JPS63211744A - プラスチツク半導体装置 - Google Patents
プラスチツク半導体装置Info
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- JPS63211744A JPS63211744A JP62043111A JP4311187A JPS63211744A JP S63211744 A JPS63211744 A JP S63211744A JP 62043111 A JP62043111 A JP 62043111A JP 4311187 A JP4311187 A JP 4311187A JP S63211744 A JPS63211744 A JP S63211744A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 33
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 8
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 description 1
- 101100397055 Caenorhabditis elegans inx-10 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、モールド樹脂ノ譬ツケージで封止したプラ
スチツク半導体装置に関する。
スチツク半導体装置に関する。
(従来の技術)
第4図は特開昭60−208847号公報に開示される
従来のプラスチツク半導体装置を示す。この装置は、リ
ードフレームのアイランド1上にICチップ2を搭載し
、そのチップ表面の電極をリードフレームのリード3の
内方端部にワイヤー4で配線した後、該配線部とICチ
ップ部をノ譬ツケージとしてのモールド樹脂部5で封止
するように構成されておシ、さらに、モールド樹脂部5
には、アイランド1の裏面で円柱または多角柱状の穴(
ベント孔)6を開けることにより、極度に肉厚の薄い部
分を九はモー ルド樹脂がない部分を形成し、/4ツケ
ージの加熱に際して、ICチップ2周辺の水分の蒸発に
よるガスを逃がすことによシ、ノ量ツケージ内部で発生
する水蒸気圧を低減させ、ノ9ツケージのり2ツクを防
ぐように構成されている。
従来のプラスチツク半導体装置を示す。この装置は、リ
ードフレームのアイランド1上にICチップ2を搭載し
、そのチップ表面の電極をリードフレームのリード3の
内方端部にワイヤー4で配線した後、該配線部とICチ
ップ部をノ譬ツケージとしてのモールド樹脂部5で封止
するように構成されておシ、さらに、モールド樹脂部5
には、アイランド1の裏面で円柱または多角柱状の穴(
ベント孔)6を開けることにより、極度に肉厚の薄い部
分を九はモー ルド樹脂がない部分を形成し、/4ツケ
ージの加熱に際して、ICチップ2周辺の水分の蒸発に
よるガスを逃がすことによシ、ノ量ツケージ内部で発生
する水蒸気圧を低減させ、ノ9ツケージのり2ツクを防
ぐように構成されている。
(発明が解決しようとする問題点)
このような従来の装置で重要なことは、パッケージが破
壊される内部圧力が発生する前に、ベント孔6よりガス
化した水分がパッケージ外に放出されなければならない
ということである。しかるに、ベント孔6底部に樹脂が
残留してベント孔6がふさがれていたシ、アイランドl
とモールド樹脂部5の密着強度が強すぎたりして、ベン
ト孔6から水蒸気を充分に逃がしきれず、第5図に示す
ようにノやツケージ上部(モールド樹脂部5上部)にク
ラック7が発生することがあった。
壊される内部圧力が発生する前に、ベント孔6よりガス
化した水分がパッケージ外に放出されなければならない
ということである。しかるに、ベント孔6底部に樹脂が
残留してベント孔6がふさがれていたシ、アイランドl
とモールド樹脂部5の密着強度が強すぎたりして、ベン
ト孔6から水蒸気を充分に逃がしきれず、第5図に示す
ようにノやツケージ上部(モールド樹脂部5上部)にク
ラック7が発生することがあった。
このり2ツク防止のため、ICチッグ2上部の樹脂のみ
を厚くすることが行われている。しかるに、この方法で
は、上下の樹脂厚が異なるため、モールド成形による樹
脂部5の形成後に第6図に−示すようにソリ変形が生じ
るという問題点があった。
を厚くすることが行われている。しかるに、この方法で
は、上下の樹脂厚が異なるため、モールド成形による樹
脂部5の形成後に第6図に−示すようにソリ変形が生じ
るという問題点があった。
また、上下の樹脂厚を均等に厚くすることは、薄型ノ9
ツケージという利点を損なうことになる。
ツケージという利点を損なうことになる。
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、薄型という
利点の損失および樹脂パッケージ成形後のソリ変形を少
なくして該ノ9ツケージのクラックの発生を確実に防止
できるプラスチツク半導体装置を提供することを目的と
する。
