JPS5850617A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS5850617A JPS5850617A JP14621481A JP14621481A JPS5850617A JP S5850617 A JPS5850617 A JP S5850617A JP 14621481 A JP14621481 A JP 14621481A JP 14621481 A JP14621481 A JP 14621481A JP S5850617 A JPS5850617 A JP S5850617A
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- polyimide
- polyimide precursor
- film
- weight
- formula
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ポリイミド系樹脂に工り導体と磁性体お工び
導体と導体の間を絶縁処理した薄膜磁気ヘッドの製造方
法に関する。
導体と導体の間を絶縁処理した薄膜磁気ヘッドの製造方
法に関する。
従来、薄膜技術を用いて磁気へヴドを製造する際には、
導体コイルと磁性体との問お工び導体間の絶縁に有機樹
脂を使用し、その下地段差に対する平担化効果を利用し
て上部磁性体の特性劣化おＬび下地段差部での短絡を防
止している。
導体コイルと磁性体との問お工び導体間の絶縁に有機樹
脂を使用し、その下地段差に対する平担化効果を利用し
て上部磁性体の特性劣化おＬび下地段差部での短絡を防
止している。
この有機樹脂には、磁性体のスバ９４リング等の工程で
３５０℃近い熱履歴を受けるため耐熱樹脂であるポリイ
ミド系樹脂が使われている。しかるに、ポリイミド系樹
脂は第１図（ａｌ〜（ｓ）に示す如く、、□ 加工工程が多くしかも煩雑であるという欠点を有してい
几、すなわち （１） ポリイミド膜２の形成 〔第１図（ａ１〕ポ
リイミドの前駆体であるボリアえド酸のワニスを基板１
上全面に回転塗布し、溶媒を蒸発させ、さらに加熱硬化
してポリイミド膜２とす ′′る。
３５０℃近い熱履歴を受けるため耐熱樹脂であるポリイ
ミド系樹脂が使われている。しかるに、ポリイミド系樹
脂は第１図（ａｌ〜（ｓ）に示す如く、、□ 加工工程が多くしかも煩雑であるという欠点を有してい
几、すなわち （１） ポリイミド膜２の形成 〔第１図（ａ１〕ポ
リイミドの前駆体であるボリアえド酸のワニスを基板１
上全面に回転塗布し、溶媒を蒸発させ、さらに加熱硬化
してポリイミド膜２とす ′′る。
（２） フォトレジスト膜３の形成 〔第１図（ｂ）
〕ポリイミド膜２上にフォトレジストを塗布、次いで乾
燥レフオドレジスト膜３を形成する。
〕ポリイミド膜２上にフォトレジストを塗布、次いで乾
燥レフオドレジスト膜３を形成する。
（３） フォトレジスト膜の加工 〔第１図（ｃｌ
）Ｐｆｒ足のフォトマスクを介してＢ光径、現像次いで
リンスし、最後に加熱処理してフォトレジストのパター
ン３′を得る。
）Ｐｆｒ足のフォトマスクを介してＢ光径、現像次いで
リンスし、最後に加熱処理してフォトレジストのパター
ン３′を得る。
（４） ポリイミド膜の加工 〔第１図（ｄ１〕ポリ
イミド膜２を工９チングしてフォトレジストと同じパタ
ーンのポリイミド膜のパターン２′得る。
イミド膜２を工９チングしてフォトレジストと同じパタ
ーンのポリイミド膜のパターン２′得る。
（５） フォトレジスト膜の除去 〔第１ 図１ｅｌ
）フォトレジストを剥離するとポリイミド膜のパター
ン２′が完成する。
）フォトレジストを剥離するとポリイミド膜のパター
ン２′が完成する。
ま几、！２の欠点としてポリイミドのエダチングはエヅ
チング精度の制御が難しくパターン精度が悪い（±４μ
ｍ）という問題があった。このため読み出しま７ｔｉｊ
記録電圧がばらつき１歩留りの低下を招き実用的でなか
った。
チング精度の制御が難しくパターン精度が悪い（±４μ
ｍ）という問題があった。このため読み出しま７ｔｉｊ
記録電圧がばらつき１歩留りの低下を招き実用的でなか
った。
本発明の目的は、前記し次従来技術の欠点をなくシ、ポ
リイミド系樹脂絶縁膜のパターン精度の向上と、製造工
程の合理化を達成する薄慶磁気へ９ドの製造方法を達成
するにある。
リイミド系樹脂絶縁膜のパターン精度の向上と、製造工
程の合理化を達成する薄慶磁気へ９ドの製造方法を達成
するにある。
この目的を達成するため１種々の感光性ポリイミド前駆
体材料を検討しｔ結果、感度、解像度。
体材料を検討しｔ結果、感度、解像度。
パターン形成プロセス、耐熱性、ｉｌ気的特性など総合
的に見て優れる下記、〔Ａ〕に示す材料を用い次磁気へ
