JPS60122735A - 原料ガス供給装置 - Google Patents
原料ガス供給装置Info
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- JPS60122735A JPS60122735A JP58226750A JP22675083A JPS60122735A JP S60122735 A JPS60122735 A JP S60122735A JP 58226750 A JP58226750 A JP 58226750A JP 22675083 A JP22675083 A JP 22675083A JP S60122735 A JPS60122735 A JP S60122735A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/08—Bushings, e.g. construction, bushing reinforcement means; Spinnerettes; Nozzles; Nozzle plates
- C03B37/085—Feeding devices therefor
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
- B01J4/008—Feed or outlet control devices
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/02—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with glass
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
- C23C16/4482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material by bubbling of carrier gas through liquid source material
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
- C03B2207/81—Constructional details of the feed line, e.g. heating, insulation, material, manifolds, filters
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
- C03B2207/85—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
- C03B2207/86—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid by bubbling a gas through the liquid
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は原料ガス供給装置に関し、原料液の補給を効率
よくできるように企図したものである。
よくできるように企図したものである。
光フアイバ母材をＶＡＤ法により製作するには、四塩化
シリコンや四塩化ゲルマニウムなどの原料液の蒸気をキ
ャリアガスに混入してなる原料ガスを、元ファイバ反応
装置に供給しなければならない。
シリコンや四塩化ゲルマニウムなどの原料液の蒸気をキ
ャリアガスに混入してなる原料ガスを、元ファイバ反応
装置に供給しなければならない。
ここで、原料ガスを元ファイバ反応装置に供給する従来
の原料ガス供給装置を第１図を基に説明する。同図に示
すように、原料液１が貯留された主原料容器２は、直接
または支持台を介して恒温槽３の底部に固定されており
、原料液１は一定温度に保たれる。キャリアガス４は、
流量制限装置５が介装された配管６を介して主原料容器
２内に導びかれ、図示の如く原料ｇ、１内を通シバブリ
ング状態となる。このためキャリアガス４には原料液ｌ
が飽和若しくは飽和に近い状態で混入して原料ガス７と
なシ、この原料ガス７は配管８を介して元ファイバ反応
装置に供給される。なおΦヤリアガス４は必ずしもバブ
リングする必要はなく、単に原料液面上に導入して蒸発
した原料液１とキャリアガス４とを混合して原料ガス７
、としてもよい。補助原料容器９内には補線用の原料液
１が貯留されるとともに配管１０が接続されている。更
に主配管１１は、その入口端１１ａが補助原料容器９内
に貯留した原料液１中に位置し且つその出口端１１ｂが
主原料容器２内に位置するように配設されている。なお
図中の符号で１２〜１８は制御弁である。
の原料ガス供給装置を第１図を基に説明する。同図に示
すように、原料液１が貯留された主原料容器２は、直接
または支持台を介して恒温槽３の底部に固定されており
、原料液１は一定温度に保たれる。キャリアガス４は、
流量制限装置５が介装された配管６を介して主原料容器
