JPS61188712A - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
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- JPS61188712A JPS61188712A JP2827485A JP2827485A JPS61188712A JP S61188712 A JPS61188712 A JP S61188712A JP 2827485 A JP2827485 A JP 2827485A JP 2827485 A JP2827485 A JP 2827485A JP S61188712 A JPS61188712 A JP S61188712A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気ヘッドに係り、特に絶縁体層に含ケイ素ポ
リイミド樹脂を用いた薄膜磁気ヘッドに関する。
リイミド樹脂を用いた薄膜磁気ヘッドに関する。
磁気ヘッドの絶縁体層Ｒ８合又は付加反応型ボリイミ゛
ドを用いることが提案されている。（特開昭５６−９０
８５４ ） ｔ、かじ、縮合をポリイミドは、加熱硬化
時に溶融しにくいためにポリイミド樹脂層表面に凸凹が
生じてしまい、樹脂層上に形成する磁性膜も凸凹になっ
てしまい高い透磁率が得られたかりた。
ドを用いることが提案されている。（特開昭５６−９０
８５４ ） ｔ、かじ、縮合をポリイミドは、加熱硬化
時に溶融しにくいためにポリイミド樹脂層表面に凸凹が
生じてしまい、樹脂層上に形成する磁性膜も凸凹になっ
てしまい高い透磁率が得られたかりた。
また付加反応型ポリイミドは溶媒に対する溶解性が低い
ため、その溶液中に不溶物がありで均質な塗膜を得るこ
とが困難であり、実用に供するには不十分であった。
ため、その溶液中に不溶物がありで均質な塗膜を得るこ
とが困難であり、実用に供するには不十分であった。
また更には何れのポリイミドも接着性が低いため、得ら
れた磁気ヘッドの信頼性に問題があった。
れた磁気ヘッドの信頼性に問題があった。
本発明の目的は上記した従来技術の欠点をなくシ、表面
が平担でありかつ接着性の良好な絶縁体層を有する磁気
ヘッドを提供するＫある。
が平担でありかつ接着性の良好な絶縁体層を有する磁気
ヘッドを提供するＫある。
上記目的達成の要点は、絶縁体層を含ケイ素ポリイミド
樹脂とすることにある。
樹脂とすることにある。
即ち、具体的には含ケイ素ポリイミド樹脂を、下記一般
式（１）で表わされる末端ケイ素系ポリイミド前駆体を
加熱硬化したものとすることで上記目的が達成される。
式（１）で表わされる末端ケイ素系ポリイミド前駆体を
加熱硬化したものとすることで上記目的が達成される。
か一種類の基であり、罵は０．１または２であり、亀は
０〜１００である。そして上記Ｒ１、Ｈｔ 、Ｒｓ＋工
具体的にはＲ１はメチル、エチル、プロピル、ブチルも
しくはフェニル基であり、謬はメチル。
０〜１００である。そして上記Ｒ１、Ｈｔ 、Ｒｓ＋工
具体的にはＲ１はメチル、エチル、プロピル、ブチルも
しくはフェニル基であり、謬はメチル。
エチル、ブチル、フェニル、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、ブトキシもしくはフェノキシ基であり Ｒ１は
メチレン、エチレン、プロピレン、ブチレンもしくはフ
ェニレン基である。）また、前記ポリイミド前駆体は、
溶媒に対する溶解性が高（、均質で高濃度のポリアミド
酸ワニスとなることから、厚い膜厚を容易に形成するこ
とができる。溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、ペンジルヒ四リドン、 Ｎ、Ｎ−一ジメチルアセト
アミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド
等の極性溶媒が好ましく、特に後から述べるスピン塗布
を行う場合にはＮ−メチル−２−ピロリドン、 Ｎ、Ｎ
＃−ジメチルアセトアミドが好ましい。フェスの通常濃
度は１０〜５０ ｗｔチが良く、更に好ましくは１５〜
