JPS60233647A - レリ−フ構造体の製造方法 - Google Patents
レリ−フ構造体の製造方法Info
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- JPS60233647A JPS60233647A JP60064947A JP6494785A JPS60233647A JP S60233647 A JPS60233647 A JP S60233647A JP 60064947 A JP60064947 A JP 60064947A JP 6494785 A JP6494785 A JP 6494785A JP S60233647 A JPS60233647 A JP S60233647A
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- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
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- C08G73/20—Pyrrones
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0387—Polyamides or polyimides
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- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、放射線に敏感な可溶性のポリマー前駆物質′
Jk層又は箔の形で基材に施し1層又は箔を陰画マスク
を置いて活性線又は電子で照射するか又は光、電子、イ
オン又はレーザー光線を導いて照射し、照射されなかっ
た鳩又は箔部分を除去し、場合C:よっては次いで熱熟
理することC:より高い熱安定性のポリイミダゾール及
びボタイミダゾピロロン−レリーフ構造体を製造する方
法(:関する。
Jk層又は箔の形で基材に施し1層又は箔を陰画マスク
を置いて活性線又は電子で照射するか又は光、電子、イ
オン又はレーザー光線を導いて照射し、照射されなかっ
た鳩又は箔部分を除去し、場合C:よっては次いで熱熟
理することC:より高い熱安定性のポリイミダゾール及
びボタイミダゾピロロン−レリーフ構造体を製造する方
法(:関する。
ドイツ連邦共和国特許出願公開公報第2933871号
(特開昭56−35132号公報)より高い熱安定性の
ポジイミダゾール及びポリイミダゾピロロン−レリーフ
構造体を製造するための先(:記載した形式の方法は公
知である。この方法ではポリマー前駆物質として、芳香
族及び/又は複素環式テトラアミノ化合物とジカルボン
酸クロリド又は−エステルとのアミノ基含有ポリ縮合生
成物への、又はテトラアミノ化合物とテトラカルボン酸
二無水物とから成るアミノ基含有ポリ付加生成物へのオ
レフィン不飽和モノエポキシドの付加生成物?使用する
。
(特開昭56−35132号公報)より高い熱安定性の
ポジイミダゾール及びポリイミダゾピロロン−レリーフ
構造体を製造するための先(:記載した形式の方法は公
知である。この方法ではポリマー前駆物質として、芳香
族及び/又は複素環式テトラアミノ化合物とジカルボン
酸クロリド又は−エステルとのアミノ基含有ポリ縮合生
成物への、又はテトラアミノ化合物とテトラカルボン酸
二無水物とから成るアミノ基含有ポリ付加生成物へのオ
レフィン不飽和モノエポキシドの付加生成物?使用する
。
この公知方法(二より製造されたレリーフ構造体は優れ
た特性によって特徴づけられる。すなわちこの構造体は
450℃までの加熱工程に耐えまた連続作業で短波光線
C二対して抵抗性を有する。この公知のレリーフ構造体
は湿式化学法1例えばアルカy又は酸腐il!Ilc:
よる基材の微細構造化に対するマスクとしても適してい
る。公知方法の場合。
た特性によって特徴づけられる。すなわちこの構造体は
450℃までの加熱工程に耐えまた連続作業で短波光線
