KR20020022943A - 반도체 제조장치의 펌핑 시스템 - Google Patents

반도체 제조장치의 펌핑 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명은 공정 챔버(Process Chamber)로부터 가스가 배기되는 배기라인에 쌓이는 파우더를 최소화하기 위한 반도체 제조장치의 배기 시스템에 관한 것으로, 반도체 제조장치의 배기 시스템은 공정 챔버에 연결되는 배기 라인과, 배기 라인상에 설치되는 펌프와, 배기 라인상에 설치되고, 배기 가스의 유속을 증가시키기 위하여 배기 흐름방향으로 질소가스를 분사하는 파우더 트랜스퍼 및 파우더 트랜스퍼로 뜨거운 질소 가스를 공급하기 위한 공급 라인을 구비한다.

Description

반도체 제조장치의 펌핑 시스템{EXHAUST SYSTEM OF SEMICONDUCTOR FABRICATION APPARATUS}
본 발명은 반도체 제조장치의 배기 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공정 챔버(Process Chamber)로부터 가스가 배기되는 배기라인에 쌓이는 파우더를최소화하기 위한 반도체 제조장치의 배기 시스템에 관한 것이다.
도 1을 참조하면, CVD 설비의 배기 시스템에서 공정 챔버(12)로부터 배기되는 배기가스는 드라이 펌프(14)를 거쳐 배기 라인(16)을 따라 가다가 연동 밸브(18)에서 공정시에는 가연배기(20)로, 크리닝시에는 산배기라인(22)으로 나누어진다.
한편, 배기 가스는 연동 밸브(18)가 설치된 배기 라인상에서 유속이 느려지게 되면서 그 부분에 파우더가 생성되어 배기 라인(16)을 막게 된다. (특히, oxide, nitrid, TEOS 막질을 데포하는 공정에서 사용되는 SiH4, TEOS 등은 파우더가 가장 많이 생성된다.) 종래 배기 시스템에서는 배기 가스의 유속 저하로 인한 파우더 생성을 최소화하기 위해 파우더 트랜스퍼(24)라는 장치를 연동 밸브(18) 바로 앞에 설치하였다. 이 파우더 트랜스퍼(24)는 질소가스를 연동 밸브(18) 방향으로 불어주어 배기 가스의 유속을 증가시킴으로서 파우더 생성을 억제하여 왔다. 그러나, 이러한 파우더 트랜스퍼(24)를 장착했음에도 불구하고, 배기 라인(16)으로 배기되는 배기 가스의 온도 저하로 인한 파우더 생성을 억제할 수 있는 방법이나 장치가 없었다.
본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 배기 가스가 배기되는 배기 라인상에서의 파우더 생성을 최소화 할 수 있는 새로운 형태의 반도체 제조 장치의 배기 시스템을 제공하는데 있다.
도 1은 봉래 반도체 제조의 CVD설비에서의 배기 시스템을 보여주는 도면;
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조의 CVD설비에서의 배기 시스템이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
110 : 배기 라인 112 : 드라이 펌프
114 : 파우더 트랜스퍼 116 : 제 1 가스 공급 라인
118 : 제 2 가스 공급 라인 120 : 히팅 자켓
122 : 연동 밸브 124 : 가연배기라인
126 : 산배기라인 130 : 공정 챔버
140 : 열선 장치
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 반도체 제조장치의 배기 시스템에 있어서: 웨이퍼에 대한 소정의 공정이 진행되는 공정 챔버와; 상기 공정 챔버에 연결되는 배기 라인과; 상기 배기 라인상에 설치되는 드라이 펌프와;
상기 배기 라인상에 설치되고, 배기 가스의 유속을 증가시키기 위하여 배기 흐름방향으로 질소가스를 분사하는 파우더 트랜스퍼 및; 상기 파우더 트랜스퍼로 뜨거운 질소 가스를 공급하기 위한 공급 라인을 포함한다.
이와 같은 본 발명에서 상기 배기 라인에는 배기 가스의 온도 저하로 인한 파우더 생성을 억제 하기 위한 히팅 자켓이 설치될 수 있다. 가스 공급 라인은 상기 히팅 자켓 내부를 거쳐서 상기 파우더 트랜스퍼로 연결될 수 있다.
이와 같은 본 발명에서 상기 드라이 펌프에는 펌프 퍼지용 질소 가스를 공급하기 위한 제 2 공급 라인이 연결되며, 이 제 2 공급 라인은 상기 히팅 자켓의 내부를 거쳐서 상기 드라이 펌프에 연결될 수 있다.
이와 같은 본 발명에서 상기 히팅 자켓만으로 충분한 보온 및 질소 가스의 히팅이 어려운 경우, 상기 히팅 자켓에 열선이 설치될 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 2를 참조하면서 상세히 설명한다. 그리고 상기 도면들에 있어서 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호가 병기되어 있다.
도 2에는 반도체 제조의 CVD설비에서의 배기 시스템을 보여주고 있다.
도 2를 참조하면, CVD 설비의 배기 시스템은 배기 라인(110), 드라이 펌프(112), 파우더 트랜스퍼(114), 제 1 가스 공급 라인(116), 제 2 가스 공급 라인(118) 그리고 히팅 자켓(120)을 구비하고 있다. 공정 챔버(130)로부터 배기되는 배기가스는 드라이 펌프(112)를 거쳐 배기 라인(110)을 따라 가다가 연동 밸브(122)에서 공정시에는 가연배기(124)로, 크리닝시에는 산배기라인(126)으로 나누어진다.
상기 파우더 트랜스퍼(114)는 상기 연동 밸브(122) 바로 앞 배기 라인(110)상에 설치된다. 이 파우더 트랜스퍼(114)는 질소가스를 연동 밸브(122) 방향으로 불어주어 배기 가스의 유속을 증가시킴으로서 파우더 생성을 억제한다. 상기 파우더 트랜스퍼(114)에서 분사되는 질소가스는 상기 제 1 가스 공급 라인(116)으로부터 공급받는다.
한편, 상기 히팅 자켓(120)은 배기 라인(110)에 설치된다. 상기 배기 라인(110)은 상기 히팅 자켓(120)에 의해 보온이 됨으로, 배기 라인(110)상에서의 배기 가스의 온도 저하로 인한 파우더 생성을 억제할 수 있게 된다. 그리고 상기 제 1 가스 공급 라인(116)은 상기 히팅 자켓(120) 내부를 거쳐서 상기 파우더 트랜스퍼(114)에 연결된다. 따라서, 제 1 가스 공급(116) 라인을 흐르는 질소 가스는 상기 배기 라인(110)의 폐열에 의해 히팅된 후 상기 파우더 트랜스퍼(114)로 공급되게 된다. 그리고, 상기 드라이 펌프(112)로 펌프 퍼지용 질소 가스를 공급하기 위한 제 2 가스 공급 라인(118)도 상기 제 1 가스 공급 라인(116)과 마찬가지로 상기 히팅 자켓(120) 내부를 거친 후 상기 드라이 펌프(112)에 연결된다.
졀국, 상기 제 1 및 제 2 가스 공급 라인(116,118)을 흐르는 질소 가스는 상기 배기 라인(110)의 폐열에 의해 히팅된 후 상기 파우더 트랜스퍼(114) 및 드라이펌프(112)로 공급되는 것이다.
예컨대, 상기 히팅 자켓(120)만으로 충분한 보온 및 질소 가스의 히팅이 어려운 경우, 상기 히팅 자켓(120)를 전기적으로 가열시키기 위한 열선 장치(140)가 설치될 수 있다.
이와 같은 배기 시스템의 히팅 자켓 및 배기 라인의 페열을 이용한 질소 가스의 히팅방법은 반도체 소자 제조 공정에서 필요로 하는 다양한 배기 시스템의 파우더 생성이 심각한 배기 라인에 널리 사용되는 것이 바람직하다.
이상에서, 본 발명에 따른 배기 시스템의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.
이와 같은 본 발명의 배기 시스템에 의하면, 배기 가스의 온도 저하를 방지함으로서 배기 가스가 배기되는 배기 라인상에서의 파우더 생성을 최소화 할 수 있는 장점이 있다.