２内に導びかれ、図示の如く原料ｇ、１内を通シバブリ
ング状態となる。このためキャリアガス４には原料液ｌ
が飽和若しくは飽和に近い状態で混入して原料ガス７と
なシ、この原料ガス７は配管８を介して元ファイバ反応
装置に供給される。なおΦヤリアガス４は必ずしもバブ
リングする必要はなく、単に原料液面上に導入して蒸発
した原料液１とキャリアガス４とを混合して原料ガス７
、としてもよい。補助原料容器９内には補線用の原料液
１が貯留されるとともに配管１０が接続されている。更
に主配管１１は、その入口端１１ａが補助原料容器９内
に貯留した原料液１中に位置し且つその出口端１１ｂが
主原料容器２内に位置するように配設されている。なお
図中の符号で１２〜１８は制御弁である。
かかる従来技術において原料ガス７を供給するには制御
弁１２．１３を開放しておく。一方、原料ガス７の供給
を続は主原料容器２内の原料液ｌが減ってきたときには
補助原料容器９内の原料液１を補給する。補給をするに
は、制御弁１４．１７を閉止し且つ制御弁１５，１６．
１８を開放し、配管１ｏを介して圧送用ガスである窒素
ガス１９を補助原料容器７内に圧送する。
弁１２．１３を開放しておく。一方、原料ガス７の供給
を続は主原料容器２内の原料液ｌが減ってきたときには
補助原料容器９内の原料液１を補給する。補給をするに
は、制御弁１４．１７を閉止し且つ制御弁１５，１６．
１８を開放し、配管１ｏを介して圧送用ガスである窒素
ガス１９を補助原料容器７内に圧送する。
そうすると補助原料容器７内の原料液１が主配管１１を
通って主原料容器２内に補給される（このときの補給を
以下「第１次補給」と称す鬼所定量補給したところで、
開放していた制御弁１’６．１８を閉止するとともに、
閉止していた制御弁１７を開放する。このことにより主
配管１１中に残っていた原料液は窒素ガス１９で圧送さ
れて主原料容器ｚ内に流入する（このときの補給を以下
「第２次補給」と称す）。その１少、制御弁１５，１６
．１８を閉止し且つ制御弁１４゜１７を開放した状態で
更に窒素ガスを圧送し、主配管１１内にわずかに残留し
ている原料ｇを、制御弁１４を介して外部に蒸散させる
。なお原料液１の補給中には原料ガス７の供給を停止し
ている。また図示はしないが、１つの補助原料容器９で
複数の原料容器２に補給をするようにシステムを組むこ
ともある。
通って主原料容器２内に補給される（このときの補給を
以下「第１次補給」と称す鬼所定量補給したところで、
開放していた制御弁１’６．１８を閉止するとともに、
閉止していた制御弁１７を開放する。このことにより主
配管１１中に残っていた原料液は窒素ガス１９で圧送さ
れて主原料容器ｚ内に流入する（このときの補給を以下
「第２次補給」と称す）。その１少、制御弁１５，１６
．１８を閉止し且つ制御弁１４゜１７を開放した状態で
更に窒素ガスを圧送し、主配管１１内にわずかに残留し
ている原料ｇを、制御弁１４を介して外部に蒸散させる
。なお原料液１の補給中には原料ガス７の供給を停止し
ている。また図示はしないが、１つの補助原料容器９で
複数の原料容器２に補給をするようにシステムを組むこ
ともある。
ところで上述した従来技術には次のような欠点があった
。
。
（Ｉ） １つの補助原料容器９で１つの主原料容器２に
補給する場合： 総補給量は、第１次補給による補給量と第２次補給によ
る補給量という２つの補給量を考慮して設定しなければ
ならず、設定が面倒である。更に主配管１１を取シ替え
てその長さや径が変わったときにはこのことが直接に、
第２次補給による補給量の変化につながるため、再度設
定をしなおさなければならず繁雑である。
補給する場合： 総補給量は、第１次補給による補給量と第２次補給によ
る補給量という２つの補給量を考慮して設定しなければ
ならず、設定が面倒である。更に主配管１１を取シ替え
てその長さや径が変わったときにはこのことが直接に、
第２次補給による補給量の変化につながるため、再度設
定をしなおさなければならず繁雑である。
（ＩＩ） １つの補助原料容器９で複数の主原料容器２
に補給する場合： 各主原料容器２と補助原料容器９とを連通ずる主配管１
１の長さが異なる、即ち各主原料容器２に対する第２次
補給の補給量がそれぞれ異なるため、各主原料容器２の
原料液１ｔを一定にしようとすると、一つ一つの主原料
容器ごとに設定を変えなければならず、九いへん面倒で
ある。特に多数の主原料容器９が各所に散在して設置さ
れて長尺の主配管１１が錯綜して配されている場合には
、上記欠点は顕著に力る。
に補給する場合： 各主原料容器２と補助原料容器９とを連通ずる主配管１
１の長さが異なる、即ち各主原料容器２に対する第２次
補給の補給量がそれぞれ異なるため、各主原料容器２の
原料液１ｔを一定にしようとすると、一つ一つの主原料
容器ごとに設定を変えなければならず、九いへん面倒で
ある。特に多数の主原料容器９が各所に散在して設置さ
れて長尺の主配管１１が錯綜して配されている場合には
、上記欠点は顕著に力る。
本発明は、上記従来技術に鑑み、効率よく原料液の補給