C二対して抵抗性を有する。この公知のレリーフ構造体
は湿式化学法1例えばアルカy又は酸腐il!Ilc:
よる基材の微細構造化に対するマスクとしても適してい
る。公知方法の場合。
ポリマー前駆物質の加工特性は未だ完全C:は満足すべ
きものではなく、特にその感光性には限界がある。
きものではなく、特にその感光性には限界がある。
本発明の目的は、ポリイミダゾール及びポリイミダゾピ
ロロン−レリーフ構造体を製造するための先に記載した
方法を、短かい露光時間で高い熱安定性の非常に純粋な
レリーフ構造体を製造することができるように、充分に
改良することである。
ロロン−レリーフ構造体を製造するための先に記載した
方法を、短かい露光時間で高い熱安定性の非常に純粋な
レリーフ構造体を製造することができるように、充分に
改良することである。
(問題点を解決するための手段J
この目的は本発明によれば、ボ9マー前駆Mとしてカル
ボジイミドの使用下C:製造された芳香族及び/又は複
素環式のテトラアミノ化合物とオレフィン不飽和モノカ
ルボン酸及びジカルボン酸との、又はオレフィン不飽和
モノカルボン酸及び芳香族及び、/又は複素環式テトラ
カルボン酸二無水物との、又はテトラカルボン酸二無水
物及びオレフィン不飽和アルコールから成る付加生成物
の形のオレフィン不飽和テトラカルボン酸ジエステルと
の反応生成物を使用することC:よって達成される。
ボジイミドの使用下C:製造された芳香族及び/又は複
素環式のテトラアミノ化合物とオレフィン不飽和モノカ
ルボン酸及びジカルボン酸との、又はオレフィン不飽和
モノカルボン酸及び芳香族及び、/又は複素環式テトラ
カルボン酸二無水物との、又はテトラカルボン酸二無水
物及びオレフィン不飽和アルコールから成る付加生成物
の形のオレフィン不飽和テトラカルボン酸ジエステルと
の反応生成物を使用することC:よって達成される。
本発明方法により製造されたレリーフ構造体は優れた温
度安定性を有する。更C二このレリーフ構造体は部分的
C;&性有機溶剤1例えばジメチルスルホキシド、ジメ
デルアセトアミド、ジメチルホルムアミド及びN−メチ
ルピロ9トンに可溶であり、したがって必要な場合C二
は基材から再び除去することができる。また本発明方法
は、使用したポリマー前駆物質が部分的C:水−アルカ
リ性媒体(二可溶であること、すなわち放射i反応性の
前駆物質が露光後水−アルカリで現像され得ることによ
って特徴づけられる。この事実は特&:経済上の理由か
ら有意義である。それというのも有機現像剤の欠点5例
えば可燃性及び毒性がないからである。更i二本発明方
法は、著しく短かい露光時間で極めて良好な溶解性を有
する縁鮮鋭な構造体が得られることC:より、特徴づけ
られる。
度安定性を有する。更C二このレリーフ構造体は部分的
C;&性有機溶剤1例えばジメチルスルホキシド、ジメ
デルアセトアミド、ジメチルホルムアミド及びN−メチ
ルピロ9トンに可溶であり、したがって必要な場合C二
は基材から再び除去することができる。また本発明方法
は、使用したポリマー前駆物質が部分的C:水−アルカ
リ性媒体(二可溶であること、すなわち放射i反応性の
前駆物質が露光後水−アルカリで現像され得ることによ
って特徴づけられる。この事実は特&:経済上の理由か
ら有意義である。それというのも有機現像剤の欠点5例
えば可燃性及び毒性がないからである。更i二本発明方
法は、著しく短かい露光時間で極めて良好な溶解性を有
する縁鮮鋭な構造体が得られることC:より、特徴づけ
られる。
本発明方法の場合、ボ97−前躯物質は光又は放射線(
=敏感な共重合用能の化合物と一緒(:有利C:使用す
ることができる。この場合N置換されたマレインイミド
全使用することが好ましい。しかし又アクリレート又は
メタクリレート基含有化合物を使用することもできる。
=敏感な共重合用能の化合物と一緒(:有利C:使用す
ることができる。この場合N置換されたマレインイミド
全使用することが好ましい。しかし又アクリレート又は
メタクリレート基含有化合物を使用することもできる。