ヴト°の製造方法を見い出した。
的に見て優れる下記、〔Ａ〕に示す材料を用い次磁気へ
ヴト°の製造方法を見い出した。
（但し１式中Ｒ１は３価または４価の有機基、Ｒ’Ｆｉ
２価の有機基、Ｍｔｉ水素またはアンモニウムイオン、
ｎは１または２を表わす、）で示される繰シ返し単位を
有するポリマと。
２価の有機基、Ｍｔｉ水素またはアンモニウムイオン、
ｎは１または２を表わす、）で示される繰シ返し単位を
有するポリマと。
一般式 Ｎ、−Ｒ”−Ｎ、（薦〕
（但し式中Ｒ′は２価ま几は３価の有機基を表わす、）
で示されるビス了シト化合物と、分子内［３級炭素に結
合し九水素を有する基”ｔ ｉＱ： ｉｌ ’２級炭素
に結合した水素を有する基または不飽和結合を有するア
ミン化合物〔１〕。
で示されるビス了シト化合物と、分子内［３級炭素に結
合し九水素を有する基”ｔ ｉＱ： ｉｌ ’２級炭素
に結合した水素を有する基または不飽和結合を有するア
ミン化合物〔１〕。
必ｉに応じて加える増感剤とから成る材料。
本発明の第１の特徴は第２図に示す如くフォトレジスト
？用いるととなく所定のパターンのポリミイドｉ形成で
きるため、第１図に示した従来方法に比べて大幅な工数
の低減が達成されたことである。すなわち、 （１）ポリイミド前駆体膜Ａの形成 〔第２図（ａ１〕
ポリイミド前駆体の溶液を基板１上に塗布。
？用いるととなく所定のパターンのポリミイドｉ形成で
きるため、第１図に示した従来方法に比べて大幅な工数
の低減が達成されたことである。すなわち、 （１）ポリイミド前駆体膜Ａの形成 〔第２図（ａ１〕
ポリイミド前駆体の溶液を基板１上に塗布。
乾燥しポリアミド酸の皮膜とする。
（２） ポリイミド前駆体膜の加工 〔第２図（ｂ）
〕所定のフォトマスクを介し７て露光、現像しポリアミ
ド酸の画像４′を得る。
〕所定のフォトマスクを介し７て露光、現像しポリアミ
ド酸の画像４′を得る。
（３）ポリイミド膜６の形成 〔第２図（０；〕ポリア
ミド酸の画像を加熱処理してポリイミドにポリ慴ミド膜
のパターン２′転化する。
ミド酸の画像を加熱処理してポリイミドにポリ慴ミド膜
のパターン２′転化する。
本発明の第２の特徴は、上述した如くポリイミドのエツ
チングが必要ないために、工・シチング精度にＬり大き
く影響されるポリイミドのパターン精度を向上するとと
ができた点にある。
チングが必要ないために、工・シチング精度にＬり大き
く影響されるポリイミドのパターン精度を向上するとと
ができた点にある。
本発明に用いる感光性ポリイミド前一体は、ポリ了ミド
酸〔！〕δカルボキシル基とアミン化合物（１）のアミ
ノ基をイオン結合にＬって反応させ。
酸〔！〕δカルボキシル基とアミン化合物（１）のアミ
ノ基をイオン結合にＬって反応させ。
これにビスアジド化合物〔璽〕を配合し比もので。
光ま７ｔは放射線照射時にビスアジドから発生し皮ビス
ナイトレンが不飽和結合等と反応することに工りポリマ
を架橋させ、現像溶媒に不溶化せしめんとするものであ
る。したがってこのポリイミド前駆体はネガ型の画像を
与える。
ナイトレンが不飽和結合等と反応することに工りポリマ
を架橋させ、現像溶媒に不溶化せしめんとするものであ
る。したがってこのポリイミド前駆体はネガ型の画像を
与える。
上部磁性体お↓び下部磁性体は真空蒸着、スパッタリン
グあるいはめっきにＬシ堆積され、写真食刻技術でパタ
ーン化される。磁性体材料としてσ主にパーマロイが用
いられる。
グあるいはめっきにＬシ堆積され、写真食刻技術でパタ
ーン化される。磁性体材料としてσ主にパーマロイが用
いられる。
導体金属は真９蒸着、スパッタリングあるいにめっき等
の手段で堆積され、写真食刻技術に孟り所望のパターン
形状に加工される。導体金属としてはＣｕ、Ａｕ、Ｐｔ
、Ｃｒ−９Ｔｉ などの金属あるいはこれらの２種以
上の合金膜ま次は多重膜であってもよい。
の手段で堆積され、写真食刻技術に孟り所望のパターン
形状に加工される。導体金属としてはＣｕ、Ａｕ、Ｐｔ
、Ｃｒ−９Ｔｉ などの金属あるいはこれらの２種以
上の合金膜ま次は多重膜であってもよい。
本発明に用いるポリ了ミド酸は、繰り返し単位（１）の
みからなるものであっても良いし、他の繰り返し単位と
の共重合体であっても１へ 〔１〕式中ｈ Ｒ’、Ｒ”
Ｈポリイミドとしたときの耐熱性のＱ ２ａ、象 ５Ｏ１ （式中、結合手はポリマ主鎖のカルボニル基との結合を
表わし、カルボキシル基は結合手に対してオルト位に位
置する。）が好ましいが、これらに限定はされない。Ｒ
２の例としては、Ｑ、σ。
みからなるものであっても良いし、他の繰り返し単位と
の共重合体であっても１へ 〔１〕式中ｈ Ｒ’、Ｒ”
Ｈポリイミドとしたときの耐熱性のＱ ２ａ、象 ５Ｏ１ （式中、結合手はポリマ主鎖のカルボニル基との結合を
表わし、カルボキシル基は結合手に対してオルト位に位