ができる原料ガス供給装置を提供す ・ること金目的と
する。１かかる目的を達成する本発明の構成は、供給さ
れてきたキャリアガスに貯留されている原料液を混入さ
せて原料ガスとしこの原料ガスを供給する主原料容器と
、補給用の原料液が貯留された補助原料容器と、この補
助原料容器内の原料液を主原料容器内に導くために入口
端が補助原料容器内に位置し且つ出口端が主原料容器内
に位置するように配設された主配管とを有する原料ガス
供給装置において、主配管のうちその出口端近傍から戻
配管を分岐させこの戻配管の先端を補助原料容器内に占
位させるとともに戻配管に制御弁を介装し、主配管のう
ちその出口端と戻配管が分岐している部分との間に制御
弁を介装し、更に主配管の入口端側から圧送用ガスを圧
入し得るよう圧したことを特徴とする。
ができる原料ガス供給装置を提供す ・ること金目的と
する。１かかる目的を達成する本発明の構成は、供給さ
れてきたキャリアガスに貯留されている原料液を混入さ
せて原料ガスとしこの原料ガスを供給する主原料容器と
、補給用の原料液が貯留された補助原料容器と、この補
助原料容器内の原料液を主原料容器内に導くために入口
端が補助原料容器内に位置し且つ出口端が主原料容器内
に位置するように配設された主配管とを有する原料ガス
供給装置において、主配管のうちその出口端近傍から戻
配管を分岐させこの戻配管の先端を補助原料容器内に占
位させるとともに戻配管に制御弁を介装し、主配管のう
ちその出口端と戻配管が分岐している部分との間に制御
弁を介装し、更に主配管の入口端側から圧送用ガスを圧
入し得るよう圧したことを特徴とする。
以下本発明の実施例を図面に基づき詳細に説明する。な
お従来技術と同一部分には同一番号を付し重複する説明
は省略する。
お従来技術と同一部分には同一番号を付し重複する説明
は省略する。
第２図は本発明の第１の実施例を示す。同図に示すよう
に１主配管１１のうちその出口端１１ｂの近傍から戻配
管２１が分岐しておシ、その先端２１ａは、補助原料容
器９内に占位している。また戻配管２１には制御弁２２
が介装されている。更に主配管１１のうち、分岐部１１
ｃと出口端１１ｂとの間には、制御弁２３が介装される
とともに、制御弁２４を備えた配管２５が接続されてい
る。一方、補助原料容器９には、制御弁２６が介装され
た配管２７が接続されている。なお、他の部分は第１図
に示す従来技術と同じである。
に１主配管１１のうちその出口端１１ｂの近傍から戻配
管２１が分岐しておシ、その先端２１ａは、補助原料容
器９内に占位している。また戻配管２１には制御弁２２
が介装されている。更に主配管１１のうち、分岐部１１
ｃと出口端１１ｂとの間には、制御弁２３が介装される
とともに、制御弁２４を備えた配管２５が接続されてい
る。一方、補助原料容器９には、制御弁２６が介装され
た配管２７が接続されている。なお、他の部分は第１図
に示す従来技術と同じである。
かかる実施例において原料液１を補給するＫは、制御弁
１７，２２，２４．２６を閉止し且つ制御弁１６，１８
．２３を開放し、配管１゜を介して補助原料容器９内に
窒素ガス１９を圧入する。そうすると、補助原料容器９
内の原料液ｌは、主配管１１を介して主原料容器２に送
られる。所定量送ったところで、制御弁１６゜１８．２
３．２４を閉止し且つ制御弁１７，２２゜２６を開放す
る。これにより、主原料容器２への原料液１の送給が停
止されるとともに、主配管１１中に残留している原料液
ｌは戻配管２１を通って補助原料容器９に戻る。この場
合、戻配管２１の先端２１ａが補助原料容器９内の気中
に位置しているため、残留していた原料液１が補助原料
容器９に戻った後に、前記先端２１ａから噴出してくる
蟹素ガス１９によシ補助原料容器９内の原料液１がバブ
リングされるのが防止される。その後制御弁２４を開放
すると、制御弁２３と出口端１１ｂとの間に残留してい
た原料液ｌが主原料容器２内に入る。なお、制御弁２３
と出口端１１ｂとの間に残留している原料液１の量は、
総補給量に対しわずかな蓋であるため、総補給量は、制
御弁２３を開放しているときに送給されてきｆｃ−ｔｈ
ｔによシ＃丘は決定される。
１７，２２，２４．２６を閉止し且つ制御弁１６，１８
．２３を開放し、配管１゜を介して補助原料容器９内に
窒素ガス１９を圧入する。そうすると、補助原料容器９
内の原料液ｌは、主配管１１を介して主原料容器２に送
られる。所定量送ったところで、制御弁１６゜１８．２
３．２４を閉止し且つ制御弁１７，２２゜２６を開放す
る。これにより、主原料容器２への原料液１の送給が停
止されるとともに、主配管１１中に残留している原料液
ｌは戻配管２１を通って補助原料容器９に戻る。この場
合、戻配管２１の先端２１ａが補助原料容器９内の気中
に位置しているため、残留していた原料液１が補助原料
容器９に戻った後に、前記先端２１ａから噴出してくる
蟹素ガス１９によシ補助原料容器９内の原料液１がバブ
リングされるのが防止される。その後制御弁２４を開放
すると、制御弁２３と出口端１１ｂとの間に残留してい