更に光開始剤及び/又は光増感剤を使用することもでき
る(「インダストリー ヒエミク ペルシュ (ind
ustrieChemique Belge ) j
第24巻、1959年。
る(「インダストリー ヒエミク ペルシュ (ind
ustrieChemique Belge ) j
第24巻、1959年。
第739頁〜第764頁、並び(ニコザール(J。
Koaar ) 著「ライト センシステイプ システ
ム(Light −5ensitive System
s )J JohnWiley & Son!IInc
0社版、 NeW Yo rk在、1g65年、第14
3頁〜第146頁及び第160頁P−第188員参照〕
。特C:適しているのはイミダゾール、特にベンズイミ
ダゾール、及びケトクマリン並びCニミヒラーケトンで
あるが1例えばベンゾインエーテル、z−tart、ブ
チル−9,10−アントラキノン、1.2−ベンズ−9
,10−アントラキノン及び4.4′−ビス(ジエチル
アミノ)−ベンゾフェノンも適している。更に本発明(
二よる方法では接着助剤を使用することができる。
ム(Light −5ensitive System
s )J JohnWiley & Son!IInc
0社版、 NeW Yo rk在、1g65年、第14
3頁〜第146頁及び第160頁P−第188員参照〕
。特C:適しているのはイミダゾール、特にベンズイミ
ダゾール、及びケトクマリン並びCニミヒラーケトンで
あるが1例えばベンゾインエーテル、z−tart、ブ
チル−9,10−アントラキノン、1.2−ベンズ−9
,10−アントラキノン及び4.4′−ビス(ジエチル
アミノ)−ベンゾフェノンも適している。更に本発明(
二よる方法では接着助剤を使用することができる。
これには特lニジラン、例えばビニルトリエトキンシラ
ン、ビニル−トリス(β−メトキシ−エトキシ)−シラ
ン、γ−メタクシルオキシプロビルート9メトキシシラ
ン及びγ−グリシドオキシープロビルートシメトキシシ
ランが使用される。
ン、ビニル−トリス(β−メトキシ−エトキシ)−シラ
ン、γ−メタクシルオキシプロビルート9メトキシシラ
ン及びγ−グリシドオキシープロビルートシメトキシシ
ランが使用される。
本発明方法で使用されるオシゴマ−及び/又はポリマー
特性の放射線反応性前駆物質は、一般1:第1の式はポ
リイミダゾール前駆物質をまた第2の式はポリイミダゾ
ピロロン前駆物質を表わす上記式中1=含まれる矢印は
、R1二おける2つの当該置換分がその位置を変換可能
であるという事実を表わす。このことは後(二詳述する
ようC,Rが環状の基を表わすことから重要である。
特性の放射線反応性前駆物質は、一般1:第1の式はポ
リイミダゾール前駆物質をまた第2の式はポリイミダゾ
ピロロン前駆物質を表わす上記式中1=含まれる矢印は
、R1二おける2つの当該置換分がその位置を変換可能
であるという事実を表わす。このことは後(二詳述する
ようC,Rが環状の基を表わすことから重要である。
式中nは2〜約100の整数を表わし、mは0又は]を
表わす。
表わす。
R,R’・R″・R1及びR′は以下の通6ノである。
Rは(場合によってはハロゲン化されていてもよい〕少
くとも部分的な芳香族及び/又は複素環式の4価、すな
わち4官能性の基であり、この場合隣接位のそれぞれ2
個の原子制振は向い合って配列さ庇ている。したがって
基Rが数個の芳香族及び/又は複素環式構造単位を有す
る場合、対をなす原子制振はそれぞれこの種の末端位構
造単位C;存在する。
くとも部分的な芳香族及び/又は複素環式の4価、すな
わち4官能性の基であり、この場合隣接位のそれぞれ2
個の原子制振は向い合って配列さ庇ている。したがって
基Rが数個の芳香族及び/又は複素環式構造単位を有す
る場合、対をなす原子制振はそれぞれこの種の末端位構
造単位C;存在する。
R1は脂肪族及び/又は脂環式の、場合(=よってはへ
テロ原子を有していてもよい構造の、及び/又は芳香族
及び/又は複素環式構造の(場合によってはへロゲン化
