JPS63226956A - 半導体抵抗体 - Google Patents
半導体抵抗体Info
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- JPS63226956A JPS63226956A JP5884387A JP5884387A JPS63226956A JP S63226956 A JPS63226956 A JP S63226956A JP 5884387 A JP5884387 A JP 5884387A JP 5884387 A JP5884387 A JP 5884387A JP S63226956 A JPS63226956 A JP S63226956A
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- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 10
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/0802—Resistors only
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体のｐｎ接合を利用した抵抗層がチップ内
に集積化されている半導体装置に係り、特に抵抗値の電
圧依存性を少なくし、外部の電位変動に対して安定な半
導体抵抗体に関する。
に集積化されている半導体装置に係り、特に抵抗値の電
圧依存性を少なくし、外部の電位変動に対して安定な半
導体抵抗体に関する。
従来、この種の半導体中に形成された抵抗体としては特
開昭５９−１２１０８３号公報に記載のように抵抗体に
接続された２つの電極の一方が抵抗層上の絶縁物を介し
て延長されており、抵抗値の電圧依存性を抑性していた
。
開昭５９−１２１０８３号公報に記載のように抵抗体に
接続された２つの電極の一方が抵抗層上の絶縁物を介し
て延長されており、抵抗値の電圧依存性を抑性していた
。
上記従来技術は半導体基板上に形成された抵抗体の両端
に印加する電圧や同一基板上に形成された他の半導体装
置に印加される電圧や安定化膜上あるいは膜中に誘起さ
れる電荷により、抵抗体をとり囲む半導体基体の表面反
転等の点については配慮されらおらず、プラスチックパ
ッケージに封じた場合に湿気等の影響を強く受は安定な
抵抗体が得られないという問題があった。
に印加する電圧や同一基板上に形成された他の半導体装
置に印加される電圧や安定化膜上あるいは膜中に誘起さ
れる電荷により、抵抗体をとり囲む半導体基体の表面反
転等の点については配慮されらおらず、プラスチックパ
ッケージに封じた場合に湿気等の影響を強く受は安定な
抵抗体が得られないという問題があった。
本発明の目的は、プラスチックパッケージに封じた場合
に外部雰囲気の影響を受けず、しかも抵抗の電圧依存性
が極めて少なく、抵抗の両端には高電圧が印加できる半
導体抵抗体を提供することにある。
に外部雰囲気の影響を受けず、しかも抵抗の電圧依存性
が極めて少なく、抵抗の両端には高電圧が印加できる半
導体抵抗体を提供することにある。
上記目的は７半導体基板上に半導体基板と反対導電型の
不純物拡散層が形成されて成る抵抗体において、抵抗体
は少なくとも２つ以上のシート抵抗を有する半導体層を
有しており、抵抗体の抵抗値を決定するのは高シート抵
抗の半導体層であり抵抗体の両端の電極と接触する部分
は低シート抵抗の半導体層で形成されており、上記高シ
ート抵抗及び低シート抵抗の半導体層は半導体基板ある
いは半導体基板と同導電型で高不純物濃度の拡散層で囲
まれており、上記半導体層のそれぞれの上には二酸化ケ
イ素等の絶縁膜で覆われており、低シート抵抗の半導体
層上の絶縁膜の一部を開孔して電極が形成され、２つの
電極のうつ少なくとも一方の電極が絶縁膜を介して高シ
ート抵抗の半導体層及び低抵抗の半導体基板表面を完全
に覆うことにより達成される。
不純物拡散層が形成されて成る抵抗体において、抵抗体
は少なくとも２つ以上のシート抵抗を有する半導体層を
有しており、抵抗体の抵抗値を決定するのは高シート抵
抗の半導体層であり抵抗体の両端の電極と接触する部分
は低シート抵抗の半導体層で形成されており、上記高シ
ート抵抗及び低シート抵抗の半導体層は半導体基板ある
いは半導体基板と同導電型で高不純物濃度の拡散層で囲
まれており、上記半導体層のそれぞれの上には二酸化ケ
イ素等の絶縁膜で覆われており、低シート抵抗の半導体
層上の絶縁膜の一部を開孔して電極が形成され、２つの
電極のうつ少なくとも一方の電極が絶縁膜を介して高シ
ート抵抗の半導体層及び低抵抗の半導体基板表面を完全