た原料液ｌが主原料容器２内に入る。なお、制御弁２３
と出口端１１ｂとの間に残留している原料液１の量は、
総補給量に対しわずかな蓋であるため、総補給量は、制
御弁２３を開放しているときに送給されてきｆｃ−ｔｈ
ｔによシ＃丘は決定される。
このように第１の実施例では、制御弁２３を開放してい
るときに送給されてくる原料液の蓋によシはぼ総補給量
が決定されるため、総補給量を目標値どおシ正確に一致
させることが容易である。このことは、主配管１１の長
さや径が変化しても同様にいえる。
るときに送給されてくる原料液の蓋によシはぼ総補給量
が決定されるため、総補給量を目標値どおシ正確に一致
させることが容易である。このことは、主配管１１の長
さや径が変化しても同様にいえる。
次に一つの補助原料容器で複数の主原料容器に補給をす
る第２の実施例を第３図を基に説明する。なお第３図で
は、補助原料容器の図示は省略している。
る第２の実施例を第３図を基に説明する。なお第３図で
は、補助原料容器の図示は省略している。
第３図に示すように第２の実施例では複数の主原料容器
２’ 、 ２’ 、 ２”、 ｆ“が備えらしておフ、
各主原料容器２ 、２’、 ２”、 ２“はそれぞれ流
量調整装置３０．３０’、３０’、３σ“及び開閉弁３
１゜３１’ 、 ３１″、 ３１”を介して主配管１１
につながっている。また主原料容器２．２’、２“、２
″内で発生した原料ガス７は図示しない配管により光フ
アイバ反応装置に供給されるようになっている。この実
施例において各主原料容器２．２’。
２’ 、 ２’ 、 ２”、 ｆ“が備えらしておフ、
各主原料容器２ 、２’、 ２”、 ２“はそれぞれ流
量調整装置３０．３０’、３０’、３σ“及び開閉弁３
１゜３１’ 、 ３１″、 ３１”を介して主配管１１
につながっている。また主原料容器２．２’、２“、２
″内で発生した原料ガス７は図示しない配管により光フ
アイバ反応装置に供給されるようになっている。この実
施例において各主原料容器２．２’。
２＃ 、 ２／＃に原料液ｌを送る圧力は、補助原料容
器に近いほど高く、補助原料容器から離れるほど低いた
め、流量調整装置３０，３０′、３０′：３０″によシ
上記送給圧力のアンバランスに基づく補給量誤差を無く
し、正確に目標量だけ各主原料容器２．２’、２”、２
″に補給するよう調整している。なお、図中の符号で１
は原料液、２１は戻配管、２３ 、２３’、２了’ 、
２３”’、 ２４ 、２４’、２４”２４“は制御弁
、２５．２５’、２５”、２ゴ″は配管であシ、これら
は第２図に示す実施例と同様である。
器に近いほど高く、補助原料容器から離れるほど低いた
め、流量調整装置３０，３０′、３０′：３０″によシ
上記送給圧力のアンバランスに基づく補給量誤差を無く
し、正確に目標量だけ各主原料容器２．２’、２”、２
″に補給するよう調整している。なお、図中の符号で１
は原料液、２１は戻配管、２３ 、２３’、２了’ 、
２３”’、 ２４ 、２４’、２４”２４“は制御弁
、２５．２５’、２５”、２ゴ″は配管であシ、これら
は第２図に示す実施例と同様である。
このように構成された第２の実施例において主原料容器
２．ｚ′に補給をする動作を第４図〜第８図を参照して
説明する。なお、これらの図において、開放している弁
は「白抜き」で描いてあシ、閉止している弁は「黒塗り
」で４１１いている。
２．ｚ′に補給をする動作を第４図〜第８図を参照して
説明する。なお、これらの図において、開放している弁
は「白抜き」で描いてあシ、閉止している弁は「黒塗り
」で４１１いている。
補給しないときは、第４図に示すように、弁を閉止して
おく。主原料容器２ 、２”に原料液１を補給するには
、第５図に示すように、開閉弁３１ 、３１”及び制御
弁２３．２３’を開放する１これによシ主配管１１ｔ−
介して圧送されてきた原料液１が主原料容器２ 、２″
に同時に補給される。補給を停止するには、第６図に示
すように、開閉弁３１ 、３１”及び制御弁２３ 、２
３“を閉止させれはよい。その後、制御弁２４．２４”
を開放することにより、制御弁２３ 、２ ｆｆ’と主
原料容器２，２＃との間に残留していた原料液１が主原
料容器２．２“内に入シ、補給が完了する。主配管１１
内に残留している原料液１を戻すには、まず第７図に示
すように、開閉弁３１及び制御弁２２を開放し、図中人
の経路で示す如く原料液１を圧送する。しかる後、第８
図に示すように、開閉弁３ｒ′及び制御弁２２”を開放
し、図中Ｂの経路で示す如く原料液１を圧送する。この
ように補助原料容器（図示省略）から遠い方から順に原
料液を圧送することによシ、原料液１が主配管１１及び
戻配管２１内に残留することなく補助原料容器内に戻さ
れる。
おく。主原料容器２ 、２”に原料液１を補給するには
、第５図に示すように、開閉弁３１ 、３１”及び制御
弁２３．２３’を開放する１これによシ主配管１１ｔ−
介して圧送されてきた原料液１が主原料容器２ 、２″
に同時に補給される。補給を停止するには、第６図に示
すように、開閉弁３１ 、３１”及び制御弁２３ 、２