置する。）が好ましいが、これらに限定はされない。Ｒ
２の例としては、Ｑ、σ。
などが挙けられる。
繰り返し単位（１）で表わされるポリ丁ミド酸は通常、
非プロトン性極性溶媒に溶屏した状態で使用に併せられ
る。非プロトン性極性溶媒として。
非プロトン性極性溶媒に溶屏した状態で使用に併せられ
る。非プロトン性極性溶媒として。
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルム
了ミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド。
了ミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド。
ジメチルスルホキシｌ；、 Ｎ−アセチル−ε−カプロ
ラクダム、１．３〜ジメチル−２−イミダゾリジノンな
どが好ましく用いられる。また上記溶媒の２種以上を混
合して用いてもよい。
ラクダム、１．３〜ジメチル−２−イミダゾリジノンな
どが好ましく用いられる。また上記溶媒の２種以上を混
合して用いてもよい。
本発明に用いるビスアジド化合物［１）の例として、”
４．４’−ジアジドジフェニルメタン、４．４’−ジア
ジドジフェニル、４．４’−ジアジドアセトフェノン、
４．４’−ジアジドスチルベン、４．４’−ジアジドカ
ルコン、４．４’−ジアジドベンザルアセトン、２．６
−ジ（４′−アジドベンザル）−νりａヘキサノン、２
．６−ジ（４′−アジドベンザル）−４−メチルシクロ
ヘキサノン、２．．６−ジ（４′−アジドベンザル）−
４−ヒトａキンシクロヘギサノン、２．６−ジ（４′−
アジドベンザル）−４−ヒドロキシメチルνりロヘキサ
ノン、 ４．４’−ジアジド−３，３′−ジカルボキ
シスチルベン、２−ジ（４−了ジドνンナモイルオキシ
）エタン、２．６−ジ（４′−アジドシンナミリデン）
−４−ヒドロキシメチルシクロヘキサノン、６−アジド
−２−（４’−アジドスチリル）ベンズイミダゾール、
６−了シト−２−（４’−アジドスチリル）ベンズチア
ゾ〜ル、５−アジド−２−（ａ’−アジドスチリル）ベ
ンズオキサゾールなどが挙げられるがこれらに制約され
ない、ビスアジド化合物〔璽〕の配合割合は（１）なる
ｍｎ返し単位を有するポリマ１ｏｏＭｉｊｋ部に対して
α１ｉｒＪＩｉ部以上１．００重量部以下で用いるのが
望ましい、さらに望ましくはα５重量部以上５０重量部
以下で用いるのが望まし因、この範囲を逸脱すると、現
像性、フェスの保存安定性等に悪影響を及はす。
４．４’−ジアジドジフェニルメタン、４．４’−ジア
ジドジフェニル、４．４’−ジアジドアセトフェノン、
４．４’−ジアジドスチルベン、４．４’−ジアジドカ
ルコン、４．４’−ジアジドベンザルアセトン、２．６
−ジ（４′−アジドベンザル）−νりａヘキサノン、２
．６−ジ（４′−アジドベンザル）−４−メチルシクロ
ヘキサノン、２．．６−ジ（４′−アジドベンザル）−
４−ヒトａキンシクロヘギサノン、２．６−ジ（４′−
アジドベンザル）−４−ヒドロキシメチルνりロヘキサ
ノン、 ４．４’−ジアジド−３，３′−ジカルボキ
シスチルベン、２−ジ（４−了ジドνンナモイルオキシ
）エタン、２．６−ジ（４′−アジドシンナミリデン）
−４−ヒドロキシメチルシクロヘキサノン、６−アジド
−２−（４’−アジドスチリル）ベンズイミダゾール、
６−了シト−２−（４’−アジドスチリル）ベンズチア
ゾ〜ル、５−アジド−２−（ａ’−アジドスチリル）ベ
ンズオキサゾールなどが挙げられるがこれらに制約され
ない、ビスアジド化合物〔璽〕の配合割合は（１）なる
ｍｎ返し単位を有するポリマ１ｏｏＭｉｊｋ部に対して
α１ｉｒＪＩｉ部以上１．００重量部以下で用いるのが
望ましい、さらに望ましくはα５重量部以上５０重量部
以下で用いるのが望まし因、この範囲を逸脱すると、現
像性、フェスの保存安定性等に悪影響を及はす。
本発明に用いるアミン化合物（１）の例としては了りル
丁ミン、ジ了リルアミン、トリアリルアミン、２−メチ
ルー２−ブテニルアミン、１，３−ジメチル−１−プロ
ペニルアミン、２．４−ペンタジェニルアミン、トリ（
２−ブテニル） Ｔ ミ７゜１）（２−）ｆルー２−プ
ロペニル）アミン、２−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）エ
チルシンナメート。
丁ミン、ジ了リルアミン、トリアリルアミン、２−メチ
ルー２−ブテニルアミン、１，３−ジメチル−１−プロ
ペニルアミン、２．４−ペンタジェニルアミン、トリ（
２−ブテニル） Ｔ ミ７゜１）（２−）ｆルー２−プ
ロペニル）アミン、２−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）エ
