JPH0241803B2 - - Google Patents
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- JPH0241803B2 JPH0241803B2 JP23976383A JP23976383A JPH0241803B2 JP H0241803 B2 JPH0241803 B2 JP H0241803B2 JP 23976383 A JP23976383 A JP 23976383A JP 23976383 A JP23976383 A JP 23976383A JP H0241803 B2 JPH0241803 B2 JP H0241803B2
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 18
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 17
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 15
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 14
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 10
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001757 thermogravimetry curve Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘツドの製造方法に関する。
さらに詳しく述べれば絶縁体層としてポリイミ
ド樹脂を用いた薄膜磁気ヘツドの製造方法に関す
る。 〔発明の背景〕 絶縁体層としてポリイミド樹脂を用いて薄膜磁
気ヘツドを製造することは従来から知られてお
り、たとえば絶縁体層として硬化した付加反応型
ポリイミドを用いることが提案されている（特開
昭56−93113）。付加反応型ポリイミドは加熱する
と、溶融して流動化し下地凹凸を高精度に平坦化
できるため、薄膜磁気ヘツドに用いた場合、磁気
特性を向上することが可能である。 しかしながら、付加反応型ポリイミドは溶融に
対する溶解性が悪いため、その溶液から均質な塗
膜や比較的厚い塗膜を得ることが困難であり実用
に供するには不十分であつた。 これに対し縮合型ポリイミドは上記の如き欠点
はないが、硬化時の縮合反応に際して水の如き低
分子を発生するものであるため、絶縁体層に膨れ
などの膜欠陥を生じ適用した薄膜磁気ヘツドに断
線や短絡の不良を生じることがしばしばであつ
た。 〔発明の目的〕 本発明の目的は上記した欠点のない薄膜磁気ヘ
ツドの製造方法を提供するにある。すなわち本発
明は付加反応型ポリイミドの低溶解性と縮合型ポ
リイミドの膜欠陥を同時に解決する薄膜磁気ヘツ
ドの製造方法を提供する。 〔発明の概要〕 この目的を達成するために鋭意検討した結果、
本発明に到達するに至つた。本発明は基板上に順
次に積層された第１磁性体層、第１絶縁体層、導
体層、第２絶縁体層を含む薄膜磁気ヘツドにおい
て、前記第１絶縁体層および第２絶縁体層を付加
反応型ポリイミドの前駆体を用い、真空中で硬化
処理して形成することで達成される。 本発明の第１の特徴は溶媒に対する溶解性の高
い付加反応型ポリイミドの前駆体を用いて絶縁膜
を形成する点にある。付加反応型ポリイミドはそ
の前駆体であるポリアミド酸から合成成される
が、合成時に末端反応基の一部が同時に反応し不
溶成分が生成してしまう。本発明によれば、溶解
性の高い付加反応型ポリイミドの前駆体を用いる
ため、高濃度の均質な溶液が得られ、したがつて
均質な比較的厚い塗膜が得られる。 本発明の第２の特徴は絶縁膜を形成する際に、
真空中で硬化処理を行うことである。本発明は絶
縁膜を形成する際に付加反応型ポリイミドの前駆
体を用いるため、硬化反応中に水が発生する。こ
の水は膨れなどの膜欠陥になり易いが、本発明に
よれば硬化時の雰囲気を真空で行うことにより、
硬化反応中に発生する水があつても膜中に膨れな
どの膜欠陥を残さないことが可能となる。 本発明の第３の特徴は絶縁膜を真空中で硬化処
理することによつて、大気中やN2中での硬化処
理と比較して耐熱性が大幅に向上することであ
る。第２図に熱重量分析曲線を示す。このため、
たとえば磁性体層等をスパツタリングするときの
熱履歴にも絶縁体層の変質は起らず、基板加熱温
度を上げられるため磁気特性を向上させることが
可能となつた。 本発明に用いる付加反応型ポリイミドの前駆体
は、末端に反応基を有するポリアミド酸であれば
よい。好ましくは下記〔Ａ〕または〔Ｂ〕で表わ
される化合物を挙げることができる。 （ただし、R1は
ド樹脂を用いた薄膜磁気ヘツドの製造方法に関す
る。 〔発明の背景〕 絶縁体層としてポリイミド樹脂を用いて薄膜磁
気ヘツドを製造することは従来から知られてお
り、たとえば絶縁体層として硬化した付加反応型
ポリイミドを用いることが提案されている（特開
昭56−93113）。付加反応型ポリイミドは加熱する
と、溶融して流動化し下地凹凸を高精度に平坦化
できるため、薄膜磁気ヘツドに用いた場合、磁気
特性を向上することが可能である。 しかしながら、付加反応型ポリイミドは溶融に
対する溶解性が悪いため、その溶液から均質な塗
膜や比較的厚い塗膜を得ることが困難であり実用
に供するには不十分であつた。 これに対し縮合型ポリイミドは上記の如き欠点
はないが、硬化時の縮合反応に際して水の如き低
分子を発生するものであるため、絶縁体層に膨れ
などの膜欠陥を生じ適用した薄膜磁気ヘツドに断
線や短絡の不良を生じることがしばしばであつ
た。 〔発明の目的〕 本発明の目的は上記した欠点のない薄膜磁気ヘ
ツドの製造方法を提供するにある。すなわち本発
明は付加反応型ポリイミドの低溶解性と縮合型ポ
リイミドの膜欠陥を同時に解決する薄膜磁気ヘツ
ドの製造方法を提供する。 〔発明の概要〕 この目的を達成するために鋭意検討した結果、
本発明に到達するに至つた。本発明は基板上に順
次に積層された第１磁性体層、第１絶縁体層、導
体層、第２絶縁体層を含む薄膜磁気ヘツドにおい
て、前記第１絶縁体層および第２絶縁体層を付加
反応型ポリイミドの前駆体を用い、真空中で硬化
処理して形成することで達成される。 本発明の第１の特徴は溶媒に対する溶解性の高
い付加反応型ポリイミドの前駆体を用いて絶縁膜
を形成する点にある。付加反応型ポリイミドはそ
の前駆体であるポリアミド酸から合成成される
が、合成時に末端反応基の一部が同時に反応し不
溶成分が生成してしまう。本発明によれば、溶解
性の高い付加反応型ポリイミドの前駆体を用いる
ため、高濃度の均質な溶液が得られ、したがつて
均質な比較的厚い塗膜が得られる。 本発明の第２の特徴は絶縁膜を形成する際に、
真空中で硬化処理を行うことである。本発明は絶
縁膜を形成する際に付加反応型ポリイミドの前駆
体を用いるため、硬化反応中に水が発生する。こ
の水は膨れなどの膜欠陥になり易いが、本発明に
よれば硬化時の雰囲気を真空で行うことにより、
硬化反応中に発生する水があつても膜中に膨れな
どの膜欠陥を残さないことが可能となる。 本発明の第３の特徴は絶縁膜を真空中で硬化処
理することによつて、大気中やN2中での硬化処
理と比較して耐熱性が大幅に向上することであ
る。第２図に熱重量分析曲線を示す。このため、
たとえば磁性体層等をスパツタリングするときの
熱履歴にも絶縁体層の変質は起らず、基板加熱温
度を上げられるため磁気特性を向上させることが
可能となつた。 本発明に用いる付加反応型ポリイミドの前駆体
は、末端に反応基を有するポリアミド酸であれば
よい。好ましくは下記〔Ａ〕または〔Ｂ〕で表わ
される化合物を挙げることができる。 （ただし、R1は
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】のいずれか一種を表わし、ｎ＝１〜
20である。）
（ただし、R2は
【式】ま
たは
以下、本発明の実施例を第１図により説明す
る。 実施例 １ 基板１上に2μｍの厚さの磁性体をスパツタリ
ングで堆積し、フオトエツチング技法によつてパ
ターン形成し下部磁性体層２を形成した。 次に、下記〔A1〕で表わされる化合物の40重
量％ジメチルアセトアミド溶液を塗布し、真空中
で硬化した。硬化は200℃で30分間、さらに350℃
で30分間行つた。硬化膜はヒドラジン等のエツチ
ング液を用いて、フオトエツチング技法を用いて
1.5μｍの厚さの所定パターンに形成した。 この上に、1.5μｍの厚さの導体を蒸着（スパツ
タリングでも同じ効果を得た）により堆積し、フ
オトエツチング技法でパターン化し導体層４を形
成した。 次に第１絶縁体層３と同様にして層厚さ3μｍ
の第２絶縁体層５を形成した。 最後に、下部磁性体層２と同様にして層厚さ
2μｍの上部磁性体層６を形成した。 このようにして製造された磁気ヘツドの上面は
極めて平坦な面（（うねり高さ0.2μｍ以下）を有
しており、磁気特性は満足すべきものであつた。
また、絶縁体層に膨れなどの膜欠陥がなく信頼性
の高い薄膜磁気ヘツドを得ることができた。 （ただし、数平均分子量が2000である） なお、上記は１ターンコイル素子について説明
したものであるが、全く同様にして、多層マルチ
ターンコイル素子の薄膜磁気ヘツドを製造するこ
とができる。 実施例 ２ 実施例１と全く同様にして、１ターンコイル素
子を製造した。ただし、絶縁層は下記〔A2〕で
表わされる化合物の35％ジメチルアセトアミド溶
液を用いて形成した。 （ただし、数平均分子量が3000である） このようにして製造された磁気ヘツドの上面は
うねり高にして0.25μｍ以下の極めて平坦な面を
有しており、磁気特性は満足すべきものであつ
た。また、絶縁体層に膨れなどのの膜欠陥がなく
信頼性の高い薄膜磁気ヘツドが得られた。 実施例 ３ 実施例１と全く同様にして、１ターンコイル素
子を製造した。ただし、絶縁層は下記〔A3〕で
表わされる化合物の40％ジメチルアセトアミド溶
液を用いて形成した。 （ただし、数平均分子量が2000である） このようにして製造された磁気ヘツドの上面は
うねり高さにして0.2μｍ以下の極めて平坦な面を
有しており、磁気特性は満足すべきものであつ
た。また、絶縁体層に膨れなどの膜欠陥がなく、
信頼性の高い薄膜磁気ヘツドが得られた。 実施例 ４ 実施例１と全く同様にして、１ターンコイル素
子を製造した。ただし、絶縁層は下記〔B1〕で
表わされる化合物の40％ジメチルアセトアミド溶
液を用いて形成した。 （ただし、数平均分子量が3000である） このようにして製造された磁気ヘツドの上面は
うねり高さにして1.2μｍ以下の極めて平坦な面を
有しており、磁気特性は満足すべきものであつ
た。また、絶縁体層に膨れなどの膜欠陥がなく信
頼性の高い薄膜磁気ヘツドが得られた。 比較例 Gulf Oil Chemicals Companyから市販され
ている商品名「THERMID600」なる付加反応型
ポリイミドを用いて、薄膜磁気ヘツドの絶縁体層
を形成した。15％のジメチルアセトアミド溶液で
さえも不溶分があり、均質な塗膜が得られなかつ
た。また、この絶縁体層を有する薄膜磁気ヘツド
は不溶分による絶縁体層表面の凹凸により磁気特
性が劣つていた。 〔発明の効果〕 以上、詳述した通りに、本発明によれば付加反
応型ポリイミドの前駆体の高溶融性のため均質で
比較的厚い絶縁体層を得ることができ、かつ真空
中で硬化処理することにより、膨れなどの膜欠陥
がない絶縁体層を得ることができる。したがつ
て、断線や短絡などの欠点のない、信頼性の高い
薄膜磁気ヘツドを得ることができる。
る。 実施例 １ 基板１上に2μｍの厚さの磁性体をスパツタリ
ングで堆積し、フオトエツチング技法によつてパ
ターン形成し下部磁性体層２を形成した。 次に、下記〔A1〕で表わされる化合物の40重
量％ジメチルアセトアミド溶液を塗布し、真空中
で硬化した。硬化は200℃で30分間、さらに350℃
で30分間行つた。硬化膜はヒドラジン等のエツチ
ング液を用いて、フオトエツチング技法を用いて
1.5μｍの厚さの所定パターンに形成した。 この上に、1.5μｍの厚さの導体を蒸着（スパツ
タリングでも同じ効果を得た）により堆積し、フ
オトエツチング技法でパターン化し導体層４を形
成した。 次に第１絶縁体層３と同様にして層厚さ3μｍ
の第２絶縁体層５を形成した。 最後に、下部磁性体層２と同様にして層厚さ
2μｍの上部磁性体層６を形成した。 このようにして製造された磁気ヘツドの上面は
極めて平坦な面（（うねり高さ0.2μｍ以下）を有
しており、磁気特性は満足すべきものであつた。
また、絶縁体層に膨れなどの膜欠陥がなく信頼性
の高い薄膜磁気ヘツドを得ることができた。 （ただし、数平均分子量が2000である） なお、上記は１ターンコイル素子について説明
したものであるが、全く同様にして、多層マルチ
ターンコイル素子の薄膜磁気ヘツドを製造するこ
とができる。 実施例 ２ 実施例１と全く同様にして、１ターンコイル素
子を製造した。ただし、絶縁層は下記〔A2〕で
表わされる化合物の35％ジメチルアセトアミド溶
液を用いて形成した。 （ただし、数平均分子量が3000である） このようにして製造された磁気ヘツドの上面は
うねり高にして0.25μｍ以下の極めて平坦な面を
有しており、磁気特性は満足すべきものであつ
た。また、絶縁体層に膨れなどのの膜欠陥がなく
信頼性の高い薄膜磁気ヘツドが得られた。 実施例 ３ 実施例１と全く同様にして、１ターンコイル素
子を製造した。ただし、絶縁層は下記〔A3〕で
表わされる化合物の40％ジメチルアセトアミド溶
液を用いて形成した。 （ただし、数平均分子量が2000である） このようにして製造された磁気ヘツドの上面は
うねり高さにして0.2μｍ以下の極めて平坦な面を
有しており、磁気特性は満足すべきものであつ
た。また、絶縁体層に膨れなどの膜欠陥がなく、
信頼性の高い薄膜磁気ヘツドが得られた。 実施例 ４ 実施例１と全く同様にして、１ターンコイル素
子を製造した。ただし、絶縁層は下記〔B1〕で
表わされる化合物の40％ジメチルアセトアミド溶
液を用いて形成した。 （ただし、数平均分子量が3000である） このようにして製造された磁気ヘツドの上面は
うねり高さにして1.2μｍ以下の極めて平坦な面を
有しており、磁気特性は満足すべきものであつ
た。また、絶縁体層に膨れなどの膜欠陥がなく信
頼性の高い薄膜磁気ヘツドが得られた。 比較例 Gulf Oil Chemicals Companyから市販され
ている商品名「THERMID600」なる付加反応型
ポリイミドを用いて、薄膜磁気ヘツドの絶縁体層
を形成した。15％のジメチルアセトアミド溶液で
さえも不溶分があり、均質な塗膜が得られなかつ
た。また、この絶縁体層を有する薄膜磁気ヘツド
は不溶分による絶縁体層表面の凹凸により磁気特
性が劣つていた。 〔発明の効果〕 以上、詳述した通りに、本発明によれば付加反
応型ポリイミドの前駆体の高溶融性のため均質で
比較的厚い絶縁体層を得ることができ、かつ真空
中で硬化処理することにより、膨れなどの膜欠陥
がない絶縁体層を得ることができる。したがつ
て、断線や短絡などの欠点のない、信頼性の高い
薄膜磁気ヘツドを得ることができる。
第１図は本発明の実施例を表わす図で１ターン
コイル素子の部分断面図である。第２図は本発明
に係る真空中での硬化処理による耐熱性向上効果
を示した図である。ただし、材料は〔A2〕を用
いた。 １……基板、２……下部磁性体層、３……第１
絶縁層、４……導体層、５……第２絶縁層、６…
…上部磁性体層。
コイル素子の部分断面図である。第２図は本発明
に係る真空中での硬化処理による耐熱性向上効果
を示した図である。ただし、材料は〔A2〕を用
いた。 １……基板、２……下部磁性体層、３……第１
絶縁層、４……導体層、５……第２絶縁層、６…
…上部磁性体層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に順次に積層された第１磁性体層、第
１絶縁体層、導体層、第２絶縁体層、および第２
磁性体層を含む薄膜磁気ヘツドにおいて、前記第
１絶縁体層および第２絶縁体層を付加反応型ポリ
イミドの前駆体を用い、真空中で硬化処理して形
成することを特徴とする薄膜磁気ヘツドの製造方
法。 ２ 第１絶縁体層および第２絶縁体層が下記
〔Ａ〕または〔Ｂ〕なる一般式で表わされる化合
物から形成されることを特徴とする特許請求範囲
第１項記載の薄膜磁気ヘツドの製造方法。 （ただし、R1は【式】 【式】 【式】【式】 【式】 【式】のいずれか一種を表わし、ｎ＝１〜 20である。） （ただし、R2は【式】 または 【式】を表わし、ｎ＝１〜20であ る。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23976383A JPS60133513A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23976383A JPS60133513A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60133513A JPS60133513A (ja) | 1985-07-16 |
| JPH0241803B2 true JPH0241803B2 (ja) | 1990-09-19 |
Family
ID=17049549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23976383A Granted JPS60133513A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60133513A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07101485B2 (ja) * | 1986-05-21 | 1995-11-01 | 株式会社日立製作所 | 薄膜磁気ヘツド |
| JPH0827913B2 (ja) * | 1987-02-02 | 1996-03-21 | 株式会社日立製作所 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
-
1983
- 1983-12-21 JP JP23976383A patent/JPS60133513A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60133513A (ja) | 1985-07-16 |
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