JPH0827913B2 - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 104
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 52
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 24
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 20
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 11
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 8
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N Vilsmeier-Haack reagent Natural products CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 3
- NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N (2s)-2,6-diaminohexanoic acid;(2s)-2-hydroxybutanedioic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O.NCCCC[C@H](N)C(O)=O NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N hydrazine monohydrate Substances O.NN IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- LVUQCTGSDJLWCE-UHFFFAOYSA-N 1-benzylpyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1CC1=CC=CC=C1 LVUQCTGSDJLWCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
- H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
- H01B3/303—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups H01B3/38 or H01B3/302
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特に絶縁
体層にポリイミド樹脂を用いた薄膜磁気ヘッドの製造方
法に関する。
体層にポリイミド樹脂を用いた薄膜磁気ヘッドの製造方
法に関する。
［従来の技術］ 薄膜磁気ヘッドの絶縁体層に、縮合型または付加反応
型ポリイミド前駆体を加熱硬化したポリイミド樹脂を用
いることが提案されている（特開昭52−135713号公報，
同56−93113号公報）。
型ポリイミド前駆体を加熱硬化したポリイミド樹脂を用
いることが提案されている（特開昭52−135713号公報，
同56−93113号公報）。
このように薄膜磁気ヘッドの絶縁体層に上記のポリイ
ミド樹脂を用いると、無機絶縁体層を真空蒸着法、スパ
ッタ堆積法等によって形成する場合に比べて、塗布、熱
硬化という量産性に優れた方法で容易に絶縁体層が形成
でき、しかも得られた絶縁体層の絶縁性、耐熱性が他の
有機絶縁膜より優れている。
ミド樹脂を用いると、無機絶縁体層を真空蒸着法、スパ
ッタ堆積法等によって形成する場合に比べて、塗布、熱
硬化という量産性に優れた方法で容易に絶縁体層が形成
でき、しかも得られた絶縁体層の絶縁性、耐熱性が他の
有機絶縁膜より優れている。
［発明が解決しようとする問題点］ しかし上記従来技術は、以下に述べる問題点があり、
実用に供するには不十分であった。
実用に供するには不十分であった。
即ち、縮合型ポリイミド前駆体は、加熱硬化時に溶融
しにくいため、ポリイミド樹脂絶縁体層表面に絶縁体層
の下に形成されているコイル段差を反映した凸凹が生じ
てしまった。このため、絶縁体層上に形成する磁性膜も
凸凹になってしまい、高い透磁率が得られなかった。
しにくいため、ポリイミド樹脂絶縁体層表面に絶縁体層
の下に形成されているコイル段差を反映した凸凹が生じ
てしまった。このため、絶縁体層上に形成する磁性膜も
凸凹になってしまい、高い透磁率が得られなかった。
また、縮合型ポリイミド前駆体は、縮合反応を起こす
際に縮合水が生成する。そして、この縮合水は絶縁体層
に膨れ等の膜欠陥を起こし、薄膜磁気ヘッドが断線した
り、短絡したりすることがしばしばあった。
際に縮合水が生成する。そして、この縮合水は絶縁体層
に膨れ等の膜欠陥を起こし、薄膜磁気ヘッドが断線した
り、短絡したりすることがしばしばあった。
一方、付加反応型ポリイミド前駆体は、溶媒に対する
