JPS60101805A - 配線構造体の成形方法 - Google Patents
配線構造体の成形方法Info
- Publication number
- JPS60101805A JPS60101805A JP20907183A JP20907183A JPS60101805A JP S60101805 A JPS60101805 A JP S60101805A JP 20907183 A JP20907183 A JP 20907183A JP 20907183 A JP20907183 A JP 20907183A JP S60101805 A JPS60101805 A JP S60101805A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductor
- forming
- wiring structure
- insulator layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は配線構造体の成形方法に関する。
近年、薄膜プロセスに工って成形さnる電子部品におい
てはパターンの微細化が進むとともに、何層にも積層し
てパターンを成形する多層化の要求がある。この要求に
対処するためには下地の凹凸を平坦化する技術が必要で
ある。この要求に対して従来かも絶縁体層に有機高分子
化合物を用いる方法が知られている。例えば縮合型ポリ
イミドは半導体素子の多層配線用の層間絶縁膜として使
われている。これは縮合型ポリイミドが優nた種々の性
質(例えば、刀ロエ性、耐熱性、電気的特性機械的性質
)を待っているためである。
てはパターンの微細化が進むとともに、何層にも積層し
てパターンを成形する多層化の要求がある。この要求に
対処するためには下地の凹凸を平坦化する技術が必要で
ある。この要求に対して従来かも絶縁体層に有機高分子
化合物を用いる方法が知られている。例えば縮合型ポリ
イミドは半導体素子の多層配線用の層間絶縁膜として使
われている。これは縮合型ポリイミドが優nた種々の性
質(例えば、刀ロエ性、耐熱性、電気的特性機械的性質
)を待っているためである。
ところが最近になって、さらに高精度な平坦化が磁気へ
づドの分野で要求されるようになった。
づドの分野で要求されるようになった。
また、半導体の分野でも2層以上多層化する場合や微細
化がさらに進むと平坦化に対する要求が非常に厳しいも
のとなる。
化がさらに進むと平坦化に対する要求が非常に厳しいも
のとなる。
このような要求に対しては前記した縮合型ポリイミドで
はもはや対処できなくなってきた。すな・ 3 ・ ゎち第1図に示すように、基板1上に導体層2を形成し
、この導体層2の上に縮合型ポリイミドを塗布、硬化し
てポリイミド絶縁体層3を形成して配線構造体を成形し
た場合、基板1上に形成された配線2の段差によって、
この導体層2を被覆するポリイミド絶縁体層3は導体層
2の上と、導体層2の間の基板1の上とで同じ高さにな
らず、ポリイミド絶縁体層3の表面にうねりを生ずると
いう欠点があった。
はもはや対処できなくなってきた。すな・ 3 ・ ゎち第1図に示すように、基板1上に導体層2を形成し
、この導体層2の上に縮合型ポリイミドを塗布、硬化し
てポリイミド絶縁体層3を形成して配線構造体を成形し
た場合、基板1上に形成された配線2の段差によって、
この導体層2を被覆するポリイミド絶縁体層3は導体層
2の上と、導体層2の間の基板1の上とで同じ高さにな
らず、ポリイミド絶縁体層3の表面にうねりを生ずると
いう欠点があった。
このため、この絶縁体層3の上に例えば磁性膜を形成す
ると磁性膜自体もうねりを生じ、磁気特性が低下すると
いう問題点があった。また、例えば半導体装置の微細な
多層配線を行う場合、7オトリングラフイー技術を適用
する際の大きな問題点となっていた。すなわち、フォト
リングラフイーは一般に7オトレジストをスビンコー)
1.、m−x、現sしてエヅチングレジストのパターン
ヲ得るのであるが、段差の四部ではフォトレジストは厚
く、凸部では逆に薄くなり均一な露光条件が得らルない
ため、同一線幅のレジストパターンが必、4 。
