置や塗布装置
に供給するために、液体気化供給装置が使用される。従
来の液体気化供給装置は、ヒータによる加熱式の気化部
を有し、この気化部に液体ソースをそのまま供給し、こ
れを加熱することにより気化させていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の液
体気化供給装置では、気化部に液体ソースがそのまま供
給されるため、気化効率が悪く、ガスの発生量（濃度）
にばらつきが生じ易い。このため成膜装置や塗布装置に
対するガス供給量、換言すれば液体ソースの実供給量を
正確に制御することが難しくなり、半導体の成膜プロセ
ス、塗布プロセスが不安定なものになり、半導体製造の
歩留まりを低下させる原因になる。特に、ガス供給量を
気化部に供給する液体ソースの流量で制御する場合に
は、成膜装置や塗布装置に供給するガスの実流量を正確
に把握することが難しく、これを正確に制御することが
できない。
体気化供給装置では、気化部に液体ソースがそのまま供
給されるため、気化効率が悪く、ガスの発生量（濃度）
にばらつきが生じ易い。このため成膜装置や塗布装置に
対するガス供給量、換言すれば液体ソースの実供給量を
正確に制御することが難しくなり、半導体の成膜プロセ
ス、塗布プロセスが不安定なものになり、半導体製造の
歩留まりを低下させる原因になる。特に、ガス供給量を
気化部に供給する液体ソースの流量で制御する場合に
は、成膜装置や塗布装置に供給するガスの実流量を正確
に把握することが難しく、これを正確に制御することが
できない。
【０００４】本発明は、上述の如き問題点に着目してな
されたものであり、気化効率を改善してガス発生量（濃
度）を安定化し、成膜装置や塗布装置に対するガス供給
量、換言すれば液体ソースの実供給量を正確に制御する
ことを可能ならしめ、成膜プロセス、塗布プロセスを安
定なものにすることができる液体気化供給装置を提供す
ることを目的とする。
されたものであり、気化効率を改善してガス発生量（濃
度）を安定化し、成膜装置や塗布装置に対するガス供給
量、換言すれば液体ソースの実供給量を正確に制御する
ことを可能ならしめ、成膜プロセス、塗布プロセスを安
定なものにすることができる液体気化供給装置を提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の如き目的を達成す
るために、本発明の請求項１による液体気化供給装置
は、液体ソースを気化し、液体ソースを気相状態のガス
に生成する液体気化供給装置において、液体ソースを気
化する気化部の上流側に、液体ソースを霧化する霧化器
を設け、前記霧化器によって霧化された液体ソースを前
記気化部に供給することを特徴としている。また、本発
明は、請求項１に記載の液体気化供給装置において、前
記気化部の下流側に、該気化部により気化したガスの流
量を制御するガス流量制御部を設けものである。また、
本発明は、請求項１に記載の液体気化供給装置におい
て、前記霧化器の上流側に、該霧化器に供給する液体ソ
ースの流量を制御する液体ソース流量制御部を設けたも
のである。
るために、本発明の請求項１による液体気化供給装置
は、液体ソースを気化し、液体ソースを気相状態のガス
に生成する液体気化供給装置において、液体ソースを気
化する気化部の上流側に、液体ソースを霧化する霧化器
を設け、前記霧化器によって霧化された液体ソースを前
記気化部に供給することを特徴としている。また、本発
明は、請求項１に記載の液体気化供給装置において、前
記気化部の下流側に、該気化部により気化したガスの流
量を制御するガス流量制御部を設けものである。また、
本発明は、請求項１に記載の液体気化供給装置におい
て、前記霧化器の上流側に、該霧化器に供給する液体ソ
ースの流量を制御する液体ソース流量制御部を設けたも
のである。
【０００６】本発明による液体気化供給装置において
は、液体ソースを霧化器によって霧化した後、気化部に
供給するから、液体の気化効率を向上できる。また、本
発明においては、気化部によって気化されたガスの流量
をガス流量制御部によって制御することにより、成膜及
び塗布に寄与するガスの実流量を正確に制御できる。ま
た、本発明においては、霧化器に供給する液体ソースの
流量を液体ソース流量制御部によって制御することによ
り、成膜及び塗布に寄与するガスの実流量を正確に制御
できる。
は、液体ソースを霧化器によって霧化した後、気化部に
供給するから、液体の気化効率を向上できる。また、本
発明においては、気化部によって気化されたガスの流量
をガス流量制御部によって制御することにより、成膜及
び塗布に寄与するガスの実流量を正確に制御できる。ま
た、本発明においては、霧化器に供給する液体ソースの
流量を液体ソース流量制御部によって制御することによ
り、成膜及び塗布に寄与するガスの実流量を正確に制御
できる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下に添付の図を参照して本発明
を実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明に
よる液体気化供給装置の第１の実施の形態を示してい
る。液体気化供給装置１は、気化ユニット３と、ガス流