利点の損失および樹脂パッケージ成形後のソリ変形を少
なくして該ノ9ツケージのクラックの発生を確実に防止
できるプラスチツク半導体装置を提供することを目的と
する。
(問題点を解決するための手段)
この発明は、プラスチツク半導体装置において、加熱時
にパッケージの最大曲げ応力が発生する箇所のみを補強
するようにしたものである。具体的には、ICCタッグ
しくはアイランドの各辺中央部からの垂線とパッケージ
表面もしくは裏面との交点を相対して結び、それによっ
て形成される十文字線を幅方向の中心線として厚肉部を
、前記十文字線の中心からパッケージ外周方向に放射状
に突出し良形で、しかも前記交点からパッケージ外周方
向に突出してパッケージ表面あるいは裏面あるいは両面
に設けるものである。
にパッケージの最大曲げ応力が発生する箇所のみを補強
するようにしたものである。具体的には、ICCタッグ
しくはアイランドの各辺中央部からの垂線とパッケージ
表面もしくは裏面との交点を相対して結び、それによっ
て形成される十文字線を幅方向の中心線として厚肉部を
、前記十文字線の中心からパッケージ外周方向に放射状
に突出し良形で、しかも前記交点からパッケージ外周方
向に突出してパッケージ表面あるいは裏面あるいは両面
に設けるものである。
(作用)
加熱時に発生する最大曲げ応力は、チップ長辺側中央部
、アイランド長辺側中央部で発生し、この部分のモール
ド樹脂強度が限界曲げ強度を越えた場合、ノ肴ツケージ
(モールド樹脂)にクラックが発生する。したがって、
上記この発明の装置のように厚肉部を設けて、クラック
発生の起点箇所が破壊応力に抗しきれる厚みを有するよ
うにすれば、クラックを防止できる。
、アイランド長辺側中央部で発生し、この部分のモール
ド樹脂強度が限界曲げ強度を越えた場合、ノ肴ツケージ
(モールド樹脂)にクラックが発生する。したがって、
上記この発明の装置のように厚肉部を設けて、クラック
発生の起点箇所が破壊応力に抗しきれる厚みを有するよ
うにすれば、クラックを防止できる。
厚肉化部分の理論的寸法値を以下に示す。
第3図のようにチップ上の樹脂部を周辺固定の正方形板
モデルとして考える。チップ光面に滞留した水分が蒸気
化すると、上部樹脂に等分布荷重Pが負荷され、各辺A
B、BC,CD、DA中央部に応力が発生する。この応
力分布の計算式を示すO 等分布荷重Pがかかった時の平面ABCD内の任意の座
標の撓みm″fcmとすると、近似的にZ = k (
X2−a” )” (Y”−a” )2に= cona
t ・・・■で表わされる。各辺に発生する曲げ応力分
布は、曲げモーメントMxとすると1 σ=pMx ・・・■D =
Eh3/12 (1−ν) E;樹脂のヤング率h;
樹脂の厚み シ;ポアンン比 ■■■よシ σx −p D (4k (Y2−a”)” (3X”
−a” )+4にν(X”−a”)” (3Y2−a”
) )AD、BCの応力分布はx=gaを代入して正
方形の場合、 kwo、0213P/a’*D −
・・■■■から σx−1,0224P(Y”−a”)
”/h”a2t++■となる。そして、モールド表面温
度が240’Cのリフローを行った場合のモールド樹脂
の限界曲げ強度を2.8Vd e a z 5 (10
inX 10 xxof”)f)。
モデルとして考える。チップ光面に滞留した水分が蒸気
化すると、上部樹脂に等分布荷重Pが負荷され、各辺A
B、BC,CD、DA中央部に応力が発生する。この応
力分布の計算式を示すO 等分布荷重Pがかかった時の平面ABCD内の任意の座
標の撓みm″fcmとすると、近似的にZ = k (
X2−a” )” (Y”−a” )2に= cona
t ・・・■で表わされる。各辺に発生する曲げ応力分
布は、曲げモーメントMxとすると1 σ=pMx ・・・■D =
Eh3/12 (1−ν) E;樹脂のヤング率h;
樹脂の厚み シ;ポアンン比 ■■■よシ σx −p D (4k (Y2−a”)” (3X”
−a” )+4にν(X”−a”)” (3Y2−a”
) )AD、BCの応力分布はx=gaを代入して正
方形の場合、 kwo、0213P/a’*D −
・・■■■から σx−1,0224P(Y”−a”)
”/h”a2t++■となる。そして、モールド表面温
度が240’Cのリフローを行った場合のモールド樹脂
の限界曲げ強度を2.8Vd e a z 5 (10
inX 10 xxof”)f)。
h−0,9(チック上部の樹脂厚)として限界曲げ強度
を越える位置は、0式にσx、T1..x−2.8を代
入してYの値を高めることによシ求まる。すなわち、Y
=±1.84m〜y−o(y=oで最大曲げ応力発生)
となシ、この範囲を含む近傍の樹脂厚を厚くすればよい
。また、必安な厚肉量は0式においてy−o(座標(十
a’、0))の時の破大曲げ応力σX”が2.8龜−以
下となるhを計算すればよい。
を越える位置は、0式にσx、T1..x−2.8を代
入してYの値を高めることによシ求まる。すなわち、Y
=±1.84m〜y−o(y=oで最大曲げ応力発生)
となシ、この範囲を含む近傍の樹脂厚を厚くすればよい