３“を閉止させれはよい。その後、制御弁２４．２４”
を開放することにより、制御弁２３ 、２ ｆｆ’と主
原料容器２，２＃との間に残留していた原料液１が主原
料容器２．２“内に入シ、補給が完了する。主配管１１
内に残留している原料液１を戻すには、まず第７図に示
すように、開閉弁３１及び制御弁２２を開放し、図中人
の経路で示す如く原料液１を圧送する。しかる後、第８
図に示すように、開閉弁３ｒ′及び制御弁２２”を開放
し、図中Ｂの経路で示す如く原料液１を圧送する。この
ように補助原料容器（図示省略）から遠い方から順に原
料液を圧送することによシ、原料液１が主配管１１及び
戻配管２１内に残留することなく補助原料容器内に戻さ
れる。
このように第２の実施例では、各主原料容器２．２’、
２“、２″に対し、補給量を目標値どおル一致させるこ
とができる。また複数の主原料容器２ 、２’ 、 ２
”、２”に同時に補給することができる。このため全体
から見て稼動率が高まった。
２“、２″に対し、補給量を目標値どおル一致させるこ
とができる。また複数の主原料容器２ 、２’ 、 ２
”、２”に同時に補給することができる。このため全体
から見て稼動率が高まった。
更に、主配管１１及び戻配管２１を共用できるため配管
が簡単になる。
が簡単になる。
なお上述した二つの実施例ではいずれも、圧送用ガスで
ある窒素ガスにより原料液の補給を行なっているが、ポ
ンプ等の他の手段によシ原料液の補給を行うようにして
もよい。もつともこのようにした場合でも主配管内に残
留した原料液を補助原料容器に戻すには圧送用ガスを用
いる。更に本発明は、光フアイバ用の原料ガスを供給す
る装置のみならず、他の用途に供する原料ガス供給装置
に適用できることは言うまでもない。
ある窒素ガスにより原料液の補給を行なっているが、ポ
ンプ等の他の手段によシ原料液の補給を行うようにして
もよい。もつともこのようにした場合でも主配管内に残
留した原料液を補助原料容器に戻すには圧送用ガスを用
いる。更に本発明は、光フアイバ用の原料ガスを供給す
る装置のみならず、他の用途に供する原料ガス供給装置
に適用できることは言うまでもない。
以上実施例とともに具体的に説明したように本発明によ
れば、補給量を目標値に精確に一致させることが容易に
でき、効率のよい補給ができる。
れば、補給量を目標値に精確に一致させることが容易に
でき、効率のよい補給ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の原料ガス供給装置を示す構成図、第２図
は本発明の第１の実施例を示す構成図、第３図は本発明
の第２の実施例の要部を示す構成図、第４図〜第８図は
第２の実施例の動作を説明するための構成図である。 図面中、 １は原料液、 ２は主原料容器、 ４はキャリアガス、 ７は原料ガス、 ９は補助原料容器、 １１は主配管、 １１ａは主配管の入口端ζ １１ｂは主配管の出口端、 １９は窒素ガス（圧送用ガス）、 ２１は戻配管。 ２１ａは戻配管の先端、 ２２は戻配管の制御弁、 ２３ 、２３’、 ２３”、２３”は制御弁である。 第１図 第２図 第４図 第５図
は本発明の第１の実施例を示す構成図、第３図は本発明
の第２の実施例の要部を示す構成図、第４図〜第８図は
第２の実施例の動作を説明するための構成図である。 図面中、 １は原料液、 ２は主原料容器、 ４はキャリアガス、 ７は原料ガス、 ９は補助原料容器、 １１は主配管、 １１ａは主配管の入口端ζ １１ｂは主配管の出口端、 １９は窒素ガス（圧送用ガス）、 ２１は戻配管。 ２１ａは戻配管の先端、 ２２は戻配管の制御弁、 ２３ 、２３’、 ２３”、２３”は制御弁である。 第１図 第２図 第４図 第５図
Claims (1)
- 供給されてきたキャリアガスに貯留されて込る原料液の
蒸気を混入させて原料ガスとし仁の原料ガスを供給する
主原毛容器と、補給用の原料液が貯留された補助原料容
器と、この補助原料容器内の原料液を主原料容器内に導
くために入口端が補助原料容器内に貯留した原料液中に
位置し且つ出口端が主原料容器内に位置するよう圧配設
された主配管とを有する原料ガス供給に占位させるとと
もに戻配管に制御弁を介装し、主配管のうちその出口端
と戻配管が分岐している部分との間に制御弁を介装し、
更に主配管の入口端側から圧送用ガスを圧入し得るよう
にしたことを特徴とする原料ガス供給装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58226750A JPS60122735A (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | 原料ガス供給装置 |
| EP84114525A EP0147663B1 (en) | 1983-12-02 | 1984-11-30 | Gas supplying apparatus |
| DE8484114525T DE3465976D1 (en) | 1983-12-02 | 1984-11-30 | Gas supplying apparatus |
