JPS63188814A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘツドの製造方法

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特に絶縁体
層にポリイミド樹脂を用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法
に関する。
〔従来の技術〕
薄膜磁気ヘッドの絶縁体層に、縮合型または付加反応型
ポリイミド前駆体を加熱硬化したポリイミド樹脂を用い
ることが提案されている(特開昭52−135713 
、特開昭56−93113)。
このように薄膜磁気ヘッドの絶縁体層に上記のポリイミ
ド前駆体を加熱硬化したポリイミド樹脂を用いると、無
機絶縁体層を真空蒸着法、スパッタ堆積法等によって形
成する場合に比べて、塗布。
熱硬化という量産性に優れた方法で容易に絶縁体層が形
成でき、しかも得られた絶縁体層の絶縁性、耐熱性が他
の有機絶縁膜より優れている。
〔発明が解決しようとする問題点〕。
しかし上記従来技術は、以下に述べる問題点があり、実
用に供するには不十分であった。
即ち、縮合型ポリイミド前駆体は、加熱硬化時に溶融し
にくいため、ポリイミド樹脂絶縁体層表面に絶縁体層の
下に形成されているコイル段差を反映した凸凹が生じて
しまった。このため、絶縁体Rり上に形成する磁性膜も
凸凹になってしまい、高い透磁率が得られなかった。
また、縮合型ポリイミド前駆体は、縮合反応を起こす際
に縮合水が生成する。そして、この縮合水は絶縁体層に
膨れ等の膜欠陥を起こし、薄膜磁気ヘッドが断線したり
、短絡したりすることがしばしばあった。
一方、付加反応型ポリイミド前駆体は、溶媒に対する溶
解性が低い。このため溶液中に不溶物があって均質な塗
膜を得ることが困難であり、実用に供するには不十分で
あった。
本発明の目的は上記した従来技術の問題点を解決し、平
坦性があり、膜欠陥がなく信頼性の高い薄膜磁気ヘッド
の製造方法を提供するにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、基板上に順次積層された第1磁性体層、第
1絶縁体層、導体層、第2絶縁体層及び第2磁性体層を
含む薄膜磁気ヘッドにおいて、前記第1絶縁体層及び第
2絶縁体層が下記一般式(I)で表わされる縮合型ポリ
イミド前駆体を真空中で硬化した物にすることで達成さ
れる。
・・・・・・(り (但し、上記一般式(I)中、Rは のうちから選ばれた少なくとも一種類の基であのうちか
ら選ばれた少なくとも一種類の基であとも一種類の基で
あり、nは1〜100である。)がそれぞれ好ましい。
本発明の特徴は、溶媒に対する溶解性が高い上記一般式
(I)で表わされる縮合型ポリイミド前駆体を用いて真
空中で硬化させて絶縁膜を形成する点にある。絶縁膜は
、平坦性に優れ、かつ膜欠陥がない。また、耐熱性も優
れている。
上記一般式(I)で表わされる縮合型ポリイミド前駆体
の溶媒としては、N−メチル−2−ピロリドン、ベンジ
ルピロリドン、N、N−ジメチルアセトアミド、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の極性溶媒が
好ましく、特に後から述べるスピン塗布を行う場合には
N−メチル−2−ピロリドン、N、N−ジメチルアセト
アミドが好ましい。ポリイミド前踵体フェスの通常濃度
は10〜50wt%が良く、更に好ましくは15〜35
%が良い。10iit%より濃度かうずいと厚い塗膜が
得られにくくなり、5(ht%より濃い濃度になると粘
度が高くなり基板面内において均一な厚さの塗膜が得ら
れにくくなる。真空雰囲気は、0.IPa以下が好まし
い。
本発明の薄膜磁気ヘッドの好ましい一態様を、第1図に
示す。第1図は、薄膜磁気ヘッドの部分断面図である。
この薄膜磁気ヘッドは、基板1上にパーマロイ等で第一
の磁性体層2−1.ギャップ絶縁体層3.前記一般式(
I)で表わされるポリイミド前駆体の熱硬化物よりなる
第一の絶縁体層4−1.アルミニウム、銅、金等よりな
る導体層。
前記一般式(I)で表わされるポリイミド前駆体の熱硬
化物よりなる第二の絶縁体層4−2.第二の磁性体層2
−2アルミナ等の無機絶縁材料からなる保護層6を順次
設けたものである0以上は1ターンコイル磁気ヘツドの
場合であるが、多層マルチターン磁気ヘッドは第二の絶
縁体層上に導体と絶縁体層を繰り返し形成して製造する
ことができる。絶縁体層のパターニングは、上記ヒドラ
ジン・ヒトラード系のエツチング液を用いる以外に酸素
プラズマでパターニングを行なってもよい。
〔作用〕
絶縁体膜の平坦性が優れているのは、上記一般式(I)
で表わされる縮合型ポリイミド前駆体の溶媒に対する溶
解性が高いためである。
絶縁体膜の欠陥がないのは、硬化時の雰囲気を真空とす
ることにより縮合反応により硬化が進行する際に生成す
る縮合水が除去されるためと思われる。
真空中で硬化された絶縁体膜の耐熱性が大気中や不活性
ガス雰囲気中での硬化させた絶縁体膜より大幅に向上す