量制御ユニット５とを有している。気化ユニット３は、
霧化器７と、加熱気化用のヒータ９とを有している。霧
化器７は、超音波式霧化器等により構成され、そのイン
レットポート側が配管１１によって図示されていない液
体ソース供給源に接続され、この液体ソース供給源から
霧化器７に液体ソースが供給され、霧化器７で霧化され
た液体は気化通路１３へ送り出す。気化通路１３の霧化
器７のアウトレット側には配管１５が接続され、配管１
５よりキャリアガスを供給される。なお、配管１５を流
れるキャリアガスの流量はキャリアガス流量制御装置１
７により定量的に制御される。
を実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明に
よる液体気化供給装置の第１の実施の形態を示してい
る。液体気化供給装置１は、気化ユニット３と、ガス流
量制御ユニット５とを有している。気化ユニット３は、
霧化器７と、加熱気化用のヒータ９とを有している。霧
化器７は、超音波式霧化器等により構成され、そのイン
レットポート側が配管１１によって図示されていない液
体ソース供給源に接続され、この液体ソース供給源から
霧化器７に液体ソースが供給され、霧化器７で霧化され
た液体は気化通路１３へ送り出す。気化通路１３の霧化
器７のアウトレット側には配管１５が接続され、配管１
５よりキャリアガスを供給される。なお、配管１５を流
れるキャリアガスの流量はキャリアガス流量制御装置１
７により定量的に制御される。
【０００８】気化通路１３はヒータ９と熱交換できる配
置関係になっており、霧化器７により霧化された霧状の
液体ソースは、気化通路１３を流れる際にキャリアガス
と共にヒータ９によって加熱することにより気化され
る。これにより気化通路１３にて液体ソースを気相状態
のガスを生成する。気化通路１３の吐出側にはガス流量
制御ユニット５の配管１９が接続されており、この配管
１９にはガス流量制御回路２１とガス流量制御弁２３と
が接続されている。ガス流量制御回路２１は、周知の熱
式等による質量流量計を含み、質量流量計により計測さ
れた配管１９のガス流量に基づいてガス流量制御弁２３
の弁開度を定量的にフィードバック制御する。
置関係になっており、霧化器７により霧化された霧状の
液体ソースは、気化通路１３を流れる際にキャリアガス
と共にヒータ９によって加熱することにより気化され
る。これにより気化通路１３にて液体ソースを気相状態
のガスを生成する。気化通路１３の吐出側にはガス流量
制御ユニット５の配管１９が接続されており、この配管
１９にはガス流量制御回路２１とガス流量制御弁２３と
が接続されている。ガス流量制御回路２１は、周知の熱
式等による質量流量計を含み、質量流量計により計測さ
れた配管１９のガス流量に基づいてガス流量制御弁２３
の弁開度を定量的にフィードバック制御する。
【０００９】ガス流量制御弁２３のアウトレットポート
にはガス供給配管２５が接続されており、ガス流量制御
弁２３により流量制御されたガスがガス供給配管２５に
よって、例えば成膜装置の反応室２７に供給される。ガ
ス供給配管２５にはテープヒータ２９が巻き付けられて
いる。テープヒータ２９は、ガス供給配管２５内を流れ
るガスを保温する。
にはガス供給配管２５が接続されており、ガス流量制御
弁２３により流量制御されたガスがガス供給配管２５に
よって、例えば成膜装置の反応室２７に供給される。ガ
ス供給配管２５にはテープヒータ２９が巻き付けられて
いる。テープヒータ２９は、ガス供給配管２５内を流れ
るガスを保温する。
【００１０】上述の第１の実施の形態によれば、ヒータ
９と気化通路１３とによる気化部には、霧化器７により
霧化された霧状の液体ソースが供給されるから、この気
化部における液体ソースの加熱気化が効率よく安定状態
で行われるようになる。これにより安定濃度のガスが得
られるほか、気化部のヒータの容量を小さくでき、かつ
気化部を小型化できる。
９と気化通路１３とによる気化部には、霧化器７により
霧化された霧状の液体ソースが供給されるから、この気
化部における液体ソースの加熱気化が効率よく安定状態
で行われるようになる。これにより安定濃度のガスが得
られるほか、気化部のヒータの容量を小さくでき、かつ
気化部を小型化できる。
【００１１】また、気化部にて気化されたガスは、ガス
流量制御ユニット５の配管１９へ流れ、そのガス流量を
ガス流量制御弁２３により所定値に制御され、ガス供給
配管２５によって成膜装置の反応室２７に供給される。
これにより反応室２７に供給されるガスの流量が直接制
御されるから、成膜（あるいは塗布）に寄与するガスの
実流量、換言すれば液体ソースの実供給量が正確に制御
されることになり、成膜プロセス、あるいは塗布プロセ
スが安定なものになり、半導体製造の歩留まりが向上す
る。
流量制御ユニット５の配管１９へ流れ、そのガス流量を
ガス流量制御弁２３により所定値に制御され、ガス供給
配管２５によって成膜装置の反応室２７に供給される。
これにより反応室２７に供給されるガスの流量が直接制
御されるから、成膜（あるいは塗布）に寄与するガスの
実流量、換言すれば液体ソースの実供給量が正確に制御
されることになり、成膜プロセス、あるいは塗布プロセ