に覆うことにより達成される。
抵抗体の両端に接続された電極のうち少なくとも一方の
電極が高シート抵抗の抵抗値を決定する半導体層及び抵
抗層のとり囲む低不純物濃度の半導体基板のそれぞれの
表面を完全に覆うように形成することによって、上記電
極は外部雰囲気等の影響をしゃ断するように動作する。
電極が高シート抵抗の抵抗値を決定する半導体層及び抵
抗層のとり囲む低不純物濃度の半導体基板のそれぞれの
表面を完全に覆うように形成することによって、上記電
極は外部雰囲気等の影響をしゃ断するように動作する。
それによって、プラスチックパッケージのような簡便な
パッケージで封じても、抵抗の電圧依存性は極めて少な
くでき、しかも高い電圧を抵抗の両端に印加することが
でき、高温高湿の環境でも正常に動作することができる
。
パッケージで封じても、抵抗の電圧依存性は極めて少な
くでき、しかも高い電圧を抵抗の両端に印加することが
でき、高温高湿の環境でも正常に動作することができる
。
以下１本発明の一実施例を第１図により説明する。第１
図は本発明の一実施例であり、（ａ）は平面パターン、
（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’部部面面（ｃ）は（ａ）のｃ
−ｃ’部部面面（ｄ）は（、）のＤ−Ｄ ’部所面、ｃ
ｅ＞はＣａ’）のＥ−Ｅ’部部面面示す、第１図（ａ）
〜（ｅ）において１は抵抗率が２０Ω・】のｎ型半導体
基板、２及び３は低シート抵抗の表面不純物濃度が約５
Ｘ１０”】−３のＰ中型半導体拡散層であり、高シート
抵抗であり抵抗体の抵抗値を決定するｐ型半導体層４に
隣接して形成されている。５は高不純物濃度を有するｎ
生型半導体拡散層であり、Ｐ÷型半導体拡散ＭＩ２とは
ｎ型半導体基板１を介して、またｐ中型半導体拡散層３
とは隣接するよう形成されている。６は二酸化ケイ素や
リンシリケートガラス等からなる絶縁膜である。９及び
１０はそれぞれｐ十型半導体拡散層２及び３と接続部７
及び８でコンタクトしている第１電極及び第２電極であ
る。第１図（ａ）に示すように本発明の特徴は第１電極
の位置にあり一方の主面から第１電極を通して投影され
る投影部分にｎ型半導体基板１の表面及び高シート抵抗
のｐ型半導体層４はすべて含まれている。また必然的に
第１電極と第２電極とはある距離だけはなれて形成され
るが、一方の主面からみた電極のない場所は高不純物濃
度のｎ＋型半導体拡散層もしくはｐ千生導体拡散層４の
表面が存在している。１１は第１電極及び第２１！極を
保護するための保護膜である。
図は本発明の一実施例であり、（ａ）は平面パターン、
（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’部部面面（ｃ）は（ａ）のｃ
−ｃ’部部面面（ｄ）は（、）のＤ−Ｄ ’部所面、ｃ
ｅ＞はＣａ’）のＥ−Ｅ’部部面面示す、第１図（ａ）
〜（ｅ）において１は抵抗率が２０Ω・】のｎ型半導体
基板、２及び３は低シート抵抗の表面不純物濃度が約５
Ｘ１０”】−３のＰ中型半導体拡散層であり、高シート
抵抗であり抵抗体の抵抗値を決定するｐ型半導体層４に
隣接して形成されている。５は高不純物濃度を有するｎ
生型半導体拡散層であり、Ｐ÷型半導体拡散ＭＩ２とは
ｎ型半導体基板１を介して、またｐ中型半導体拡散層３
とは隣接するよう形成されている。６は二酸化ケイ素や
リンシリケートガラス等からなる絶縁膜である。９及び
１０はそれぞれｐ十型半導体拡散層２及び３と接続部７
及び８でコンタクトしている第１電極及び第２電極であ
る。第１図（ａ）に示すように本発明の特徴は第１電極
の位置にあり一方の主面から第１電極を通して投影され
る投影部分にｎ型半導体基板１の表面及び高シート抵抗
のｐ型半導体層４はすべて含まれている。また必然的に
第１電極と第２電極とはある距離だけはなれて形成され
るが、一方の主面からみた電極のない場所は高不純物濃
度のｎ＋型半導体拡散層もしくはｐ千生導体拡散層４の
表面が存在している。１１は第１電極及び第２１！極を
保護するための保護膜である。
次に本発明の動作について説明する。第２図は本発明の
詳細な説明図である。符号１〜１１は第１図と同様であ
るので説明は略す、１２は例えばエポキシ樹脂等のレジ
ンであり、プラスチックパッケージ材として通常用いら
れているものである。
詳細な説明図である。符号１〜１１は第１図と同様であ
るので説明は略す、１２は例えばエポキシ樹脂等のレジ
ンであり、プラスチックパッケージ材として通常用いら
れているものである。
１３は大気中の水分やナトリウム等がレジン中へ進入し
たために生じる膜中の電荷である。１４は第１電極が負