５５％６％良い。これ以下の濃度であると厚い塗膜が得
られにくくなり、これ以、上であると粘度が高（なり基
板面内において均一な厚さの塗膜が得られにくくなる。
ポキシ、ブトキシもしくはフェノキシ基であり Ｒ１は
メチレン、エチレン、プロピレン、ブチレンもしくはフ
ェニレン基である。）また、前記ポリイミド前駆体は、
溶媒に対する溶解性が高（、均質で高濃度のポリアミド
酸ワニスとなることから、厚い膜厚を容易に形成するこ
とができる。溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、ペンジルヒ四リドン、 Ｎ、Ｎ−一ジメチルアセト
アミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド
等の極性溶媒が好ましく、特に後から述べるスピン塗布
を行う場合にはＮ−メチル−２−ピロリドン、 Ｎ、Ｎ
＃−ジメチルアセトアミドが好ましい。フェスの通常濃
度は１０〜５０ ｗｔチが良く、更に好ましくは１５〜
５５％６％良い。これ以下の濃度であると厚い塗膜が得
られにくくなり、これ以、上であると粘度が高（なり基
板面内において均一な厚さの塗膜が得られにくくなる。
磁気ヘッドの絶縁体層は、上記ポリアミド酸ワニスを磁
性体層、あるいは導体層が設げられた凸凹のある基板上
に塗布し、熱硬化処理するとポリイミド系樹脂膜が形成
される。塗布法としてはスピン塗布法、ロールコート法
、ティップ法、印刷法等があるが、基板全面に均一に生
産性よく塗膜を形成するには、スピン塗布法が最も好ま
しい。熱硬化処理は温度１４０〜４００℃好ましくは２
５０〜４００℃１時間１０〜１８０分、好ましくは５０
〜１２０分が良い。雰囲気はＡＴ、凡等の不活性ガス中
か又は圧力０．ＩＰα以下の減圧状態である。また熱硬
化処理した含ケイ素ポリイミド樹脂は、基板などとの接
着性にすぐれている。
性体層、あるいは導体層が設げられた凸凹のある基板上
に塗布し、熱硬化処理するとポリイミド系樹脂膜が形成
される。塗布法としてはスピン塗布法、ロールコート法
、ティップ法、印刷法等があるが、基板全面に均一に生
産性よく塗膜を形成するには、スピン塗布法が最も好ま
しい。熱硬化処理は温度１４０〜４００℃好ましくは２
５０〜４００℃１時間１０〜１８０分、好ましくは５０
〜１２０分が良い。雰囲気はＡＴ、凡等の不活性ガス中
か又は圧力０．ＩＰα以下の減圧状態である。また熱硬
化処理した含ケイ素ポリイミド樹脂は、基板などとの接
着性にすぐれている。
本発明に係る磁気ヘッドの好ましい一態様を第１図に示
す。第１図は薄膜磁気ヘッドの部分断面図である。この
薄膜磁気ヘッドは、基板１上にパーマロイ等で第一の磁
性体層２−１．ギャップ絶縁体層５．前記一般式（１）
で表わされるポリイミド前駆体を熱硬化させて得た第一
の絶縁体層４−１．アルミニウム、鋼、金等よりなる導
体５．第二の絶縁体層４−２．第二の磁性体層２−２．
アルミナ等の無機絶縁材料からなる保護層６を順次設け
たものである。以上は１ターンコイル磁気ヘツドの場合
であるが、多層マルチターン磁気ヘッドは第二の絶縁体
層上に導体と絶縁体層を繰り返し形成して製造すること
ができる。絶縁体層のパターニングは、上記ヒドラジン
ヒトラード系のエツチング液を用いる以外に酸素プラズ
マでパターニングを行なってもよい。
す。第１図は薄膜磁気ヘッドの部分断面図である。この
薄膜磁気ヘッドは、基板１上にパーマロイ等で第一の磁
性体層２−１．ギャップ絶縁体層５．前記一般式（１）
で表わされるポリイミド前駆体を熱硬化させて得た第一
の絶縁体層４−１．アルミニウム、鋼、金等よりなる導
体５．第二の絶縁体層４−２．第二の磁性体層２−２．
アルミナ等の無機絶縁材料からなる保護層６を順次設け
たものである。以上は１ターンコイル磁気ヘツドの場合
であるが、多層マルチターン磁気ヘッドは第二の絶縁体
層上に導体と絶縁体層を繰り返し形成して製造すること
ができる。絶縁体層のパターニングは、上記ヒドラジン
ヒトラード系のエツチング液を用いる以外に酸素プラズ
マでパターニングを行なってもよい。
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。。
