JPS63227039A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63227039A JPS63227039A JP6161287A JP6161287A JPS63227039A JP S63227039 A JPS63227039 A JP S63227039A JP 6161287 A JP6161287 A JP 6161287A JP 6161287 A JP6161287 A JP 6161287A JP S63227039 A JPS63227039 A JP S63227039A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ、オペアンプ等の
高精度半導体装置の安定な製造方法に関する。
高精度半導体装置の安定な製造方法に関する。
従来の技術
Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ、高精度オペアンプ等の半導
体装置に使用される抵抗は、周知のプレーナー技術を用
いて形成される拡散抵抗と、抵抗値精度が要求される部
分にニクロム（ＮｉＣｒ）系合金等の薄膜抵抗体がそれ
ぞれ選択的に使用される。
体装置に使用される抵抗は、周知のプレーナー技術を用
いて形成される拡散抵抗と、抵抗値精度が要求される部
分にニクロム（ＮｉＣｒ）系合金等の薄膜抵抗体がそれ
ぞれ選択的に使用される。
モノリシック集積回路上にＮｉＣｒ薄膜抵抗体を形成す
る従来例の製造方法を図面を参照して説明する。
る従来例の製造方法を図面を参照して説明する。
周知のバイポーラ集積回路製造技術を用いて、Ｐ型のシ
リコン基板１の上にＮ型のエピタキシャル層２を形成す
る。次にシリコン基板１の表面に形成された二酸化シリ
コン膜４上に、真空蒸着法によりＮｉＣｒ膜を蒸着し、
フォトリソグラフィーを用いて、ＮｉＣｒ薄膜抵抗体５
を形成した後、半導体素子３間及び半導体素子３とＮｉ
Ｃｒ薄膜抵抗体５とを接触部６において電気的に接続す
るためのアルミニウム（ｉ）又はＡｅ合金配線７（以下
Ａｅ電極配線と呼ぶ）を形成する。そして最終保護膜８
を形成した後、フォーミングガス中において４００℃程
度の熱処理を行なう。
リコン基板１の上にＮ型のエピタキシャル層２を形成す
る。次にシリコン基板１の表面に形成された二酸化シリ
コン膜４上に、真空蒸着法によりＮｉＣｒ膜を蒸着し、
フォトリソグラフィーを用いて、ＮｉＣｒ薄膜抵抗体５
を形成した後、半導体素子３間及び半導体素子３とＮｉ
Ｃｒ薄膜抵抗体５とを接触部６において電気的に接続す
るためのアルミニウム（ｉ）又はＡｅ合金配線７（以下
Ａｅ電極配線と呼ぶ）を形成する。そして最終保護膜８
を形成した後、フォーミングガス中において４００℃程
度の熱処理を行なう。
ところで真空蒸着法により蒸着したＮｉＣｒ膜にフォト
レジストをマスクとしてエツチングした後、次工程に移
す前に不要となったフォトレジストを除去する必要があ
るが、従来は専用のフォトレジスト除去剤や、高周波放
電で作った酸素ガスプラズマを使用する場合が一般的で
ある。
レジストをマスクとしてエツチングした後、次工程に移
す前に不要となったフォトレジストを除去する必要があ
るが、従来は専用のフォトレジスト除去剤や、高周波放
電で作った酸素ガスプラズマを使用する場合が一般的で
ある。
発明が解決しようとする問題点
従来においては上述のようにＮｉＣｒ膜をフォトレジス
トをマスクとしてエツチングした後、専用のフォトレジ
スト除去剤や高周波放電で作った酸素ガスプラズマを使
用してフォトレジストの除去を行い次工程のＡｅ電極配
線工程が行なわれていたが、このような方法では、Ａｅ
電極配線７とＮｉＣｒ薄膜抵抗体５との接触部６におい
て接触抵抗が増大し、ウェハー内に接触抵抗のばらつき
が生じるという問題があった。
トをマスクとしてエツチングした後、専用のフォトレジ
スト除去剤や高周波放電で作った酸素ガスプラズマを使
用してフォトレジストの除去を行い次工程のＡｅ電極配
線工程が行なわれていたが、このような方法では、Ａｅ
電極配線７とＮｉＣｒ薄膜抵抗体５との接触部６におい
て接触抵抗が増大し、ウェハー内に接触抵抗のばらつき
が生じるという問題があった。
本発明はこのような従来の問題を解決し、Ａｅ電極配線
とＮｉＣｒ薄膜抵抗体の接触部における接触抵抗および
そのばらつきを低減させることを目的とするものである
