JPH07141625A - 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドとその製造方法Info
- Publication number
- JPH07141625A JPH07141625A JP28656493A JP28656493A JPH07141625A JP H07141625 A JPH07141625 A JP H07141625A JP 28656493 A JP28656493 A JP 28656493A JP 28656493 A JP28656493 A JP 28656493A JP H07141625 A JPH07141625 A JP H07141625A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyimide
- photoresist
- thin film
- magnetic head
- film magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、熱処理を必要とする薄膜磁気ヘッ
ドに関するもので、複雑な長時間のプロセスを要しな
い、短時間にしかも容易に絶縁層をパターニングして設
けることを目的とする。 【構成】 絶縁層としてのイミド化率が６０〜９０％の
範囲にあるポリイミド２の上にフォトレジスト３を塗布
しプリベイク（乾燥）処理を施し、フォトマスク４を重
ねて感光させた後、アルカリ性の現像液でフォトレジス
トとともにポリイミドをもパターニングする工程と、さ
らに中性のリムーバーまたは有機溶剤でポリイミド膜の
上にある残りのフォトレジストを除去してポリイミド絶
縁層のパターニングを行う工程を経て層間絶縁膜を形成
する。
ドに関するもので、複雑な長時間のプロセスを要しな
い、短時間にしかも容易に絶縁層をパターニングして設
けることを目的とする。 【構成】 絶縁層としてのイミド化率が６０〜９０％の
範囲にあるポリイミド２の上にフォトレジスト３を塗布
しプリベイク（乾燥）処理を施し、フォトマスク４を重
ねて感光させた後、アルカリ性の現像液でフォトレジス
トとともにポリイミドをもパターニングする工程と、さ
らに中性のリムーバーまたは有機溶剤でポリイミド膜の
上にある残りのフォトレジストを除去してポリイミド絶
縁層のパターニングを行う工程を経て層間絶縁膜を形成
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気コアを蒸着、スパ
ッタなどのドライプロセスで形成し、その製造工程に熱
処理を必要とする薄膜磁気ヘッドとその製造方法に関す
るものである。
ッタなどのドライプロセスで形成し、その製造工程に熱
処理を必要とする薄膜磁気ヘッドとその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜磁気ヘッドでは磁気コアとし
てパーマロイなどをメッキで形成し、その電気絶縁層と
してはフォトレジストをパターニング後ポストベイクし
てそのまま用いている。また、磁気コアの磁気特性を向
上させるために、磁性材としてアモルファス金属などが
使われつつある。この場合、磁気コアの特性を得るため
に熱処理が必要となり、そのため絶縁層としてはフォト
レジストではなく、Al2O 3やSiO2が用いられている。Al2
O3やSiO2のパターニングは、フォトレジストでパターン
出しをした後、イオンミリングで行われて、最終にレジ
ストをリムーバで除去する工程を採用している。
てパーマロイなどをメッキで形成し、その電気絶縁層と
してはフォトレジストをパターニング後ポストベイクし
てそのまま用いている。また、磁気コアの磁気特性を向
上させるために、磁性材としてアモルファス金属などが
使われつつある。この場合、磁気コアの特性を得るため
に熱処理が必要となり、そのため絶縁層としてはフォト
レジストではなく、Al2O 3やSiO2が用いられている。Al2
O3やSiO2のパターニングは、フォトレジストでパターン
出しをした後、イオンミリングで行われて、最終にレジ
ストをリムーバで除去する工程を採用している。
【０００３】一部では、ポリイミドを層間絶縁膜として
採用する例もあり、その場合３５０℃以上もの温度で硬
化した後、その表面に金属を蒸着などでつけ、その金属
膜上にさらにフォトレジストを塗布し、フォトマスクを
用いて感光させた後現像、さらに金属膜のエッチングに
よるパターニング、酸素ミリングなどによるポリイミド
