JPS6135453A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
- Publication number
- JPS6135453A JPS6135453A JP15817584A JP15817584A JPS6135453A JP S6135453 A JPS6135453 A JP S6135453A JP 15817584 A JP15817584 A JP 15817584A JP 15817584 A JP15817584 A JP 15817584A JP S6135453 A JPS6135453 A JP S6135453A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- region
- layer region
- photoreceptor
- antireflection
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はアモルファスシリコン光導電層を有し、特にレ
ーザービームプリンターに適した感光体に関する。
ーザービームプリンターに適した感光体に関する。
従来の技術と問題点
近年、情報処理の多様化に応えて、半導体レーザ等を画
像露光源とするレーザビームプリンターが数多く提案さ
れている。この種のプリンターにあっては、均一帯電さ
れた感光体に対し、半導体レーザよりデジタル画像情報
を照射して静電潜像を形成し、続いて現像、転写して画
像を形成するものである。
像露光源とするレーザビームプリンターが数多く提案さ
れている。この種のプリンターにあっては、均一帯電さ
れた感光体に対し、半導体レーザよりデジタル画像情報
を照射して静電潜像を形成し、続いて現像、転写して画
像を形成するものである。
ところが、このようなプリンターにあっては、例えば半
導体レーザの場合、その発光波長が一般に７８０〜８２
０ｎｍと長波長側にあるため、感光体としても長波長領
域に感度を有するものを用いる必要がある。このため、
耐環境汚染性に優れ可視光領域から長波長領域に渡って
高感度なアモルファスシリコン（以下ａ−８ｉと記す）
乃至はアモルファスシリコンゲルマニウム（以下ａ−８
ｉ；Ｇｅと記す）を光導電層として導電層基板上に積層
してなるものの使用が注目されている。
導体レーザの場合、その発光波長が一般に７８０〜８２
０ｎｍと長波長側にあるため、感光体としても長波長領
域に感度を有するものを用いる必要がある。このため、
耐環境汚染性に優れ可視光領域から長波長領域に渡って
高感度なアモルファスシリコン（以下ａ−８ｉと記す）
乃至はアモルファスシリコンゲルマニウム（以下ａ−８
ｉ；Ｇｅと記す）を光導電層として導電層基板上に積層
してなるものの使用が注目されている。
しかしながら、上述したように半導体レーザの発光波長
エネルギーがかなり狭いため、感光体の光導電層に吸収
される光はわずかで大部分が透過してアルミニウム等の
基板に到達し、その光の大部分が基板表面で反射し再度
感光体の光導電層を透過する。こうして入射光は感光体
内で多重反射を起こし所謂干渉縞が発生する。
エネルギーがかなり狭いため、感光体の光導電層に吸収
される光はわずかで大部分が透過してアルミニウム等の
基板に到達し、その光の大部分が基板表面で反射し再度
感光体の光導電層を透過する。こうして入射光は感光体
内で多重反射を起こし所謂干渉縞が発生する。
このため、特開昭５８−１６２９７５号公報においては
、アルミニウム等の導電性基板表面を粗面として入射光
を拡散するようにした感光体が提案されている。しかし
ながら、ａ−８ｉやａ−８ｉ；Ｇｅ光導電層はその成膜