実施例１
表面に１０μ専のアルミナをスパッタリングで堆積した
厚さ４ｍｍ 、直径５インチのアルミナチタンカーバイ
トの基板１上に、 ２μｍ厚さのパーマロイをスパッタ
リングで堆積し、フォトエツチング法でパターン形成し
、第一の磁性体層２−１を形成した。この後、０．５μ
講厚さのアルミナをスパッタリングで堆積し、フォトエ
ツチング法でパターン形成し、ギャップ絶縁体層５を形
成した。次に次式 （但し数平均分子量６０００でありルφ９．８）で表わ
されるポリアミド酸のジメチルアセトアミド溶液（樹脂
分５０ｕ＋ｆ％ ）を回転塗布し、１〇−〜１「’ｐ（
Ｌの減圧下で加熱硬化した。熱硬化は２００℃で５＃、
更ニ５５０℃で５０分間行りｔ：、 ６ 硬化膜はヒド
ラジンヒトラード系の（ヒドラジンヒトラード）／（エ
チレンジアミン） ＝ ｙ／ｓ （容積比）のエツチン
グ液を用いたフォトエツチング法で、膜厚１．５μｍの
所定のパターンを形成し第一の絶縁体層４−１を形成し
た。次（この第一の絶縁体層４−１上に厚さ１．５μｍ
の鋼をスパッタリングにより堆積し、フォトエツチング
法でパターン化し、導体５を形成した。次に第一の絶縁
層４−１と同様にして、厚さ４μ風の第二の絶縁体層４
−２を形成し、更にその上忙第−の磁性体層２−１と同
様にして厚さ２μｍの第二の磁性体層２−２を形成し、
最後に５０μｍ厚さのアルミナをスパッタリングにより
堆積し保護層６を形成した。
厚さ４ｍｍ 、直径５インチのアルミナチタンカーバイ
トの基板１上に、 ２μｍ厚さのパーマロイをスパッタ
リングで堆積し、フォトエツチング法でパターン形成し
、第一の磁性体層２−１を形成した。この後、０．５μ
講厚さのアルミナをスパッタリングで堆積し、フォトエ
ツチング法でパターン形成し、ギャップ絶縁体層５を形
成した。次に次式 （但し数平均分子量６０００でありルφ９．８）で表わ
されるポリアミド酸のジメチルアセトアミド溶液（樹脂
分５０ｕ＋ｆ％ ）を回転塗布し、１〇−〜１「’ｐ（
Ｌの減圧下で加熱硬化した。熱硬化は２００℃で５＃、
更ニ５５０℃で５０分間行りｔ：、 ６ 硬化膜はヒド
ラジンヒトラード系の（ヒドラジンヒトラード）／（エ
チレンジアミン） ＝ ｙ／ｓ （容積比）のエツチン
グ液を用いたフォトエツチング法で、膜厚１．５μｍの
所定のパターンを形成し第一の絶縁体層４−１を形成し
た。次（この第一の絶縁体層４−１上に厚さ１．５μｍ
の鋼をスパッタリングにより堆積し、フォトエツチング
法でパターン化し、導体５を形成した。次に第一の絶縁
層４−１と同様にして、厚さ４μ風の第二の絶縁体層４
−２を形成し、更にその上忙第−の磁性体層２−１と同
様にして厚さ２μｍの第二の磁性体層２−２を形成し、
最後に５０μｍ厚さのアルミナをスパッタリングにより
堆積し保護層６を形成した。
このようにして製造した薄膜磁気ヘッドの第二の磁性体
層２−２は極めて平坦な面（うねり高さ０．１５μｍ以
下）を有しており、透磁率の高−・磁気特性の良好な薄
膜磁気ヘッ、ドが得られた。
層２−２は極めて平坦な面（うねり高さ０．１５μｍ以
下）を有しており、透磁率の高−・磁気特性の良好な薄
膜磁気ヘッ、ドが得られた。
また本素子は室温５０分〜５５０℃５０分のヒートサイ
クル試験をかけた場合にも、絶縁体層に剥れなどの膜欠
陥が無く信頼性上も極めて良好な結。
クル試験をかけた場合にも、絶縁体層に剥れなどの膜欠
陥が無く信頼性上も極めて良好な結。
果が得られた。
実施例２
第１表の煮１〜Ａ４に示す構造式のポリアミド酸前駆体
を用いて、第一の絶縁体層４−１゜第二の絶縁体層４−
２を形成した以外はすべて実施例１と同様にして薄膜磁
気ヘッドを製造し、平坦性、磁気特性、成膜性、膜欠陥
を調べ第２表の／１６１〜４４に示した結果を得た。何
れも良好な結果が得られた。
を用いて、第一の絶縁体層４−１゜第二の絶縁体層４−
２を形成した以外はすべて実施例１と同様にして薄膜磁
気ヘッドを製造し、平坦性、磁気特性、成膜性、膜欠陥
を調べ第２表の／１６１〜４４に示した結果を得た。何
れも良好な結果が得られた。
比較例
付加反応型ポリイミド（ガル７、オイル、ケきカル、カ
ンパニ製、商品名「サーミッド６００Ｊをジメチルアセ