膜のパターニング、金属膜の除去というように非常に複
雑な工程を経ている。
採用する例もあり、その場合３５０℃以上もの温度で硬
化した後、その表面に金属を蒸着などでつけ、その金属
膜上にさらにフォトレジストを塗布し、フォトマスクを
用いて感光させた後現像、さらに金属膜のエッチングに
よるパターニング、酸素ミリングなどによるポリイミド
膜のパターニング、金属膜の除去というように非常に複
雑な工程を経ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】熱処理を必要とする薄
膜ヘッド製造方法では、フォトレジストを絶縁膜として
は用いることはできない。また、これまで絶縁層として
用いられてきたAl2O3やSiO2では、膜形成及びミリング
の両方のプロセスにおいて、実際の膜形成、パターン出
しのためのミリングのほか、チャンバー内の排気や基板
温度の加熱など非常に長時間を要する。
膜ヘッド製造方法では、フォトレジストを絶縁膜として
は用いることはできない。また、これまで絶縁層として
用いられてきたAl2O3やSiO2では、膜形成及びミリング
の両方のプロセスにおいて、実際の膜形成、パターン出
しのためのミリングのほか、チャンバー内の排気や基板
温度の加熱など非常に長時間を要する。
【０００５】また、導体層間に絶縁層を形成するためそ
の層数も多く、ヘッド作製は極めて長時間のプロセスと
なる。
の層数も多く、ヘッド作製は極めて長時間のプロセスと
なる。
【０００６】ポリイミドを層間絶縁膜として採用した場
合、一般にポリイミドの硬化温度は３５０℃以上にもな
り、磁性材料にアモルファスを用いた場合などはアモル
ファスの結晶化温度に近づき、結晶化が起こることもあ
る。また、ポリイミドを絶縁膜として何層も用いた場合
などは、その都度高温まで昇温するため磁気コアや特に
磁気抵抗効果（ＭＲ）素子を用いたヘッドなどでは、そ
の磁気異方性を乱してしまうことになる。さらに、ポリ
イミド膜のパターニングは前述のように非常に複雑で時
間もかかることになる。
合、一般にポリイミドの硬化温度は３５０℃以上にもな
り、磁性材料にアモルファスを用いた場合などはアモル
ファスの結晶化温度に近づき、結晶化が起こることもあ
る。また、ポリイミドを絶縁膜として何層も用いた場合
などは、その都度高温まで昇温するため磁気コアや特に
磁気抵抗効果（ＭＲ）素子を用いたヘッドなどでは、そ
の磁気異方性を乱してしまうことになる。さらに、ポリ
イミド膜のパターニングは前述のように非常に複雑で時
間もかかることになる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような複雑で長時間
を要する薄膜磁気ヘッドを、特性を保ちながら短時間に
作製するために、ヘッド内部の絶縁層としてイミド化率
６０〜９０％のポリイミド樹脂膜を用いる。
を要する薄膜磁気ヘッドを、特性を保ちながら短時間に
作製するために、ヘッド内部の絶縁層としてイミド化率
６０〜９０％のポリイミド樹脂膜を用いる。
【０００８】
【作用】イミド化率が６０〜９０％のポリイミドは、ア
ルカリ性溶液に可溶であり、このポリイミド膜上に形成
されたフォトレジストの現像液にアルカリ性のものを用
いることにより、フォトレジストが除去された部分のポ
リイミドも同時に除去され、フォトレジストが残ってい
る部分のポリイミドはフォトレジストに保護されて残る
ことになる。さらに、中性のリムーバや有機溶剤で残っ
たフォトレジストを除去すると、パターニングされたポ
リイミドが残ることになる。この場合、フォトレジスト
はポストベイクしていないので容易に除去できる。
ルカリ性溶液に可溶であり、このポリイミド膜上に形成
されたフォトレジストの現像液にアルカリ性のものを用
いることにより、フォトレジストが除去された部分のポ
リイミドも同時に除去され、フォトレジストが残ってい
る部分のポリイミドはフォトレジストに保護されて残る
ことになる。さらに、中性のリムーバや有機溶剤で残っ
たフォトレジストを除去すると、パターニングされたポ
リイミドが残ることになる。この場合、フォトレジスト
はポストベイクしていないので容易に除去できる。
【０００９】
【実施例】以下、実施例１について図を用いて説明す
る。
る。
【００１０】（図１）は本発明の絶縁膜形成のパターニ
ング工程図である。ここでは、簡単のために、絶縁膜の
パターニングのみに限定し、磁気コアや導体層の記述は
省略した。(a)基板１上にイミド化率７５％のポリイミ
ド溶液をスピン塗布し、１８０℃で１時間乾燥させ、ポ