溶解性が低い。このため溶液中に不溶物があって均質な
塗膜を得ることが困難であり、実用に供するには不十分
であった。
溶解性が低い。このため溶液中に不溶物があって均質な
塗膜を得ることが困難であり、実用に供するには不十分
であった。
本発明の目的は上記した従来技術の問題点を解決し、
平坦性があり、膜欠陥がなく、しかも耐久性を得ること
ができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供するにある。
平坦性があり、膜欠陥がなく、しかも耐久性を得ること
ができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供するにある。
［問題点を解決するための手段］ 上記目的は、基板上に第一の磁性体層をパターン形成
する工程と、該第一の磁性体層上にギャップ絶縁体層を
パターン形成する工程と、該ギャップ絶縁体層上に、下
記一般式（Ｉ）の縮合型ポリイミド前駆体の溶液を塗布
すると共に真空中で加熱硬化させ、かつエッチングによ
り第一の絶縁体層を形成する工程と、該第一の絶縁体層
上に導体層をパターン形成する工程と、第一の絶縁体層
及び導体層の上に前記第一の絶縁体層と同様にして第二
の絶縁体層を形成する工程と、第二，第一の絶縁体層を
所望形状にパターン形成し、かつギャップ絶縁体層にお
いて第一の絶縁体層，導体層，第二の絶縁体層を除く表
面を露出させる工程と、ギャップ絶縁体層の露出した面
と第一の絶縁体層，第二の絶縁体層の表面を覆う第二の
磁性体層を形成する工程と、該第二の磁性体層上に保護
層を形成する工程とを有している。
する工程と、該第一の磁性体層上にギャップ絶縁体層を
パターン形成する工程と、該ギャップ絶縁体層上に、下
記一般式（Ｉ）の縮合型ポリイミド前駆体の溶液を塗布
すると共に真空中で加熱硬化させ、かつエッチングによ
り第一の絶縁体層を形成する工程と、該第一の絶縁体層
上に導体層をパターン形成する工程と、第一の絶縁体層
及び導体層の上に前記第一の絶縁体層と同様にして第二
の絶縁体層を形成する工程と、第二，第一の絶縁体層を
所望形状にパターン形成し、かつギャップ絶縁体層にお
いて第一の絶縁体層，導体層，第二の絶縁体層を除く表
面を露出させる工程と、ギャップ絶縁体層の露出した面
と第一の絶縁体層，第二の絶縁体層の表面を覆う第二の
磁性体層を形成する工程と、該第二の磁性体層上に保護
層を形成する工程とを有している。
（但し、上記一般式（Ｉ）中、Ｒは のうちから選ばれた少なくとも一種類の基であり、Ar1
は のうちから選ばれた少なくとも一種類の基であり、Ar2
は のうちから選ばれた少なくとも一種類の基であり、ｎは
１〜100である） なお、上記Ｒは が、上記Ar1は がそれぞれ好ましい。
は のうちから選ばれた少なくとも一種類の基であり、Ar2
は のうちから選ばれた少なくとも一種類の基であり、ｎは
１〜100である） なお、上記Ｒは が、上記Ar1は がそれぞれ好ましい。
本発明の特徴は、溶媒に対する溶解性が高い上記一般
式（Ｉ）で表される縮合型ポリイミド前駆体を用いて真
空中で硬化させて絶縁膜を形成する点にある。絶縁膜
は、平坦性に優れ、かつ膜欠陥がない。また、耐熱性も
優れている。
式（Ｉ）で表される縮合型ポリイミド前駆体を用いて真
空中で硬化させて絶縁膜を形成する点にある。絶縁膜
は、平坦性に優れ、かつ膜欠陥がない。また、耐熱性も
優れている。
上記一般式（Ｉ）で表される縮合型ポリイミド前駆体
の溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ベンジ
ルピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の極性溶媒が好
ましく、特に後から述べるスピン塗布を行う場合にはＮ
−メチル−２−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミ
ドが好ましい。ポリイミド前駆体ワニスの通常濃度は10
〜50wt％が良く、更に好ましくは15〜35wt％が良い。10
wt％より濃度がうすいと厚い塗膜が得られにくくなり、
50wt％より濃い濃度になると粘度が高くなり基板面内に
おいて均一な厚さの塗膜が得られにくくなる。真空雰囲
気は、0.1Pa以下が好ましい。
の溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ベンジ
ルピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の極性溶媒が好
ましく、特に後から述べるスピン塗布を行う場合にはＮ
−メチル−２−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミ
ドが好ましい。ポリイミド前駆体ワニスの通常濃度は10
〜50wt％が良く、更に好ましくは15〜35wt％が良い。10
wt％より濃度がうすいと厚い塗膜が得られにくくなり、
50wt％より濃い濃度になると粘度が高くなり基板面内に
おいて均一な厚さの塗膜が得られにくくなる。真空雰囲