。
とＮｉＣｒ薄膜抵抗体の接触部における接触抵抗および
そのばらつきを低減させることを目的とするものである
。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決すべく本発明は、シリコン基板上に絶
縁膜を介してＮｉＣｒ薄膜抵抗体を形成する工程と、前
記ＮｉＣｒ薄膜抵抗体を窒素ガスプラズマ中にさらして
プラズマ洗浄する工程と、その後上記ＮｉＣｒ薄膜抵抗
体と電気的接続を得るためのＡｅ電極配線を行なうもの
である。
縁膜を介してＮｉＣｒ薄膜抵抗体を形成する工程と、前
記ＮｉＣｒ薄膜抵抗体を窒素ガスプラズマ中にさらして
プラズマ洗浄する工程と、その後上記ＮｉＣｒ薄膜抵抗
体と電気的接続を得るためのＡｅ電極配線を行なうもの
である。
作用
この構成によりシリコン基板上のＮｉＣｒ薄膜抵抗体表
面が窒素ガスプラズマによってプラズマ洗浄され、Ｎｉ
Ｃｒ薄膜抵抗体とＡｅ電極配線との付着力が増強される
ことにより、両者の接触部において良好な接触状態が得
られ、ＮｉＣｒ薄膜抵抗体とＡｅ電極配線の接触抵抗が
低減し、そのばらつきも低減する。
面が窒素ガスプラズマによってプラズマ洗浄され、Ｎｉ
Ｃｒ薄膜抵抗体とＡｅ電極配線との付着力が増強される
ことにより、両者の接触部において良好な接触状態が得
られ、ＮｉＣｒ薄膜抵抗体とＡｅ電極配線の接触抵抗が
低減し、そのばらつきも低減する。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照して説明す
る。Ｐ型のシリコン基板１の上にＮ型のエピタキシャル
層２を形成する。次にシリコン基板１の表面に形成され
た二酸化シリコン膜４上に真空蒸着法によりＮｉＣｒ膜
を数百人の厚さに形成し、フォトレジストをマスクとし
てＮ１ＣｒＷＪをエツチングする。
る。Ｐ型のシリコン基板１の上にＮ型のエピタキシャル
層２を形成する。次にシリコン基板１の表面に形成され
た二酸化シリコン膜４上に真空蒸着法によりＮｉＣｒ膜
を数百人の厚さに形成し、フォトレジストをマスクとし
てＮ１ＣｒＷＪをエツチングする。
次に専用のレジスト除去剤か、１３．５６ＭＨｚの通常
の高周波放電の酸素ガスプラズマによるレジスト灰化法
でフォトレジストを除去しＮｉＣｒ薄膜抵抗５を形成し
た後、同様の１３．５６ＭＨｚの高周波放電の窒素ガス
（Ｎ２）プラズマ中にシリコン基板１を入れ基板温度が
１００℃程度になるまでプラズマ中にさらし、プラズマ
洗浄を行う。
の高周波放電の酸素ガスプラズマによるレジスト灰化法
でフォトレジストを除去しＮｉＣｒ薄膜抵抗５を形成し
た後、同様の１３．５６ＭＨｚの高周波放電の窒素ガス
（Ｎ２）プラズマ中にシリコン基板１を入れ基板温度が
１００℃程度になるまでプラズマ中にさらし、プラズマ
洗浄を行う。
なお条件は投入電力５００Ｗ、Ｎ２ガス圧０，８Ｔｏｒ
ｒである。Ｎ２ガスプラズマ装置からシリコン基板１を
取り出し、直ちにＡｅ電極配腺７を形成する工程へ進む
。その後最終保護膜８を形成し、フォーミングガス中に
おいて４００℃程度のシンタリング処理を行なう。
ｒである。Ｎ２ガスプラズマ装置からシリコン基板１を
取り出し、直ちにＡｅ電極配腺７を形成する工程へ進む
。その後最終保護膜８を形成し、フォーミングガス中に
おいて４００℃程度のシンタリング処理を行なう。
このようにして形成されたＮｉＣｒ薄膜抵抗体５とＡｅ
電極配線７との接触部分６の接触抵抗は非常に小さな値
となり、例えば１５Ｘ２０ｕｎｌの接触面積の抵抗値は
、再現性よく数Ω以下のものが得られ、高抵抗になる事
はない。したがってそのばらつきも小さい。専用のフォ
トレジスト除去剤や酸素ガスプラズマ灰化装置でレジス
ト除去を行なうだけの従来の方法では、接触、抵抗が数
十Ω以上になる場合があり、そのばらつきも大きかった
が、本実施例によればこのような問題を確実に解決する
ことができる。
電極配線７との接触部分６の接触抵抗は非常に小さな値
となり、例えば１５Ｘ２０ｕｎｌの接触面積の抵抗値は
、再現性よく数Ω以下のものが得られ、高抵抗になる事
はない。したがってそのばらつきも小さい。専用のフォ
トレジスト除去剤や酸素ガスプラズマ灰化装置でレジス
ト除去を行なうだけの従来の方法では、接触、抵抗が数
十Ω以上になる場合があり、そのばらつきも大きかった
が、本実施例によればこのような問題を確実に解決する
ことができる。