リイミド膜２を形成する。(b)さらにポリイミド上にフ
ォトレジスト３をスピン塗布し、９０℃で１５分間プリ
ベイク（乾燥）させる。(c)フォトマスク４を用いて、
フォトレジスト３を感光させる。(d)アルカリ性の現像
液でフォトレジスト３と同時にポリイミド２もパターニ
ングする。(e)中性のリムーバで残りのフォトレジスト
３を除去する。
ング工程図である。ここでは、簡単のために、絶縁膜の
パターニングのみに限定し、磁気コアや導体層の記述は
省略した。(a)基板１上にイミド化率７５％のポリイミ
ド溶液をスピン塗布し、１８０℃で１時間乾燥させ、ポ
リイミド膜２を形成する。(b)さらにポリイミド上にフ
ォトレジスト３をスピン塗布し、９０℃で１５分間プリ
ベイク（乾燥）させる。(c)フォトマスク４を用いて、
フォトレジスト３を感光させる。(d)アルカリ性の現像
液でフォトレジスト３と同時にポリイミド２もパターニ
ングする。(e)中性のリムーバで残りのフォトレジスト
３を除去する。
【００１１】以上にようにして、ポリイミド膜のパター
ニングが完了する。ここで用いたポリイミドは、日本合
成ゴム社製のオプトマーＡＬ１０５１のイミド化率を７
５％にしたものである。（化１）にポリアミック酸から
ポリイミドへの反応を示した。
ニングが完了する。ここで用いたポリイミドは、日本合
成ゴム社製のオプトマーＡＬ１０５１のイミド化率を７
５％にしたものである。（化１）にポリアミック酸から
ポリイミドへの反応を示した。
【００１２】
【化１】
【００１３】また、フォトレジストとして、ＳＨＩＰＬ
ＥＹ社のＭＰ−Ｓ１４００−３７を用い、アルカリ性の
現像液としてＳＨＩＰＬＥＹ社のＭＦ−３１２を純水で
２倍に希釈した液、中性のリムーバとしてＳＨＩＰＬＥ
Ｙ社のリムーバ１１６５を用いた。また、リムーバの代
わりにアセトン等の有機溶剤を用いても同様に十分な効
果があった。
ＥＹ社のＭＰ−Ｓ１４００−３７を用い、アルカリ性の
現像液としてＳＨＩＰＬＥＹ社のＭＦ−３１２を純水で
２倍に希釈した液、中性のリムーバとしてＳＨＩＰＬＥ
Ｙ社のリムーバ１１６５を用いた。また、リムーバの代
わりにアセトン等の有機溶剤を用いても同様に十分な効
果があった。
【００１４】このイミド化率７５％のポリイミドを２０
０℃、３００℃の２種類の環境に３時間放置した場合の
反応の進み具合いを赤外線吸収スペクトル法（ＩＲ）で
調べた。ベンゼン環の吸収（波数１５２０：強度不変）
に対するカルボニル基の吸収（波数１６９５、１７４
０）の大きさで評価したが殆ど変化はなかった。これに
より、ポリアミック酸は熱処理に対して比較的安定であ
ることがわかった。
０℃、３００℃の２種類の環境に３時間放置した場合の
反応の進み具合いを赤外線吸収スペクトル法（ＩＲ）で
調べた。ベンゼン環の吸収（波数１５２０：強度不変）
に対するカルボニル基の吸収（波数１６９５、１７４
０）の大きさで評価したが殆ど変化はなかった。これに
より、ポリアミック酸は熱処理に対して比較的安定であ
ることがわかった。
【００１５】次に、イミド化率を６０％、９０％にした
ものを用い、あとは実施例１と全く同様にパターニング
を行い、それぞれ実施例２、実施例３とした。線幅約１
０μｍのパターニングで評価を行った。膜の厚みによっ
てそのパターン精度が決まるがここでは０．５〜０．８
μｍの範囲に来るようにした。結果は（表１）に示すよ
うにやや線幅が細くなるものがあるが十分パターン出し
がなされている。線幅の精度は、膜厚及び要求されるパ
ターンの大きさにもよるため、やや荒めに評価した。
ものを用い、あとは実施例１と全く同様にパターニング
を行い、それぞれ実施例２、実施例３とした。線幅約１
０μｍのパターニングで評価を行った。膜の厚みによっ
てそのパターン精度が決まるがここでは０．５〜０．８
μｍの範囲に来るようにした。結果は（表１）に示すよ
うにやや線幅が細くなるものがあるが十分パターン出し
がなされている。線幅の精度は、膜厚及び要求されるパ
ターンの大きさにもよるため、やや荒めに評価した。
【００１６】（比較例）次に、イミド化率１００％、５
０％のものをそれぞれ比較例１、２として、実施例と同
様の工程でパターン出しを行った。結果は（表１）に実
施例と併せて記載した。
０％のものをそれぞれ比較例１、２として、実施例と同
様の工程でパターン出しを行った。結果は（表１）に実
施例と併せて記載した。
【００１７】
【表１】
【００１８】比較例１では、イミド化率が１００％のた
め、耐アルカリ性も良くなっており、フォトレジストの