気は、0.1Pa以下が好ましい。
［作用］ 絶縁体膜の平坦性が優れているのは、上記一般式
（Ｉ）で表される縮合型ポリイミド前駆体の溶液に対す
る溶解性が高いためである。これは、ポリマの末端に反
応性のない基を導入しているので、熱硬化時に反応する
ことがなく、そのため、平坦性が極めて良好となる。
（Ｉ）で表される縮合型ポリイミド前駆体の溶液に対す
る溶解性が高いためである。これは、ポリマの末端に反
応性のない基を導入しているので、熱硬化時に反応する
ことがなく、そのため、平坦性が極めて良好となる。
絶縁体膜の欠陥がないのは、硬化時の雰囲気を真空と
することにより縮合反応により硬化が進行する際に生成
する縮合水が除去されるためと思われる。
することにより縮合反応により硬化が進行する際に生成
する縮合水が除去されるためと思われる。
真空中で硬化された絶縁体膜の耐熱性が大気中や不活
性ガス雰囲気中での硬化させた絶縁体膜より大幅に向上
するのは、第２図の熱重量分布曲線から説明できる。
性ガス雰囲気中での硬化させた絶縁体膜より大幅に向上
するのは、第２図の熱重量分布曲線から説明できる。
［実施例］ 以下、実施例により本発明を詳細に説明する。
実施例１ 表面に10μｍのアルミナをスパッタリングで堆積した
厚さ4mm,直径３インチのアルミナチタンカーバイトの基
板１上に、２μｍ厚さのパーマロイを基板温度280℃で
スパッタリングによって堆積し、フォトエッチング法で
パターン形成し、第一の磁性体層２−１を形成した。こ
の後、0.5μｍ厚さのアルミナをスパッタリングで堆積
し、フォトエッチング法でパターン形成し、ギャップ絶
縁体層３を形成した。
厚さ4mm,直径３インチのアルミナチタンカーバイトの基
板１上に、２μｍ厚さのパーマロイを基板温度280℃で
スパッタリングによって堆積し、フォトエッチング法で
パターン形成し、第一の磁性体層２−１を形成した。こ
の後、0.5μｍ厚さのアルミナをスパッタリングで堆積
し、フォトエッチング法でパターン形成し、ギャップ絶
縁体層３を形成した。
（但し、Ｒは であり、Ar2は であり、ｎ≒10である） 次に、上式（Ｉ）で表されるポリイミド前駆体のジメ
チルアセトアミド溶液（樹脂分30wt％）を回転塗布し、
10-3〜10-4Paの減圧下で、200℃で30分間、350℃で30分
間かけて加熱硬化した。
チルアセトアミド溶液（樹脂分30wt％）を回転塗布し、
10-3〜10-4Paの減圧下で、200℃で30分間、350℃で30分
間かけて加熱硬化した。
硬化膜はヒドラジン・ヒドラート系の（ヒドラジン・
ヒドラート）／（エチレンジアミン）＝7/3（容積比）
のエッチング液を用いたフォトエッチング法で、膜厚1.
5μｍの所定のパターンを形成し、第一の絶縁体層４−
１を形成した。
ヒドラート）／（エチレンジアミン）＝7/3（容積比）
のエッチング液を用いたフォトエッチング法で、膜厚1.
5μｍの所定のパターンを形成し、第一の絶縁体層４−
１を形成した。
次に、この第一の絶縁体層４−１上に厚さ1.5μｍの
銅をスパッタリングにより堆積し、フォトエッチング法
でパターン化し、導体５を形成した。その後、第一の絶
縁体層４−１と同様にして、厚さ４μｍの第二の絶縁体
層４−２を堆積した。
銅をスパッタリングにより堆積し、フォトエッチング法
でパターン化し、導体５を形成した。その後、第一の絶
縁体層４−１と同様にして、厚さ４μｍの第二の絶縁体
層４−２を堆積した。
しかる後、第二の絶縁体層４−2,第一の絶縁体層４−
１の不要部分をエッチングし、第１図に示す如くパター
ン形成することにより、ギャップ絶縁体層３において第
一の絶縁体層４−1,導体5,第二の絶縁体層４−２を除く
表面を露出させる。
１の不要部分をエッチングし、第１図に示す如くパター
ン形成することにより、ギャップ絶縁体層３において第
一の絶縁体層４−1,導体5,第二の絶縁体層４−２を除く
表面を露出させる。
更に、ギャップ絶縁体層３の露出した表面と、第一の
絶縁体層４−1,第二の絶縁体層４−２の表面とに、第一
の磁性体層２−１と同様にして厚さ２μｍの第二の磁性
体層２−２を形成する。そして最後に、第二の磁性体層
２−２の表面に30μｍ厚さのアルミナをスパッタリング
により堆積し、保護層６を形成して薄膜磁気ヘッドを構
成する。
絶縁体層４−1,第二の絶縁体層４−２の表面とに、第一
の磁性体層２−１と同様にして厚さ２μｍの第二の磁性
体層２−２を形成する。そして最後に、第二の磁性体層
２−２の表面に30μｍ厚さのアルミナをスパッタリング
により堆積し、保護層６を形成して薄膜磁気ヘッドを構
成する。
このようにして製造した薄膜磁気ヘッドにおいては、
溶媒に対し溶解性の高い上記一般式（Ｉ）で表される縮
合型ポリイミド前駆体を用い、これを真空中で加熱硬化
させることによって第一，第二の絶縁体層４−1,4−２
を形成するので、これら絶縁体層が平坦性に優れる。し
かも、第一，第二の絶縁体層４−1,4−２がポリマの末
端に反応性のない基を導入するので、熱硬化時に反応す
ることがなく、従って、良好な平坦面（うねり高さ0.10
μｍ以下）を形成することができる。そのため、第二の