チルシンナメート。
３−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）プロピルアクリレート
、５−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）プロピルメタクリレ
−）、３−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）プロビルシンナ
メー）、Ｎ、Ｎ−ジメチルアミン、Ｎ−メチル−ジアリ
ルアミン、Ｎ−プロピルジアリル丁ミン、２−ビニルピ
リジン、２−ビール−６−メｆルヒリジン、２−ビニル
−５−エチルピリジン、４−ブテニルピリジン、４−（
１−ブテニルペテニル）ヒリジン、４−ペンテニルヒリ
シン、４−（１−ブテニルペンテニル）ピリジン、２−
（４−ピリジル）アリルアルコールなどが挙げられる。
、５−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）プロピルメタクリレ
−）、３−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）プロビルシンナ
メー）、Ｎ、Ｎ−ジメチルアミン、Ｎ−メチル−ジアリ
ルアミン、Ｎ−プロピルジアリル丁ミン、２−ビニルピ
リジン、２−ビール−６−メｆルヒリジン、２−ビニル
−５−エチルピリジン、４−ブテニルピリジン、４−（
１−ブテニルペテニル）ヒリジン、４−ペンテニルヒリ
シン、４−（１−ブテニルペンテニル）ピリジン、２−
（４−ピリジル）アリルアルコールなどが挙げられる。
アミン化合物（１）の配合割合は（１）なる繰り返し単
位′１に：有するポリマ１００重量部に対して１重量部
以上４００重量部以下で用いるのが望ましく、さらに好
ましくは１０重量部以上４００重量部以下で用いるのが
望ましい。上記範囲を逸脱すると、現像性または最終生
成物のポリイミドの膜質に悪影響をもたらす。
位′１に：有するポリマ１００重量部に対して１重量部
以上４００重量部以下で用いるのが望ましく、さらに好
ましくは１０重量部以上４００重量部以下で用いるのが
望ましい。上記範囲を逸脱すると、現像性または最終生
成物のポリイミドの膜質に悪影響をもたらす。
′ｆｔまたは放射線で反応するポリアミド酸ワニスには
さらに感度ン向上する目的で適宜増感剤を添加してもさ
しつかえない、酢加ｔは（１）Ｊｌ）、（１）で表わさ
れる化合物の総１１ｔのα１Ｘ以上１０Ｘ以下で用いる
のが望ましい、この範囲を逸脱すると、現像性、最終生
成物のポリイミドの膜質に悪影響を与える。ビスアジド
化合物の増感剤としてハ、テントロン、１．９−ベンズ
アントロン、チクリジン、シアノアクリジン、ニトロピ
レン、１Ａ−ジニトロピレン、ミヒラケトン、５−ニト
ロアセナフテン、２−ニトロフルオレン、ピレン−１，
ｄ−キノン、９−フルオレノン、１．２−ベンズアント
ラキノン、２−クロロ−１，２−ベンズアントラキノン
、２−ブロモベンズアントラキノン。
さらに感度ン向上する目的で適宜増感剤を添加してもさ
しつかえない、酢加ｔは（１）Ｊｌ）、（１）で表わさ
れる化合物の総１１ｔのα１Ｘ以上１０Ｘ以下で用いる
のが望ましい、この範囲を逸脱すると、現像性、最終生
成物のポリイミドの膜質に悪影響を与える。ビスアジド
化合物の増感剤としてハ、テントロン、１．９−ベンズ
アントロン、チクリジン、シアノアクリジン、ニトロピ
レン、１Ａ−ジニトロピレン、ミヒラケトン、５−ニト
ロアセナフテン、２−ニトロフルオレン、ピレン−１，
ｄ−キノン、９−フルオレノン、１．２−ベンズアント
ラキノン、２−クロロ−１，２−ベンズアントラキノン
、２−ブロモベンズアントラキノン。
２−クロロ−１，８−フタロイルナフタレンなどが好オ
しく用いられる。
しく用いられる。
本発明に用いる感光性ポリイミド前躯体は１通常のフォ
トリソグラフィー技術でパターン加工が可能である。基
板への塗布には１回転塗布、浸漬。
トリソグラフィー技術でパターン加工が可能である。基
板への塗布には１回転塗布、浸漬。
噴霧、印剤などの手段から適宜選択できる。塗布前処理
として、接着助剤を用いる周知のカップリング処理を行
うと良好な接着性が得られることが多い、接着助剤とし
てはｒ−アミツブａピルトリメトキラジシラン、ｒ−グ
リシドキシプロビルトＩＪメトキシシラン、γ−メタク
１１ルオキシプロビルトリメトキシνラン、などの有機
ケイ素化合物。
として、接着助剤を用いる周知のカップリング処理を行
うと良好な接着性が得られることが多い、接着助剤とし
てはｒ−アミツブａピルトリメトキラジシラン、ｒ−グ
リシドキシプロビルトＩＪメトキシシラン、γ−メタク
１１ルオキシプロビルトリメトキシνラン、などの有機
ケイ素化合物。
