JPS6144824B2 - - Google Patents

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JPS6144824B2
JPS6144824B2 JP58226750A JP22675083A JPS6144824B2 JP S6144824 B2 JPS6144824 B2 JP S6144824B2 JP 58226750 A JP58226750 A JP 58226750A JP 22675083 A JP22675083 A JP 22675083A JP S6144824 B2 JPS6144824 B2 JP S6144824B2
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Tetsuo Myanochi
Masanobu Yoshida
Tamio Tsurita
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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    • C23C16/4482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material by bubbling of carrier gas through liquid source material
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は原料ガス供給装置に関し、原料液の補
給を効率よくできるように企図したものである。
光フアイバ母材をVAD法により製作するに
は、四塩化シリコンや四塩化ゲルマニウムなどの
原料液の蒸気をキヤリアガスに混入してなる原料
ガスを、光フアイバ反応装置に供給しなければな
らない。
ここで、原料ガスを光フアイバ反応装置に供給
する従来の原料ガス供給装置を第１図を基に説明
する。同図に示すように、原料液１が貯留された
主原料容器２は、直接または支持台を介して恒温
槽３の底部に固定されており、原料液１は一定温
度に保たれる。キヤリアガス４は、流量制限装置
５が介装された配管６を介して主原料容器２内に
導びかれ、図示の如く原料液１内を通りバブリン
グ状態となる。このためキヤリアガス４には原料
液１が飽和若しくは飽和に近い状態で混入して原
料ガス７となり、この原料ガス７は配管８を介し
て光フアイバ反応装置に供給される。なおキヤリ
アガス４は必ずしもバブリングする必要はなく、
単に原料液面上に導入して蒸発した原料液１とキ
ヤリアガス４とを混合して原料ガス７としてもよ
い。補助原料容器９内には補給用の原料液１が貯
留されるとともに配管１０が接続されている。更
に主配管１１は、その入口端１１ａが補助原料容
器９内に貯留した原料液１中に位置し且つその出
口端１１ｂが主原料容器２内に位置するように配
設されている。なお図中の符号で１２〜１８は制
御弁である。
かかる従来技術において原料ガス７を供給する
には制御弁１２，１３を開放しておく。一方、原
料ガス７の供給を続け主原料容器２内の原料液１
が減つてきたときには補助原料容器９内の原料液
１を補給する。補給をするには、制御弁１４，１
７を閉止し且つ制御弁１５，１６，１８を開放
し、配管１０を介して圧送用ガスである窒素ガス
１９を補助原料容器７内に圧送する。そうすると
補助原料容器７内の原料液１が主配管１１を通つ
て主原料容器２内に補給される（このときの補給
を以下「第１次補給」と称す）。所定量補給した
ところで、開放していた制御弁１６，１８を閉止
するとともに、閉止していた制御弁１７を開放す
る。このことにより主配管１１中に残つていた原
料液は窒素ガス１９で圧送されて主原料容器２内
に流入する（このときの補給を以下「第２次補
給」と称す）。その後、制御弁１５，１６，１８
を閉止し且つ制御弁１４，１７を開放した状態で
更に窒素ガスを圧送し、主配管１１内にわずかに
残留している原料液を、制御弁１４を介して外部
に蒸散させる。なお原料液１の補給中には原料ガ
ス７の供給を停止している。また図示はしない
が、１つの補助原料容器９で複数の原料容器２に
補給をするようにシステムを組むこともある。
ところで上述した従来技術には次のような欠点
があつた。
（） １つの補助原料容器９で１つの主原料容
器２に補給する場合： 総補給量は、第１次補給による補給量と第２次
補給による補給量という２つの補給量を考慮し
て設定しなければならず、設定が面倒である。
更に主配管１１を取り替えてその長さや径が変
わつたときにはこのことが直接に、第２次補給