ると磁性膜自体もうねりを生じ、磁気特性が低下すると
いう問題点があった。また、例えば半導体装置の微細な
多層配線を行う場合、7オトリングラフイー技術を適用
する際の大きな問題点となっていた。すなわち、フォト
リングラフイーは一般に7オトレジストをスビンコー)
1.、m−x、現sしてエヅチングレジストのパターン
ヲ得るのであるが、段差の四部ではフォトレジストは厚
く、凸部では逆に薄くなり均一な露光条件が得らルない
ため、同一線幅のレジストパターンが必、4 。
要な場合でも不要に狭い部分や逆に不要に幅広い部分が
生じ、多層の微細パターンの形成は非常に困難であった
。
生じ、多層の微細パターンの形成は非常に困難であった
。
本出願に係る第1の発明は、きわめて平坦な絶縁体層を
有する配線構造体の成形方法を提供することを目的とす
る。
有する配線構造体の成形方法を提供することを目的とす
る。
本出願に係る第2の発明は、きわめて平坦な絶縁体層を
有する多層の配線構造体の成形方法を提供することを目
的とする。
有する多層の配線構造体の成形方法を提供することを目
的とする。
本出願に係る第1の発明は、所定のパターンを有する導
体層を基板上に形成し、次いで、前記導体層上に、所定
のパターンを有する絶縁体1−を形成して成形する配線
構造体において、下記(A)又は(B)なる一般式で表
わされる化合物を用いて前記絶縁体層を形成することを
特徴とする。この発明によれば、きわめて平坦な絶縁体
層を有する配線構造体を成形することができる。
体層を基板上に形成し、次いで、前記導体層上に、所定
のパターンを有する絶縁体1−を形成して成形する配線
構造体において、下記(A)又は(B)なる一般式で表
わされる化合物を用いて前記絶縁体層を形成することを
特徴とする。この発明によれば、きわめて平坦な絶縁体
層を有する配線構造体を成形することができる。
本出願に係る第2の発明は、所定のパターンを有する導
体層を基板上に形成し、次いで、前記導体層上に、所定
のパターンを有する絶縁体層を形成し、ざらに、前記絶
縁体層上に、所定のパターンを有する導体層および絶縁
体層を繰り返f)積層し、複数層の導体層を形成して成
形する配線構造体において、下記[A)又は〔B〕なる
一般式で表わされる化合物を用いて前記絶縁体層を形成
することを特徴とする。この発明にょ几ば、きわめて平
坦な絶縁体層を有する多層の配線構造体を成形すること
ができる。
体層を基板上に形成し、次いで、前記導体層上に、所定
のパターンを有する絶縁体層を形成し、ざらに、前記絶
縁体層上に、所定のパターンを有する導体層および絶縁
体層を繰り返f)積層し、複数層の導体層を形成して成
形する配線構造体において、下記[A)又は〔B〕なる
一般式で表わされる化合物を用いて前記絶縁体層を形成
することを特徴とする。この発明にょ几ば、きわめて平
坦な絶縁体層を有する多層の配線構造体を成形すること
ができる。
〔ル゛]
リ U 開3 U
CB〕
表わし、H=1〜10である。)
上記〔八〕又はCB+なる一般式で表ゎさルる化合物を
用いて絶縁体層を形成するには、たとえば該化合物の浴
液を、導体層が設けられた基板上に塗布すルば工い。
用いて絶縁体層を形成するには、たとえば該化合物の浴
液を、導体層が設けられた基板上に塗布すルば工い。
絶縁体層の成形は、たとえば、上記塗布膜を訓熱処理し
て化合物を溶融、流動化さぞ下地導体層の凹凸を平坦化
し、さらに、刀Ω熱を行うことにょ・ 7 ・ って行なう。
て化合物を溶融、流動化さぞ下地導体層の凹凸を平坦化
し、さらに、刀Ω熱を行うことにょ・ 7 ・ って行なう。
本出願に係る発明に用いる化合物は、融解温度と架橋温
度の間に実質的に作業できる程度の温度差かあり、しか
も、架橋して高分子量のポリマを与える反応基金木端に
有している。該化合物のnは1〜10であり、nが11
9小さいと形成時に粉が析出する。nが10を超えると
溶媒不溶となり絶縁層の形成かできない。
度の間に実質的に作業できる程度の温度差かあり、しか
も、架橋して高分子量のポリマを与える反応基金木端に
有している。該化合物のnは1〜10であり、nが11
9小さいと形成時に粉が析出する。nが10を超えると