アルいにアルミニウム七ノエチルアセトアセテートジイ
ソブロビレート、アルミニウムトリス（エチルアセトア
セテート）、アルミニウムトリス（マロン酸エチレート
）などのアルミニウムキレート化合などが用いられる。
ソブロビレート、アルミニウムトリス（エチルアセトア
セテート）、アルミニウムトリス（マロン酸エチレート
）などのアルミニウムキレート化合などが用いられる。
塗膜の乾燥は、室温以上１００℃以下の範囲から選ばれ
る温度で行われる。室温工す低いと溶媒の蒸発に時間が
かがシ実用的でない、１００℃より高いとビスアジド化
合物の熱分解が起り感光基として働かなくなる。室温付
近の温度の場合は減圧乾燥を行うと良い結果が得られる
ことが多い。
る温度で行われる。室温工す低いと溶媒の蒸発に時間が
かがシ実用的でない、１００℃より高いとビスアジド化
合物の熱分解が起り感光基として働かなくなる。室温付
近の温度の場合は減圧乾燥を行うと良い結果が得られる
ことが多い。
無光は通常紫外線が用いられるが、可視光線。
遠紫外線、を子線、ｘＡ！＊イオンビームであって％よ
い。
い。
現像液としてはＮ−メチル−２−ピロリドン。
Ｎ、Ｎ−ジメチルホルム了ミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、ｉ／メチルスルホキシド、Ｎ−アセチル−Ｃ
−カプロラクタム、１，３−ジメチル−２−イミダゾリ
ジノンなどの非プロトン性極性溶媒を単独あるいはメタ
ノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、メチルセロソルブなどのポリ
アミド酸の非溶媒との混合液として周込ることができる
。
トアミド、ｉ／メチルスルホキシド、Ｎ−アセチル−Ｃ
−カプロラクタム、１，３−ジメチル−２−イミダゾリ
ジノンなどの非プロトン性極性溶媒を単独あるいはメタ
ノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、メチルセロソルブなどのポリ
アミド酸の非溶媒との混合液として周込ることができる
。
現像により形成し之ハターンはリンス液によって洗浄し
現像溶媒を除去する。 ＩＩンス液には現像液と混和
性のよりポリアミド酸の非溶媒を用いるが、メタノール
、エタノール、イソプロピルアルコール、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、メチルセロソルブなどが好適である
。
現像溶媒を除去する。 ＩＩンス液には現像液と混和
性のよりポリアミド酸の非溶媒を用いるが、メタノール
、エタノール、イソプロピルアルコール、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、メチルセロソルブなどが好適である
。
現像により得られ九ポリアミド酸のパターンは加熱処理
することに１つてイミド環や他の環状基を持つ耐熱性ポ
リマのパターンとなる。加熱温度は１５０℃以上５００
℃以下の範囲から選ばれる。
することに１つてイミド環や他の環状基を持つ耐熱性ポ
リマのパターンとなる。加熱温度は１５０℃以上５００
℃以下の範囲から選ばれる。
１５０℃エリ低いと閉環反応が起らないかあるいは極端
に遅くなり実用的でない、５００℃より高くなるとポリ
マの熱分解が起シ好ましくない、加熱処理温度が５００
℃を越えるときはＮ、などの不活性ガス雰囲気あるいは
真空にするのがボＩＪ −ｒの酸化分Ｐｓを防ぐために
望ましい、 ′上記の如くして得られｔポリイミド
の上に導体金属を堆積する前に、ポリマなあらかじめプ
ラズマ放電雰囲気中で処理すると、ポリマと導体金属と
の接着性が向上する。この目的のため酸素プラズマが通
常用いられる。
に遅くなり実用的でない、５００℃より高くなるとポリ
マの熱分解が起シ好ましくない、加熱処理温度が５００
℃を越えるときはＮ、などの不活性ガス雰囲気あるいは
真空にするのがボＩＪ −ｒの酸化分Ｐｓを防ぐために
望ましい、 ′上記の如くして得られｔポリイミド
の上に導体金属を堆積する前に、ポリマなあらかじめプ
ラズマ放電雰囲気中で処理すると、ポリマと導体金属と
の接着性が向上する。この目的のため酸素プラズマが通
常用いられる。
以下１本発明を第３図を用いて具体的に説明する。
実施例１゜
セラミヴク製の基［１全面に無楢絶縁凝（例えＨＡ Ｒ
＠ Ｏｓ ） ｋ Ｘ 、’ 、ｌ ：） ７ ケＬ／
＊ ”Ｆ ｍ ’ｋ Ｔ ｊｌｔｌ ｌｌｌ５を形成
する０次に２μω厚のノ（−マロイをスノくヴタυング
で堆積しフォトエツチング技術で）くターン形放し下部
磁性体６とする。次にギャップスペーサとして約１μｌ
厚の無機絶縁膜（例えばＡＪｉｚＯｓ）７をスパッタリ
ングし、フォトエツチングでパターン化する。その上に