磁性体層２−２が極めて平坦な面を有するので、透磁率
が高く、磁気特性が非常に良好な薄膜磁気ヘッドを得る
ことができた。
溶媒に対し溶解性の高い上記一般式（Ｉ）で表される縮
合型ポリイミド前駆体を用い、これを真空中で加熱硬化
させることによって第一，第二の絶縁体層４−1,4−２
を形成するので、これら絶縁体層が平坦性に優れる。し
かも、第一，第二の絶縁体層４−1,4−２がポリマの末
端に反応性のない基を導入するので、熱硬化時に反応す
ることがなく、従って、良好な平坦面（うねり高さ0.10
μｍ以下）を形成することができる。そのため、第二の
磁性体層２−２が極めて平坦な面を有するので、透磁率
が高く、磁気特性が非常に良好な薄膜磁気ヘッドを得る
ことができた。
また、ポリイミド前駆体を真空中で硬化させるので、
縮合反応により硬化が進行する際に生成する縮合水を除
去でき、第一，第二の絶縁体層４−1,4−２に膜膨れが
発生するのを防止することができ、膜膨れ等の膜欠陥が
ない。これに加え、第一，第二の絶縁体層４−1,4−２
は、第２図に示すように、窒素ガス雰囲気中で硬化させ
たものに比較巣すると、耐熱性がすぐれ、磁性体層等を
スパッタリングする際に加わる熱で変質しないため、基
板加熱温度を上げることが出来、磁気特性を向上させる
ことが可能となった。
縮合反応により硬化が進行する際に生成する縮合水を除
去でき、第一，第二の絶縁体層４−1,4−２に膜膨れが
発生するのを防止することができ、膜膨れ等の膜欠陥が
ない。これに加え、第一，第二の絶縁体層４−1,4−２
は、第２図に示すように、窒素ガス雰囲気中で硬化させ
たものに比較巣すると、耐熱性がすぐれ、磁性体層等を
スパッタリングする際に加わる熱で変質しないため、基
板加熱温度を上げることが出来、磁気特性を向上させる
ことが可能となった。
以上は１ターンコイル磁気ヘッドの場合であるが、多
層マルチターン磁気ヘッドは第二絶縁体層４−２上に導
体５と絶縁体層４−２を繰り返し形成して製造すること
ができる。第一，第二絶縁体層４−1,4−２のパターニ
ングは、上記ヒドラジン・ヒドラート系のエッチング液
を用いる以外に酸素プラズマでパターニングを行っても
よい。
層マルチターン磁気ヘッドは第二絶縁体層４−２上に導
体５と絶縁体層４−２を繰り返し形成して製造すること
ができる。第一，第二絶縁体層４−1,4−２のパターニ
ングは、上記ヒドラジン・ヒドラート系のエッチング液
を用いる以外に酸素プラズマでパターニングを行っても
よい。
実施例２ この実施例では、基本的には前記実施例１の場合と同
様にして薄膜磁気ヘッドを製造した。その場合、ポリイ
ミド前駆体ワニスにおいて、前記一般式（Ｉ）のR,Ar1,
Ar2,および溶媒として、次頁の第１表のNo1〜No8にて示
すものを用いることにより、８種類のものを製作した。
様にして薄膜磁気ヘッドを製造した。その場合、ポリイ
ミド前駆体ワニスにおいて、前記一般式（Ｉ）のR,Ar1,
Ar2,および溶媒として、次頁の第１表のNo1〜No8にて示
すものを用いることにより、８種類のものを製作した。
これら８種類のポリイミド前駆体ワニスを製作したと
ころ、第一，第二の絶縁体層４−1,4−２の平坦性が良
好となることにより、第二の磁性体層２−２が極めて平
坦となり、またそれら絶縁体層４−1,4−２に膜膨れが
何等発生せず、実施例１と同様に非常に良好な結果が得
られた。
ころ、第一，第二の絶縁体層４−1,4−２の平坦性が良
好となることにより、第二の磁性体層２−２が極めて平
坦となり、またそれら絶縁体層４−1,4−２に膜膨れが
何等発生せず、実施例１と同様に非常に良好な結果が得
られた。
次に、上記種々の実施例の効果を確認するため、次の
ような例と比較してみた。
ような例と比較してみた。
比較例 付加反応型ポリイミド前駆体（ガルフ・オイル・ケミ
カル・カンパニ製、商品名「サーミッド600」）をジメ
チルアセトアミドに溶解（樹脂分15wt％）し、実施例１
と同様に薄膜磁気ヘッドの絶縁体層を形成したところ、
不溶分があるため、均質な塗膜が得られず、磁気特性が
劣っていた。
カル・カンパニ製、商品名「サーミッド600」）をジメ
チルアセトアミドに溶解（樹脂分15wt％）し、実施例１
と同様に薄膜磁気ヘッドの絶縁体層を形成したところ、
不溶分があるため、均質な塗膜が得られず、磁気特性が
劣っていた。
また、第１表のNo1の縮合重合型ポリイミド前駆体を
溶媒に溶解し、雰囲気を大気中とした以外は実施例１と
同様に薄膜磁気ヘッドの絶縁体層を形成した。これによ
れば、硬化の際に生成する水分が除去されないので、絶
縁体層にふくれが起こり、膜欠陥が生じた。磁気特性も
劣ってい。従って、硬化時の雰囲気が大気中では、硬化
する際に生成する縮合水が除去されないので、実施例の
ように絶縁体膜の欠陥がないものを形成することができ
なかった。
溶媒に溶解し、雰囲気を大気中とした以外は実施例１と
同様に薄膜磁気ヘッドの絶縁体層を形成した。これによ
れば、硬化の際に生成する水分が除去されないので、絶
縁体層にふくれが起こり、膜欠陥が生じた。磁気特性も
劣ってい。従って、硬化時の雰囲気が大気中では、硬化
