KR960015714A - Mbe장치 및 mbe방법 - Google Patents

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KR960015714A
KR960015714A KR1019950035429A KR19950035429A KR960015714A KR 960015714 A KR960015714 A KR 960015714A KR 1019950035429 A KR1019950035429 A KR 1019950035429A KR 19950035429 A KR19950035429 A KR 19950035429A KR 960015714 A KR960015714 A KR 960015714A
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gas
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crystal growth
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KR1019950035429A
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노리오 하야후지
시게까주 이주미
카오루 카도이와
유따까 우네메
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기다오까 다까시
미쓰비시 뎅끼 가부시끼가이샤
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Abstract

본 MBE 장치는 가열함으로서 분자빔 상태로 되는 결정물질을 포함하는 가열도가니, 도가니로 결정성장을 의한 물질가스의에 다른 종류의 가스를 유입하기 위한 다른 종류의 가스유입 모세관 및 도가니로부터 방출된 분자빔 상태내의 결정물질이 기판으로 방사되기 때문에 결정성장이 완성되는 결정성장 챔버를 포함한다.
MBE 방법은 환원력을 가지는 가스가 다른 종류의 가스유입모세관을 통하여 도가니로 유입되는 동안 가열에 의해 분자빔 상태로 되는 물질을 포함하는 도가니를 가열하는 단계, 및 도가니내 분자빔 상태에서 결정 성장물질의 산화된 성분의 불순물이 가스에 의하여 모집되는 동안 결정성장 챔버내 기판으로 결정물질의 분자빔을 방사하는 단계로 구성된다.
그러므로, 산화된 성분의 불순물에 의해 가열된 기판표면에의 단점이 효과적으로 감소된다.

Description

MBE장치 및 MBE방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 MBE장치의 V족 물질 공급 콘테이너인 도가니를 보여주는 단면도이다.

Claims (28)

