JPS63226944A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS63226944A JPS63226944A JP5995587A JP5995587A JPS63226944A JP S63226944 A JPS63226944 A JP S63226944A JP 5995587 A JP5995587 A JP 5995587A JP 5995587 A JP5995587 A JP 5995587A JP S63226944 A JPS63226944 A JP S63226944A
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Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に配線材料の耐エレクト
ロマイグレーション性の向上を図った半導体装置に関す
る。
ロマイグレーション性の向上を図った半導体装置に関す
る。
従来、半導体装置の配線材料としてＡｌ（アルミニウム
）の一層構造が採用されている。第３図はその一例を示
す破断斜視図であり、図において１１はＳｔ（シリコン
）基板、１２はこのＳｉ基板１１の絶縁膜１３上に延設
された配線材料のＡｌである。この種のＡＡ１２は、基
板１１の全面に所要厚さで堆積した後、フォトリソグラ
フィ技術等により所要パターンにエツチングして形成さ
れる。
）の一層構造が採用されている。第３図はその一例を示
す破断斜視図であり、図において１１はＳｔ（シリコン
）基板、１２はこのＳｉ基板１１の絶縁膜１３上に延設
された配線材料のＡｌである。この種のＡＡ１２は、基
板１１の全面に所要厚さで堆積した後、フォトリソグラ
フィ技術等により所要パターンにエツチングして形成さ
れる。
上述した従来の半導体装置では、配線材料がＡｌの単一
層で構成されているので、半導体装置の微細化、高集積
化に伴ってＡＩ！厚さが低減しかつ幅寸法が狭くなると
、エレクトロマイグレーション耐圧が低下され、配線と
しての寿命が短くなり、半導体装置の高信頼性が得られ
ないという問題がある。
層で構成されているので、半導体装置の微細化、高集積
化に伴ってＡＩ！厚さが低減しかつ幅寸法が狭くなると
、エレクトロマイグレーション耐圧が低下され、配線と
しての寿命が短くなり、半導体装置の高信頼性が得られ
ないという問題がある。
本発明は配線材料としてのＡｌにおけるエレクトロマイ
グレーション耐圧を向上した信頼性の高い半導体装置を
提供することを目的としている。
グレーション耐圧を向上した信頼性の高い半導体装置を
提供することを目的としている。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は、半導体基板上に形成する配線を
、Ａｌと高融点金属シリサイドを交互に積層した４層構
造に構成し、かつ１層目と３層目のＡ１を２層目に設け
た開口を通して相互に電気的に接続し、配線を流れる電
流を両ＡＮに分配した状態で流すようにし、配線全体と
しての耐エレクトロマイグレーション性を向上する構成
としている。
、Ａｌと高融点金属シリサイドを交互に積層した４層構
造に構成し、かつ１層目と３層目のＡ１を２層目に設け
た開口を通して相互に電気的に接続し、配線を流れる電
流を両ＡＮに分配した状態で流すようにし、配線全体と
しての耐エレクトロマイグレーション性を向上する構成
としている。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は第１図
のＡｌ線に沿う縦断面図である。
のＡｌ線に沿う縦断面図である。
図において、１はＳｉ基板であり、この表面にはシリコ
ン酸化膜等の絶縁膜３を形成し、この上に所要パターン
の配線２を形成している。この配線２は、４層構造に形
成され、最も下側の１層目の配線材料４と３層目の配線
材料６とを夫々Ａβで形成し、また２層目の配線材料５
と最も上側の４層目の配線材料７とを高融点金属シリサ
イドであるＷＳｉ（タングステンシリサイド）で形成し
ている。
ン酸化膜等の絶縁膜３を形成し、この上に所要パターン
の配線２を形成している。この配線２は、４層構造に形
成され、最も下側の１層目の配線材料４と３層目の配線
材料６とを夫々Ａβで形成し、また２層目の配線材料５
と最も上側の４層目の配線材料７とを高融点金属シリサ
イドであるＷＳｉ（タングステンシリサイド）で形成し
ている。
そして、１層目のＡｌ４は、第２図に示すように絶縁膜
３に設けたコンタクトホール３ａを通してＳｉ基板１に
形成した拡散層１ａに電気的に接続し７、また１層目の
Ａｌ４と３層目のＡＩ！６とは、２層目のＷＳｉ５の一
部を切り欠いた開口５ａを通して相互に電気接続を行っ
ている。
３に設けたコンタクトホール３ａを通してＳｉ基板１に
形成した拡散層１ａに電気的に接続し７、また１層目の
Ａｌ４と３層目のＡＩ！６とは、２層目のＷＳｉ５の一