する際に生成する縮合水が除去されないので、実施例の
ように絶縁体膜の欠陥がないものを形成することができ
なかった。
［発明の効果］ 以上述べたように、本発明によれば、溶媒に対する溶
解性の高い縮合型ポリイミド前駆体を用い、これを真空
中で加熱硬化させることにより第一，第二の絶縁体層を
形成する工程を有するので、絶縁体層が平坦性に優れ、
しかも該第一，第二の絶縁体層がポリマの末端に反応性
のない基を導入し、熱硬化時に反応することがないこと
から、極めて平坦な面を形成することができ、また第
一，第二の絶縁体層の硬化時の雰囲気を真空とすること
により、硬化が進行する際に生成する縮合水を除去で
き、第一，第二の絶縁体層に膜膨れ等の膜欠陥が発生す
るのを防止することができ、さらに絶縁体層の耐熱性が
大気中や不活性ガス雰囲気中での硬化させた絶縁体膜よ
り大幅に向上することができ、従って、信頼性の高い薄
膜磁気ヘッドが得られる効果がある。
解性の高い縮合型ポリイミド前駆体を用い、これを真空
中で加熱硬化させることにより第一，第二の絶縁体層を
形成する工程を有するので、絶縁体層が平坦性に優れ、
しかも該第一，第二の絶縁体層がポリマの末端に反応性
のない基を導入し、熱硬化時に反応することがないこと
から、極めて平坦な面を形成することができ、また第
一，第二の絶縁体層の硬化時の雰囲気を真空とすること
により、硬化が進行する際に生成する縮合水を除去で
き、第一，第二の絶縁体層に膜膨れ等の膜欠陥が発生す
るのを防止することができ、さらに絶縁体層の耐熱性が
大気中や不活性ガス雰囲気中での硬化させた絶縁体膜よ
り大幅に向上することができ、従って、信頼性の高い薄
膜磁気ヘッドが得られる効果がある。
第１図は薄膜磁気ヘッドの部分断面図、第２図はポリイ
ミド前駆体を加熱硬化する雰囲気のポリイミドの耐熱性
に及ぼす影響を示す説明図である。 １……基板、２−１……第一の磁性体層、２−２……第
二の磁性体層、３……ギャップ絶縁体層、４−１……第
一の絶縁体層、４−２……第二の絶縁体層、５……導
体、６……保護層。
ミド前駆体を加熱硬化する雰囲気のポリイミドの耐熱性
に及ぼす影響を示す説明図である。 １……基板、２−１……第一の磁性体層、２−２……第
二の磁性体層、３……ギャップ絶縁体層、４−１……第
一の絶縁体層、４−２……第二の絶縁体層、５……導
体、６……保護層。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に第一磁性体層，ギャップ絶縁体
層，第一絶縁体層，導体層，第二絶縁体層，第二磁性体
層及び保護層を順次積層する薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、基板上に第一の磁性体層をパターン形成する
工程と、該第一の磁性体層上にギャップ絶縁体層をパタ
ーン形成する工程と、該ギャップ絶縁体層上に、下記一
般式（Ｉ）で表される縮合型ポリイミド前駆体の溶液を
塗布すると共に真空中で加熱硬化させ、かつエッチング
により第一の絶縁体層を形成する工程と、該第一の絶縁
体層上に導体層をパターン形成する工程と、第一の絶縁
体層及び導体層の上に前記第一の絶縁体層と同様にして
第二の絶縁体層を形成する工程と、第二，第一の絶縁体
層を所望形状にパターン形成し、かつギャップ絶縁体層
において第一の絶縁体層，導体層，第二の絶縁体層を除
く表面を露出させる工程と、ギャップ絶縁体層の露出し
た面と第一の絶縁体層，第二の絶縁体層の表面を覆う第
二の磁性体層を形成する工程と、該第二の磁性体層上に
保護層を形成する工程とを有することを特徴とする薄膜
磁気ヘッドの製造方法。 （但し、上記一般式（Ｉ）中、Ｒは のうちから選ばれた少なくとも一種類の基であり、Ar1
は のうちから選ばれた少なくとも一種類の基であり、Ar2
は のうちから選ばれた少なくとも一種類の基であり、ｎは
１〜100である）
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2044787A JPH0827913B2 (ja) | 1987-02-02 | 1987-02-02 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| US07/149,560 US4824731A (en) | 1987-02-02 | 1988-01-28 | Thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2044787A JPH0827913B2 (ja) | 1987-02-02 | 1987-02-02 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63188814A JPS63188814A (ja) | 1988-08-04 |