されていてもよい)2価、すなわち2官能性の基である
。
テロ原子を有していてもよい構造の、及び/又は芳香族
及び/又は複素環式構造の(場合によってはへロゲン化
されていてもよい)2価、すなわち2官能性の基である
。
R2はオレフィン不飽和基1例えばアリルエーテル含有
基、特C(場合によっては置換されていてもよい)(メ
タ)アクリルエステル含有基又はプロパルギル基である
。
基、特C(場合によっては置換されていてもよい)(メ
タ)アクリルエステル含有基又はプロパルギル基である
。
R1は少くとも部分的な芳香族及び/又は複素環式−の
2価、すなわち2官能性の基であり、この場合少くとも
隣接位の2つの原子制振の一方にアミノ基が配列されて
おり、R1が数個の芳香族及び/又は複素環式構造単位
を有する場合、自由な原子制振はそれぞれ末端位のこの
種の構造単位に存在している。
2価、すなわち2官能性の基であり、この場合少くとも
隣接位の2つの原子制振の一方にアミノ基が配列されて
おり、R1が数個の芳香族及び/又は複素環式構造単位
を有する場合、自由な原子制振はそれぞれ末端位のこの
種の構造単位に存在している。
R′は氷菓原子又はR1である。
本発明によるレリーフ構造体の製造は、すでに記載した
ようにポリマー前駆物質を層又は箔の形で基材に施し、
活性線又は電子でマスク!介して露光するか又は光、電
子又はイオンビーム又はレーザー光線を案内することに
よって照射し、引続き未露光又は未照射層又は箔部分を
溶解除去するか又は剥離し、その際生じたレリーフ構造
体を場合(:よっては熱処理する方法i;よって行う。
ようにポリマー前駆物質を層又は箔の形で基材に施し、
活性線又は電子でマスク!介して露光するか又は光、電
子又はイオンビーム又はレーザー光線を案内することに
よって照射し、引続き未露光又は未照射層又は箔部分を
溶解除去するか又は剥離し、その際生じたレリーフ構造
体を場合(:よっては熱処理する方法i;よって行う。
前駆物質は有利C:は有機溶剤(;溶かして基材に設け
ることができ、溶剤としてはN−メチルピロリドンを使
用することが好ましい。溶液の濃度は、公知の被覆法1
例えば遠心塗布、浸漬、噴N、刷毛塗り又はローラ細け
により層厚0.01 、#へ数100μ鶏が得られるよ
う(二調整することができる。例えば遠心塗布の場合均
一で良好な表向品質を得るCF、毎分300〜1000
0回転で1〜100秒間が適当であることを示す。有利
(:はガラス、金属プラスチック又は半導電性材料から
成る基材(:施されたフォトレジスト層から室温又はこ
れより高い温度、有利C二は20〜50℃の温度で窒素
又は空気流中において溶剤を除去することができ。
ることができ、溶剤としてはN−メチルピロリドンを使
用することが好ましい。溶液の濃度は、公知の被覆法1
例えば遠心塗布、浸漬、噴N、刷毛塗り又はローラ細け
により層厚0.01 、#へ数100μ鶏が得られるよ
う(二調整することができる。例えば遠心塗布の場合均
一で良好な表向品質を得るCF、毎分300〜1000
0回転で1〜100秒間が適当であることを示す。有利
(:はガラス、金属プラスチック又は半導電性材料から
成る基材(:施されたフォトレジスト層から室温又はこ
れより高い温度、有利C二は20〜50℃の温度で窒素
又は空気流中において溶剤を除去することができ。
この場合真空中でも有利に処理することができる。
照射された層又は箔部分と照射されなかった層又は箔部
分との間に十分な溶解度差を得るには。
分との間に十分な溶解度差を得るには。
本発明方法の場合(soowの高圧水銀灯を使用した場
合)その組成及び層厚との関連≦二おいて露光時間は1
0〜600秒で十分である。露光後層又は箔の露光され
なかった部分ン、有利(二は水−アルカリ又は有機現像
剤を用いて溶解除去する。
合)その組成及び層厚との関連≦二おいて露光時間は1
0〜600秒で十分である。露光後層又は箔の露光され
なかった部分ン、有利(二は水−アルカリ又は有機現像
剤を用いて溶解除去する。
本発明方法を用いること(二より、熱処理によって高い
熱安定性で酸及び苛性アルカリ液に対して抵抗性のポリ
マーに反わるコントラス)(=富んだ拳、すなわちレリ
ーフ構造体が得られる。一般に220〜500℃の温度
を選択することができるが、300〜400℃の温度で
熱処理するのが有利である。熱処理時間は一般に30分
間であり。
熱安定性で酸及び苛性アルカリ液に対して抵抗性のポリ
マーに反わるコントラス)(=富んだ拳、すなわちレリ
ーフ構造体が得られる。一般に220〜500℃の温度
を選択することができるが、300〜400℃の温度で
熱処理するのが有利である。熱処理時間は一般に30分
間であり。
この場合窒素雰囲気下C二看色は認められない。レリー
フ構造体の縁鮮明度及び寸法精度は熱処理仁よって実際
(;影譬されることはない。更≦:し9−゛〕構造体の
良好な表面品質は熱処理C二線して層厚が減少するにも
かかわらず保持される。
フ構造体の縁鮮明度及び寸法精度は熱処理仁よって実際
(;影譬されることはない。更≦:し9−゛〕構造体の
良好な表面品質は熱処理C二線して層厚が減少するにも
かかわらず保持される。
本発明方法では芳香族成分から成るポリマー前駆物質が
有利C:使用さ几、従って熱処理に際して、すなわち焼
戻し処理に際して次の構造単位を有するポジマーが生じ
る。
有利C:使用さ几、従って熱処理に際して、すなわち焼
戻し処理に際して次の構造単位を有するポジマーが生じ
る。
ポリイミダゾール ポリイミダゾピロロン前記の化合物
群は半導体ポリマー並びC;導電体ポリマーに数えられ
、高い温度安定性(:よって特徴づけられる(約SOO
℃まで)。
群は半導体ポリマー並びC;導電体ポリマーに数えられ
、高い温度安定性(:よって特徴づけられる(約SOO
℃まで)。
更にポリイミダゾール前駆物質の製造は一般にテトラア
ミノ化合物をす71ノづメンスー鉛工lカルボン酸と反
応させ1次いでその際生じた縮合生成物をジカルボン酸
と1縮合するか、又はテトラアミノ化合物をまずジカル
ボン酸と反応させ。
ミノ化合物をす71ノづメンスー鉛工lカルボン酸と反
応させ1次いでその際生じた縮合生成物をジカルボン酸
と1縮合するか、又はテトラアミノ化合物をまずジカル
ボン酸と反応させ。
次いでその際生じたポリ縮合生成物にオレフィン不飽和
モノカルボンWRを付加縮合すること(二より行う。こ
の場合これらの反応の各々はカルボジイミドの存在下で
実施する。
モノカルボンWRを付加縮合すること(二より行う。こ
の場合これらの反応の各々はカルボジイミドの存在下で
実施する。
ポリイミダゾピロロン前駆物質を製造するには、テトラ
アミノ化合物をまずカルボジイミドの存在下でオレフィ
ン不飽和モノカルボ/酸と反応させ1次いでその際生じ
た縮合生成物tテトラカルボン酸二無水物C;重付加す
るか、又はテトラアミノ化合物をまずテトラカルボン酸
二無水物と反応させ1次いでその際生じたポリ付加生成
物6:カルボジイミドの存在下でオレフィン不飽和モノ
カルボンIIY付加縮合する。ボタイミダゾピロロン前
駆物質な製造するための他の可能性は、テトラアミノ化
合物なカルボジイミドの存在下でオレフィン不飽和テト
ラカルボン1!I!ジエステルと反応させること(二あ
る。
アミノ化合物をまずカルボジイミドの存在下でオレフィ
ン不飽和モノカルボ/酸と反応させ1次いでその際生じ
た縮合生成物tテトラカルボン酸二無水物C;重付加す
るか、又はテトラアミノ化合物をまずテトラカルボン酸
二無水物と反応させ1次いでその際生じたポリ付加生成
物6:カルボジイミドの存在下でオレフィン不飽和モノ
カルボンIIY付加縮合する。ボタイミダゾピロロン前
駆物質な製造するための他の可能性は、テトラアミノ化
合物なカルボジイミドの存在下でオレフィン不飽和テト
ラカルボン1!I!ジエステルと反応させること(二あ
る。
本発明方法で使用される放射線反応性前部物質は本質的
≦ニテトラアミノ化合物とジカルボン酸とのポリ縮合生
成物(ポジイミダゾール前駆物質)、又はテトラアミノ
化合物とテトラカルボン酸二無水物とから成るポリ付加
生成物、及びテトラアミノ化合物とテトラカルボン#!