トアミドに溶解（樹脂分１５ｗｔ％）し、実施例１と同
様に薄膜磁気ヘッドの絶縁体層を形成した。不溶分があ
るため、均質な塗膜が得られず、已気特性ａＳ劣りてい
た。
ンパニ製、商品名「サーミッド６００Ｊをジメチルアセ
トアミドに溶解（樹脂分１５ｗｔ％）し、実施例１と同
様に薄膜磁気ヘッドの絶縁体層を形成した。不溶分があ
るため、均質な塗膜が得られず、已気特性ａＳ劣りてい
た。
・く二／
〔発明の効果〕
以上、詳述したように本発明によれば、末端。
ケイ素系ポリアミド酸は溶解性が高いため、均質で平坦
性に優れた絶縁体層を得ることができ、。
性に優れた絶縁体層を得ることができ、。
磁気特性及び、膜欠陥の無い信頼性に優れた幕膜磁気ヘ
ッドを得ることが出きる。なお、氷見。
ッドを得ることが出きる。なお、氷見。
明による末端ケイ素系ポリアミド酸は上述の長。
所を有するため、何層にも積層した他の立体配。
線構造体に用いた場合にも優れた効果を奏するケト・・
基板 ２−１・・・第一の磁性体層 ２−２・・・第二の磁性体層 ５・・・ギャップ絶縁体層 ４−１・・・第一の絶縁体層 ４−２・・・第二の絶縁体層 第１図 ＆ 明細書第７頁、第１１行目から第１４行目を、以下
のとおりに訂正する。
基板 ２−１・・・第一の磁性体層 ２−２・・・第二の磁性体層 ５・・・ギャップ絶縁体層 ４−１・・・第一の絶縁体層 ４−２・・・第二の絶縁体層 第１図 ＆ 明細書第７頁、第１１行目から第１４行目を、以下
のとおりに訂正する。
「とができる。絶縁体層のベターニングは、この層上に
エツチングレジストパターンを形成し、ヒドラジンヒト
ラード系のエツチング液（例えばヒドラジンヒトラード
／エチレンジアミン＝７／３容積比の混合液）、または
酸素プラズマでｔ４ターニングを行なう方法が好ましい
。」 ｌ 明細書第８頁、第７行から第８行目の化学式を、以
下のとおり訂正する。
エツチングレジストパターンを形成し、ヒドラジンヒト
ラード系のエツチング液（例えばヒドラジンヒトラード
／エチレンジアミン＝７／３容積比の混合液）、または
酸素プラズマでｔ４ターニングを行なう方法が好ましい
。」 ｌ 明細書第８頁、第７行から第８行目の化学式を、以
下のとおり訂正する。
８、 明細書第８頁、第１２行目のｒ １０−’ ｐａ
Ｊを、ｒｌｏ”ｐα」に訂正する。
Ｊを、ｒｌｏ”ｐα」に訂正する。
以上
特許請求の範囲
ｔ 磁気ヘッドの絶縁体層が含ケイ素ポリイミド樹脂で
あることを特徴とする磁気ヘッド。
あることを特徴とする磁気ヘッド。
２、特許請求の範囲第１項において含ケイ素ポリイミド
樹脂が下記一般式（１）で表わされる末端ケイ素系ポリ
イミド前駆体を加熱硬化したものよシなることを特徴と
する磁気ヘッド。
樹脂が下記一般式（１）で表わされる末端ケイ素系ポリ
イミド前駆体を加熱硬化したものよシなることを特徴と
する磁気ヘッド。
但し、一般式（１）中Ｒｔ 、Ｒｔ 、Ｂｓは炭素数１
〜６種類の基であシ、風は０，１または２でＴｏ９、ル
は０〜１００である。
〜６種類の基であシ、風は０，１または２でＴｏ９、ル
は０〜１００である。
３、 特許請求の範囲第２項において、Ｒ１はメチル。
エチル、プロピル、ブチルもしくはフェニル基であり、
Ｒ１はメチル、エチル、ブチル、フエニ 、ルウメト
キシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシもしくはフェノ
キシ基であり Ｈｓはメチレン。
Ｒ１はメチル、エチル、ブチル、フエニ 、ルウメト
キシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシもしくはフェノ
キシ基であり Ｈｓはメチレン。
エチレン、プロピレン、ブチレンもしくはフェニレン基
であることを特徴とする磁気ヘッド。
であることを特徴とする磁気ヘッド。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁気ヘッドの絶縁体層が含ケイ素ポリイミド樹脂で
あることを特徴とする磁気ヘッド。 ２、特許請求の範囲第１項において含ケイ素ホリイミド
樹脂が下記一般式（ I ）で表わされる末端ケイ素系ポ
リイミド前駆体を加熱硬化したものよりなることを特徴