Claims (5)

  1. 반도체 제조장치의 배기 시스템에 있어서:
    웨이퍼에 대한 소정의 공정이 진행되는 공정 챔버와;
    상기 공정 챔버에 연결되는 배기 라인과;
    상기 배기 라인상에 설치되는 드라이 펌프와;
    상기 배기 라인상에 설치되고, 배기 가스의 유속을 증가시키기 위하여 배기 흐름방향으로 질소가스를 분사하는 파우더 트랜스퍼 및;
    상기 파우더 트랜스퍼로 뜨거운 질소 가스를 공급하기 위한 공급 라인을 포함하여, 배기 라인으로 배기되는 가스의 온도가 떨어지는 것을 최소화할 수 있는 반도체 제조장치의 배기 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 배기 라인에는 배기 가스의 온도 저하로 인한 파우더 생성을 억제하기 위한 히팅 자켓이 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 배기 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 배기 라인의 폐열을 이용하여 질소 가스를 히팅할 수 있도록 상기 공급 라인은 상기 히팅 자켓 내부를 거쳐서 상기 파우더 트랜스퍼로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 배기 시스템.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 드라이 펌프에는 펌프 퍼지용 질소 가스를 공급하기 위한 제 2 공급 라인이 연결되며, 이 제 2 공급 라인은 상기 히팅 자켓의 내부를 거쳐서 상기 드라이 펌프에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 배기 시스템.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 히팅 자켓만으로 충분한 보온 및 질소 가스의 히팅이 어려운 경우, 상기 히팅 자켓에 열선을 설치하여 질소 가스를 전기적으로 가열시키는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 배기 시스템.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020083237A (ko) * 2001-04-26 2002-11-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반도체 장치 및 그 구동방법
CN108615670A (zh) * 2016-12-09 2018-10-02 韩国三重核心株式会社 具有防吸附粉末装置的排气模块以及等离子洗涤装置
CN112797424A (zh) * 2020-12-23 2021-05-14 北京京仪自动化装备技术有限公司 一种用于处理半导体TiN工艺废气的方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970004213Y1 (ko) * 1994-06-02 1997-05-07 김영직 김밥틀
KR960006407U (ko) * 1995-05-17 1996-02-17 김용수 Tv용 안테나의 개량구조
KR0125242Y1 (ko) * 1995-09-05 1999-02-18 문정환 반도체 제조장비의 배기장치
KR19980074785A (ko) * 1997-03-27 1998-11-05 윤종용 배출 라인의 파우더 제거 장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020083237A (ko) * 2001-04-26 2002-11-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반도체 장치 및 그 구동방법
CN108615670A (zh) * 2016-12-09 2018-10-02 韩国三重核心株式会社 具有防吸附粉末装置的排气模块以及等离子洗涤装置
CN112797424A (zh) * 2020-12-23 2021-05-14 北京京仪自动化装备技术有限公司 一种用于处理半导体TiN工艺废气的方法
CN112797424B (zh) * 2020-12-23 2021-11-05 北京京仪自动化装备技术股份有限公司 一种用于处理半导体TiN工艺废气的方法

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