スが安定なものになり、半導体製造の歩留まりが向上す
る。
【００１２】図２は本発明による液体気化供給装置の第
２の実施の形態を示している。尚、図２に於いて、図１
と同一の構成要素には図１と同一の符号を付して示して
いる。この第２の実施の形態において、図１と異なる点
は、気化ユニット５の上流側に液体流量制御ユニット３
１を設けたところにある。液体流量制御ユニット３１
は、配管１１と接続されて図示されていない液体ソース
供給源から液体ソースを供給する配管３３と、液体流量
制御回路３５と、液体ソース流量制御弁３７とから構成
される。液体流量制御回路３５は、配管３３を流れる液
体ソースの流量を計測し、この液体ソース流量に基づい
て液体ソース流量制御弁３７の弁開度を定量的にフィー
ドバック制御する。
２の実施の形態を示している。尚、図２に於いて、図１
と同一の構成要素には図１と同一の符号を付して示して
いる。この第２の実施の形態において、図１と異なる点
は、気化ユニット５の上流側に液体流量制御ユニット３
１を設けたところにある。液体流量制御ユニット３１
は、配管１１と接続されて図示されていない液体ソース
供給源から液体ソースを供給する配管３３と、液体流量
制御回路３５と、液体ソース流量制御弁３７とから構成
される。液体流量制御回路３５は、配管３３を流れる液
体ソースの流量を計測し、この液体ソース流量に基づい
て液体ソース流量制御弁３７の弁開度を定量的にフィー
ドバック制御する。
【００１３】液体ソース流量制御弁３７のアウトレット
ポートは霧化器７のインレットポート側に接続され、霧
化器７には流量制御された定量の液体ソースが供給され
る。霧化器７は液体ソース流量制御弁３７より与えられ
る液体ソースを霧化し、霧状の液体ソースは気化通路１
３に供給され、この気化通路１３を流れる際にヒータに
よってキャリアガスと共に加熱されることにより気化さ
れる。これにより液体ソースを気相状態のガスに生成す
る。
ポートは霧化器７のインレットポート側に接続され、霧
化器７には流量制御された定量の液体ソースが供給され
る。霧化器７は液体ソース流量制御弁３７より与えられ
る液体ソースを霧化し、霧状の液体ソースは気化通路１
３に供給され、この気化通路１３を流れる際にヒータに
よってキャリアガスと共に加熱されることにより気化さ
れる。これにより液体ソースを気相状態のガスに生成す
る。
【００１４】気化通路１３の吐出側には、テープヒータ
２９が巻き付けられたガス供給配管２５が接続されてお
り、ガスはガス供給配管２５によって成膜装置の反応室
２７に供給される。テープヒータ２９は、ガス供給配管
２５を流れるガスを保温する。
２９が巻き付けられたガス供給配管２５が接続されてお
り、ガスはガス供給配管２５によって成膜装置の反応室
２７に供給される。テープヒータ２９は、ガス供給配管
２５を流れるガスを保温する。
【００１５】この第２の実施の形態においても、ヒータ
９と気化通路１３とによる気化部には、霧化器７により
霧化された霧状の液体ソースが供給されるから、この気
化部における液体ソースの加熱気化が効率よく安定状態
で行われるようになる。これにより安定濃度のガスが得
られるほか、気化部のヒータの容量を小さくでき、かつ
気化部を小型化できる。また、反応室２７に供給される
ガスの濃度は、液体ソース流量制御弁３７による液体ソ
ースの流量制御量により正確に決まるから、成膜（ある
いは塗布）に寄与する液体ソースの実供給量が正確に制
御されることになり、成膜プロセス、あるいは塗布プロ
セスが安定なものになり、半導体製造の歩留まりが向上
する。
９と気化通路１３とによる気化部には、霧化器７により
霧化された霧状の液体ソースが供給されるから、この気
化部における液体ソースの加熱気化が効率よく安定状態
で行われるようになる。これにより安定濃度のガスが得
られるほか、気化部のヒータの容量を小さくでき、かつ
気化部を小型化できる。また、反応室２７に供給される
ガスの濃度は、液体ソース流量制御弁３７による液体ソ
ースの流量制御量により正確に決まるから、成膜（ある
いは塗布）に寄与する液体ソースの実供給量が正確に制
御されることになり、成膜プロセス、あるいは塗布プロ
セスが安定なものになり、半導体製造の歩留まりが向上
する。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明から理解される如く、本発明
の液体気化供給装置においては、霧化器によって霧化さ
れた液体ソースを気化部に供給して気化するから、液体
ソースの気化効率がよく安定状態で行われるようになっ
て安定濃度のガスが得られ、成膜あるいは塗布に寄与す
る液体ソースの実供給量を正確に制御でき、成膜プロセ
ス、あるいは塗布プロセスの安定性が改善されて半導体
製造の歩留まりが向上する。
の液体気化供給装置においては、霧化器によって霧化さ
れた液体ソースを気化部に供給して気化するから、液体
ソースの気化効率がよく安定状態で行われるようになっ
て安定濃度のガスが得られ、成膜あるいは塗布に寄与す
る液体ソースの実供給量を正確に制御でき、成膜プロセ
ス、あるいは塗布プロセスの安定性が改善されて半導体
製造の歩留まりが向上する。
【００１７】また、本発明によれば、成膜装置あるいは