。また、必安な厚肉量は0式においてy−o(座標(十
a’、0))の時の破大曲げ応力σX”が2.8龜−以
下となるhを計算すればよい。
すなわちh −1,04となり、
1.04−0.9日0.14
から0.14m以上厚くすればよい。
(実施例)
以下この発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図はこの発明の第1の実施例を示し、(a)は斜視
図、伽)は断面図、(C)はパッケージ平面図である。
図、伽)は断面図、(C)はパッケージ平面図である。
これらの図に示すように、この発明の第1の実施例の装
置は、素子搭載部としてのアイランドll上にICチッ
グ12を搭載し、そのチップ表面の電極を外部導出端子
としてのリード13の内方端部にワイヤー14で配線し
た後、該配線部とICチップ部をパツケージとしてのモ
ールド樹脂部15で封止するように構成されておシ、ア
イランド11裏面の樹脂部15にはベント孔16が形成
されている。また、樹脂部15(パッケージ)の表面に
は、チップ12%辺中央部からの垂線とパッケージ表面
との交点Pを相対して結び、それによって形成される十
文字線lを幅方向の中心線として十字状の(すなわち、
前記十文字線lの中心からパッケージ外周方向に放射状
に突出する形状の)厚さ0.2IIImの厚肉部17が
端部を前記交点Pから30・セラケージ外周方向に突出
させて設けである。
置は、素子搭載部としてのアイランドll上にICチッ
グ12を搭載し、そのチップ表面の電極を外部導出端子
としてのリード13の内方端部にワイヤー14で配線し
た後、該配線部とICチップ部をパツケージとしてのモ
ールド樹脂部15で封止するように構成されておシ、ア
イランド11裏面の樹脂部15にはベント孔16が形成
されている。また、樹脂部15(パッケージ)の表面に
は、チップ12%辺中央部からの垂線とパッケージ表面
との交点Pを相対して結び、それによって形成される十
文字線lを幅方向の中心線として十字状の(すなわち、
前記十文字線lの中心からパッケージ外周方向に放射状
に突出する形状の)厚さ0.2IIImの厚肉部17が
端部を前記交点Pから30・セラケージ外周方向に突出
させて設けである。
このようにして厚肉部17を設けたパッケージ(モール
ド樹脂部15)によれば、他のパッケージに比較して耐
クラツク試験、およびモールド成形後のソリ変形量測定
試験においていずれも良好な結果を示した。その結果を
下記する。下記結果において、第1/譬ツケージは、チ
ップ下部およびチップ下部の樹脂厚が等しい(0,9r
+a厚)従来のパッケージ、第2パツケージは上記厚肉
部17を設けた本発明第1実施例のパッケージ、第3パ
ツケージはチップ上部の樹脂厚を全体的KO,2m厚く
したノ9ツケージであり、いずれのパッケージにおいて
もベント孔を備えている。また、耐クラツク試験は、8
5℃、85XRHの雰囲気中に72時間放置後、240
℃の赤外線リフローを行った結果である。
ド樹脂部15)によれば、他のパッケージに比較して耐
クラツク試験、およびモールド成形後のソリ変形量測定
試験においていずれも良好な結果を示した。その結果を
下記する。下記結果において、第1/譬ツケージは、チ
ップ下部およびチップ下部の樹脂厚が等しい(0,9r
+a厚)従来のパッケージ、第2パツケージは上記厚肉
部17を設けた本発明第1実施例のパッケージ、第3パ
ツケージはチップ上部の樹脂厚を全体的KO,2m厚く
したノ9ツケージであり、いずれのパッケージにおいて
もベント孔を備えている。また、耐クラツク試験は、8
5℃、85XRHの雰囲気中に72時間放置後、240
℃の赤外線リフローを行った結果である。
ソリ変形量(各パッケージ20ケ測定結果)以上の表か
ら本発明第1実施例の第2ノ臂ツケージは、耐クラツク
性を有すると同時に、成形後のソリ変形が全体を厚肉化
した第3パツケージに比較し少ないことが分る。また、
この第2パツケージは、一部のみしか肉厚となっていな
いので、薄型化を損なうことも少ない。
ら本発明第1実施例の第2ノ臂ツケージは、耐クラツク
性を有すると同時に、成形後のソリ変形が全体を厚肉化
した第3パツケージに比較し少ないことが分る。また、
この第2パツケージは、一部のみしか肉厚となっていな
いので、薄型化を損なうことも少ない。
この発明において、パッケージ表面の厚肉部は、チップ
もしくはアイランド各辺の中央部からの垂線とパッケー
ジ表面もしくは裏面の交点を含むその近傍の/譬ツケー
ジ表面を厚肉化するものならば、種々の変形が可能であ
る。第2図(a) 、 (b)はこの発明の第2の実施
例を示し、この場合は捺印スペースや基板への実装時の
吸引を考慮して菱形の厚肉部21としたものである。こ
の厚肉部21も、十字状の厚肉部エフの場合と同様に、
前記交点Pを相対して結ぶことによって形成される十文
字線lを幅方向の中心線として、該十文字線lの中心か
ら・々ツケージ(モールド樹脂部15)の外周方向に放
射状に突出していると言え、突出端部は勿論、前記交点