溶媒不溶となり絶縁層の形成かできない。
まず本出願に係る第1の発明の実施例を第2図に基でき
実施例1〜実施例4として説明する。
実施例1〜実施例4として説明する。
実施例 1
纂2図を参照して、単一層の導体パターンを平坦化した
配線構造体について説明する。
配線構造体について説明する。
基板1の全面に約2μmの層厚さの導体層を蒸着により
堆積しくスパッタリングによって堆積しても同じ効果を
得た)、フォトエヴチング技法を用いて線幅8μm、線
間隔4μmの導体層2の導体パターンを形成した(この
配線パターンはめっき技法を用いて行っても同じ効果を
得た)。次に、・ 8 ・ 下記一般式〔A1〕に示す数平均分子量が約3000の
オリゴマのN−メチル−2−ピロリドン溶液(濃度40
1量%〕を回転盆石、次いで200℃で50分間、さら
にN2雰囲気千300℃で30分間熱処理して、層厚さ
4μmの絶縁体層4を形成した。
堆積しくスパッタリングによって堆積しても同じ効果を
得た)、フォトエヴチング技法を用いて線幅8μm、線
間隔4μmの導体層2の導体パターンを形成した(この
配線パターンはめっき技法を用いて行っても同じ効果を
得た)。次に、・ 8 ・ 下記一般式〔A1〕に示す数平均分子量が約3000の
オリゴマのN−メチル−2−ピロリドン溶液(濃度40
1量%〕を回転盆石、次いで200℃で50分間、さら
にN2雰囲気千300℃で30分間熱処理して、層厚さ
4μmの絶縁体層4を形成した。
このように形成した絶縁体層の上面のうねり高さは0.
15μm以下という良好な平坦面を有していた。
15μm以下という良好な平坦面を有していた。
こルは絶縁体@を形成する前の導体層2による表面凹凸
の7.5%以下の値である。
の7.5%以下の値である。
〔A1〕
実施例 2
本実A ?1lic Bいては、複数層の導体パターン
を平坦化した配線構造体を成形した例について説明する
。
を平坦化した配線構造体を成形した例について説明する
。
実施例1と全く同様にして、第2図に示す単一層の配線
構造体を成形した。次に絶縁体@4上に、ここには図示
しないが、実施例1と同様にして導体層2のパターンを
形成し、次いで絶縁体層4を形成して2層の配線構造体
を成形した。このようにして形成した上部の絶縁体層の
上面のうねυ高ざは[L2μm以下であった。また、上
部の導体を蒸N(あるいはスパダタリング)した後の絶
縁体層の表面にふくれやクラ・lりは認められず、蒸着
Cあるいはスバ・ツタリング)プロセスに十分耐工らn
ることを確認した。
構造体を成形した。次に絶縁体@4上に、ここには図示
しないが、実施例1と同様にして導体層2のパターンを
形成し、次いで絶縁体層4を形成して2層の配線構造体
を成形した。このようにして形成した上部の絶縁体層の
上面のうねυ高ざは[L2μm以下であった。また、上
部の導体を蒸N(あるいはスパダタリング)した後の絶
縁体層の表面にふくれやクラ・lりは認められず、蒸着
Cあるいはスバ・ツタリング)プロセスに十分耐工らn
ることを確認した。
実施例3
実施例1と同様にして、単一層の導体パターンを平坦化
した配線構造体を成形した。ただし、絶縁体層は下記一
般式〔A2〕に示す数平均分子tが約3000のオ11
ゴマを用いて形成した。すなわちオリゴマのN−メチル
−2−ピロリドン溶fi(濃度40重量%)を回転塗布
、次いで200℃で30分間、さらにN2雰囲気中、3
00℃で30分間熱、11 処理して層厚さ4μmの絶縁体層を形成した。このよう
にして形成した絶縁体層の上面のうねり高享は0.2μ
m以下であった。
した配線構造体を成形した。ただし、絶縁体層は下記一
般式〔A2〕に示す数平均分子tが約3000のオ11
ゴマを用いて形成した。すなわちオリゴマのN−メチル
−2−ピロリドン溶fi(濃度40重量%)を回転塗布
、次いで200℃で30分間、さらにN2雰囲気中、3
00℃で30分間熱、11 処理して層厚さ4μmの絶縁体層を形成した。このよう
にして形成した絶縁体層の上面のうねり高享は0.2μ
m以下であった。
〔八2〕
H
実施例 4
実施例1と同様にして、単一層の導体パターンを平坦化
した配線構造体を成形した。ただし、絶縁体層は下記の