とする磁気ヘッド。 ▲数式、化学式、表等があります▼（１） 但し、一般式（１）中Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３は炭素数
１〜６の有機基、Ａｒ＾１は▲数式、化学式、表等があ
ります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼のうちから選ばれた
少なくとも 一種類の基であり、Ａｒ＾２は▲数式、化学式、表等が
あります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼のい ずれか一種類の基であり、ｍは０、１または２であり、
１は０〜１００である。 ３、特許請求の範囲第２項において、Ｒ＾１はメチル、
エチル、プロピル、ブチルもしくはフェニル基であり、
Ｒ＾２はメチル、エチル、ブチル、フェニル、メトキシ
、エトキシ、プロポキシ、プトキシもしくはフェノキシ
基であり、Ｒ＿３はメチレン、エチレン、プロピレン、
ブチレンもしくはフェニレン基であることを特徴とする
磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60028274A JPH07101484B2 (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 磁気ヘツド |
| US06/829,824 US4686147A (en) | 1985-02-18 | 1986-02-18 | Magnetic head and method of producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60028274A JPH07101484B2 (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61188712A true JPS61188712A (ja) | 1986-08-22 |
| JPH07101484B2 JPH07101484B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=12244004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60028274A Expired - Lifetime JPH07101484B2 (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07101484B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0535180U (ja) * | 1991-10-18 | 1993-05-14 | 株式会社三洋物産 | パチンコ機における電気的変動表示装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5850617A (ja) * | 1981-09-18 | 1983-03-25 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
-
1985
- 1985-02-18 JP JP60028274A patent/JPH07101484B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5850617A (ja) * | 1981-09-18 | 1983-03-25 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0535180U (ja) * | 1991-10-18 | 1993-05-14 | 株式会社三洋物産 | パチンコ機における電気的変動表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07101484B2 (ja) | 1995-11-01 |
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