特性が基板の表面状態と密接な関係にあり、鏡面仙台げ
の基板に対しては良質な成膜が可能である反面、粗面基
板に対しては良質成膜が困難であるという欠点がある。
、アルミニウム等の導電性基板表面を粗面として入射光
を拡散するようにした感光体が提案されている。しかし
ながら、ａ−８ｉやａ−８ｉ；Ｇｅ光導電層はその成膜
特性が基板の表面状態と密接な関係にあり、鏡面仙台げ
の基板に対しては良質な成膜が可能である反面、粗面基
板に対しては良質成膜が困難であるという欠点がある。
また特開昭５６−１０７２４７号公報においては、第４
図に示されるようにアルミニウム導電性基板（１）と光
導電層（２）間に複数の反射防止層（３）、 （４）を
形成して干渉縞の発生を防止した感光体が提案されてい
る。この感光体にあっては、入射光は光導電層（２）と
第１の反射防止層（３）の界面、再反射防止層間の界面
並びに第２反射防止層（４）と基板間との界面で夫々反
射光強度（Ｔ Ｉ） 、（Ｉ２） 、（Ｉａ）として反
射する。そして理想的には（Ｉ１）と（Ｉ２）及び（Ｉ
２）と（Ｉ３）が弱め合うこととなる。しかしａ−８ｉ
や２ｌ−３ｉ；Ｇｅ にあっては良質成膜の上で鏡面
仙台げした基板を要するため、結果的に（Ｉ３）のエネ
ルギーか（ＩＩ）、（１２）と比べて非常に大きくなっ
て有効な反射防止効果が望めない。
図に示されるようにアルミニウム導電性基板（１）と光
導電層（２）間に複数の反射防止層（３）、 （４）を
形成して干渉縞の発生を防止した感光体が提案されてい
る。この感光体にあっては、入射光は光導電層（２）と
第１の反射防止層（３）の界面、再反射防止層間の界面
並びに第２反射防止層（４）と基板間との界面で夫々反
射光強度（Ｔ Ｉ） 、（Ｉ２） 、（Ｉａ）として反
射する。そして理想的には（Ｉ１）と（Ｉ２）及び（Ｉ
２）と（Ｉ３）が弱め合うこととなる。しかしａ−８ｉ
や２ｌ−３ｉ；Ｇｅ にあっては良質成膜の上で鏡面
仙台げした基板を要するため、結果的に（Ｉ３）のエネ
ルギーか（ＩＩ）、（１２）と比べて非常に大きくなっ
て有効な反射防止効果が望めない。
本発明は、ａ−８ｉ乃至はａ−８ｉ；Ｇｅを光導電層と
して有する感光体において、上記問題点を解決し干渉縞
の発生を確実に防止し且つ高感度で特にレーザビームプ
リンターに適した感光体を得ることを目的とする。
して有する感光体において、上記問題点を解決し干渉縞
の発生を確実に防止し且つ高感度で特にレーザビームプ
リンターに適した感光体を得ることを目的とする。
本発明に係る感光体はアルミニウム等の導電性基板上に
少なくともアモルファスシリコンを母体とし交互に屈折
率の異なる反射防止層が形成された第１層領域と、その
上にアモルファスシリコン乃至はアモルファスシリコン
ゲルマニウムを母体とする光導電層を有する第２層領域
から構成され屈折率及び膜厚は各界面での反射エネルギ
ーの合成が実質零かそれに近くなるよう関係付けられ、
これにより入射光は実質的に第１層領域内で振動吸収さ
れることになり、干渉縞の発生が確実に防止され、且つ
光感度が増大する。
少なくともアモルファスシリコンを母体とし交互に屈折
率の異なる反射防止層が形成された第１層領域と、その
上にアモルファスシリコン乃至はアモルファスシリコン
ゲルマニウムを母体とする光導電層を有する第２層領域
から構成され屈折率及び膜厚は各界面での反射エネルギ
ーの合成が実質零かそれに近くなるよう関係付けられ、
これにより入射光は実質的に第１層領域内で振動吸収さ
れることになり、干渉縞の発生が確実に防止され、且つ
光感度が増大する。
以下、本発明につき詳述する。
第１図は本発明に係る感光体の一例を示し、（１０）は
導電性基板で鏡面仙台げされたアルミニウムである。（