表の漱１で示される感光性ポリイミド前駆体ワニスを塗
布し、７０℃で′５０分間乾燥し溶媒を蒸発させる。次
いで１５ ＠ Ｗ／ａｓ ！（５６５旧００強度を有す
る高圧水銀ランプで鱒光１、、Ｎ−メｆルー２−ビロー
リドン４容、エタノール１容からなる溶媒で現像、エタ
ノールでリンスしてポリアミド酸のパターンを得る。こ
のパターンは２００℃で３０分間１次いでＮ、雰囲気中
３５０℃で３０分間熱処理して３μω厚の下部ポリイミ
ド膜のパターン２′とする。下部ポリイミド膜１１を０
２ プラズマ雰囲気で前処理した稜、順次１０００λの
ｃｒ、１ｏｏｏｆのｃｒを真空蒸着で堆積しホトエ、ツ
チどグ技術でパターン化して導体コイル８とする１次に
下部のポリイミド膜のパターン２’ト同１［のプロセス
で３μ−の厚さの上部ポリイミド膜のパターン２″を形
成する。上部のポリイミド膜のパターン２′を０２プラ
ズマ雰囲党中で前処理し友後、パーマロイを２μｍの厚
さにスパッタリングしてフォトエツチング技術でパター
ン形成し上部磁性体９とする。ｍ子のメタライズは図示
しないがＣｕとはんだで構成される。これはフォトレジ
スト膜を′予め設け、必要部分にのみめっき技術により
堆積する０以上で１層Ｂターンのヘウドが完成する。
＠ Ｏｓ ） ｋ Ｘ 、’ 、ｌ ：） ７ ケＬ／
＊ ”Ｆ ｍ ’ｋ Ｔ ｊｌｔｌ ｌｌｌ５を形成
する０次に２μω厚のノ（−マロイをスノくヴタυング
で堆積しフォトエツチング技術で）くターン形放し下部
磁性体６とする。次にギャップスペーサとして約１μｌ
厚の無機絶縁膜（例えばＡＪｉｚＯｓ）７をスパッタリ
ングし、フォトエツチングでパターン化する。その上に
表の漱１で示される感光性ポリイミド前駆体ワニスを塗
布し、７０℃で′５０分間乾燥し溶媒を蒸発させる。次
いで１５ ＠ Ｗ／ａｓ ！（５６５旧００強度を有す
る高圧水銀ランプで鱒光１、、Ｎ−メｆルー２−ビロー
リドン４容、エタノール１容からなる溶媒で現像、エタ
ノールでリンスしてポリアミド酸のパターンを得る。こ
のパターンは２００℃で３０分間１次いでＮ、雰囲気中
３５０℃で３０分間熱処理して３μω厚の下部ポリイミ
ド膜のパターン２′とする。下部ポリイミド膜１１を０
２ プラズマ雰囲気で前処理した稜、順次１０００λの
ｃｒ、１ｏｏｏｆのｃｒを真空蒸着で堆積しホトエ、ツ
チどグ技術でパターン化して導体コイル８とする１次に
下部のポリイミド膜のパターン２’ト同１［のプロセス
で３μ−の厚さの上部ポリイミド膜のパターン２″を形
成する。上部のポリイミド膜のパターン２′を０２プラ
ズマ雰囲党中で前処理し友後、パーマロイを２μｍの厚
さにスパッタリングしてフォトエツチング技術でパター
ン形成し上部磁性体９とする。ｍ子のメタライズは図示
しないがＣｕとはんだで構成される。これはフォトレジ
スト膜を′予め設け、必要部分にのみめっき技術により
堆積する０以上で１層Ｂターンのヘウドが完成する。
以上の如くして得られた薄膜磁気へヴドは、ポリイミド
絶縁層のパターン精度が±ｔ５μｍ以内に ゛制御され
ており素子の性能上満足すべきものであった。またポリ
イミド°絶縁層の形成プロセスが約半減され、しかもヒ
ドラジンヒトラード等の取り扱いづらいポリイミドエヴ
チング液を使わない九め、工程の合理化は大であること
は明らかである。
絶縁層のパターン精度が±ｔ５μｍ以内に ゛制御され
ており素子の性能上満足すべきものであった。またポリ
イミド°絶縁層の形成プロセスが約半減され、しかもヒ
ドラジンヒトラード等の取り扱いづらいポリイミドエヴ
チング液を使わない九め、工程の合理化は大であること
は明らかである。
！ｊ！施例２
実施例１と同様にして表Ｎ［１２のワニスを用いて薄膜
磁気へヴドを製造し次。ポリイミド絶縁層のパターン精
ｆは±１．３μω以内であシ、良好な画像を得ｘ、ｔｘ
冥施例１と同様、工数が約半減され工程の合理化が達成
された。
磁気へヴドを製造し次。ポリイミド絶縁層のパターン精
ｆは±１．３μω以内であシ、良好な画像を得ｘ、ｔｘ
冥施例１と同様、工数が約半減され工程の合理化が達成
された。
実施例３〜９
以下、実施例１と同様に、実施例３は表のＮ１１３のワ
ニスを、実施例４は表のＮｎ４のワニスを５実施例５は
表のに５のワニスな、実施例６は表の階６のワニスを、
実施例７は表のＮα７のワニスな。
ニスを、実施例４は表のＮｎ４のワニスを５実施例５は
表のに５のワニスな、実施例６は表の階６のワニスを、
実施例７は表のＮα７のワニスな。
実施例８に表の荀８のワニスを、実施例９は表のＮｎ９
のワニスを用すて薄膜磁気へヴドを構造し念。
のワニスを用すて薄膜磁気へヴドを構造し念。
いずれの場合もパターン精度は±１．５μｍ以内に入っ
ており良好であり、実施例１の場合と同様に工程が合理
化された。
ており良好であり、実施例１の場合と同様に工程が合理
