KR920017178A - 미 반응 가스의 제거 및 반응 억제 방법 - Google Patents

미 반응 가스의 제거 및 반응 억제 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR920017178A
KR920017178A KR1019910002572A KR910002572A KR920017178A KR 920017178 A KR920017178 A KR 920017178A KR 1019910002572 A KR1019910002572 A KR 1019910002572A KR 910002572 A KR910002572 A KR 910002572A KR 920017178 A KR920017178 A KR 920017178A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
tube
reaction
door plate
plate electrode
Prior art date
Application number
KR1019910002572A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940006667B1 (ko
Inventor
김윤기
반천수
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019910002572A priority Critical patent/KR940006667B1/ko
Priority to US07/772,859 priority patent/US5273586A/en
Priority to JP3262344A priority patent/JPH0680658B2/ja
Publication of KR920017178A publication Critical patent/KR920017178A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR940006667B1 publication Critical patent/KR940006667B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H01L21/203—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy using physical deposition, e.g. vacuum deposition, sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber

Abstract

내용 없음

Description

미 반응 가스의 제거 및 반응 억제 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 LP CVD 제조 장치도이다.

Claims (2)

  1. 양질의 막을 성장시키는 반도체 제조 방법에 있어서, 외부 환경으로부터 반응 공간을 형성하는 외부 튜브(1)와, 상기 외부 튜브 내의 공간에 설치되는 내부 튜브(8)와, 상기 내부 튜브내의 공간에 설치되는 웨이퍼(2)를 장착하는 보우트(3)와, 튜브 내부로 반응가스의 유입을 조절하는 가스라인(6), 퀄츠 가스 주입기(7), MFC(9) 및 밸브(10)와, 튜브 내부의 온도를 반응 온도로 형성시켜 주는 가열장치(5)와, 튜브 내부의 공기 및 반응가스를 배출시키는 펌프(4)와, 보우트(3)가 얹혀지게 되는 도어판 전극(13)를 구비하여 이루어지는 종래의 장치에 도어판전극(13)에 전류를 공급하는 전원장치(12)와 전원장치를 작동시켜주는 메인 콘트롤러(11)를 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 미 반응 가스의 제거 및 반응 억제 방법.
  2. 제1항에 있어서, Gas공급이 중단된 상태에서 가스가 배출되는 동안 이온상태의 미 반응 가스는 전류를 공급받은 도어판 전극(13)에 결합되어져 침적이 이루어짐을 억제하여 양질의 막을 성장시키게 함을 특징으로 하는 미반응 가스의 제거 및 반응 억제 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910002572A 1991-02-18 1991-02-18 미 반응가스의 제거 및 반응 억제장치 KR940006667B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910002572A KR940006667B1 (ko) 1991-02-18 1991-02-18 미 반응가스의 제거 및 반응 억제장치
US07/772,859 US5273586A (en) 1991-02-18 1991-10-08 Low pressure chemical vapor deposition apparatus, with removal system for remaining ionized gas components
JP3262344A JPH0680658B2 (ja) 1991-02-18 1991-10-09 未反応ガスの除去及び反応抑制装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910002572A KR940006667B1 (ko) 1991-02-18 1991-02-18 미 반응가스의 제거 및 반응 억제장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920017178A true KR920017178A (ko) 1992-09-26
KR940006667B1 KR940006667B1 (ko) 1994-07-25

Family

ID=19311184

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910002572A KR940006667B1 (ko) 1991-02-18 1991-02-18 미 반응가스의 제거 및 반응 억제장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5273586A (ko)
JP (1) JPH0680658B2 (ko)
KR (1) KR940006667B1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3137682B2 (ja) * 1991-08-12 2001-02-26 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JPH06151340A (ja) * 1992-11-13 1994-05-31 Nippon Ee S M Kk 熱処理装置
JP3073627B2 (ja) * 1993-06-14 2000-08-07 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US5425810A (en) * 1994-05-11 1995-06-20 Internation Business Machines Corporation Removable gas injectors for use in chemical vapor deposition of aluminium oxide
US6296710B1 (en) * 1999-10-06 2001-10-02 Advanced Micro Devices, Inc. Multi-port gas injector for a vertical furnace used in semiconductor processing
US8211235B2 (en) * 2005-03-04 2012-07-03 Picosun Oy Apparatuses and methods for deposition of material on surfaces
JP5235506B2 (ja) * 2008-06-02 2013-07-10 キヤノン株式会社 パターン転写装置及びデバイス製造方法
CN109881185A (zh) * 2019-03-06 2019-06-14 北京捷造光电技术有限公司 一种气相沉积反应装置
CN115142049A (zh) * 2022-07-28 2022-10-04 苏州涌真光电科技有限公司 具有叠加升降装置的cvd镀膜机

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0642474B2 (ja) * 1988-03-31 1994-06-01 株式会社東芝 半導体製造装置
JP2701363B2 (ja) * 1988-09-12 1998-01-21 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法及びそれに使用する薄膜形成装置
US5015330A (en) * 1989-02-28 1991-05-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Film forming method and film forming device
JP3023982B2 (ja) * 1990-11-30 2000-03-21 東京エレクトロン株式会社 成膜方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR940006667B1 (ko) 1994-07-25
JPH0680658B2 (ja) 1994-10-12
US5273586A (en) 1993-12-28
JPH04277628A (ja) 1992-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100746380B1 (ko) 기판상에 에피택셜 실리콘 층을 실링하기 위한 방법 및 시스템
KR100374065B1 (ko) 산화처리장치및산화처리방법
KR920017178A (ko) 미 반응 가스의 제거 및 반응 억제 방법
KR960043020A (ko) 반도체 제조장치 및 로드록 실 산소 농도의 제어방법과 자연 산화막의 생성방법
JP2008124078A5 (ko)
CN103732307B (zh) 用于处理气流的装置
JP2000100812A (ja) シリコンナイトライド膜の成膜方法
JP2014154751A (ja) ガス供給系及び成膜装置
JPH10223623A (ja) ウェット酸化装置およびウェット酸化方法
KR20000003211A (ko) 로드 락 챔버의 가스 공급 시스템
JPH08187427A (ja) 処理液供給装置
WO2020213506A1 (ja) 基板処理装置、基板処理システム及び基板処理方法
JP4304354B2 (ja) 半導体装置の処理方法
KR20020018823A (ko) 반도체 제조 공정에 사용되는 화학기상 증착장치
KR920007187B1 (ko) 반도체 제조장치
KR20020022943A (ko) 반도체 제조장치의 펌핑 시스템
JPS5934639A (ja) 窒化シリコン膜形成装置
JP2000274213A (ja) 動力発生装置
KR100280541B1 (ko) 반도체 웨이퍼 산화막형성장치의 번 튜브 설치구조
JP2554759Y2 (ja) 流動液体加熱装置
KR100191471B1 (ko) 반도체 저압화학기상증착설비의 가스공급장치
KR200284625Y1 (ko) 화학 기상 증착 장치
KR930009013A (ko) 반도체기판의 산화규소막-다결정실리콘막-질화막의 형성방법 및 그 장치
JPH03100168A (ja) 成膜用ガス導入装置
KR970077133A (ko) 산화막 성장 공정 및 lp cvd 공정 겸용 수직형 확산로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080701

Year of fee payment: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee