JPS63206305A - 窒化けい素粉末の製造方法 - Google Patents
窒化けい素粉末の製造方法Info
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- JPS63206305A JPS63206305A JP3592687A JP3592687A JPS63206305A JP S63206305 A JPS63206305 A JP S63206305A JP 3592687 A JP3592687 A JP 3592687A JP 3592687 A JP3592687 A JP 3592687A JP S63206305 A JPS63206305 A JP S63206305A
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- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、窒化けい素粉末の製造方法;とくにα型窒化
けい素(以下「α−3l 3N4J、と表示する)の含
有率が高くかつ微細で、粒径の揃った高純度な窒化けい
素粉末の製造についての提案である。なお、窒化けい素
にはα型およびβ型と呼ばれるものがあるが、なかでも
α−3tsN4を原料とした焼結体は高温強度が高く耐
熱性にも優れていることから、この粉末は高温下におい
て用いられる構造用セラミックの原料粉末として大いに
期待されている。
けい素(以下「α−3l 3N4J、と表示する)の含
有率が高くかつ微細で、粒径の揃った高純度な窒化けい
素粉末の製造についての提案である。なお、窒化けい素
にはα型およびβ型と呼ばれるものがあるが、なかでも
α−3tsN4を原料とした焼結体は高温強度が高く耐
熱性にも優れていることから、この粉末は高温下におい
て用いられる構造用セラミックの原料粉末として大いに
期待されている。
Si+Naセラミックスを構造用材料として用いる場合
、そのセラミックスの焼結特性が原料粉末の純度や粒径
等に強く依存するので、不純物の少ない粒径の揃った微
細な高品質のα−3isN4粉末を製造することが非常
に重要となる。
、そのセラミックスの焼結特性が原料粉末の純度や粒径
等に強く依存するので、不純物の少ない粒径の揃った微
細な高品質のα−3isN4粉末を製造することが非常
に重要となる。
(従来の技術)
窒化けい素粉末の製造方法(合成法)としては、下記(
1)〜(4)に説明するような方法が知られている。
1)〜(4)に説明するような方法が知られている。
(1)金属けい素粉末を窒素中で長時間加熱し次式のよ
うな反応を導いて窒化させる方法、(3Si+2Nz→
5i3N4) (2)四塩化けい素やシランとアンモニアとを次式にも
とづいて反応させる気相反応法、 (3S i (/!、+4 NH3−+S 1ffN、
+ 12 HC/り(3) S i Oxを反応量論比
程度のカーボン(C)で還元して得たSiOを次式のよ
うな反応を導いて窒化する方法、 (aSiO□+6 C+2 N z→5i3N4+t3
co)(4)イミド分解法と言われている方法で、下記
式に示すような反応、すなわち有機溶媒に溶かした5i
Cfa溶液と液化アンモニアとを反応させ、シリコンジ
イミド(s t (NH) ! )を生成させ、それを
熱処理してSi3N、を得る方法。
うな反応を導いて窒化させる方法、(3Si+2Nz→
5i3N4) (2)四塩化けい素やシランとアンモニアとを次式にも
とづいて反応させる気相反応法、 (3S i (/!、+4 NH3−+S 1ffN、
+ 12 HC/り(3) S i Oxを反応量論比
程度のカーボン(C)で還元して得たSiOを次式のよ
うな反応を導いて窒化する方法、 (aSiO□+6 C+2 N z→5i3N4+t3
co)(4)イミド分解法と言われている方法で、下記
式に示すような反応、すなわち有機溶媒に溶かした5i
Cfa溶液と液化アンモニアとを反応させ、シリコンジ
イミド(s t (NH) ! )を生成させ、それを
熱処理してSi3N、を得る方法。
(S iCl a + 6 N Hs→S i NH
)t+4NHaC1゜3Si(NH)z→S i 3N
4 + 2 N Hり上述したSi3N4粉末合成法の
うち、(1)の方法は、Siの窒化が発熱反応で、その
発熱制御のためプロセス上かなりの工夫を必要とする。
)t+4NHaC1゜3Si(NH)z→S i 3N
4 + 2 N Hり上述したSi3N4粉末合成法の
うち、(1)の方法は、Siの窒化が発熱反応で、その
発熱制御のためプロセス上かなりの工夫を必要とする。
例えば、Siとしては比較的粗粒のものを選ぶことが必
要で、窒化後に粉砕しなければならないので、このとき
不純物の混入が避けられないという問題点があった。