化された。
なお実施例では導体コイルが１層のものしか示さなかっ
たが、 ２Ｉｉｉ以上の構造の薄膜磁気ヘッドもＩＲ
造できることは明らかである。この場合にｎ上部導体と
下部導体乞ポリイミド絶縁膜に設けた窓の部分で題気的
に接続する必要がある。
たが、 ２Ｉｉｉ以上の構造の薄膜磁気ヘッドもＩＲ
造できることは明らかである。この場合にｎ上部導体と
下部導体乞ポリイミド絶縁膜に設けた窓の部分で題気的
に接続する必要がある。
以上、詳述し念如く、従来、エツチング精度の制御が困
難であったボ１ｐイミドのパターン精度を全く別の加工
工程にすることＩＣＬって、±４．０μｍから±１．５
μ−以上に向上することかで１！！友。これに↓り磁気
ヘッドの読み出しく萱たは書き込み）電圧のばらつきが
少なくなり素子の歩留りを向上↑ることができ次。
難であったボ１ｐイミドのパターン精度を全く別の加工
工程にすることＩＣＬって、±４．０μｍから±１．５
μ−以上に向上することかで１！！友。これに↓り磁気
ヘッドの読み出しく萱たは書き込み）電圧のばらつきが
少なくなり素子の歩留りを向上↑ることができ次。
また１本発明にＬるポリイミド絶縁膜の形成。
加工工程は従来のフォトエ９チング法に比較して工数を
約半減することができ、しか屯人体に対する毒性あるい
け環境汚染の点で取シ扱いづらいポリイミドのエヅチン
ダ液シＬびレジスト剥離液を使わないことから、工程の
合理化は極めて大であるということができる。
約半減することができ、しか屯人体に対する毒性あるい
け環境汚染の点で取シ扱いづらいポリイミドのエヅチン
ダ液シＬびレジスト剥離液を使わないことから、工程の
合理化は極めて大であるということができる。
第１図は従来技術によるポリイミド絶縁膜の形成、加工
工程を示す図、第２図は本発明によるポリイミド絶縁膜
の形成、加工工程を示す図、第５図は本発明による実施
例を示す断面図である。 １・・・・・・ 基板 ２′・・・ ポリイミド膜のパターン ４・・・・・・ ポリイミド前駆体膜 ６・・・・・・ 下部磁性体 ８・・・・・・ ４体フィル 代理人弁理士 薄 １）利、ｄ−９賑 −）′／ 図 ）Ｘ２ 図 オ ３ 図 第ｌ貝の枕さ ０発 明 者 横野中 横浜市戸塚区吉田町２９２番地株 式会社日立製作所生産技術研究 所内 ０発 明 者 鍬塚俊一部 小田原市国府津２８８０番地株式会 社日立製作所小田原工場内
工程を示す図、第２図は本発明によるポリイミド絶縁膜
の形成、加工工程を示す図、第５図は本発明による実施
例を示す断面図である。 １・・・・・・ 基板 ２′・・・ ポリイミド膜のパターン ４・・・・・・ ポリイミド前駆体膜 ６・・・・・・ 下部磁性体 ８・・・・・・ ４体フィル 代理人弁理士 薄 １）利、ｄ−９賑 −）′／ 図 ）Ｘ２ 図 オ ３ 図 第ｌ貝の枕さ ０発 明 者 横野中 横浜市戸塚区吉田町２９２番地株 式会社日立製作所生産技術研究 所内 ０発 明 者 鍬塚俊一部 小田原市国府津２８８０番地株式会 社日立製作所小田原工場内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ 基板上に所定のパターンの下部磁性体を形成する第
１工程と１Ｍ下部磁性体の形成された基板面全面にわ九
って感光性ポリイミド前駆体の溶液を塗布、乾燥する第
２工程と、該感光性ポリイミド前駆体を元ｔ７ｔは放射
線で雑光し次すで現像して所定のパターンのポリイミド
前駆体を形成する第５工程と、該ポリイミド前駆体を熱
処理して下部ポリイミドに転化する第４工程と、該下部
ポリイミド上に所定のパターンの導体を形成する第５工
程と、該導体上に前記第２工程から第４工程に至る工程
を繰シ返し、上部ポリイミドを形成する第６エ程と、必
要に応じて前記第５工程から第６１程に至る工程を繰〕
返して被数層の導体を形成する第７エ程と、該上部ポリ
イミド上に所定のパターンの上部磁性体を形成する第８
工程とからなることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
方法。 ２ 前記感光性ポリイミド前駆体１４、τ般式（但し１
式中Ｒ′は３価または４価の有機基 ａｌは２価の有機
基、Ｍは水素ｔＸはアンモニウムイオン、ｎは１または
２・を表わす、） で示される繰り返し単位を有するポリマと、一般式 ％式％ （但し１式中Ｒ５は２価ｔたは３価の有機基を表わす、
）で示されるビスアジド化合物と。 分子内に５級炭素に結合した水素を有する基ま几は２級
炭素に結合し九水素を有する基ま几は不飽和結合を有す
るアミン化合物〔璽〕と、必要に応じて加える増感剤と
から成ることを特徴とする特許請求範囲第１項記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法。 入 前記ビスアジド化合物〔璽〕は前記ＣＩ）で示され
