JPS6354771A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPS6354771A
JPS6354771A JP19922786A JP19922786A JPS6354771A JP S6354771 A JPS6354771 A JP S6354771A JP 19922786 A JP19922786 A JP 19922786A JP 19922786 A JP19922786 A JP 19922786A JP S6354771 A JPS6354771 A JP S6354771A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
locos
insulating layer
forming
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19922786A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasunobu Okano
岡野　安伸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP19922786A priority Critical patent/JPS6354771A/ja
Publication of JPS6354771A publication Critical patent/JPS6354771A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に保護ダイオード構造の
半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
従来この種の半導体装置は、セルファライン化のための
手法として一般にロコス法により保護ダイオードの拡散
層を形成している。このときロコス法で形成された絶縁
層をマスクにして拡散が行なわれる。
従って第３図のような、保護ダイオード拡散層間１０．
１１の接合部がロコス法で形成された絶縁層９の尖端部
と一致する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述し、た従来の半導体装置はロコス法を用いて、ロコ
スの絶縁層をマスクにしてトランジスタ領域（本発明の
場合、保護ダイオードの拡散層）の形成を行ない、また
素子の微細化を目的として、拡散層の横拡がりを防止す
るため拡散層の深さを浅くする。従って拡散層間の接合
部分がロコス部の尖端部と一致するため電界が集中しや
すい状態となり静電気による破壊強度が低下するという
欠点がある。
〔問題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は保護ダイオードの拡散層を形成す
るとき、絶縁層の端部に拡散層間の接合部が一致しない
ように絶縁層端部より、−定間隔内側に保護ダイオード
の拡散層を有している。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例のレイアウトパターンである
。第２図は第１図のＡ−Ａ一部の構造断面図である。
ロコス形成マスク６とは別に保護ダイオードの拡散層専
用マスクＳを用意し５と６の間隔Ωは製品設計上最小寸
法とし保護ダイオードの拡散層にフンタクト４を設け、
金属配線により引き出し電極１１が形成されている。
ここで第１図、第２゛図の保護ダイオードを高電位側の
保護用と考えると、半導体基板１２はＮ型半導体で、保
護ダイオードの拡散層１０はＰ型半導体となる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は保護ダイオードの拡散層を
形成するとき絶縁層の端部に拡散眉間の接合が一致しな
いように絶縁層端部より一定間隔内側に設けることによ
り、電界がロコス尖端部に集中しな（なり、静電強度が
向上する効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図は第１
図のＡ−Ａ″線構造断面図、第３図は従来の構造断面図
である。 １・・・引き出し電極、　　　　　　２・・・電源配線
。 ３・・・電源コンタクト。 ４・・・保護ダイオードコンタクト。 ５・・・保護ダイオード拡散領域。 ６・・・ロコ゛ス部、　　　　　　　　７・・・金属配
線。 ８・・・層間絶縁膜、　　　　　　　９・・・ロコス部
。 ！０・・・保護ダイオード拡散層。 ＋１・・・電源部拡散層。 １２・・・半導体基板。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 保護ダイオードを構成する領域を有する半導体基板上に
    おいて、該領域は、フィールド領域部分の絶縁層間に該
    絶縁層の端部より一定間隔内側に形成されていることを
    特徴とする半導体装置。
JP19922786A 1986-08-25 1986-08-25 半導体装置 Pending JPS6354771A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19922786A JPS6354771A (ja) 1986-08-25 1986-08-25 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19922786A JPS6354771A (ja) 1986-08-25 1986-08-25 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6354771A true JPS6354771A (ja) 1988-03-09

Family

ID=16404262

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19922786A Pending JPS6354771A (ja) 1986-08-25 1986-08-25 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6354771A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0453169A (ja) * 1990-06-18 1992-02-20 Nec Corp 半導体保護装置
JPH04174540A (ja) * 1990-11-07 1992-06-22 Nec Corp 半導体装置
US5571745A (en) * 1994-08-01 1996-11-05 Nec Corporation Fabrication method of semiconductor device containing n- and p-channel MOSFETs

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS595671A (ja) * 1982-07-02 1984-01-12 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JPS599955A (ja) * 1982-07-07 1984-01-19 Nec Corp 相補型絶縁ゲ−ト電界効果半導体集積回路装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS595671A (ja) * 1982-07-02 1984-01-12 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JPS599955A (ja) * 1982-07-07 1984-01-19 Nec Corp 相補型絶縁ゲ−ト電界効果半導体集積回路装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0453169A (ja) * 1990-06-18 1992-02-20 Nec Corp 半導体保護装置
JPH04174540A (ja) * 1990-11-07 1992-06-22 Nec Corp 半導体装置
US5571745A (en) * 1994-08-01 1996-11-05 Nec Corporation Fabrication method of semiconductor device containing n- and p-channel MOSFETs

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0669501A (ja) 集積回路における静電的放電に対してパッドを保護するためのダイオード構造
US4609935A (en) Semiconductor device with an improved crossing structure at the intersection of a resistor region and a wiring conductor
KR950030309A (ko) 반도체장치의 보호회로
JP2513010B2 (ja) 半導体集積回路の入力保護装置
EP0519741A2 (en) High-breakdown-voltage semiconductor element
JPS6354771A (ja) 半導体装置
JPS6239547B2 (ja)
JPS5541730A (en) Semiconductor device
JPH07147384A (ja) 半導体装置
JPS605588Y2 (ja) 絶縁ゲ−ト型半導体装置の保護装置
JPS63301555A (ja) 半導体装置
JPS62155548A (ja) 半導体集積回路の静電保護回路素子
JPH079385Y2 (ja) 半導体集積回路装置
JPH0468575A (ja) 半導体集積回路の静電破壊保護素子
JPS599955A (ja) 相補型絶縁ゲ−ト電界効果半導体集積回路装置
JPH01128465A (ja) 静電破壊防止素子を具備した半導体装置
JPH0462875A (ja) 半導体装置
JPH04215468A (ja) 静電保護装置
JPH05110073A (ja) 半導体装置
KR900008818B1 (ko) 쌍극성 집적회로소자 제조방법
JPS61150262A (ja) 入力保護抵抗
JPS62134962A (ja) 半導体装置
JPH065748B2 (ja) 半導体装置の静電破壊防止装置
JPS59127865A (ja) 半導体装置
JPS61182251A (ja) 半導体装置