るのは、第2図の熱重量分布曲線から説明できる。
〔実施例〕
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
実施例1 表面に10μmのアルミナをスパッタリングで堆積した
厚さ4 +nm 、直径3インチのアルミナチタンカー
バイトの基板1上に、2μm厚さのパーマロイを基板温
度280℃でスパッタリングによって堆積し、フォトエ
ツチング法でパターン形成し、第一の磁性体層2−1を
形成した。この後、0.5μm厚さのアルミナをスパッ
タリングで堆積し、フォトエツチング法でパターン形成
し、ギャップ絶縁体層3を形成した。
(但しn#10) 次の上式(II)で表わされるポリイミド前駆体のジメ
チルアセトアミド溶液(樹脂分30wt%)をM転塗布
し、10−’ 〜10−’ P aの減圧下で、200
℃で30分間、350℃で30分間かけて加熱硬化した
硬化膜はヒドラジン・ヒトラード系の(ヒドラジン・ヒ
トラード)/(エチレンジアミン)=7/3(容積比)
のエツチング液を用いたフォトエツチング法で、膜厚1
.5μmの所定のパターンを形成し、第一の絶縁体層4
−1を形成した。次にこの第一の絶縁体層4−1上に厚
さ1.5μmの銅をスパッタリングにより堆積し、フォ
トエツチング法でパターン化し、導体5を形成した。次
に第一の絶縁体層4−1と同様にして、厚さ4μmの第
二の絶縁体層4−2を形成し、更にその上に第一の磁性
体層2−1と同様にして厚さ2μmの第二の磁性体層2
−2を形成し、最後に30μm厚さのアルミナをスパッ
タリングにより堆積し保護層6を形成した。
このようにして製造した薄膜磁気ヘッドの第二の磁性体
層2−2は、極めて平坦な面(うねり高さ0.10μm
以下)を有しており、透磁率の高い磁気特性の良好な薄
膜磁気ヘッドが得られた。
また、絶縁体層には膨れ等の膜欠陥がなく、信頼性が高
く、磁気特性が非常に良好な薄膜磁気ヘッドを得ること
ができた。絶縁体層は耐熱性がすぐれているので、磁性
体層等をスパッタリングする際に加わる熱で変質しない
ため基板加熱温度を上げることが出来、磁気特性を向上
させることが可能となった。
実施例2 前記一般式(I)に包含される第1表のNα1〜Nα8
に示す8種類のポリイミド前躯体フェスを製作し。
実施例1と同様な非常に良好な結果が得られた。
比較例 付加反応型ポリイミド前駆体(ガルフ・オイル・ケミカ
ル・カンパニ製、商品名「サーミッド600J )をジ
メチルアセトアミドに溶解(JfM脂分15wt%)し
、実施例1と同様に薄膜磁気ヘッドの絶縁体層を形成し
た。不溶分があるため、均質な塗膜が得られず、磁気特
性が劣っていた また、第1表Na lの縮合重合型ポリイミド前駆体を
溶媒に溶解し、雰囲気を大気中とした以外は実施例1と
同様に薄膜磁気ヘッドの絶縁体層を形成した。硬化の際
に生成する水分が除去されないので絶縁体層にふくれが
起こり膜欠陥が生じた。
磁気特性も劣っていた。
〔発明の効果〕
以上、述べたように本発明によれば、平坦性があり、膜
欠陥がなく信頼性の高い薄膜磁気ヘッドが得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は薄膜磁気ヘッドの部分断面図、第2図はポリイ
ミド前駆体を加熱硬化する雰囲気のポリイミドの耐熱性
に及ぼす影響を示す図である。 1・・・基板、2−1・・・第一の磁性体層、2−2・
・・第二の磁性体層、3・・・ギャップ絶縁体層、4−
1・・・第一の絶縁体層、4−2・・・第二の絶縁体層
、5・・・導体、6・・・保護層。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、基板上に順次積層された第1磁性体層、第1絶縁体
    層、導体層、第2絶縁体層及び第2磁性体層を含む薄膜
    磁気ヘッドにおいて、前記第1絶縁体層及び第2絶縁体
    層が下記一般式( I )で表わされる縮合型ポリイミド
    前駆体を真空中で硬化した物からなることを特徴とする
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・( I
    ) (但し、上記一般式( I )中、Rは ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼ のうちから選ばれた少なくとも一種類の基であり、Ar
    ^1は▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
    学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼ のうちから選ばれた少なくとも一種類の基であり、Ar
    ^2は▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼のうちから選ばれた
    少なくとも一種類の基であり、nは1〜100である。 )
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