、第２電極が正となるような電圧が印加されたために生
じる空乏層領域である。第２図が示すようにレジン中に
１３のような電荷が蓄積しても第１電極でシールドされ
ているのでｎ型半導体基板１やＰ型半導体層４の半導体
表面はこの電荷の影響を全く受けず安定な抵抗が得られ
る。
たために生じる膜中の電荷である。１４は第１電極が負
、第２電極が正となるような電圧が印加されたために生
じる空乏層領域である。第２図が示すようにレジン中に
１３のような電荷が蓄積しても第１電極でシールドされ
ているのでｎ型半導体基板１やＰ型半導体層４の半導体
表面はこの電荷の影響を全く受けず安定な抵抗が得られ
る。
またシールドされていないｐ十型半導体拡散層４の表面
は高不純物濃度であり、導電型や導電率の変動は生じな
い。
は高不純物濃度であり、導電型や導電率の変動は生じな
い。
また上述した電圧が印加された場合ｐ十型半導体拡散層
２とｎ型半導体基板１とからなるｐｎ接合は強く逆バイ
アスされこの接合近傍は強電界となる。一般に表面にお
いては内部より高い電界強度を有するが、第２図に示し
た５ａのｎ十型半導体拡散層とＰ十型半導体拡散層との
間のｎ型半導体基板の表面がその上に形成されている第
１電極９の電界効果作用によって空乏化されるため表面
電界は緩和される。このため約２００Ｖの高い電圧を印
加することができる。
２とｎ型半導体基板１とからなるｐｎ接合は強く逆バイ
アスされこの接合近傍は強電界となる。一般に表面にお
いては内部より高い電界強度を有するが、第２図に示し
た５ａのｎ十型半導体拡散層とＰ十型半導体拡散層との
間のｎ型半導体基板の表面がその上に形成されている第
１電極９の電界効果作用によって空乏化されるため表面
電界は緩和される。このため約２００Ｖの高い電圧を印
加することができる。
第３図は本発明の第２実施例である。符号は第１図に記
載のものと同様であるので説明は省略する。第１図で説
明したように比較的低不純物濃度のｎ型半導体基板１の
表面は一方の主表面から第１電極を通して投影される部
分に含まれており、プラスチックパッケージした場合、
レジン中の電荷の影響を全く受けないことは明白である
が、正方向に電圧が印加される第２電極の半導体との接
続をｐ十型半導体拡散層３とｎ十型半導体拡散層５との
両方からとっているところに特徴がある。
載のものと同様であるので説明は省略する。第１図で説
明したように比較的低不純物濃度のｎ型半導体基板１の
表面は一方の主表面から第１電極を通して投影される部
分に含まれており、プラスチックパッケージした場合、
レジン中の電荷の影響を全く受けないことは明白である
が、正方向に電圧が印加される第２電極の半導体との接
続をｐ十型半導体拡散層３とｎ十型半導体拡散層５との
両方からとっているところに特徴がある。
このような正電位側に基板１の電位が固定されることに
よって、ｎ型半導体基板１の電位が変動しても安定な抵
抗値を示すことが可能となる。
よって、ｎ型半導体基板１の電位が変動しても安定な抵
抗値を示すことが可能となる。
以上説明したように１本発明による半導体基板表面を一
方の電極で完全にシールドすることにより、抵抗値の電
圧依存性を極めて小さくでき、また高電圧を印加するこ
とが可能となった。さらにプラスチック封止した場合、
耐湿性をプレッシャーフッカ−試験（１２１℃、２気圧
、１００％ＲＨ）を２０００ ｈ行ったが特性変動は全
くなく安定な動作が確認でき、耐湿性の向上に効果があ
ることがわかった。
方の電極で完全にシールドすることにより、抵抗値の電
圧依存性を極めて小さくでき、また高電圧を印加するこ
とが可能となった。さらにプラスチック封止した場合、
耐湿性をプレッシャーフッカ−試験（１２１℃、２気圧
、１００％ＲＨ）を２０００ ｈ行ったが特性変動は全
くなく安定な動作が確認でき、耐湿性の向上に効果があ
ることがわかった。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図は本発
明の詳細な説明図、第３図は本発明の第２の実施例を示
す構成図である。 １・・・ｎ型半導体基板、５・・・ｎ十型半導体拡散層
、６・・・絶縁膜、７及び８・・・電極コンタクト部、
９・・・第１電極、１ｏ・・・第２電極、１１・・・保
護膜、１２・・・レジン、１３・・・電荷、１４・・・
空乏層。
明の詳細な説明図、第３図は本発明の第２の実施例を示
す構成図である。 １・・・ｎ型半導体基板、５・・・ｎ十型半導体拡散層
、６・・・絶縁膜、７及び８・・・電極コンタクト部、
９・・・第１電極、１ｏ・・・第２電極、１１・・・保
護膜、１２・・・レジン、１３・・・電荷、１４・・・
空乏層。
Claims (1)