| CA000469057A CA1237047A (en) | 1983-12-02 | 1984-11-30 | Gas supplying apparatus |
| KR1019840007594A KR870001278B1 (ko) | 1983-12-02 | 1984-12-01 | 원료가스 공급장치 |
| US06/677,588 US4563312A (en) | 1983-12-02 | 1984-12-03 | Gas supplying apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58226750A JPS60122735A (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | 原料ガス供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60122735A true JPS60122735A (ja) | 1985-07-01 |
| JPS6144824B2 JPS6144824B2 (ja) | 1986-10-04 |
Family
ID=16850019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58226750A Granted JPS60122735A (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | 原料ガス供給装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4563312A (ja) |
| EP (1) | EP0147663B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60122735A (ja) |
| KR (1) | KR870001278B1 (ja) |
| CA (1) | CA1237047A (ja) |
| DE (1) | DE3465976D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6393342A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-23 | Toyobo Co Ltd | 液体の連続供給装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60244333A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 原料液補給装置 |
| US4859375A (en) * | 1986-12-29 | 1989-08-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Chemical refill system |
| DE3708967A1 (de) * | 1987-03-19 | 1988-10-06 | Merck Patent Gmbh | Vorrichtung zur erzeugung eines gasgemisches nach dem saettigungsverfahren |
| JP2554356B2 (ja) * | 1988-05-17 | 1996-11-13 | 住友電気工業株式会社 | ガラス原料供給方法及びガラス原料供給装置 |
| JP2846891B2 (ja) * | 1988-06-03 | 1999-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| US4904419A (en) * | 1989-03-14 | 1990-02-27 | Reynolds Warren D | Process and apparatus for vapor transfer of very high purity liquids at high dilution |
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| JPH0781965A (ja) * | 1993-07-22 | 1995-03-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガス生成装置並びに光導波路及び光ファイバ母材を製造する方法及び装置 |
| TW338174B (en) * | 1995-01-06 | 1998-08-11 | Tokyo Electron Co Ltd | Apparatus for supplying a treatment material |
| KR100524204B1 (ko) * | 1998-01-07 | 2006-01-27 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 가스 처리장치 |