Pから更にパッケージ外周方向に突出している。そして
、この菱形の厚肉部21 f:/臂ツケージ(:E:−
ルド樹脂部15)の表面に設けた第2の実施例において
も、パッケージのクラックの発生を防止し、かつノリ変
形を少なくし得、かつ薄凰化を損なうことも少なくなる
。
もしくはアイランド各辺の中央部からの垂線とパッケー
ジ表面もしくは裏面の交点を含むその近傍の/譬ツケー
ジ表面を厚肉化するものならば、種々の変形が可能であ
る。第2図(a) 、 (b)はこの発明の第2の実施
例を示し、この場合は捺印スペースや基板への実装時の
吸引を考慮して菱形の厚肉部21としたものである。こ
の厚肉部21も、十字状の厚肉部エフの場合と同様に、
前記交点Pを相対して結ぶことによって形成される十文
字線lを幅方向の中心線として、該十文字線lの中心か
ら・々ツケージ(モールド樹脂部15)の外周方向に放
射状に突出していると言え、突出端部は勿論、前記交点
Pから更にパッケージ外周方向に突出している。そして
、この菱形の厚肉部21 f:/臂ツケージ(:E:−
ルド樹脂部15)の表面に設けた第2の実施例において
も、パッケージのクラックの発生を防止し、かつノリ変
形を少なくし得、かつ薄凰化を損なうことも少なくなる
。
なお、上述実施例では、厚肉部をノ臂ツケージ(モール
ド樹脂部〕の表面に設けたが、裏面あるいは両面に設け
るようにしてもよい。
ド樹脂部〕の表面に設けたが、裏面あるいは両面に設け
るようにしてもよい。
(発明の効果)
以上詳述したように、この発明のプラスチツク半導体装
置によれば、ICテッグもしくはアイランドの各辺中央
部からの垂直とノ臂ツケージ表面もしくは裏面との交点
を相対して結ぶことによって形成される十文字線を幅方
向の中心線として厚肉部を、前記十文字線の中心から・
臂ツケージ外周方向に放射状に突出した形で、しかも前
記交点からパッケージ外周方向に突出して/々ツケージ
表面あるいは裏Eiili6るいは両面に設けたことに
より、パッケージの加熱によるり2ツクの発生を防止で
きるとともに、ノ4ツケージモールド成形後のノリ変形
を少なくし得、かつ薄を化を損なう点も少なくし得る。
置によれば、ICテッグもしくはアイランドの各辺中央
部からの垂直とノ臂ツケージ表面もしくは裏面との交点
を相対して結ぶことによって形成される十文字線を幅方
向の中心線として厚肉部を、前記十文字線の中心から・
臂ツケージ外周方向に放射状に突出した形で、しかも前
記交点からパッケージ外周方向に突出して/々ツケージ
表面あるいは裏Eiili6るいは両面に設けたことに
より、パッケージの加熱によるり2ツクの発生を防止で
きるとともに、ノ4ツケージモールド成形後のノリ変形
を少なくし得、かつ薄を化を損なう点も少なくし得る。
第1図はこの発明のプラスチツク半導体装置の第1の実
施例を示し、(a)は斜視図、(b)は断面図、(C)
はパッケージ平面図、第2図はこの発明の第2の実施例
を示し、(a)は斜視図、(b)は/々ツケージ平面図
、第3図は厚肉化部分の理論的寸法値を説明するための
図、第4図は従来のプラスチツク半導体装置の断面図、
第5図は従来の装置においてクラックが生じた状態を示
す断面図、第6図は従来の装置においてソリ変形が生じ
虎状態を示す側面図である。 11・・・アイランド、12・・・ICチツ!% 13
・・・リード、14・・・ワイヤー、15・・・モール
ド樹脂部(・5ツケージ)、17・・・厚肉部、21・
・・厚肉部、P・・・交点、!・・・十文字線。 ニさ!!芝セ !;ミN (a) バッケーヅ平面図 (b) 本免!!7”lの啼2髪硫番列
施例を示し、(a)は斜視図、(b)は断面図、(C)
はパッケージ平面図、第2図はこの発明の第2の実施例
を示し、(a)は斜視図、(b)は/々ツケージ平面図
、第3図は厚肉化部分の理論的寸法値を説明するための
図、第4図は従来のプラスチツク半導体装置の断面図、
第5図は従来の装置においてクラックが生じた状態を示
す断面図、第6図は従来の装置においてソリ変形が生じ
虎状態を示す側面図である。 11・・・アイランド、12・・・ICチツ!% 13
・・・リード、14・・・ワイヤー、15・・・モール
ド樹脂部(・5ツケージ)、17・・・厚肉部、21・
・・厚肉部、P・・・交点、!・・・十文字線。 ニさ!!芝セ !;ミN (a) バッケーヅ平面図 (b) 本免!!7”lの啼2髪硫番列
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 素子搭載部としてのアイランド上にICチツプを搭載
し、そのチツプ表面の電極を外部導出端子の内方端部に
配線した後、該配線部とICチツプ部をモールド樹脂パ
ッケージで封止してなるプラスチック半導体装置におい
て、 ICチツプもしくはアイランドの各辺中央部からの垂線
とパツケージ表面もしくは裏面との交点を相対して結び
、それによつて形成される十文字線を幅方向の中心線と
して厚肉部を、前記十文字線の中心からパッケージ外周
方向に放射状に突出した形で、しかも前記交点からパツ
ケージ外周方向に突出してパツケージ表面あるいは裏面