ジエステルとから成るポリ縮合生成物(ポジイミダゾピ
ロロン前駆物質)である。この場合テトラアミノ化合物
としてはジアミノベンジジンが有利である。有利に使用
されるジカルボン酸はイソフタル酸であり、また有利な
テトラカルボン酸二無水物はピロメリット酸二無水物で
ある。更C:この前部物質の製造に際しては不飽和モノ
カルボン酸が使用されるが。
≦ニテトラアミノ化合物とジカルボン酸とのポリ縮合生
成物(ポジイミダゾール前駆物質)、又はテトラアミノ
化合物とテトラカルボン酸二無水物とから成るポリ付加
生成物、及びテトラアミノ化合物とテトラカルボン#!
ジエステルとから成るポリ縮合生成物(ポジイミダゾピ
ロロン前駆物質)である。この場合テトラアミノ化合物
としてはジアミノベンジジンが有利である。有利に使用
されるジカルボン酸はイソフタル酸であり、また有利な
テトラカルボン酸二無水物はピロメリット酸二無水物で
ある。更C:この前部物質の製造に際しては不飽和モノ
カルボン酸が使用されるが。
この場合アクリル酸及びメタクリル酸が有利である。同
様(二使用することのできる不飽和アルコールとしては
特にヒドロキシエチルアクリレート及びヒドロキシエチ
ルメック9レートが挙げられる。
様(二使用することのできる不飽和アルコールとしては
特にヒドロキシエチルアクリレート及びヒドロキシエチ
ルメック9レートが挙げられる。
前部物質を製造するために必要とされるカルボジイミド
はジシクロへキシルカルボジイミドが有利であり、更(
二カルボジイミドはR’−N−C−N−R#の型の化合
物である。
はジシクロへキシルカルボジイミドが有利であり、更(
二カルボジイミドはR’−N−C−N−R#の型の化合
物である。
本発明によるレリーフ構造体は中導体デバイス上へのパ
ッシベーション化層、薄膜及び厚膜回路、多層回路上の
ろう保護層1層回路の成分としての絶縁層及び、導電性
及び/又は牛導電性及び/又は絶縁性基材への微細化保
護層及び絶縁lIl′Jk:製造するため、特C:マイ
クロエレクトロニクスの分野又は一般に基材の微細構造
化に使用することができる。高い熱安定性のし9−〕構
造体は湿式及び乾式腐食処理、無電流又は電気金属析出
及び蒸着処理用マスクとして、並びにイオン注入用マス
クとして、更(二電子工学分野での絶縁層及び保護層と
して使用することが有利である。レリーフ構造体が中間
採掘作用を有すべき場合C二は、ポジイミダゾールをベ
ースとするレリーフ構造体!有利5二使用することがで
きるo、 Tなわちこのレリーフ構造体は極性溶剤C:
可溶性であり、したがって容易(:再除去することかで
きる。更6:本発明(:よるレリーフ構造体は配向層と
して例えば液晶ディスプレイ(二、また例えばX線スク
リーン、特にX線イメージアンブリファイヤC:おける
表面の網目化のためC,有利C:使用することができる
。
ッシベーション化層、薄膜及び厚膜回路、多層回路上の
ろう保護層1層回路の成分としての絶縁層及び、導電性
及び/又は牛導電性及び/又は絶縁性基材への微細化保
護層及び絶縁lIl′Jk:製造するため、特C:マイ
クロエレクトロニクスの分野又は一般に基材の微細構造
化に使用することができる。高い熱安定性のし9−〕構
造体は湿式及び乾式腐食処理、無電流又は電気金属析出
及び蒸着処理用マスクとして、並びにイオン注入用マス
クとして、更(二電子工学分野での絶縁層及び保護層と
して使用することが有利である。レリーフ構造体が中間
採掘作用を有すべき場合C二は、ポジイミダゾールをベ
ースとするレリーフ構造体!有利5二使用することがで
きるo、 Tなわちこのレリーフ構造体は極性溶剤C:
可溶性であり、したがって容易(:再除去することかで
きる。更6:本発明(:よるレリーフ構造体は配向層と
して例えば液晶ディスプレイ(二、また例えばX線スク
リーン、特にX線イメージアンブリファイヤC:おける
表面の網目化のためC,有利C:使用することができる
。
し実施例〕
次C:本発明を実施例C:基づき詳述する。
例1
放射線反応性ボyベンズイミダゾール前駆物質の製造
ジアミノベンジジン21.4重量部(0,1モル)及び
)l)9AtrR16重量部(0,19モル)YN−メ
チルビロリドン70容飯部(二溶かT。次いで攪拌及び
10℃に冷却しながらこの溶液g二、γ−プチロラクト
ン100容量部g二溶かしたジシクロへキシルカルボジ
イミド42重量部(0,2モル)を滴加する。温顔終了
後1反応溶液を室温で更C二3時間放置する。次いで反
応溶液C:イソフタル酸16.6重量S′%:加え、引
続き攪拌しかつ8℃(:冷却しながら、T−ブチロラク
トン120容貴部C;溶かしたジシクロへキシルカルボ
ジイミド42重量部(0,2モル)の溶液な徐々C二滴
加する。その際直ちに粘性の樹脂溶液が生じ、これを室
温で18時間放置する。引続きジシクロヘキシル尿素を
濾別すると、澄明な樹脂溶液が得られる。
)l)9AtrR16重量部(0,19モル)YN−メ
チルビロリドン70容飯部(二溶かT。次いで攪拌及び
10℃に冷却しながらこの溶液g二、γ−プチロラクト
ン100容量部g二溶かしたジシクロへキシルカルボジ
イミド42重量部(0,2モル)を滴加する。温顔終了
後1反応溶液を室温で更C二3時間放置する。次いで反
応溶液C:イソフタル酸16.6重量S′%:加え、引
続き攪拌しかつ8℃(:冷却しながら、T−ブチロラク
トン120容貴部C;溶かしたジシクロへキシルカルボ
ジイミド42重量部(0,2モル)の溶液な徐々C二滴
加する。その際直ちに粘性の樹脂溶液が生じ、これを室
温で18時間放置する。引続きジシクロヘキシル尿素を
濾別すると、澄明な樹脂溶液が得られる。
レリーフ構造体の製造
得られた樹脂溶液zosgt二、ミヒラーケトンα1g
及びN−フェニルマレインイミド0.39 k加える。
及びN−フェニルマレインイミド0.39 k加える。
これから遠心塗布C:よりアルミニウム箔上(:均一な
鳩を製造し1次いでこれを温度30℃及び圧力o、5X
1G’P1で乾燥する。マスクを介して(soow高圧
水鎖灯を用いて)60秒間露光し、γ−ブチロラクトン
で20秒間噴霧現像した際、400℃の温度で(30分
間)熱処理することによりポリベンズイミダゾール−レ
リーフ構造体C:変換可能のレリーフ構造体が得られる
。
鳩を製造し1次いでこれを温度30℃及び圧力o、5X
1G’P1で乾燥する。マスクを介して(soow高圧
水鎖灯を用いて)60秒間露光し、γ−ブチロラクトン
で20秒間噴霧現像した際、400℃の温度で(30分
間)熱処理することによりポリベンズイミダゾール−レ
リーフ構造体C:変換可能のレリーフ構造体が得られる
。
3μ賜の層厚で5μ鶏の構造体を良好C:溶かすことが
できる。
できる。
例2
製造
N−メチルピロリドン50容量部C二溶かしたピロメリ
ット酸二無水物21.8重量部(01モル)C二、攪拌
及び湿気を遮断しながらヒドロキシエチルメタクリレー
ト26重量部(0,2モル)を加、える。次いで反応混
合物を室温で20時間放置する。滴定法で測定したカル
ボキシル含有量は0.21モル/100gである。次い
で攪拌しながら反応溶液C7’J−メチルピロリドン7
0容量部(=溶かしたジアミノベンジジン20,4重量
部(0,09モル)の溶液を加える。引続き5℃〜10