る繰り返し単位を有するポリマ１０ ｏｌｔｓに対して
（１１重量部以上１００重量部以下、前記アミン化合物
（１）は前記（１）で示される繰シ返し単位を有するボ
ＩＪ−ｖ１００重量部に対して１重量部以上４００重量
部以下の割合で配合されていることを特徴とする特軒請
求範囲第１項お工び第２項計；載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14621481A JPS5850617A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14621481A JPS5850617A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5850617A true JPS5850617A (ja) | 1983-03-25 |
| JPH0311003B2 JPH0311003B2 (ja) | 1991-02-15 |
Family
ID=15402685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14621481A Granted JPS5850617A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5850617A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60187912A (ja) * | 1984-03-08 | 1985-09-25 | Trio Kenwood Corp | 薄膜磁気ヘツドのパタ−ン形成法 |
| US4598868A (en) * | 1984-10-12 | 1986-07-08 | Sasaki Nouki Kabushiki Kaisha | Fertilizer spreader having dispersing space formed between front end outlet and a clash part |
| JPS61188712A (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-22 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド |
| JPS62273617A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS63188814A (ja) * | 1987-02-02 | 1988-08-04 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
-
1981
- 1981-09-18 JP JP14621481A patent/JPS5850617A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60187912A (ja) * | 1984-03-08 | 1985-09-25 | Trio Kenwood Corp | 薄膜磁気ヘツドのパタ−ン形成法 |
| US4598868A (en) * | 1984-10-12 | 1986-07-08 | Sasaki Nouki Kabushiki Kaisha | Fertilizer spreader having dispersing space formed between front end outlet and a clash part |
| JPS61188712A (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-22 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド |
| JPH07101484B2 (ja) * | 1985-02-18 | 1995-11-01 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘツド |
| JPS62273617A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS63188814A (ja) * | 1987-02-02 | 1988-08-04 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0311003B2 (ja) | 1991-02-15 |
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