| JPH0827913B2 true JPH0827913B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=12027311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2044787A Expired - Lifetime JPH0827913B2 (ja) | 1987-02-02 | 1987-02-02 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4824731A (ja) |
| JP (1) | JPH0827913B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2597706B2 (ja) * | 1989-03-28 | 1997-04-09 | 株式会社日立製作所 | 耐熱性接着剤 |
| US5851681A (en) * | 1993-03-15 | 1998-12-22 | Hitachi, Ltd. | Wiring structure with metal wiring layers and polyimide layers, and fabrication process of multilayer wiring board |
| US6088204A (en) * | 1994-12-01 | 2000-07-11 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive magnetic recording head with permalloy sensor layer deposited with substrate heating |
| US6375892B2 (en) | 1997-08-27 | 2002-04-23 | Alliance Systems, Inc. | Method for gas assist injection molding |
| US20090184347A1 (en) * | 2006-05-24 | 2009-07-23 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Coating liquid for gate insulating film, gate insulating film and organic transistor |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5850617A (ja) * | 1981-09-18 | 1983-03-25 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS60133513A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-16 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS60143431A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-29 | Alps Electric Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS60152523A (ja) * | 1984-01-19 | 1985-08-10 | Toray Ind Inc | 水不要性直描用平版材の画像形成用液 |
| IT1200100B (it) * | 1984-08-22 | 1989-01-05 | Sandoz Ag | Composizione a base di esteri parziali dell'acido fosforico, impiegabili per l'ingrasso in mezzo acquoso delle pelli conciate |
| JPS61126606A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-14 | Alps Electric Co Ltd | 垂直磁気記録用磁気ヘツド |
| US4686147A (en) * | 1985-02-18 | 1987-08-11 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head and method of producing the same |
-
1987
- 1987-02-02 JP JP2044787A patent/JPH0827913B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-01-28 US US07/149,560 patent/US4824731A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4824731A (en) | 1989-04-25 |
| JPS63188814A (ja) | 1988-08-04 |
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