| DE502004012396D1 (de) | 2004-02-20 | 2011-05-26 | Cs Clean Systems Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Nachfüllen eines Blasenverdampfers |
| US9914632B2 (en) * | 2014-08-22 | 2018-03-13 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for liquid chemical delivery |
| CN111153590B (zh) * | 2019-12-31 | 2022-03-25 | 江苏通鼎光棒有限公司 | 一种高精度的四氯化锗鼓泡装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2371188A (en) * | 1945-03-13 | Means fob clearing pipe systems | ||
| US2178559A (en) * | 1937-06-12 | 1939-11-07 | Beer Control Systems Inc | Fluid dispensing system |
| US2882539A (en) * | 1954-11-18 | 1959-04-21 | Walz Bruno | Tube cleaning mechanism |
| US3044466A (en) * | 1960-12-23 | 1962-07-17 | Gomco Surgical Mfg Corp | Valve and pump assembly for closing and irrigating fluid drainage tube in suction apparatus |
| US4276243A (en) * | 1978-12-08 | 1981-06-30 | Western Electric Company, Inc. | Vapor delivery control system and method |
| US4235829A (en) * | 1979-05-07 | 1980-11-25 | Western Electric Company, Inc. | Vapor delivery system and method of maintaining a constant level of liquid therein |
| US4313897A (en) * | 1980-01-30 | 1982-02-02 | Bruce Garrard | Gas and liquid admixing system |
-
1983
- 1983-12-02 JP JP58226750A patent/JPS60122735A/ja active Granted
-
1984
- 1984-11-30 EP EP84114525A patent/EP0147663B1/en not_active Expired
- 1984-11-30 DE DE8484114525T patent/DE3465976D1/de not_active Expired
- 1984-11-30 CA CA000469057A patent/CA1237047A/en not_active Expired
- 1984-12-01 KR KR1019840007594A patent/KR870001278B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1984-12-03 US US06/677,588 patent/US4563312A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6393342A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-23 | Toyobo Co Ltd | 液体の連続供給装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR850004449A (ko) | 1985-07-15 |
| CA1237047A (en) | 1988-05-24 |
| JPS6144824B2 (ja) | 1986-10-04 |
| KR870001278B1 (ko) | 1987-06-30 |
| US4563312A (en) | 1986-01-07 |
| EP0147663A1 (en) | 1985-07-10 |
| DE3465976D1 (en) | 1987-10-15 |
| EP0147663B1 (en) | 1987-09-09 |
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