１１）はアモルファスシリコンを母体とし交互に屈折率
の異なる反射防止層を複数層基板（１０）上に形成して
なる第１層領域で、基板側から第１乃至第３の３層の反
射防止層（１２） 、 （１３） 、 （１４）から構
成されている。また、（１５）は第１層領域（１１）上
に形成された第２層領域で膜厚が１０乃至８０ミクロン
のａ−８ｉまたはａ−８ｉ；Ｇｅ光導電層（１６）から
構成されている。
導電性基板で鏡面仙台げされたアルミニウムである。（
１１）はアモルファスシリコンを母体とし交互に屈折率
の異なる反射防止層を複数層基板（１０）上に形成して
なる第１層領域で、基板側から第１乃至第３の３層の反
射防止層（１２） 、 （１３） 、 （１４）から構
成されている。また、（１５）は第１層領域（１１）上
に形成された第２層領域で膜厚が１０乃至８０ミクロン
のａ−８ｉまたはａ−８ｉ；Ｇｅ光導電層（１６）から
構成されている。
上記反射防止層は交互に屈折率が異なるように積層され
、第１と第３反射防止層（１２）、 （１４）は略同−
屈折率を有する反面、その間の第２反射防止層（］３）
は異なる屈折率を有している。屈折率を異ならしめるた
めに、本発明は第１と第３反射防止層（１２）、 （１
４）にはａ−８ｉに比較的多量（約１０〜７Ｑａｔ％）
の炭素、酸素または窒素あるいはこれらのうち２種以上
を含有せしめ、第２反射防止層（１３）にはこれらの含
有を実質零とするか微量としている。
、第１と第３反射防止層（１２）、 （１４）は略同−
屈折率を有する反面、その間の第２反射防止層（］３）
は異なる屈折率を有している。屈折率を異ならしめるた
めに、本発明は第１と第３反射防止層（１２）、 （１
４）にはａ−８ｉに比較的多量（約１０〜７Ｑａｔ％）
の炭素、酸素または窒素あるいはこれらのうち２種以上
を含有せしめ、第２反射防止層（１３）にはこれらの含
有を実質零とするか微量としている。
具体的にはグロー放電分解法による場合は、例えラズマ
放電を起こし加熱された基板（１０）上にＣ２Ｈ４０２
Ｎ２ ａ）何れかを約１０〜７０３ｌ％含有する第１の
ａ−８ｉ反射防止層（１２）を所定の厚さに形成し、続
いてＣ２Ｈ４、０２，Ｎ２ ガスのフローを実質停止し
ＳｉＨ４ガスのみを続行して流し第２の３−８ｉ 反射
防止層（１３）を形成し、最後に第１反射防止層形成時
と同一条件の下にグロー放電を起こしてＣＯＮ の何れ
かを１０〜７０ａｔＸ含有する第３のａ−８ｉ反射防止
層（１４）を形成する。
放電を起こし加熱された基板（１０）上にＣ２Ｈ４０２
Ｎ２ ａ）何れかを約１０〜７０３ｌ％含有する第１の
ａ−８ｉ反射防止層（１２）を所定の厚さに形成し、続
いてＣ２Ｈ４、０２，Ｎ２ ガスのフローを実質停止し
ＳｉＨ４ガスのみを続行して流し第２の３−８ｉ 反射
防止層（１３）を形成し、最後に第１反射防止層形成時
と同一条件の下にグロー放電を起こしてＣＯＮ の何れ
かを１０〜７０ａｔＸ含有する第３のａ−８ｉ反射防止
層（１４）を形成する。
以上の構成の感光体において、第２図は第１層領域（１
１）への入射光エネルギーを（１０）とし、各界面での
反射エネルギーを（Ｉｔ）、 （Ｉ２）、 （１３）。
１）への入射光エネルギーを（１０）とし、各界面での
反射エネルギーを（Ｉｔ）、 （Ｉ２）、 （１３）。
（Ｉ４）としたときの反射態様を模式的に示した図であ
る。ここで、第１乃至第３反射防止層（１２） 。
る。ここで、第１乃至第３反射防止層（１２） 。
（１３） 、 （１４）の膜厚を夫々（ｄ＋） 、 （
ｄ２） 、 （ｄ３）とし屈折率はＣＯまたはＮを含有
する第１及び第３反射防止層（１２）、 （１４）を（
ｎｌ）、第２反射防止層（１３）及び光導電Ｗｉｔ （
１５）を（ｎ２）とする。そして夫々の屈折率の関係は