保護の有無が有効には作用しておらずパターンが抜けな
い。逆に、イミド化率５０％の比較例２では、耐アルカ
リが弱すぎて、フォトレジストに保護されていても側面
からの溶け出しがあり、パターン切れが生じている。
め、耐アルカリ性も良くなっており、フォトレジストの
保護の有無が有効には作用しておらずパターンが抜けな
い。逆に、イミド化率５０％の比較例２では、耐アルカ
リが弱すぎて、フォトレジストに保護されていても側面
からの溶け出しがあり、パターン切れが生じている。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば複雑な工
程や高温処理、時間のかかるAl2O3やSiO2の成膜及びミ
リング等をせずに、少ない工程で短時間に絶縁層を形成
することができる。また、絶縁層を含め、磁気コア、導
体層などをすべて形成した後でも熱処理を施すことがで
きるものである。
程や高温処理、時間のかかるAl2O3やSiO2の成膜及びミ
リング等をせずに、少ない工程で短時間に絶縁層を形成
することができる。また、絶縁層を含め、磁気コア、導
体層などをすべて形成した後でも熱処理を施すことがで
きるものである。
【図１】（ａ）は本発明によるポリイミド絶縁膜形成の
パターニング工程図 （ｂ）は本発明によるポリイミド絶縁膜形成のパターニ
ング工程図 （ｃ）は本発明によるポリイミド絶縁膜形成のパターニ
ング工程図 （ｅ）は本発明によるポリイミド絶縁膜形成のパターニ
ング工程図
パターニング工程図 （ｂ）は本発明によるポリイミド絶縁膜形成のパターニ
ング工程図 （ｃ）は本発明によるポリイミド絶縁膜形成のパターニ
ング工程図 （ｅ）は本発明によるポリイミド絶縁膜形成のパターニ
ング工程図
１ 基板 ２ ポリイミド膜 ３ フォトレジスト ４ フォトマスク
Claims (2)
- 【請求項１】製造工程中に熱処理を必要とする薄膜磁気
ヘッドの絶縁層としてイミド化率が６０％から９０％の
範囲にあるポリイミド樹脂膜を用いたことを特徴とする
薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法
であって、その絶縁層としてのポリイミドの上にフォト
レジストを塗布しプリベイク（乾燥）処理を施し、フォ
トマスクを重ねて感光させた後、アルカリ性の現像液で
フォトレジストとともにポリイミドをもパターニングす
る工程と、さらに中性のリムーバーまたは有機溶剤でポ
リイミド膜の上にある残りのフォトレジストを除去して
ポリイミド絶縁層のパターニングを行う工程を経て層間
絶縁膜を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28656493A JPH07141625A (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28656493A JPH07141625A (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07141625A true JPH07141625A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=17706046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28656493A Pending JPH07141625A (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07141625A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002287136A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-03 | Minolta Co Ltd | 反射型液晶表示素子 |
-
1993
- 1993-11-16 JP JP28656493A patent/JPH07141625A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002287136A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-03 | Minolta Co Ltd | 反射型液晶表示素子 |
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