  1. 가열함으로서 분자빔상대로 되는 결정 물질을 포함하는 가열 도가니;도가니로 결정성장을 위한 물질가스외에 다른 종류의 가스를 유입하기 위한 다른 종류의 가스유입모세관; 및 도가니로부터 방출된 분자빔상태내의 결정성장이 결정성장을 완성하기 위하여 기판에 방사되는 결정성장 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 MBE장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 다른 종류의 가스유입모세관은 도가니로 환원력을 가지는 하나의 유입가스인 것을 특징으로 하는 MBE 장치.
  3. 제2항에 있어서, 환원력을 가지는 가스는 수소인 것을 특징으로 하는 MBE 장치.
  4. 제1항에 있어서, 다른 종류의 가스유입모세관은 도가니로 결정물질로 에칭기능을 가지는 하나의 유입가스인 것을 특징으로 하는 MBE 장치.
  5. 제4항에 있어서, 디-요오드메탄을 포함하기 위한 다른 종류의 가스소스 콘테이너 및 상기 다른 종류의 가스유입모세관의 상류 포TUS에서 디-요오드 메탄 증기의 흐름속도 조절용 흐름조절기가 공급되고, 결정성장으로 에칭기능을 가지는 가스는 요오드 라디칼 I를 포함하는 것을 특징으로 하는 MBE 장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 도가니로서 상기 다른 종류의 가스유입모세관의 연결 포인트 근처에서 제공되는, 상기 다른 종류의 가스유입모세관 가열용 가열수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 MBE 장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 도가니로서 상기 다른 종류의 가스유입모세관의 연결 포인트 근처에서 제공되는, 상기 다른 종류의 가스유입모세관 가열용 가열수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 MBE 장치.
  8. 제2항에 있어서, 다른 종류의 가스유입모세관과 통화하기 위하여 상기 도가니내에 제공되는 유입된 다른 종류의 가스내에 분자의 충돌 계수가 배가되는, 분자충돌 승재 포션을 추가 포함하는 것을 특징으로 하는 MBE장치.
  9. 제4항에 있어서, 다른 종류의 가스유입모세관과 통화하기 위하여 상기 도가니내에 제공되는 유입된 다른 종류의 가스내에 분자의 충돌 계수가 배가되는, 분자충돌 승제 포션을 추가 포함하는 것을 특징으로 하는 MBE장치.
  10. 제2항에 있어서, 상기 도가니에서 분자빔 출구 근처에서 제공되는 상기 도가니로부터 방출된 분자빔을 가열하기 위한 가열수단을 추가 포함하는 것을 특징으로 하는 MBE 장치.
  11. 제4항에 있어서, 상기 도가니에서 분자빔 출구 근처에서 제공되는 상기 도가니로부터 방출된 분자빔을 가열하기 위한 가열수단을 추가 포함하는 것을 특징으로 하는 MBE 장치.
  12. 환원력을 상기 가스가 도가니로 다른 종류의 가스유입모세관을 통하여 유입되는 동안 가열에 의해 분자빔 상태로 되는 물질로 포함하는 도가니를 가열하는 단계; 및 도가니내 분자빔 상태에서 결정 성장물질내 산화된 성분의 불순뭍이 상기 가스로 모집되는 동안 결정물질의 분자빔을 결정 성정 챔버에서 기판으로 방사하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 MBE 방법.
  13. 제12항에 있어서, 환원력을 가지고 상기 다른 종류의 유입 모세관을 통하여 상기 도가니로 유입되는 가스로서 수소가 사용되는 것을 특징으로 하는 MBE 방법.
  14. 상기 다른 종류의 가스유입 모세관을 통하여 도가니내의 상기 결정 성장에서 에칭기능을 가지는 가스를 유입함으로 가열하여 분자빔 상태로 되는 물질을 포함하는 도가니를 가열하는 단계; 및 도가니로 상기 결정성장 물질에서 에칭기능을 가지는 상기 가스의 공급양을 변화시킴으로 도가니로부더 방출된 분자빔의 양을 조절하여 결정성장 챔버에서 기관으로 분자빔을 방사하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 MBE 방법.
  15. 제14항에 있어서, 도가니로부터 방출된 분자빔의 양이 조절될때 결정성장을 완성하는 것은 상기 도가니로 과도하게 공급된 상기 에칭기능을 가지는 가스로 생성된 에칭가스의 분자빔에 의해 결정성장 챔버에서 기판을 에칭하는 것을 특징으로 하는 MBE 방법.
  16. 제14항에 있어서, 다른 종류의 가스소스인 이-요오드 메탄용 콘테이너 및 디-요오드 메탄 증기의 흐름속도를 조절하기 위한 흐름 조절기는 상기 다른 종류의 가스 유입 모세관의 상류 포션에서 제공되고, 에칭기능을 가지는 상기 가스는 상기 콘테이너 및 상기 흐름 조절기로부터 요오드 라디칼 I*를 포함하는 가스로서 공급되는 것을 특징으로 하는 MBE 방법.
  17. 제15항에 있어서, 다른 종류의 가스소스인 디-요오드 메탄용 콘테이너 및 디-요오드 메탄 증기의 흐름속도를 조절하기 위한 흐름 조절기는 상기 다른 종류의 가스 유입 모세판의 상류 포션에서 제공되고, 에칭기능을 가지는 상기 가스는 상기 콘데이너 및 상기 흐름 조절기로부터 요오드 라디칼 1*를 포함하는 가스로서 공급되는 것을 특징으로 하는 MBE 방법.
  18. 제1항에 있어서, 상기 도가니로부터 방출된 분자빔 상태의 결정성장물질은 가열, 도가니의 하류에 제공된 운송가스유입 모세관 및 운송가스유입 모세관의 하류에 제공된, 운송가스가 라디칼을 생성하기 위하여 분해 되는 라디칼 발생 챔버에 의해 분해되는 크래킹 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 MBE 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 도가니는 상기 결정성장 챔버의 외부에 배치되고, 상기 크래킹 챔버는 결정성장 챔버의 내부에 배치되고, 크래킹 챔버와 도가니 사이의 라인을 가열하기 위한 가열수단이 제공되는 것을 특징으로 하는 MBE 장치.
  20. 제18항에 있어서, 상기 운송가스유입 모세관 말단은 상기 크래킹 챔버를 유입되고, 상기 라디칼 발생챔버는 크래킹 챔버내에 배치되고, 운송가스유입 모세관의 말단은 크래킹 챔버내 라디칼 발생 챔버에 연결되는 것을 특징으로 하는 MBE 장치.
  21. 제18항에 있어서. 자외선으로 운송가스를 방사하고 운송가스의 라디칼 발생을 촉진하기 위한 챔버는 상기 운송가스유입 모세관과 상기 라디칼 발생챔버 사이에 제공되는 것을 특징으로 하는 MBE 장치.
  22. 제18항에 있어서, 상기 라디칼 발생챔버는 가열용 히터를 포함하는 원통 포션 및 히터를 포함하지 않는 원통 포션을 카지고, 상기 원통 포션은 상기 크래킹 챔버의 출구에 연결하기 위하여 스위치되는 것을 특징으로 하는 MBE 장치.
  23. 제1항에 있어서, 대기에 도가니의 내부를 노출하지 않고, 상기 도가니로 결정물질이 보충될 수 있는 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 MBE 장치.
  24. 제14항에 있어서, 대기에 도가니의 내부를 노출하지 않고, 상기 도가니로 결정물질이 보충될 수 있는 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 MBE 장치.
  25. 제23항에 있어서, 상기 물질 보충구조는 상기 도가니의 사이드 표면에 제공된 결정물질 유입모세관 모세관의 개방 및 닫힘 상태를 조절하기 위한 게이트 밸브, 케이트 밸브에 연결되고 내부에 결정물질을 포함할 수 있는 적재챔버 및 적재챔버의 내부에서 진공디그리 변경용 구조로 구성되는 것을 특징으로 하는 MBE 장치.
  26. 제24항에 있어서, 상기 물질 보충구조는 상기 도가니의 사이드 표면에 제공된 결정물질 유입모세관 모세관의 개방 및 닫힘 상태를 조절하기 위한 게이트 밸브, 게이트 밸브에 연결되고 내부에 결정물질을 포함할 수 있는 적재챔버 및 적재챔버의 내부에서 진공디그리 변경용 구조로 구성되는 것을 특징으로 하는 MBE 장치.
  27. 제25항에 있어서, 상기 적재 챔버는 주위에 나선 그루브를 가지는 결정물질에 부착된 복수의 카트리지 케이스를 포함할 수 있고, 카트리지 케이스에 부착된 결정물질은 카트리지 케이스로부터 밀기 위하여 슬라이드로드를 이용하여 회전되고, 거기서 상기 결정물질 유입모세관 방전하는 것을 특징으로 하는 MBE 장치.
  28. 제26항에 있어서, 상기 적재 챔버는 주위에 나선 그루브를 가지는 결정물질에 부착된 복수의 카트리지 케이스를 포함할 수 있고, 카트리지 케이스에 부착된 결정물질은 카트리지 케이스로부터 밀기 위하여 슬라이드 로드를 이용하여 회전되고, 거기서 상기 결정물질 유입모세관 방전하는 것을 특징으로 하는 MBE 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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