要で、窒化後に粉砕しなければならないので、このとき
不純物の混入が避けられないという問題点があった。
上記(2)の方法の場合、半導体素子の表面被覆などに
は適するが、無機耐熱材料用の原料粉末の製造としては
量産的な製造法とはいえず工業的製造には不向きである
。
は適するが、無機耐熱材料用の原料粉末の製造としては
量産的な製造法とはいえず工業的製造には不向きである
。
上記(3)の方法は、原料として充分に精製された二酸
化けい素粉末、および炭素粉末を用いる必要があるばか
りでなく、生成物はα−3i3N4、β−313Na
、シリコンオキシナイトライド(SizONz)および
SiCの混合系になりやすいためにα−3isNaの収
率が低いという欠点があった。さらに 上記(4)のイミド分解法は、高純度の5ilN4粉末
を得ることはできるが、高価な5iC1aを使用するた
めに、本質的に経済的な方法とは言えない。
化けい素粉末、および炭素粉末を用いる必要があるばか
りでなく、生成物はα−3i3N4、β−313Na
、シリコンオキシナイトライド(SizONz)および
SiCの混合系になりやすいためにα−3isNaの収
率が低いという欠点があった。さらに 上記(4)のイミド分解法は、高純度の5ilN4粉末
を得ることはできるが、高価な5iC1aを使用するた
めに、本質的に経済的な方法とは言えない。
上述した周知の方法のもつ問題点を克服する改善技術と
して最近では、SiO粉末にC含有物質、StおよびS
i3N、粉末を混合し、この混合物を窒化性雰囲気のも
とて加熱処理する方法(特願昭60−242728号参
照)が、また、カーボンブラックなどの炭素粉末を分散
した有機溶媒にけい酸エチルを溶解した後加水分解を行
い、得られたけい素と炭素の混合物を還元、窒化処理す
る方法(三人、化学総説、東京化学同人、48゜182
(1985))が知られている。
して最近では、SiO粉末にC含有物質、StおよびS
i3N、粉末を混合し、この混合物を窒化性雰囲気のも
とて加熱処理する方法(特願昭60−242728号参
照)が、また、カーボンブラックなどの炭素粉末を分散
した有機溶媒にけい酸エチルを溶解した後加水分解を行
い、得られたけい素と炭素の混合物を還元、窒化処理す
る方法(三人、化学総説、東京化学同人、48゜182
(1985))が知られている。
(発明が解決しようとする問題点)
ところで(三人、化学総説、東京化学同人。
48.182 (1985))に開示された方法は、微
細で凝集の少ないα−3L2N4粉末を得るには適して
いるが、(1)カーボンブラックを分散させるために有
機溶媒を用いる、(2)けい酸エチルを用いる、ために
有機溶媒を用いることによる設備上の問題、安全上の問
題を抱えている。また特願昭60−242728号に開
示の方法は、高純度で微細な窒化けい素粉末を安価に製
造できるが、得られたSi、N、粉末の平均粒径が0.
5〜1.0μm程度であり、とくにファインセラミック
ス原料としては、より一層均−で凝集の少ないSi3N
。
細で凝集の少ないα−3L2N4粉末を得るには適して
いるが、(1)カーボンブラックを分散させるために有
機溶媒を用いる、(2)けい酸エチルを用いる、ために
有機溶媒を用いることによる設備上の問題、安全上の問
題を抱えている。また特願昭60−242728号に開
示の方法は、高純度で微細な窒化けい素粉末を安価に製
造できるが、得られたSi、N、粉末の平均粒径が0.
5〜1.0μm程度であり、とくにファインセラミック
ス原料としては、より一層均−で凝集の少ないSi3N
。
粉末が望まれていた。
本発明の目的は、α−3i3Naの含有率が高く微細で
あるとともにより均一で凝集の少ない51sNa粉末を
得るのに有利な製造方法を提案するところにある。
あるとともにより均一で凝集の少ない51sNa粉末を
得るのに有利な製造方法を提案するところにある。
(問題点を解決するための手段)
本発明者等は上記の課題に対して鋭意検討を加えた結果
、SiO粉末の還元、窒化法において用いるSiO粉末
、C粉末およびSi3N4粉末を加えた原料組成物を、
該組成物の熱処理に先立ち均一な分散状態にすることが
極めて有効であることを見出した。
、SiO粉末の還元、窒化法において用いるSiO粉末
、C粉末およびSi3N4粉末を加えた原料組成物を、
該組成物の熱処理に先立ち均一な分散状態にすることが
極めて有効であることを見出した。
すなわち本発明は、SiO粉末、SL、N、粉末および
C含有物質よりなる混合物もしくは該混合物の成形体を
、窒化性雰囲気中のもとで熱処理することにより窒化け
い素粉末を製造する方法において、前記混合物として、
水にSiO粉末及び5izNa粉末を解膠したスラリー
と、水にC含有物質を解膠したスラリーとを均一に混合