一般式〔A3〕に示す数平均分子量が約2000のオリ
ゴマを用いて形成した。丁なわち、オリゴマiN、N−
ジメチルアセトアミドに溶膿して45重量%の溶gにし
て、回転塗布、次いで200℃で30分間、さらにN2
雰曲気甲、600℃で30分間熱処理して層厚さ4μm
の絶、12゜ 縁体層を形成した。このようにして形成した絶縁体層上
面のうねり高さは0.2μm以下であった。
した配線構造体を成形した。ただし、絶縁体層は下記の
一般式〔A3〕に示す数平均分子量が約2000のオリ
ゴマを用いて形成した。丁なわち、オリゴマiN、N−
ジメチルアセトアミドに溶膿して45重量%の溶gにし
て、回転塗布、次いで200℃で30分間、さらにN2
雰曲気甲、600℃で30分間熱処理して層厚さ4μm
の絶、12゜ 縁体層を形成した。このようにして形成した絶縁体層上
面のうねり高さは0.2μm以下であった。
〔A3〕
HCミCC
←たたし l(1は 、n=+−i〜i0である。)次
に不出願に係る第2の発明の実施例を第3図に基づいて
実施例5〜実施例7として説明する。
に不出願に係る第2の発明の実施例を第3図に基づいて
実施例5〜実施例7として説明する。
実施例 5
第3図を参照して、不実施例の薄膜磁気へヴドの導体コ
イルの成形について説明する。
イルの成形について説明する。
セラミヴク基板5の全面に平坦な下地膜6を形成した。
この下地膜6上に2μmの厚さのパーマロイにスバ・ツ
タリングで堆積し、フォトエツチング技法によってパタ
ーン形成し、下部磁性体層7を形成した。次にギヤー1
1スペーサとして約1μmの厚さの無機絶縁膜(例えば
A1205)8をスパッタリングで堆積し、フォトエツ
チング技法によってパターン化した。その上に100O
AのCr+1.5μmのCu、1000にのcrを順次
蒸着しくスパッタリングでも同じ効果を得た)、7tト
エヴチング技法によって線幅8μm、線間隔4μlll
IC/(ターン化し、第1@導体コイル9を形成した。
タリングで堆積し、フォトエツチング技法によってパタ
ーン形成し、下部磁性体層7を形成した。次にギヤー1
1スペーサとして約1μmの厚さの無機絶縁膜(例えば
A1205)8をスパッタリングで堆積し、フォトエツ
チング技法によってパターン化した。その上に100O
AのCr+1.5μmのCu、1000にのcrを順次
蒸着しくスパッタリングでも同じ効果を得た)、7tト
エヴチング技法によって線幅8μm、線間隔4μlll
IC/(ターン化し、第1@導体コイル9を形成した。
次に、実施例1で用い−fCものと全く同じオリゴマの
40重量%溶液を塗布1次いで200℃で30分間、ざ
らにN2雰曲気甲、350℃で30分間加熱処理して層
厚さ3μmの第1絶縁体層10を形成し友。
40重量%溶液を塗布1次いで200℃で30分間、ざ
らにN2雰曲気甲、350℃で30分間加熱処理して層
厚さ3μmの第1絶縁体層10を形成し友。
次に第1層導体コイル9と同様に約1.7μmの厚さの
第2導体コイル11を、また第1絶縁体層10と同様に
して約3μmの厚さの第2絶縁体層12を順次形成した
。
第2導体コイル11を、また第1絶縁体層10と同様に
して約3μmの厚さの第2絶縁体層12を順次形成した
。
以上の工すにして構成した基板全面に2μmの厚すのパ
ーマロイをスパダタリングで堆積し、フォトエツチング
技法に工ってパターン化し、上部磁性体層」6と、した
。
ーマロイをスパダタリングで堆積し、フォトエツチング
技法に工ってパターン化し、上部磁性体層」6と、した
。
このよりに成形して得られた第2絶縁体層12の上面の
つねり高さは0.2μm以下であり、磁気ヘッドの磁気
特性は満足すべPものであった。
つねり高さは0.2μm以下であり、磁気ヘッドの磁気
特性は満足すべPものであった。
実施例 6
実施例5と同種にして、薄膜磁気へ−lドの導体コイル
を成形した。ただし、絶縁体層は実施例4で用いたもの
と全く同じオリゴマを用いた。すなわち、第1絶縁体層
および第2絶縁体層は次の工うにして形成し友。まず、
オリゴマの45重′jjky;の溶液をm石、次いで2
00℃で30分間、さらにN2雰曲気甲、350℃で3
0分間熱処理して層厚づ3μmの絶縁体層全形成した。