第１乃至第３反射防止層の組成にも依存するが、例えば
炭素を添加したときには次のようになる。
ｄ２） 、 （ｄ３）とし屈折率はＣＯまたはＮを含有
する第１及び第３反射防止層（１２）、 （１４）を（
ｎｌ）、第２反射防止層（１３）及び光導電Ｗｉｔ （
１５）を（ｎ２）とする。そして夫々の屈折率の関係は
第１乃至第３反射防止層の組成にも依存するが、例えば
炭素を添加したときには次のようになる。
ｎ２）ｎｌ
となる。従って各反射防止層に対して、２ｒｚｄ＋＝λ
ｍｌ （ａ）λ ２ｎｚｄｚ ＝ −（２ｍｚ−１） （’
）（但しｍ＋、２．３は１以上の整数） の関係が成立するようにする。
ｍｌ （ａ）λ ２ｎｚｄｚ ＝ −（２ｍｚ−１） （’
）（但しｍ＋、２．３は１以上の整数） の関係が成立するようにする。
本発明は各第１乃至第３反射防止層（１２）、 （１３
）（１４）が上記（ａ）、 （１））、 （Ｃ）式を満
足するようにし、これにより反射エイ・ルギー（ＩＩ）
、 （Ｉ２）、 （Ｉ３）は互いに強め合い、逆に（Ｉ
４）は（Ｉｔ）、 （Ｉ２）、 （１３）に対して弱め
合うようになる。然るに（ＩＩ）。
）（１４）が上記（ａ）、 （１））、 （Ｃ）式を満
足するようにし、これにより反射エイ・ルギー（ＩＩ）
、 （Ｉ２）、 （Ｉ３）は互いに強め合い、逆に（Ｉ
４）は（Ｉｔ）、 （Ｉ２）、 （１３）に対して弱め
合うようになる。然るに（ＩＩ）。
（Ｉ２）、 （１３）、 （１４）のエネルギーを合成
したものが実質零あるいはそれに近くなるように屈折率
を選択すれば第１図で示すように例えば半導体レーザか
らの入射光は第１層領域（１１）内で振動することとな
る。そして振動する光は第１層領域内で吸収減衰して、
結果として干渉縞の発生は確実に防止される。更に入射
光のエネルギー効率が大巾に向上し光感度が増大する。
したものが実質零あるいはそれに近くなるように屈折率
を選択すれば第１図で示すように例えば半導体レーザか
らの入射光は第１層領域（１１）内で振動することとな
る。そして振動する光は第１層領域内で吸収減衰して、
結果として干渉縞の発生は確実に防止される。更に入射
光のエネルギー効率が大巾に向上し光感度が増大する。
上述において、第１乃至第３反射防止層（１２） 。
（１３）、 （１４）の膜厚（ｄｘ）、 （ｄ２）、
（ｄ３）は夫々５μ以下として前述の（ａ）、 （ｂ）
、 （Ｃ）式を満たすのが好ましい。また第１乃至第３
反射防止層はそれ自体と更にａ−８ｉ光導電層（１６）
で発生したチャージキャリアの輸送を容易とするため、
適量の周期律表第■Ａ族（好ましくはＢ）または第ＶＡ
族不純物（好ましくはＰ）を添加してもよい。第１図構
成の感光体において正帯電する場合、第３図に示すよ−
うなバンド構造となるのが望ましく、第１反射防止層（
１２）はホールの基板（１０）側への注出を容易にする
ためＰ型になるようＢを１０− ａｏｏｏｏｐｐｍ含有
し、また第３反射防止層（１４）はエレクトロンの光導
電層（１６）側への移動を容易にするためＮ型になるよ
うＰをＯ−１０００ｐｐｍあるいはＢをＯ−１０ｐｐｍ
含有する。これによって光感度の向上はもとより、残留
電位の上昇を防止することができる。
（ｄ３）は夫々５μ以下として前述の（ａ）、 （ｂ）
、 （Ｃ）式を満たすのが好ましい。また第１乃至第３
反射防止層はそれ自体と更にａ−８ｉ光導電層（１６）
で発生したチャージキャリアの輸送を容易とするため、
適量の周期律表第■Ａ族（好ましくはＢ）または第ＶＡ
族不純物（好ましくはＰ）を添加してもよい。第１図構
成の感光体において正帯電する場合、第３図に示すよ−
うなバンド構造となるのが望ましく、第１反射防止層（
１２）はホールの基板（１０）側への注出を容易にする