部を切り欠いた開口５ａを通して相互に電気接続を行っ
ている。
この構成によれば、ＡｌとＷＳｉとの電気伝導率を比較
すると、ＡＩ！の方が遥かに大きいために、配線２にお
いては大部分の電流はＡｊ！！４．６に流れる。そして
、これら／’／！４，６は開口５ａを介して相互に接続
されているために、両ＡＩ４．６における電流密度の偏
りは防止され、均一な電流が得られる。
すると、ＡＩ！の方が遥かに大きいために、配線２にお
いては大部分の電流はＡｊ！！４．６に流れる。そして
、これら／’／！４，６は開口５ａを介して相互に接続
されているために、両ＡＩ４．６における電流密度の偏
りは防止され、均一な電流が得られる。
したがって、電流は両、Ｍ！４．６に夫々分配された状
態で流れて各ＡＮ４．６における電流量が低減されるた
め、素子の微細化、高集積化に伴って配線２の幅寸法が
低減された場合でも、配線２におけるエレクトロマイグ
レーション耐圧を向上することができる。
態で流れて各ＡＮ４．６における電流量が低減されるた
め、素子の微細化、高集積化に伴って配線２の幅寸法が
低減された場合でも、配線２におけるエレクトロマイグ
レーション耐圧を向上することができる。
なお、２層目及び４層目の各ＷＳｉに代えて、高融点金
属シリサイドにＭＯ８ｌ （モリブデンシリサイド）を
使用しても同様の効果が得られることはいうまでもない
。
属シリサイドにＭＯ８ｌ （モリブデンシリサイド）を
使用しても同様の効果が得られることはいうまでもない
。
以上説明したように本発明は、半導体基板上に形成する
配線を、Ａｌと高融点金属シリサイドを交互に積層した
４層構造に構成し、かつ１層目と３層目のＡｌを２層目
に設けた開口を通して相互に電気的に接続し、配線を流
れる電流を両Ａ！に分配した状態で流すようにしている
ので、配線全体としてのエレクトロマイグレーション寿
命を長くし、半導体装置の微細化、高集積化が行われて
も配線材料の断線を防止できる効果があり、半導体装置
の高信頼化を得ることができる。
配線を、Ａｌと高融点金属シリサイドを交互に積層した
４層構造に構成し、かつ１層目と３層目のＡｌを２層目
に設けた開口を通して相互に電気的に接続し、配線を流
れる電流を両Ａ！に分配した状態で流すようにしている
ので、配線全体としてのエレクトロマイグレーション寿
命を長くし、半導体装置の微細化、高集積化が行われて
も配線材料の断線を防止できる効果があり、半導体装置
の高信頼化を得ることができる。
第１図は本発明の半導体装置の破断斜視図、第２図は第
１図のＡ−Ａ線に沿う縦断面図、第３図は従来の半導体
装置の破断斜視図である。 １・・・Ｓｉ基板、２・・・配線、３・・・絶縁膜、４
・・・１層目Ａｌ、５・・・２層目ＷＳｉ、６・・・３
層目Ａｌ、７・・・４層目ＷＳｉ、１１・・・Ｓｉ基板
、１２・・・配線、】３・・・絶縁膜。
１図のＡ−Ａ線に沿う縦断面図、第３図は従来の半導体
装置の破断斜視図である。 １・・・Ｓｉ基板、２・・・配線、３・・・絶縁膜、４
・・・１層目Ａｌ、５・・・２層目ＷＳｉ、６・・・３
層目Ａｌ、７・・・４層目ＷＳｉ、１１・・・Ｓｉ基板
、１２・・・配線、】３・・・絶縁膜。
Claims (2)
- （１）半導体基板上に形成する配線をアルミニウムで形
成してなる半導体装置において、前記配線を４層構造と
し、１層目及び３層目をアルミニウムで、２層目及び４
層目を高融点金属シリサイドで夫々構成し、かつ２層目
に設けた開口を通して１層目と３層目のアルミニウムを
相互に電気接続したことを特徴とする半導体装置。 - （２）高融点金属シリサイドがタングステンシリサイド
又はモリブデンシリサイドである特許請求の範囲第１項
記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5995587A JPS63226944A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5995587A JPS63226944A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63226944A true JPS63226944A (ja) | 1988-09-21 |
Family
ID=13128078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5995587A Pending JPS63226944A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63226944A (ja) |
-
1987
- 1987-03-17 JP JP5995587A patent/JPS63226944A/ja active Pending
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