したのち乾燥して得られるS i 0−C−313Na
系の混合物を用いることを特徴とする窒化けい素粉末の
製造方法である。
C含有物質よりなる混合物もしくは該混合物の成形体を
、窒化性雰囲気中のもとで熱処理することにより窒化け
い素粉末を製造する方法において、前記混合物として、
水にSiO粉末及び5izNa粉末を解膠したスラリー
と、水にC含有物質を解膠したスラリーとを均一に混合
したのち乾燥して得られるS i 0−C−313Na
系の混合物を用いることを特徴とする窒化けい素粉末の
製造方法である。
(作 用)
本発明で使用するSiO粉末としては、SiOが水に分
散しゃすくC含有物質との良好な混合状態を得るために
はできるだけ細かいことが好ましく、粒径が1μm以下
、より望ましくは0.5μm以下が適当である。
散しゃすくC含有物質との良好な混合状態を得るために
はできるだけ細かいことが好ましく、粒径が1μm以下
、より望ましくは0.5μm以下が適当である。
こうしたSiO粉末は、Sing C系、Sin、−
3t系などの反応系で高温度反応生成物として得られる
が、いわゆる高温で発生したSiO蒸気(SiO(g)
)が不均化反応(2SiO→Si+5iOz)を起こさ
ずに、急冷・凝固した場合には、X線回折法では非晶質
と認められ、また気相を介して得られるので非常に微細
で本発明に好適である。そして、その表面は活性に富み
場合によっては空気中の酸素と反応して表面がSin。
3t系などの反応系で高温度反応生成物として得られる
が、いわゆる高温で発生したSiO蒸気(SiO(g)
)が不均化反応(2SiO→Si+5iOz)を起こさ
ずに、急冷・凝固した場合には、X線回折法では非晶質
と認められ、また気相を介して得られるので非常に微細
で本発明に好適である。そして、その表面は活性に富み
場合によっては空気中の酸素と反応して表面がSin。
になっていたり、また表面のみ窒素と反応して窒化して
いたりするものもある。
いたりするものもある。
本発明においてSlO粉末を用いる理由は次のような点
にある。シリカ還元法では、 S i O! +C→S i O+CO・−(1)の反
応により発生するSiO(g)を、中間体として次式の
ようにC共存下のNt雰囲気で反応させて5izN4を
得る方法である。
にある。シリカ還元法では、 S i O! +C→S i O+CO・−(1)の反
応により発生するSiO(g)を、中間体として次式の
ようにC共存下のNt雰囲気で反応させて5izN4を
得る方法である。
3S to(g)+2Ni +3C→5izNi+3C
O−・−(2) この反応において、Sin、はSiO粉末(SiO(s
))に比べて反応活性に乏しく、加熱途中に軟化し、(
1)式で得られたS i O(g)の流通を妨げるばか
りか、雰囲気ガス(特にN2ガス)の流通をも妨げ、原
料内のSi0分圧、N2分圧を減少させてβ−3i C
,S 1tONtなども不可、選的に生成しやすく、α
−3tiN4の収率を低下させる。しかし、SiO粉末
中に(2)式の反応量論比程度、好ましくは反応量論比
より若干多めにC粉末を配合し、さらに該反応容器内の
0□分圧を充分減少させて加熱すれば、次式:%式%(
3) の反応の進行に伴うSiO□の生成を抑制し得る。
O−・−(2) この反応において、Sin、はSiO粉末(SiO(s
))に比べて反応活性に乏しく、加熱途中に軟化し、(
1)式で得られたS i O(g)の流通を妨げるばか
りか、雰囲気ガス(特にN2ガス)の流通をも妨げ、原
料内のSi0分圧、N2分圧を減少させてβ−3i C
,S 1tONtなども不可、選的に生成しやすく、α
−3tiN4の収率を低下させる。しかし、SiO粉末
中に(2)式の反応量論比程度、好ましくは反応量論比
より若干多めにC粉末を配合し、さらに該反応容器内の
0□分圧を充分減少させて加熱すれば、次式:%式%(
3) の反応の進行に伴うSiO□の生成を抑制し得る。
さらにSiO粉末は蒸発しSiO軸):SiO蒸気とな
り極めて容易に(2)式の反応が進行するからである。
り極めて容易に(2)式の反応が進行するからである。
次に、本発明において使用するC含有物質としては、と
くに限定しないが、炭素以外の不純物が少な(、またフ
ミン酸アンモニウムなどを分散剤として水に解膠しやす
いものが望ましい0例えばカーボンブラック、熱硬化性
樹脂等がある。この中でとくにファーネスタイプのカー
ボンブラックが最も好適である。
くに限定しないが、炭素以外の不純物が少な(、またフ
ミン酸アンモニウムなどを分散剤として水に解膠しやす
いものが望ましい0例えばカーボンブラック、熱硬化性
樹脂等がある。この中でとくにファーネスタイプのカー
ボンブラックが最も好適である。
本発明においは、上記のSiO粉末、C含有物質の他に