を成形した。ただし、絶縁体層は実施例4で用いたもの
と全く同じオリゴマを用いた。すなわち、第1絶縁体層
および第2絶縁体層は次の工うにして形成し友。まず、
オリゴマの45重′jjky;の溶液をm石、次いで2
00℃で30分間、さらにN2雰曲気甲、350℃で3
0分間熱処理して層厚づ3μmの絶縁体層全形成した。
この工うにして形成した第2絶縁体層の上面のうねり高
さは0.2μm以下であV%磁気へ・Iドの磁気特性は
満足すべきものであった。
さは0.2μm以下であV%磁気へ・Iドの磁気特性は
満足すべきものであった。
実施例 7
実施例5と同様にして、薄膜磁気へ・Iドの導体コイル
を形成した。ただし、絶縁体層を工実施例3で用いたも
のと全く同じオリゴマを用いた。すなわち第1絶縁体層
および第2絶縁体層は次の工すにして形成した。まず、
オリゴマの40i1(t%の溶液を塗布、次いで200
℃で30分間、さらにN2雰囲気甲、300℃で30分
間熱処理して層厚さ3μmの絶縁体層を形成した。
を形成した。ただし、絶縁体層を工実施例3で用いたも
のと全く同じオリゴマを用いた。すなわち第1絶縁体層
および第2絶縁体層は次の工すにして形成した。まず、
オリゴマの40i1(t%の溶液を塗布、次いで200
℃で30分間、さらにN2雰囲気甲、300℃で30分
間熱処理して層厚さ3μmの絶縁体層を形成した。
このよりにして形成した第2絶縁体層の上面のうねり高
さは0.2μm以下であり、磁気へヴドの磁気特性は満
足すべきものであった。
さは0.2μm以下であり、磁気へヴドの磁気特性は満
足すべきものであった。
ちなみに、従来技術に2いて、第1図の基板1全面に約
2μmの厚さの導体を蒸着して堆積し、フォトエづチン
グ技法を用いて、線幅8μm、線間隔4μmの配線パタ
ーンを形成し、次いでこの配線パターンに縮合型ポリイ
ミド(例えば米国デュポン社製、商品名バイラリン)を
塗布、刀n熱処理し、4μmの厚さの絶縁体層3を形成
したところ、絶縁体層3の上面のりねり高さは0.5μ
m以上あり、そのうねり高さは、実施例1〜7の場合に
比べて2.5倍以上であった。
2μmの厚さの導体を蒸着して堆積し、フォトエづチン
グ技法を用いて、線幅8μm、線間隔4μmの配線パタ
ーンを形成し、次いでこの配線パターンに縮合型ポリイ
ミド(例えば米国デュポン社製、商品名バイラリン)を
塗布、刀n熱処理し、4μmの厚さの絶縁体層3を形成
したところ、絶縁体層3の上面のりねり高さは0.5μ
m以上あり、そのうねり高さは、実施例1〜7の場合に
比べて2.5倍以上であった。
本出願に係る第1の発明によれば、絶縁体層が高精度に
平坦化さt′L、た配線構造体が得ら几る。
平坦化さt′L、た配線構造体が得ら几る。
本出願に係る第2の発明によれば、絶縁体層が高精度に
平坦化された多層の配線構造体が得られ Io Q る。従って微細なパターンを形成するフォトリソグラフ
ィーの操作か有利になるとともに、何層に4a層した豆
体配線講造体の製造が可能になった。
平坦化された多層の配線構造体が得られ Io Q る。従って微細なパターンを形成するフォトリソグラフ
ィーの操作か有利になるとともに、何層に4a層した豆
体配線講造体の製造が可能になった。
特に、薄膜磁気へりドを構成した場合に、上部磁性体層
に不要な凹凸を作らないので磁気回路的に有効であり、
優れた効果を奏する。
に不要な凹凸を作らないので磁気回路的に有効であり、
優れた効果を奏する。
なお、当然のことではあるが%本出願に係る発明の範囲
は前記した実施例によって限定されるものではない。
は前記した実施例によって限定されるものではない。
第1図は従来例の単層の導体を有する配線構造体の断面
図である。 第2図は本発明の一実施例の単層の導体を有する配置f
M構造体の断面図である。 第3図は本発明の他の実施例の薄膜磁気ヘッドの例の複
数層の導体を有する配線構造体の断面図である。 1・・・基板、2・・・導体層%3・・・絶縁体層、4
・・・絶縁体層、5・・・基板(セラミ・ツク基板)、
6・・・下地膜、7・・・下部磁性体層、8・・・無機
絶縁膜、9・・・導、16 。 体層(第1層導体コイル)、10・・・絶縁体層。 11・・・導体層(第2層導体コイル)、12・・・絶