ためＰ型になるようＢを１０− ａｏｏｏｏｐｐｍ含有
し、また第３反射防止層（１４）はエレクトロンの光導
電層（１６）側への移動を容易にするためＮ型になるよ
うＰをＯ−１０００ｐｐｍあるいはＢをＯ−１０ｐｐｍ
含有する。これによって光感度の向上はもとより、残留
電位の上昇を防止することができる。
尚、第１図に示した感光体において、反射防止効果が十
分得られない場合、第１層領域（１１）を構成する反射
防止層の数は３層に限らず屈折率の異なる層が交互に２
層以上何層あってもよ（、実質域 第２層領巳（１５）への反射がなくなればよい。
分得られない場合、第１層領域（１１）を構成する反射
防止層の数は３層に限らず屈折率の異なる層が交互に２
層以上何層あってもよ（、実質域 第２層領巳（１５）への反射がなくなればよい。
具体的に第１層領域（１１）は基板（１０）側から第２
゜第３反射防止層（１３）、 （１４）の順或いはその
逆、第１゜第２．第３．第２．第３反射防止層の順に構
成してもよい。各膜厚に関しては上記と同様に５μｍＪ
ｄ下で前記関係式を満たすのがよい。また３層以上の反
射防止層から構成されるとき、屈折率が略同じ層を一層
おきに形成するが、これら屈折率が同じ層は同一組成で
構成される必要はな（ａ−８ｉとＣａ−８ｉとＯ等適宜
選択す・ればよい。更に各反射防止層はａ−８ｉに限ら
ずａ−８’１ＨＧｅ層としてもよい。
゜第３反射防止層（１３）、 （１４）の順或いはその
逆、第１゜第２．第３．第２．第３反射防止層の順に構
成してもよい。各膜厚に関しては上記と同様に５μｍＪ
ｄ下で前記関係式を満たすのがよい。また３層以上の反
射防止層から構成されるとき、屈折率が略同じ層を一層
おきに形成するが、これら屈折率が同じ層は同一組成で
構成される必要はな（ａ−８ｉとＣａ−８ｉとＯ等適宜
選択す・ればよい。更に各反射防止層はａ−８ｉに限ら
ずａ−８’１ＨＧｅ層としてもよい。
また、第２層領域（１５）は光導電層（１６）上に表面
絶縁層を形成してもよく、ａ−８ｉに約１０〜７ＱａＬ
％のＣＯＮを含有してなる層を厚さ０．０１〜５μＴ
ツ に形成するのが望ましい。
絶縁層を形成してもよく、ａ−８ｉに約１０〜７ＱａＬ
％のＣＯＮを含有してなる層を厚さ０．０１〜５μＴ
ツ に形成するのが望ましい。
発明の効果
以上の説明から明らかなように本発明に係る感光体によ
れば、干渉縞の発生が確実に防止され感光体自体の光感
度も増大するという効果を有する。
れば、干渉縞の発生が確実に防止され感光体自体の光感
度も増大するという効果を有する。
従ってレーザビームプリンター用の□感光体として好適
でしかも感光体も同一製造装置で製造できるという利点
を有する。
でしかも感光体も同一製造装置で製造できるという利点
を有する。
実施例
周知の容量結合型グロー放電分解装置を用い、ＳｉＨ４
ガス、Ｃ２Ｈ４ガス”並びにＨ２がスを夫々の比 流量層が１：４：５となるように流量計にて混合し、減
圧チャンバーに導入する一方、約２００℃に加熱された
アルミニウムドラムと同軸に配置された電極間耐高周波
電力を印加して所定時間プラズマ放電を起こし炭素を含
有した第１のａ−８ｉ反射防止層を形成した。続いてＳ
ｉＨ４Ｈ２Ｂ２Ｈ６ガヌを導入して第２のａ−８ｉ反射
防止層を形成し、更に第１反射防止層と同一条件の下で
炭素を含有する第３のａ−８ｉ反射防止層を形成した。
ガス、Ｃ２Ｈ４ガス”並びにＨ２がスを夫々の比 流量層が１：４：５となるように流量計にて混合し、減
圧チャンバーに導入する一方、約２００℃に加熱された
アルミニウムドラムと同軸に配置された電極間耐高周波
電力を印加して所定時間プラズマ放電を起こし炭素を含
有した第１のａ−８ｉ反射防止層を形成した。続いてＳ
ｉＨ４Ｈ２Ｂ２Ｈ６ガヌを導入して第２のａ−８ｉ反射