Si、N、粉末を用いるが、その理由は、St:+N4
粉末を加えることによりSisNmの生成率が一層向上
し、よりよい製品を得ることができるからである。
Si、N、粉末を用いるが、その理由は、St:+N4
粉末を加えることによりSisNmの生成率が一層向上
し、よりよい製品を得ることができるからである。
次に本発明においては上記の出発原料の均一な分散状態
の混合物を得るに当って、まず、SiO粉末、S 1i
N4粉末を水に解膠させた5iO−3i3Na−水のス
ラリーとC含有物質を水に解膠させたC含有物質−水の
スラリーを作る必要がある。
の混合物を得るに当って、まず、SiO粉末、S 1i
N4粉末を水に解膠させた5iO−3i3Na−水のス
ラリーとC含有物質を水に解膠させたC含有物質−水の
スラリーを作る必要がある。
1)、S iOS 1sN4の水分散系スラリー(以下
第1スラリーと記す)について; SiO粉末とSi、N、粉末を水に均一に分散するには
上記の混合粉1重量部に対し水0.8〜3重量部、ポリ
アクリル酸アンモニウム塩0、003〜0.011重量
部添加したのちボットミル等により混練する。
第1スラリーと記す)について; SiO粉末とSi、N、粉末を水に均一に分散するには
上記の混合粉1重量部に対し水0.8〜3重量部、ポリ
アクリル酸アンモニウム塩0、003〜0.011重量
部添加したのちボットミル等により混練する。
ここで水を0.8〜3重量部、また、ポリアクリル酸ア
ンモニウム塩を0.003〜0.011重量部とするが
その理由は、上記の範囲を外れた場合、ともにSiOが
凝集するからである。
ンモニウム塩を0.003〜0.011重量部とするが
その理由は、上記の範囲を外れた場合、ともにSiOが
凝集するからである。
S i O,S i 3N4を解膠するために上記のよ
うに分散剤としてポリアクリル酸アンモニウム塩が好適
であるが、他にもポリカルボン酸、アンモニウム塩など
も使用することができる。
うに分散剤としてポリアクリル酸アンモニウム塩が好適
であるが、他にもポリカルボン酸、アンモニウム塩など
も使用することができる。
このときの混合割合としては、O,OO5〜0.015
重量部が適当である。
重量部が適当である。
なお分散剤は、S i OS i 3Na系スラリーと
C含有物質系スラリーを混合した際、C含有物質系スラ
リーに用いる分散剤との相互作用による混合物が凝集し
ないことが肝要である。
C含有物質系スラリーを混合した際、C含有物質系スラ
リーに用いる分散剤との相互作用による混合物が凝集し
ないことが肝要である。
2)、C含有物質の水分散系スラリー(以下第2スラリ
ーと記す)について: C含有物質として、カーボンブラックを水に分散するに
は、まずフミン酸1重量部に対して0.1〜0.2容量
部の25%NHaOH水溶液を加えて分散剤としてのフ
ミン酸溶液を得る0次に、カーボンブラック1重量部に
対し0.10〜0.30重量部のフミン酸水溶液と1〜
3重量部の水を加えポットミル等により混練する。
ーと記す)について: C含有物質として、カーボンブラックを水に分散するに
は、まずフミン酸1重量部に対して0.1〜0.2容量
部の25%NHaOH水溶液を加えて分散剤としてのフ
ミン酸溶液を得る0次に、カーボンブラック1重量部に
対し0.10〜0.30重量部のフミン酸水溶液と1〜
3重量部の水を加えポットミル等により混練する。
ここでカーボンブラック1重量部に対しそれぞれフミン
酸水溶液0.10〜0.30重量部、水1〜3重量部と
するのはフミン酸水溶液が上記の範囲を外れるとカーボ
ンブラックが凝集する。また水が1重量部未満ではフミ
ン酸水溶液と同様にカーボンブラックが凝集し、一方3
重量部を超えても経済的に意味がないからである。
酸水溶液0.10〜0.30重量部、水1〜3重量部と
するのはフミン酸水溶液が上記の範囲を外れるとカーボ
ンブラックが凝集する。また水が1重量部未満ではフミ
ン酸水溶液と同様にカーボンブラックが凝集し、一方3
重量部を超えても経済的に意味がないからである。
C含有物質を解膠する際用いる分散剤としてのフミン酸
は、石炭化度の低い泥炭、亜炭などの皮類からアルカリ
水溶液で抽出された酸でコロイド状の沈澱として析出す
るフミン酸又は上記の如き皮類を硝酸その他酸化剤によ
り酸化処理したものからアルカリ水溶液で抽出された酸
で、コロイド状の沈澱として析出する再生フミン酸等で
ある。
は、石炭化度の低い泥炭、亜炭などの皮類からアルカリ
水溶液で抽出された酸でコロイド状の沈澱として析出す
るフミン酸又は上記の如き皮類を硝酸その他酸化剤によ
り酸化処理したものからアルカリ水溶液で抽出された酸
で、コロイド状の沈澱として析出する再生フミン酸等で
ある。
これらフミン酸又は再生フミン酸(以下両者を単にフミ
ン酸と記す)は、酸不溶、アルカリ可溶の無定形高分子
有機酸と定義される。このフミン酸は親水基として機能
するカルボキシル基やフェノール性水酸基が多数結合し
た芳香族の多縮合環状の物質であり、おおむね無水灰の
換算で、C:50〜60wt%、H:3〜9wt%、N
:1〜5wt%、0:30〜40wt%の組成よりなり
、平均分子量は103〜10hである。本発明において
は、上記のフミン酸の代わりにNH,で置換したフミン
酸アンモニウムが、水溶性でかつアルカリ金属を含まな
いのでカーボンブラックなどの炭素粉の分散にも役立ち
、とりわけ有利に適合する。なお分散剤としてフミン酸
アンモニウムなどを用いる場合、該フミン酸に含まれる
不純物が熱処理してえられたSi3N4粉末中に残留す
るおそれがあるので高純度(99,9%以上)であるこ
とが重要である。
ン酸と記す)は、酸不溶、アルカリ可溶の無定形高分子
有機酸と定義される。このフミン酸は親水基として機能
するカルボキシル基やフェノール性水酸基が多数結合し
た芳香族の多縮合環状の物質であり、おおむね無水灰の
換算で、C:50〜60wt%、H:3〜9wt%、N
:1〜5wt%、0:30〜40wt%の組成よりなり
、平均分子量は103〜10hである。本発明において
は、上記のフミン酸の代わりにNH,で置換したフミン
酸アンモニウムが、水溶性でかつアルカリ金属を含まな
いのでカーボンブラックなどの炭素粉の分散にも役立ち
、とりわけ有利に適合する。なお分散剤としてフミン酸
アンモニウムなどを用いる場合、該フミン酸に含まれる
不純物が熱処理してえられたSi3N4粉末中に残留す
るおそれがあるので高純度(99,9%以上)であるこ
とが重要である。
かくして得られた第1スラリーと第2スラリーとを、ポ
ットミル等で混練してS i 0−C−31sNaの均
一な混合スラリーとしたのち、このスラリーを噴霧乾燥
した混合物あるいは乾燥した混合物の成形体を還元窒化
することで凝集が少なく微細な5i3Na粉末を有利に
得ることができるのである。
ットミル等で混練してS i 0−C−31sNaの均
一な混合スラリーとしたのち、このスラリーを噴霧乾燥
した混合物あるいは乾燥した混合物の成形体を還元窒化
することで凝集が少なく微細な5i3Na粉末を有利に
得ることができるのである。
α−Si3N4粉末を製造するに先立ち第1スサリーと
第2スラリーとを均一に混合して得られる混合物を用い
ることによってとりわけ好適なSi3N4粉末を得るこ
とができる理由としては、このようにしてS i 0−
C−51sNa系の解膠したスラリーを原料として用い
ることにより、5iO1C,S 1sNaの粒子単位(
0,5μ謡以下)での混合状態が実現可能となり、反応
の不均一性を極力抑制できるため結果的に生成粒子の凝
集が少ないと考えられる。
第2スラリーとを均一に混合して得られる混合物を用い
ることによってとりわけ好適なSi3N4粉末を得るこ
とができる理由としては、このようにしてS i 0−
C−51sNa系の解膠したスラリーを原料として用い
ることにより、5iO1C,S 1sNaの粒子単位(
0,5μ謡以下)での混合状態が実現可能となり、反応
の不均一性を極力抑制できるため結果的に生成粒子の凝
集が少ないと考えられる。
次に本発明に適合する混合物を得るに先立ち、出発原料
として用いるSiO粉末と炭素含有物質中の炭素との混
合比は、モル比(C/5iO)で0.7〜2.0の範囲
とすることにより、α型窒化けい素粉末の収率を上げる
ことができる。これは次の理由による。すなわち、5i
O1モルあたりCが0.7未満では、Sin、の生成が
始まると共に多量のSizONgが生成してα型窒化け
い素粉末の生成量が少なくなる。一方、2.0を超える
と、SiCの生成が認められると共にβ型窒化けい素の
生成が認められ、α型窒化けい素の収率が低下する。
として用いるSiO粉末と炭素含有物質中の炭素との混
合比は、モル比(C/5iO)で0.7〜2.0の範囲
とすることにより、α型窒化けい素粉末の収率を上げる
ことができる。これは次の理由による。すなわち、5i
O1モルあたりCが0.7未満では、Sin、の生成が
始まると共に多量のSizONgが生成してα型窒化け
い素粉末の生成量が少なくなる。一方、2.0を超える
と、SiCの生成が認められると共にβ型窒化けい素の
生成が認められ、α型窒化けい素の収率が低下する。
本発明において、原料の配合(C/5iO)が大きい場
合、焼成後に炭素が残留することがある。
合、焼成後に炭素が残留することがある。
こうした場合さらに酸化性雰囲気で焼成し、残留した炭
素を酸化することにより除去することができる。酸化性
雰囲気中での焼成温度は生成した窒化けい素粉末が酸化
しないようにすることが好ましく、600 ’C以下が
好適である。
素を酸化することにより除去することができる。酸化性
雰囲気中での焼成温度は生成した窒化けい素粉末が酸化
しないようにすることが好ましく、600 ’C以下が
好適である。
次に原料粉末中に含有させるSi、N、粉末(主として
α−3i、N、粉末)の量は、SiO粉末とC粉末の混
合物100重量部に対して0.1〜100重量部の範囲
内とするのが望ましい。
α−3i、N、粉末)の量は、SiO粉末とC粉末の混
合物100重量部に対して0.1〜100重量部の範囲
内とするのが望ましい。
Si、N、粉末が0.1重量部未満のとき、少量のβ−
3i C,S i、ON、等が生成し結果としてα−3
i、N、の生成量が減少する。逆に100重量部よりも
多いと、必要以上配合することになり、経済的でなくな
る。
3i C,S i、ON、等が生成し結果としてα−3
i、N、の生成量が減少する。逆に100重量部よりも
多いと、必要以上配合することになり、経済的でなくな
る。
なお、本発明に適合するS 1O−C−3i、N。
よりなる混合物の使用形態としては、混合物粉末のまま
、あるいは混合物を押し出し成形、圧縮成形して得られ
る成形体や混合物を得る前段階の混合スラリー(SiO
C5i3Naの水分散スラリー)にバインダーを加えて
成形したものが好適である。
、あるいは混合物を押し出し成形、圧縮成形して得られ
る成形体や混合物を得る前段階の混合スラリー(SiO
C5i3Naの水分散スラリー)にバインダーを加えて
成形したものが好適である。
ここで上記の成形体にあっては、そのかさ密度が0.8
5 g 7cm3以下であることが好ましい。これは成
形体のかさ密度が0.85 g /cm’よりも大きい
場合、窒化処理時に成形体内部におけるN!分圧が充分
に上がらないため、Si、ON、、SiC等の共存が認
められるためである。すなわちSiOから5izNaが
合成される反応は次式(4)に示される。
5 g 7cm3以下であることが好ましい。これは成
形体のかさ密度が0.85 g /cm’よりも大きい
場合、窒化処理時に成形体内部におけるN!分圧が充分
に上がらないため、Si、ON、、SiC等の共存が認
められるためである。すなわちSiOから5izNaが
合成される反応は次式(4)に示される。
33 i0+2Nz +3C−+S ’x3Na +3
CO−(4”) SiO−C系原料成形体のかさ密度が0.85g/Cl
11’以下の場合、この成形体は多孔質状で、成形体内
部にまで開気孔が存在する。このため窒化性雰囲気で焼
成する際、発生するCOがこの開気孔から系外に容易に
逸散し、逆にN2が開気孔内に侵入し反応が進行する。
CO−(4”) SiO−C系原料成形体のかさ密度が0.85g/Cl
11’以下の場合、この成形体は多孔質状で、成形体内
部にまで開気孔が存在する。このため窒化性雰囲気で焼
成する際、発生するCOがこの開気孔から系外に容易に
逸散し、逆にN2が開気孔内に侵入し反応が進行する。
したがって、空孔内でおこる該反応において00分圧が
高まることなく、また空孔内に連続的に供給されるため
容易に該反応(4)が進行し、SiOが還元、窒化され
る。
高まることなく、また空孔内に連続的に供給されるため
容易に該反応(4)が進行し、SiOが還元、窒化され
る。
またこの様なミクロ空孔内で該反応(4)式が気相系で
起こることにより粉末状の原料から出発するより過飽和
度の上昇も期待でき、微細な5i3Nn粉末がえられる
ことが期待される。しかし、原料成形体の密度が0.8
5 g /cta3以上の場合、成形体内で発生するC
Oと侵入するN2のガス交換がスムースにおこなわれな
くなり、成形体内の00分圧の上昇、N2分圧の減少を
招き、反応(4)式%式% 生成を招くと思われる。
起こることにより粉末状の原料から出発するより過飽和
度の上昇も期待でき、微細な5i3Nn粉末がえられる
ことが期待される。しかし、原料成形体の密度が0.8
5 g /cta3以上の場合、成形体内で発生するC
Oと侵入するN2のガス交換がスムースにおこなわれな
くなり、成形体内の00分圧の上昇、N2分圧の減少を
招き、反応(4)式%式% 生成を招くと思われる。
次に、加熱焼成の温度は、1400〜1800°Cの範
囲が選ばれる。この温度範囲限定の理由は、1400°
C未満ではSi、N、の生成が難しく、ならびに5iz
ONzやSin、が生成しやすい。
囲が選ばれる。この温度範囲限定の理由は、1400°
C未満ではSi、N、の生成が難しく、ならびに5iz
ONzやSin、が生成しやすい。
また1 80 Q ’Cを超えるとβ−3isNaの生
成量が増加し、結局所望のα−3t、N、粉末の収率が
減少するばかりか、炭素含有量の多い場合にはSiCの
生成が見られるからである。
成量が増加し、結局所望のα−3t、N、粉末の収率が
減少するばかりか、炭素含有量の多い場合にはSiCの
生成が見られるからである。
本発明において、混合粉末を焼成する際には窒化性ガス
雰囲気中のN2分圧を1気圧以上、好ましくは3気圧以
上に保つ。その理由は、1気圧未満ではSiCの生成量
が多くなり、低温のとき特にその傾向が著しい。その結
果として5isN4の生成量が減少するためである。圧
力の効果については次の様に考えられる。
雰囲気中のN2分圧を1気圧以上、好ましくは3気圧以
上に保つ。その理由は、1気圧未満ではSiCの生成量
が多くなり、低温のとき特にその傾向が著しい。その結
果として5isN4の生成量が減少するためである。圧
力の効果については次の様に考えられる。
すなわち、N2雰囲気下でsicと5i3Naの平衡を
考えると、 3SiC+2Nt→5i3Na+3C曲(5)の反応が
考えられる。この反応式かられかるように、N2分圧が
高いほど、Si、N4が安定であることがわかる。特に
該反応温度領域では3気圧以上保持することが、Si、
N、生成に一層有利であることは明白である。
考えると、 3SiC+2Nt→5i3Na+3C曲(5)の反応が
考えられる。この反応式かられかるように、N2分圧が
高いほど、Si、N4が安定であることがわかる。特に
該反応温度領域では3気圧以上保持することが、Si、
N、生成に一層有利であることは明白である。
(実施例)
実施皿上
原料として、平均粒径0.1μmのSiO粉末とカーボ
ンブラック(三菱化成製CF−9)および平均粒径0.
5μmのα−3i、N4粉末を用い、第1スラリーと第
2スラリーを下記の要領で得た。
ンブラック(三菱化成製CF−9)および平均粒径0.
5μmのα−3i、N4粉末を用い、第1スラリーと第
2スラリーを下記の要領で得た。
l)、第1スラリーについて:
SiO粉末とα−3i、N、粉末よりなる混合粉末1重
量部に、水1重量部、ポリアクリル酸アンモニウム塩0
.005重量部を添加しプラスチック製のボットミルで
24hr混合した。
量部に、水1重量部、ポリアクリル酸アンモニウム塩0
.005重量部を添加しプラスチック製のボットミルで
24hr混合した。
2)、第2スラリーについて:
カーボンブラック1重量部に水1重量部、フミン酸水溶
液0.25重量部(フミン酸アンモニウム1重量部に2
5%NH,OH水溶液0.15重量部加、えたもの)を
加え、プラスチック製のボットミルで24hr混合した
(粘度: 85cps)。
液0.25重量部(フミン酸アンモニウム1重量部に2
5%NH,OH水溶液0.15重量部加、えたもの)を
加え、プラスチック製のボットミルで24hr混合した
(粘度: 85cps)。
なおり−ボンブラックとSiO粉末との混合比(C/5
iO)はモル比で1.20 、またα−3iiN4と、
カーボンブラックおよびSiO粉末との混合比(α−3
1sN4/ (C+S iO)は重量比で0.1とした
。
iO)はモル比で1.20 、またα−3iiN4と、
カーボンブラックおよびSiO粉末との混合比(α−3
1sN4/ (C+S iO)は重量比で0.1とした
。
次に得られt2.種のスラリーをプラスチック製のボッ
トミルで24hr混練して完全に解膠したS i 0−
C−3i 、N、系のスラリーを得た。得られたスラリ
ーの粘度は103cpsであった。
トミルで24hr混練して完全に解膠したS i 0−
C−3i 、N、系のスラリーを得た。得られたスラリ
ーの粘度は103cpsであった。
次にこうして得られたスラリーをスプレードライにより
造粒したのち、この造粒粒末的2kgをカーボンるつぼ
に軽く充てんし、N2雰囲気中(10気圧)のもとて1
500°CX2時間熱処理を行った。
造粒したのち、この造粒粒末的2kgをカーボンるつぼ
に軽く充てんし、N2雰囲気中(10気圧)のもとて1
500°CX2時間熱処理を行った。
熱処理で得た生成物につき調査した結果Si、N。
の生成率は100%、また、α化率は90%で凝集が少
なくかつ微細で均一な粉末(解砕後手均粒径0.66μ
m)を得ることができた。
なくかつ微細で均一な粉末(解砕後手均粒径0.66μ
m)を得ることができた。
1隻±1
実施例1と同様の要領で得たSiOC5iiN4の混合
スラリーを、乾燥したのち解砕し押し出し成形して原料
成形体を得た。この成形体のかさ密度は0.4 g /
C11’であった。
スラリーを、乾燥したのち解砕し押し出し成形して原料
成形体を得た。この成形体のかさ密度は0.4 g /
C11’であった。
次にこの成形体的2kgを脱脂してN2雰囲気中(10
気圧)のもとて1500°CX2時間熱処理を行った。
気圧)のもとて1500°CX2時間熱処理を行った。
得られた焼成体を解砕したのちの粉末は5izNaの生