縁体層、13・・・土部磁性体層。 代理人弁理士 高欄 明 天 十 1 図 才?図 才3図
図である。 第2図は本発明の一実施例の単層の導体を有する配置f
M構造体の断面図である。 第3図は本発明の他の実施例の薄膜磁気ヘッドの例の複
数層の導体を有する配線構造体の断面図である。 1・・・基板、2・・・導体層%3・・・絶縁体層、4
・・・絶縁体層、5・・・基板(セラミ・ツク基板)、
6・・・下地膜、7・・・下部磁性体層、8・・・無機
絶縁膜、9・・・導、16 。 体層(第1層導体コイル)、10・・・絶縁体層。 11・・・導体層(第2層導体コイル)、12・・・絶
縁体層、13・・・土部磁性体層。 代理人弁理士 高欄 明 天 十 1 図 才?図 才3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 所定のパターンを有する導体層を基板上に形成し
、次いで、前記導体層上に、所定のパターンを有する絶
縁体層を形成して成形する配fli!構造体にpいて、
下記LA)又は(BJなる一般式で表わさルる化合物を
用いて前記絶縁体層を形成することを特徴とする配#構
造体の成形方法。 (Al θH 0 1050へ匡)′を表わし、n==1〜10である。)
2、 所定のパターンを有する導体層を基板上に形成し
、次いで前記導体層上に、所定のパターンを有する絶線
体層全形成し、さらに、前記絶縁体層上に、所定のパタ
ーンを有する導体層2工び絶線体層を繰り返し積層し、
複数層の導体層を形成して成形する配線構造体に2いて
、下記CAI又は〔BJなる一般式で表ゎさf′L、る
化合vlを用いて前記絶縁体層を形成することを特徴と
する配線構造体の成形方法。 CA) “←°′0′二。−≧d叫◎′−〇パ (J2 1 OH である。) (B) を表わし、n=1〜1oである。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20907183A JPS60101805A (ja) | 1983-11-09 | 1983-11-09 | 配線構造体の成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20907183A JPS60101805A (ja) | 1983-11-09 | 1983-11-09 | 配線構造体の成形方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60101805A true JPS60101805A (ja) | 1985-06-05 |
Family
ID=16566767
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20907183A Pending JPS60101805A (ja) | 1983-11-09 | 1983-11-09 | 配線構造体の成形方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60101805A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60180197A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-13 | 宇部興産株式会社 | 多層プリント配線板の製造方法 |
-
1983
- 1983-11-09 JP JP20907183A patent/JPS60101805A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60180197A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-13 | 宇部興産株式会社 | 多層プリント配線板の製造方法 |
JPH037157B2 (ja) * | 1984-02-27 | 1991-01-31 | Ube Industries |
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