による補給量の変化につながるため、再度設定
をしなければならず繁雑である。
（） １つの補助原料容器９で複数の主原料容
器２に補給する場合： 各主原料容器２と補助原料容器９とを連通する
主配管１１の長さが異なる、即ち各主原料容器
２に対する第２次補給の補給量がそれぞれ異な
るため、各主原料容器２の原料液量を一定にし
ようとすると、一つ一つの主原料容器ごとに設
定を変えなければならず、たいへん面倒であ
る。特に多数の主原料容器９が各所に散在して
設置されて長尺の主配管１１が錯綜して配され
ている場合には、上記欠点は顕著になる。
本発明は、上記従来技術に鑑み、効率よく原料
液の補給ができる原料ガス供給装置を提供するこ
とを目的とする。かかる目的を達成する本発明の
構成は、供給されてきたキヤリアガスに貯留され
ている原料液を混入させて原料ガスとしこの原料
ガスを供給する主原料容器と、補給用の原料液が
貯留された補助原料容器と、この補助原料容器内
の原料液を主原料容器内に導くために入口端が補
助原料容器内に位置し且つ出口端が主原料容器内
に位置するように配設された主配管とを有する原
料ガス供給装置において、主配管のうちその出口
端近傍から戻配管を分岐させこの戻配管の先端を
補助原料容器内に占位させるとともに戻配管に制
御弁を介装し、主配管のうちその出口端と戻配管
が分岐している部分との間に制御弁を介装し、更
に主配管の入口端側から圧送用ガスを圧入し得る
ようにしたことを特徴とする。
以下本発明の実施例を図面に基づき詳細に説明
する。なお従来技術と同一部分には同一番号を付
し重複する説明は省略する。
第２図は本発明の第１の実施例を示す。同図に
示すように、主配管１１のうちその出口端１１ｂ
の近傍から戻配管２１が分岐しており、その先端
２１ａは、補助原料容器９内に占位している。ま
た戻配管２１には制御弁２２が介装されている。
更に主配管１１のうち、分岐部１１ｃと出口端１
１ｂとの間には、制御弁２３が介装されるととも
に、制御弁２４を備えた配管２５が接続されてい
る。一方、補助原料容器９には、制御弁２６が介
装された配管２７が接続されている。なお、他の
部分は第１図に示す従来技術と同じである。
かかる実施例において原料液１を補給するに
は、制御弁１７，２２，２４，２６を閉止し且つ
制御弁１６，１８，２３を開放し、配管１０を介
して補助原料容器９内に窒素ガス１９を圧入す
る。そうすると、補助原料容器９内の原料液１
は、主配管１１を介して主原料容器２に送られ
る。所定量送つたところで、制御弁１６，１８，
２３，２４を閉止し且つ制御弁１７，２２，２６
を開放する。これにより、主原料容器２への原料
液１の送給が停止されるとともに、主配管１１中
に残留している原料液１は戻配管２１を通つて補
助原料容器９に戻る。この場合、戻配管２１の先
端２１ａが補助原料容器９内の気中に位置してい
るため、残留していた原料液１が補助原料容器９
に戻つた後に、前記先端２１ａから噴出してくる
窒素ガス１９により補助原料容器９内の原料液１
がバブリングされるのが防止される。その後制御
弁２４を開放すると、制御弁２３と出口端１１ｂ
との間に残留していた原料液１が主原料容器２内
に入る。なお、制御弁２３と出口端１１ｂとの間
に残留している原料液１の量は、総補給量に対し
わずかな量であるため、総補給量は、制御弁２３
を開放しているときに送給されてきた量によりほ
ぼ決定される。
このように第１の実施例では、制御弁２３を開
放しているときに送給されてくる原料液の量によ
りほぼ総補給量が決定されるため、総補給量を目
標値どおり正確に一致させることが容易である。
このことは、主配管１１の長さや径が変化しても
同様にいえる。
次に一つの補給原料容器で複数の主原料容器に
補給する第２の実施例を第３図を基に説明する。
なお第３図では、補助原料容器の図示は省略して
いる。
第３図に示すように第２の実施例では複数の主
原料容器２，２′，２″，２が備えられており、
各主原料容器２，２′，２″，２はそれぞれ流量
調整装置３０，３０′，３０″，３０及び開閉弁
３１，３１′，３１″，３１を介して主破管１１
につながつている。また主原料容器２，２′，
２″，２内で発生した原料ガス７は図示しない
配管により光フアイバ反応装置に供給されるよう
になつている。この実施例において各主原料容器
２，２′，２″，２に原料液１を送る圧力は、補
助原料容器に近いほど高く、補助原料容器から離
れるほど低いため、流量調整装置３０，３０′，
３０″，３０により上記送給圧力のアンバラン
スに基づく補給量誤差を無くし、正確に目標量だ
け各主原料容器２，２′，２″，２に補給するよ
う調整している。なお、図中の符号で１は原料
液、２１は戻配管、２３，２３′，２３″，２３