防止層を形成し、更に第１反射防止層と同一条件の下で
炭素を含有する第３のａ−８ｉ反射防止層を形成した。
そして次にＳｉＨ４Ｈ２Ｂ２Ｈ６を流して厚さ２５μノ
ａ−８ｉ光導電層を形成した。
ａ−８ｉ光導電層を形成した。
こうして得られた感光体を発光波長８０００ｍの半導体
レーザビームプリンターに実装しプリントしたところ、
干渉縞の発生もなく鮮明な画像が得られた。
レーザビームプリンターに実装しプリントしたところ、
干渉縞の発生もなく鮮明な画像が得られた。
第１図は本発明に係る感光体の構成を示す図、第２図は
本発明の感光体において第１層領域内の反射エネルギー
の関係を示す図、第３図は感光体のバンド構造を示す図
、第４図は従来の感光体における反射エネルギーの関係
を示す図である。 （１０）・・・導電性基板、（１１）・・・第１層領域
、（１２） 。 （１３）、 （１４）・・・第１．第２．第３反射防止
層、（１５）・・・第２層領域、（１６）・・・ａ−８
ｉ光導電層。 出願人 ミノルタカメラ株式会社 第２図 第３図
本発明の感光体において第１層領域内の反射エネルギー
の関係を示す図、第３図は感光体のバンド構造を示す図
、第４図は従来の感光体における反射エネルギーの関係
を示す図である。 （１０）・・・導電性基板、（１１）・・・第１層領域
、（１２） 。 （１３）、 （１４）・・・第１．第２．第３反射防止
層、（１５）・・・第２層領域、（１６）・・・ａ−８
ｉ光導電層。 出願人 ミノルタカメラ株式会社 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導電性基板上に、アモルファスシリコンを母体とし
屈折率が交互に異なる複数層の反射防止層からなる第１
層領域と、アモルファスシリコンを母体とする光導電層
からなる第２層領域とを積層してなることを特徴とする
感光体。 ２、前記第１層領域の複数の反射防止層の屈折率と膜厚
は入射光がその領域内で実質振動吸収されるよう設定さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15817584A JPS6135453A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15817584A JPS6135453A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6135453A true JPS6135453A (ja) | 1986-02-19 |
Family
ID=15665909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15817584A Pending JPS6135453A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6135453A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63197956A (ja) * | 1987-02-10 | 1988-08-16 | Fujitsu Ltd | 電子写真感光体 |
-
1984
- 1984-07-27 JP JP15817584A patent/JPS6135453A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63197956A (ja) * | 1987-02-10 | 1988-08-16 | Fujitsu Ltd | 電子写真感光体 |
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