塗布装置に供給するガスの流量をガス流量制御部によっ
て直接制御するから、成膜あるいは塗布に寄与するガス
の実流量、ついては液体ソースの実供給量が正確に制御
されることになり、成膜プロセス、あるいは塗布プロセ
スが安定なものになり、半導体製造の歩留まりが向上す
る。
塗布装置に供給するガスの流量をガス流量制御部によっ
て直接制御するから、成膜あるいは塗布に寄与するガス
の実流量、ついては液体ソースの実供給量が正確に制御
されることになり、成膜プロセス、あるいは塗布プロセ
スが安定なものになり、半導体製造の歩留まりが向上す
る。
【００１８】また、本発明によれば、霧化器に供給する
液体ソースの流量を液体ソース流量制御部によって制御
するから、気化部による液体ソースの加熱気化の安定化
と相俟って成膜あるいは塗布に寄与する液体ソースの実
供給量が正確に制御されることになり、成膜プロセス、
あるいは塗布プロセスが安定なものになり、半導体製造
の歩留まりが向上する。
液体ソースの流量を液体ソース流量制御部によって制御
するから、気化部による液体ソースの加熱気化の安定化
と相俟って成膜あるいは塗布に寄与する液体ソースの実
供給量が正確に制御されることになり、成膜プロセス、
あるいは塗布プロセスが安定なものになり、半導体製造
の歩留まりが向上する。
【００１９】
【図１】本発明による液体気化供給装置の第１の実施の
形態を示す構成図である。
形態を示す構成図である。
【図２】本発明による液体気化供給装置の第２の実施の
形態を示す構成図である。
形態を示す構成図である。
１ 液体気化供給装置 ３ 気化ユニット ５ ガス流量制御ユニット ９ ヒータ ７ 霧化器 １３ 気化通路 １７ キャリアガス流量制御装置 ２１ ガス流量制御回路 ２３ ガス流量制御弁 ２７ 反応室 ２９ テープヒータ ３１ 液体流量制御ユニット ３５ 液体流量制御回路 ３７ 液体ソース流量制御弁
Claims (3)
- 【請求項１】 液体ソースを気化し、液体ソースを気相
状態のガスに生成する液体気化供給装置において、 液体ソースを気化する気化部の上流側に、液体ソースを
霧化する霧化器を設け、 前記霧化器によって霧化された液体ソースを前記気化部
に供給する、 ことを特徴とする液体気化供給装置。 - 【請求項２】 前記気化部の下流側に、該気化部により
気化したガスの流量を制御するガス流量制御部を設けた
ことを特徴とする請求項１に記載の液体気化供給装置。 - 【請求項３】 前記霧化器の上流側に、該霧化器に供給
する液体ソースの流量を制御する液体ソース流量制御部
を設けたことを特徴とする請求項１に記載の液体気化供
給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7222686A JPH0947697A (ja) | 1995-08-08 | 1995-08-08 | 液体気化供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7222686A JPH0947697A (ja) | 1995-08-08 | 1995-08-08 | 液体気化供給装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0947697A true JPH0947697A (ja) | 1997-02-18 |
Family
ID=16786330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7222686A Pending JPH0947697A (ja) | 1995-08-08 | 1995-08-08 | 液体気化供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0947697A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8800589B2 (en) | 2008-10-31 | 2014-08-12 | Horiba, Ltd. | Material gas concentration control system |
| WO2021039073A1 (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-04 | 株式会社フジキン | 流体供給システム |
-
1995
- 1995-08-08 JP JP7222686A patent/JPH0947697A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8800589B2 (en) | 2008-10-31 | 2014-08-12 | Horiba, Ltd. | Material gas concentration control system |
| WO2021039073A1 (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-04 | 株式会社フジキン | 流体供給システム |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |