JPS63197956A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS63197956A JPS63197956A JP2927187A JP2927187A JPS63197956A JP S63197956 A JPS63197956 A JP S63197956A JP 2927187 A JP2927187 A JP 2927187A JP 2927187 A JP2927187 A JP 2927187A JP S63197956 A JPS63197956 A JP S63197956A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
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- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
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- G03G5/104—Bases for charge-receiving or other layers comprising inorganic material other than metals, e.g. salts, oxides, carbon
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（概要〕
この発明は、シリコン原子を含む非晶質材料からなる感
光体を利用する電子写真感光体において、この感光体表
面に静電潜像を形成するために入射された光、特に非晶
質シリコンの吸収係数の小さい赤色光及び赤外光が、感
光層を透過して支持体表面で反射し、反射光と干渉して
静電潜像の品位を低下させることを解決するために、支
持体表面に光吸収層として炭素含有膜を設けて、光の干
渉防止を可能とする。
光体を利用する電子写真感光体において、この感光体表
面に静電潜像を形成するために入射された光、特に非晶
質シリコンの吸収係数の小さい赤色光及び赤外光が、感
光層を透過して支持体表面で反射し、反射光と干渉して
静電潜像の品位を低下させることを解決するために、支
持体表面に光吸収層として炭素含有膜を設けて、光の干
渉防止を可能とする。
この発明は電子写真式印刷装置等に用いられる電子写真
感光体に関するものである。
感光体に関するものである。
印刷装置に用いられる感光体に非晶質シリコン（ａ−３
ｉ：ＩＩ）が広く用いられている。これは、非晶質シリ
コンが機械的強度が強く、熱的にも安定であり、更に無
毒性であることからである。
ｉ：ＩＩ）が広く用いられている。これは、非晶質シリ
コンが機械的強度が強く、熱的にも安定であり、更に無
毒性であることからである。
この非晶質シリコン系材料で構成された電子写真感光体
では、印刷の潜像工程での入射光が感光層を透過して支
持体表面で反射し、反射光と干渉を起こし、゛潜像像に
干渉縞を生じて、解像度の低下を生ずる場合があり、干
渉を防止できる感光体が必要とされている。
では、印刷の潜像工程での入射光が感光層を透過して支
持体表面で反射し、反射光と干渉を起こし、゛潜像像に
干渉縞を生じて、解像度の低下を生ずる場合があり、干
渉を防止できる感光体が必要とされている。
しかもこの干渉防止によって、感光層材料に欠陥等の印
字品質を低下させることのない電子写真感光体が要望さ
れている。
字品質を低下させることのない電子写真感光体が要望さ
れている。
第４図は従来の電子写真感光体の構造を示す断面図であ
る。支持体１の表面に、光吸収層７を形成しである。こ
の光吸収層７は、ゲルマニューム（Ｇｅ）或いは、シリ
コンゲルマニューム（ＳｉＧｅ）材で形成されており、
この光吸収層７の上に非晶質（ａ−５ｉ：Ｈ）″！ｔ！
３光層４が形成されている。
る。支持体１の表面に、光吸収層７を形成しである。こ
の光吸収層７は、ゲルマニューム（Ｇｅ）或いは、シリ
コンゲルマニューム（ＳｉＧｅ）材で形成されており、
この光吸収層７の上に非晶質（ａ−５ｉ：Ｈ）″！ｔ！
３光層４が形成されている。
上記したように、従来の非晶質シリコン系電子写真感光
体では光の干渉防止のためにＧｅ或いは５ｔＧｅ材を用
いて光の吸収層を形成している。
体では光の干渉防止のためにＧｅ或いは５ｔＧｅ材を用
いて光の吸収層を形成している。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記した従来の非晶質シリコン系電子写真感光体では、
光吸収層にゲルマニウムを含有する物質を用いているた
めに、この光吸収層を形成する成膜工程中にシリコン系
感光層にゲルマニウムが不純物として取り込まれ、感光
層に欠陥を発生し、残像現象及び感光体の光疲労を生ず
ると云う問題がある。
光吸収層にゲルマニウムを含有する物質を用いているた
めに、この光吸収層を形成する成膜工程中にシリコン系
感光層にゲルマニウムが不純物として取り込まれ、感光
層に欠陥を発生し、残像現象及び感光体の光疲労を生ず
ると云う問題がある。
この発明は、上記従来の状況から、光干渉が防止される
とともに、感光体に不純物を混入しない電子写真感光体
を提供することを目的とするものである。
とともに、感光体に不純物を混入しない電子写真感光体
を提供することを目的とするものである。
この発明では、第１図の原理構成図に示すように、支持
体１の上に炭素原子を含有する光吸収層２を形成し、こ
の光吸収層２に非晶質シリコンカーバイ） （ａ−５ｉ
Ｃ：Ｈ）からなる電荷注入阻止層３を形成し、この上に
ａ−５ｉ：Ｈからなる感光層４を設けた構造である。
体１の上に炭素原子を含有する光吸収層２を形成し、こ
の光吸収層２に非晶質シリコンカーバイ） （ａ−５ｉ
Ｃ：Ｈ）からなる電荷注入阻止層３を形成し、この上に
ａ−５ｉ：Ｈからなる感光層４を設けた構造である。
この発明では、電荷注入阻止層３を化学的に非常に安定
なａ−３ｉＣ：Ｈで形成しているために、感光層４の中
へ吸収層２に含有された炭素の混入を防止する。更に、
電荷注入阻止層３にａ−５ｉＣ：Ｈを用いているため、
光吸収層２から電荷注入阻止層３への炭素混入は問題と
ならず、光吸収層２による欠陥発生を防止し、光の干渉
防止が可能となる。
なａ−３ｉＣ：Ｈで形成しているために、感光層４の中
へ吸収層２に含有された炭素の混入を防止する。更に、
電荷注入阻止層３にａ−５ｉＣ：Ｈを用いているため、
光吸収層２から電荷注入阻止層３への炭素混入は問題と
ならず、光吸収層２による欠陥発生を防止し、光の干渉
防止が可能となる。
第２図は本発明の一実施例を示す断面図である。
１はアルミニウム基板からなる支持体、２−１はグラフ
ァイト製光吸収層、３はシリコンカーバイト（ａ−５ｉ
Ｃ：Ｈ）電荷注入阻止層、４はシリコン亦晶質（ａ−３
ｉ ：Ｈ）感光層、５はａ−５ｉＣ：１表面保護層、６
は感光体表面である。
ァイト製光吸収層、３はシリコンカーバイト（ａ−５ｉ
Ｃ：Ｈ）電荷注入阻止層、４はシリコン亦晶質（ａ−３
ｉ ：Ｈ）感光層、５はａ−５ｉＣ：１表面保護層、６
は感光体表面である。
この電子写真感光体には、導体的性質を持つグラファイ
トが光吸収層として用いられており、このグラファイト
は、化学的に高安定度を有しており、このグラファイト
製光吸収層２−１の成分原子の炭素が感光層４中に欠陥
を発生することはない。
トが光吸収層として用いられており、このグラファイト
は、化学的に高安定度を有しており、このグラファイト
製光吸収層２−１の成分原子の炭素が感光層４中に欠陥
を発生することはない。
さらに、この上に設けられた電荷注入阻止層３のａ−Ｓ
ｉＣ：Ｈは透光性を有しており、光照射により感光層４
に発生した電荷の支持体１側に浸入するのを防止する。
ｉＣ：Ｈは透光性を有しており、光照射により感光層４
に発生した電荷の支持体１側に浸入するのを防止する。
更に、この感光体の表面を保護するために、表面保護層
（ａ−３ｉＣ：Ｈ） ５が感光層４の上に設けある。
（ａ−３ｉＣ：Ｈ） ５が感光層４の上に設けある。
この表面保護層は、感光体表面６に生ずる電荷が感光層
４に浸入することを防いでいる。更に、この１表面保護
Ｎ５のａ−３ｉＣ：Ｈは化学的に安定な性質をもってお
り、耐湿性が高く且つ耐磨耗性も高く感光層４の機械的
硬度を高める。
４に浸入することを防いでいる。更に、この１表面保護
Ｎ５のａ−３ｉＣ：Ｈは化学的に安定な性質をもってお
り、耐湿性が高く且つ耐磨耗性も高く感光層４の機械的
硬度を高める。
第３図は本発明の他の実施例を示す断面図であり、第２
図と異なる箇所は、光吸収層２−２に非晶質炭素・硼素
化合物を用いた点である。この非晶質炭素・硼素化合物
のバンドギャップは約１ 、２ｅＶである。若し、光が
透光されて電荷となっても、この電荷は、非晶質炭素・
硼素化合物の抵抗率が約１０−２Ω・値と低いために残
像の原因とならない。
図と異なる箇所は、光吸収層２−２に非晶質炭素・硼素
化合物を用いた点である。この非晶質炭素・硼素化合物
のバンドギャップは約１ 、２ｅＶである。若し、光が
透光されて電荷となっても、この電荷は、非晶質炭素・
硼素化合物の抵抗率が約１０−２Ω・値と低いために残
像の原因とならない。
さらに非晶質炭素・硼素化合物は硬度が高く機械的に強
度であり、しかも化学的に安定な物質であり、感光体の
長寿命化が図れる。
度であり、しかも化学的に安定な物質であり、感光体の
長寿命化が図れる。
以上の説明から明らかなように、この発明によれば、光
吸収層の成分原子が感光層に浸入し、感光層に欠陥を発
生することもなく、しかも干滲の生じないものとなり、
良質な潜像かえられ、印字品質を向上する上できわめて
有効な効果を発揮する。
吸収層の成分原子が感光層に浸入し、感光層に欠陥を発
生することもなく、しかも干滲の生じないものとなり、
良質な潜像かえられ、印字品質を向上する上できわめて
有効な効果を発揮する。
第１図の原理構成図、
第２図は本発明の一実施例を示す断面図、第３図は本発
明の他の実施例を示す断面図、第４図は従来の電子写真
感光体の構造を示す断面図である。 図において、ｌは支持体、２と２−１と２−２は光吸収
層、３は電荷注入阻止層、４は感光層を示す。 ／ｉ発明４原理講威閏 第１図 半発明の一瞭コを尉肝面ガ 第２図
明の他の実施例を示す断面図、第４図は従来の電子写真
感光体の構造を示す断面図である。 図において、ｌは支持体、２と２−１と２−２は光吸収
層、３は電荷注入阻止層、４は感光層を示す。 ／ｉ発明４原理講威閏 第１図 半発明の一瞭コを尉肝面ガ 第２図
Claims (4)
- （１）電子写真感光体の支持体（１）の表面に炭素原子
を含む光吸収層（２）と、 非晶質シリコンカーバイドからなる電荷注入阻止層（３
）と、 非晶質シリコンからなる感光層（４）とを順次積層形成
してなることを特徴とする電子写真感光体。 - （２）前記光吸収層（２）が導体であることを特徴とす
る特許請求範囲第１項記載の電子写真感光体。 - （３）前記光吸収層（２）が光学バンドギャップ１．６
ｅＶ以下の半導体からなることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の電子写真感光体。 - （４）前記感光層（４）が水素原子を含有することを特
徴とする特許請求範囲第１項記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2927187A JPS63197956A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2927187A JPS63197956A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63197956A true JPS63197956A (ja) | 1988-08-16 |
Family
ID=12271618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2927187A Pending JPS63197956A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63197956A (ja) |
Citations (9)
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|---|---|---|---|---|
| JPS59136742A (ja) * | 1983-01-25 | 1984-08-06 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
| JPS59204048A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-19 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
| JPS6063541A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | アモルファスシリコン感光体 |
| JPS60227262A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-12 | Tdk Corp | 電子写真感光体 |
| JPS6135453A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体 |
| JPS61128252A (ja) * | 1984-11-27 | 1986-06-16 | Toshiba Corp | 光導電部材 |
| JPS61264354A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-22 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS61264349A (ja) * | 1985-05-18 | 1986-11-22 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS6336261A (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-16 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真感光体 |
-
1987
- 1987-02-10 JP JP2927187A patent/JPS63197956A/ja active Pending
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| JPS61264354A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-22 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS6336261A (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-16 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真感光体 |
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