あるいは両面に設けたことを特徴とするプラスチツク半
導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62043111A JPS63211744A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | プラスチツク半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62043111A JPS63211744A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | プラスチツク半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63211744A true JPS63211744A (ja) | 1988-09-02 |
Family
ID=12654718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62043111A Pending JPS63211744A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | プラスチツク半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63211744A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5068712A (en) * | 1988-09-20 | 1991-11-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
US5314842A (en) * | 1988-09-30 | 1994-05-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin-sealed type semiconductor device and method for manufacturing the same |
US5475259A (en) * | 1991-10-17 | 1995-12-12 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and carrier for carrying semiconductor device |
US5863817A (en) * | 1988-09-20 | 1999-01-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
-
1987
- 1987-02-27 JP JP62043111A patent/JPS63211744A/ja active Pending
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6072231A (en) * | 1988-03-20 | 2000-06-06 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
US6204552B1 (en) | 1988-03-20 | 2001-03-20 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
US6130114A (en) * | 1988-03-20 | 2000-10-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
US6081023A (en) * | 1988-03-20 | 2000-06-27 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
US6069029A (en) * | 1988-09-20 | 2000-05-30 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device chip on lead and lead on chip manufacturing |
US6100580A (en) * | 1988-09-20 | 2000-08-08 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having all outer leads extending from one side of a resin member |
US6919622B2 (en) | 1988-09-20 | 2005-07-19 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
US6720208B2 (en) | 1988-09-20 | 2004-04-13 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor device |