成率が100%、α化率90%また平均粒径0.7μm
(マイクロトラック法)であり、凝集の極めて少ない微
細で均一な粉末であった。
成率が100%、α化率90%また平均粒径0.7μm
(マイクロトラック法)であり、凝集の極めて少ない微
細で均一な粉末であった。
止較五土
原料として、平均粒径0.1μmのSiO粉末とカーボ
ンブラック(三菱化成製CF−9)および平均粒径0.
5μmのα−3i、N、粉末を実施例1と同様の配合割
合で混合したものを、防曝形の万能混練機を用いてアセ
トン中で1時間混練したのち、乾燥、解砕した。次に得
られた混合粉末を押し出し成形して、かさ密度が、0−
4 g /cm3になる原料成形体を得た。そしてこの
原料成形体約2kgを脱脂後N、雰囲気中10気圧のも
とで1500°CX2時間熱処理を行った。得られた粉
末は513N4の生成率が97%、α化率が90%、ボ
ールミル中15 hr湿湿式粉砕子平均粒径07μmで
あったが凝集が認められた。。
ンブラック(三菱化成製CF−9)および平均粒径0.
5μmのα−3i、N、粉末を実施例1と同様の配合割
合で混合したものを、防曝形の万能混練機を用いてアセ
トン中で1時間混練したのち、乾燥、解砕した。次に得
られた混合粉末を押し出し成形して、かさ密度が、0−
4 g /cm3になる原料成形体を得た。そしてこの
原料成形体約2kgを脱脂後N、雰囲気中10気圧のも
とで1500°CX2時間熱処理を行った。得られた粉
末は513N4の生成率が97%、α化率が90%、ボ
ールミル中15 hr湿湿式粉砕子平均粒径07μmで
あったが凝集が認められた。。
(発明の効果)
本発明によれば、α−3i、N、の含有率が高くかつ微
細で、粒径の揃った凝集の極めて少ない窒化けい素粉末
を、製造コストの上昇を伴わず容易に製造できる。
細で、粒径の揃った凝集の極めて少ない窒化けい素粉末
を、製造コストの上昇を伴わず容易に製造できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、SiO粉末、Si_3N_4粉末およびC含有物質
よりなる混合物もしくは該混合物の成形体を、窒化性雰
囲気中で熱処理することにより窒化けい素粉末を製造す
る方法において、前記混合物として、水にSiO粉末お
よび Si_3N_4粉末を解膠したスラリーと、水にC含有
物質を解膠したスラリーとを均一に混合したのち乾燥し
て得られるSiO−C−Si_3N_4系の混合物を用
いることを特徴とする窒化けい素粉末の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3592687A JPS63206305A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 窒化けい素粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3592687A JPS63206305A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 窒化けい素粉末の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63206305A true JPS63206305A (ja) | 1988-08-25 |
Family
ID=12455640
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3592687A Pending JPS63206305A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 窒化けい素粉末の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63206305A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006256939A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Toda Kogyo Corp | 窒化ケイ素粉末の製造法 |
-
1987
- 1987-02-20 JP JP3592687A patent/JPS63206305A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006256939A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Toda Kogyo Corp | 窒化ケイ素粉末の製造法 |
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