- １、第１導電型の第１半導体層の表面に、第２導電型の
第２半導体層が選択的に形成され、第２半導体層の２端
に接して第２半導体層より高不純物濃度で低シート抵抗
の第２導電型の第３半導体層が選択的に形成され、第２
半導体層及び第３半導体層をとり囲むように第１導電型
の高不純物濃度の第４半導体層が少なくとも一部分第１
半導体層を介して形成され、第１、第２、第３、第４半
導体層の表面には第３半導体層の一部を除いて絶縁膜が
形成され、露出している第３半導体層の一方及び他方の
２箇所に接触してそれぞれ第１電極、第２電極が隔離し
て設けられ、第１電極が絶縁膜を介して第２半導体層及
び第１半導体層の表面を一方の主面からみて完全に覆う
よう延長されて形成されていることを特徴とする半導体
抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5884387A JPS63226956A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 半導体抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5884387A JPS63226956A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 半導体抵抗体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63226956A true JPS63226956A (ja) | 1988-09-21 |
| JPH0521347B2 JPH0521347B2 (ja) | 1993-03-24 |
Family
ID=13095937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5884387A Granted JPS63226956A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 半導体抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63226956A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08204209A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-08-09 | Hitachi Ltd | 半導体複合センサ |
| JP2002158290A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-05-31 | Agere Systems Guardian Corp | 上に増加したルート形成領域を有するフィールドプレート抵抗 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55123157A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | High-stability ion-injected resistor |
-
1987
- 1987-03-16 JP JP5884387A patent/JPS63226956A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55123157A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | High-stability ion-injected resistor |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08204209A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-08-09 | Hitachi Ltd | 半導体複合センサ |
| JP2002158290A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-05-31 | Agere Systems Guardian Corp | 上に増加したルート形成領域を有するフィールドプレート抵抗 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0521347B2 (ja) | 1993-03-24 |
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