２４，２４′，２４″，２４は制御弁、２５，２
５′，２５″，２５は配管であり、これらは第２
図に示す実施と同様である。
このように構成された第２の実施例において主
原料容器２，２″に補給をする動作を第４図〜第
８図を参照して説明する。なお、これらの図にお
いて、開放している弁は「白抜き」で描いてあ
り、閉止している弁は「黒塗り」で描いている。
補給しないときは、第４図に示すように、弁を
閉止しておく。主原料容器２，２″に原料液１を
補給するには、第５図に示すように、開閉弁３
１，３１″及び制御弁２３，２３″を開放する。こ
れにより主配管１１を介して圧送されてきた原料
液１が主原料容器２，２″に同時に補給される。
補給を停止するには、第６図に示すように、開閉
弁３１，３１″及び制御弁２３，２３″を閉止させ
ればよい。その後、制御弁２４，２４″を開放す
ることにより、制御弁２３，２３″と主原料容器
２，２″との間に残留していた原料液１が主原料
容器２，２″内に入り、補給が完了する。主配管
１１内に残留している原料液１を戻すには、まず
第７図に示すように、開閉弁３１及び制御弁２２
を開放し、図中Ａの経路で示す如く原料液１を圧
送する。しかる後、第８図に示すように、開閉弁
３１″及び制御弁２２″を開放し、図中Ｂの経路で
示す如く原料液１を圧送する。このように補助原
料容器（図示省略）から遠い方から順に原料液を
圧送することにより、原料液１が主配管１１及び
戻配管２１内に残留することなく補助原料容器内
に戻される。
このように第２の実施例では、各原料容器２，
２′，２″，２に対し、補給量を目標値どおり一
致させることができる。また複数の主原料容器
２，２′，２″，２に同時に補給することができ
る。このため全体から見て稼動率が高まつた。更
に、主配管１１及び戻配管２１を共用できるため
配管が簡単になる。
なお上述した二つの実施例ではいずれも、圧送
用ガスである窒素ガスにより原料液の補給を行な
つているが、ポンプ等の他の手段により原料液の
補給を行うようにしてもよい。もつともこのよう
にした場合でも主配管内に残留した原料液を補助
原料容器に戻すには圧送用ガスを用いる。更に本
発明は、光フアイバ用の原料ガスを供給する装置
のみならず、他の用途に供する原料ガス供給装置
に適用できることは言うまでもない。
以上実施例とともに具体的に説明したように本
発明によれば、補給量を目標値に精確に一致させ
ることが容易にでき、効率のよい補給ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の原料ガス供給装置を示す構成
図、第２図は本発明の第１の実施例を示す構成
図、第３図は本発明の第２の実施例の要部を示す
構成図、第４図〜第８図は第２の実施例の動作を
説明するための構成図である。 図面中、１は原料液、２は主原料容器、４はキ
ヤリアガス、７は原料ガス、９は補助原料容器、
１１は主配管、１１ａは主配管の入口端、１１ｂ
は主配管の出口端、１９は窒素ガス（圧送用ガ
ス）、２１は戻配管、２１ａは戻配管の先端、２
２は戻配管の制御弁、２３，２３′，２３″，２３
は制御弁である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 供給されてきたキヤリアガスに貯留されてい
    る原料液の蒸気を混入させて原料ガスとしこの原
    料ガスを供給する主原料容器と、補給用の原料液
    が貯留された補助原料容器と、この補助原料容器
    の原料液を主原料容器内に導くために入口端が補
    助原料容器内に貯留した原料液中に位置し且つ出
    口端が主原料容器内に位置するように配設された
    主配管とを有する原料ガス供給装置において、主
    配管のうちその出口端近傍から戻配管を分岐させ
    この戻配管の先端を補助原料容器内に占位させる
    とともに戻配管に制御弁を介装し、主配管のうち
    その出口端と戻配管が分岐している部分の間に制
    御弁を介装し、更に主配管の入口端側から圧送用
    ガスを圧入し得るようにしたことを特徴とする原
    料ガス供給装置。
JP58226750A 1983-12-02 1983-12-02 原料ガス供給装置 Granted JPS60122735A (ja)

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DE8484114525T DE3465976D1 (en) 1983-12-02 1984-11-30 Gas supplying apparatus
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