なお、窒素ガスプラズマによるプラズマ洗浄時の基板温
度は１５０℃以下で行うことが望ましい。基板温度が１
５０℃以上の高温になると、基板内のＮｉＣｒ薄膜抵抗
体のシート抵抗値のばらつきが増大する。
度は１５０℃以下で行うことが望ましい。基板温度が１
５０℃以上の高温になると、基板内のＮｉＣｒ薄膜抵抗
体のシート抵抗値のばらつきが増大する。
発明の効果
本発明によれば、ＮｉＣｒ薄膜抵抗体とＡｅ電極配線と
の接触部における接触抵抗を容易にしかも再現性よく低
減させることが可能なため、ＮｉＣｒ薄膜抵抗体を備え
た半導体装置を安定して製造することができる。
の接触部における接触抵抗を容易にしかも再現性よく低
減させることが可能なため、ＮｉＣｒ薄膜抵抗体を備え
た半導体装置を安定して製造することができる。
図は本発明の一実施例における製造方法により得られた
半導体装置の断面図である。 １・・・・・・Ｐ形のシリコン基板、２・・・・・・Ｎ
形のエピタキシャル層、３・・・・・・半導体素子、４
・・・・・・二酸化シリコン膜、５・・・・・・ＮｉＣ
ｒ薄膜抵抗体、６・・・・・・Ａｅ電極配線とＮｉＣｒ
薄膜抵抗体の接触部、７・・・・・・Ａ［電極配線、８
・・・・・・最終保護膜。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名ｔ−）’η
歩シリコン」レト（
半導体装置の断面図である。 １・・・・・・Ｐ形のシリコン基板、２・・・・・・Ｎ
形のエピタキシャル層、３・・・・・・半導体素子、４
・・・・・・二酸化シリコン膜、５・・・・・・ＮｉＣ
ｒ薄膜抵抗体、６・・・・・・Ａｅ電極配線とＮｉＣｒ
薄膜抵抗体の接触部、７・・・・・・Ａ［電極配線、８
・・・・・・最終保護膜。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名ｔ−）’η
歩シリコン」レト（
Claims (2)
- （１）シリコン基板上に絶縁膜を介してＮｉＣｒ薄膜抵
抗体を形成する工程と、前記ＮｉＣｒ薄膜抵抗体を窒素
ガスプラズマ中にさらしてプラズマ洗浄する工程と、そ
の後上記ＮｉＣｒ薄膜抵抗体と電気的接続を得るための
電極配線を行なう工程とを含むことを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - （２）窒素ガスプラズマによるプラズマ洗浄工程がシリ
コン基板の温度１５０℃以下で行なわれることを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項記載の半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6161287A JPS63227039A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6161287A JPS63227039A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63227039A true JPS63227039A (ja) | 1988-09-21 |
Family
ID=13176162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6161287A Pending JPS63227039A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63227039A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001127167A (ja) * | 1999-10-28 | 2001-05-11 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-03-17 JP JP6161287A patent/JPS63227039A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001127167A (ja) * | 1999-10-28 | 2001-05-11 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置 |
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