US5863817A (en) * | 1988-09-20 | 1999-01-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
US5914530A (en) * | 1988-09-20 | 1999-06-22 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
US5981315A (en) * | 1988-09-20 | 1999-11-09 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
US6018191A (en) * | 1988-09-20 | 2000-01-25 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
US5068712A (en) * | 1988-09-20 | 1991-11-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
US6531760B1 (en) | 1988-09-20 | 2003-03-11 | Gen Murakami | Semiconductor device |
US6326681B1 (en) | 1988-09-20 | 2001-12-04 | Hitachi, Ltd | Semiconductor device |
US6303982B2 (en) | 1988-09-20 | 2001-10-16 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
US6100115A (en) * | 1988-09-20 | 2000-08-08 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
US6124629A (en) * | 1988-09-20 | 2000-09-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device including a resin sealing member which exposes the rear surface of the sealed semiconductor chip |
US5358904A (en) * | 1988-09-20 | 1994-10-25 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
US5314842A (en) * | 1988-09-30 | 1994-05-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin-sealed type semiconductor device and method for manufacturing the same |
US5666064A (en) * | 1991-10-17 | 1997-09-09 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, carrier for carrying semiconductor device, and method of testing and producing semiconductor device |
US5475259A (en) * | 1991-10-17 | 1995-12-12 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and carrier for carrying semiconductor device |
US5637923A (en) * | 1991-10-17 | 1997-06-10 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, carrier for carrying semiconductor device |
US5750421A (en) * | 1991-10-17 | 1998-05-12 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, carrier for carrying semiconductor device, and method of testing and producing semiconductor device |
US5736428A (en) * | 1991-10-17 | 1998-04-07 | Fujitsu Limited | Process for manufacturing a semiconductor device having a stepped encapsulated package |
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