″C(二冷却した溶液≦二、γ−ブチロラクトン120
容量部(:溶かしたジシクロへキシルカルボジイミド4
2重量部(0,2モル)の溶液を温顔する。添加終了後
との粘性の反応溶液を室温で20時間放置し、その殿沈
澱したジシクロヘキシル尿素ytm遇することC:より
除去する。攪拌しながら樹脂溶液全黒溜水l二温顔する
と、黄色の固体物質が沈澱する。これを温度40℃及び
圧力1.3X10’PJLで乾燥すると、黄色の樹脂粉
末が生じる。IRスペクトルでメタクリレートに典型的
な吸収が950及び1630cn−1で存在する。
ット酸二無水物21.8重量部(01モル)C二、攪拌
及び湿気を遮断しながらヒドロキシエチルメタクリレー
ト26重量部(0,2モル)を加、える。次いで反応混
合物を室温で20時間放置する。滴定法で測定したカル
ボキシル含有量は0.21モル/100gである。次い
で攪拌しながら反応溶液C7’J−メチルピロリドン7
0容量部(=溶かしたジアミノベンジジン20,4重量
部(0,09モル)の溶液を加える。引続き5℃〜10
″C(二冷却した溶液≦二、γ−ブチロラクトン120
容量部(:溶かしたジシクロへキシルカルボジイミド4
2重量部(0,2モル)の溶液を温顔する。添加終了後
との粘性の反応溶液を室温で20時間放置し、その殿沈
澱したジシクロヘキシル尿素ytm遇することC:より
除去する。攪拌しながら樹脂溶液全黒溜水l二温顔する
と、黄色の固体物質が沈澱する。これを温度40℃及び
圧力1.3X10’PJLで乾燥すると、黄色の樹脂粉
末が生じる。IRスペクトルでメタクリレートに典型的
な吸収が950及び1630cn−1で存在する。
レリーフ構造体の製造
先(:記載した方法で固体樹脂として分離されたポリイ
ミダゾピロロン前部物質10重量部を、ミヒラーケトン
0.2重量部及びアジドスルホニルフェニルマレインイ
ミド0.2重量部と−111を二N−)チルピロリドン
17容量部(:溶かし1次いでとニル−トリス(β−メ
トキシエトキシ)−シラン0.1重量部と反応させる。
ミダゾピロロン前部物質10重量部を、ミヒラーケトン
0.2重量部及びアジドスルホニルフェニルマレインイ
ミド0.2重量部と−111を二N−)チルピロリドン
17容量部(:溶かし1次いでとニル−トリス(β−メ
トキシエトキシ)−シラン0.1重量部と反応させる。
0.8μ島のフィルタ(二連して加圧濾過した後、シリ
コンウェファ上C二遠心塗布することにより厚さ2μ鶏
のI−を製造する。350W高圧水銀灯を用いて接触マ
スクを通してIi1党し、N−メチルビロシドンで20
秒間現像すると、微細構造体が得らn、これは420℃
で(30分間)加熱することによって高い熱安定性のポ
リイミダゾピロロン−レリーフ構造体C;変換すること
ができる。
コンウェファ上C二遠心塗布することにより厚さ2μ鶏
のI−を製造する。350W高圧水銀灯を用いて接触マ
スクを通してIi1党し、N−メチルビロシドンで20
秒間現像すると、微細構造体が得らn、これは420℃
で(30分間)加熱することによって高い熱安定性のポ
リイミダゾピロロン−レリーフ構造体C;変換すること
ができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)放射線C二敏感な可溶性のポリマー前駆物質を層又
は箔の形で基材(:施し1層又は箔を陰画マスクを置い
て活性線又は電子で照射するか又は光、電子、イオン又
はレーザー光線を導いて照射し、照射されなかった層又
は箔部分を除去し、場合(二よっては次いで熱処理する
ことにより、高い熱安定性のポリイミダゾール及びポリ
イミダゾピロロン−レリーフ構造体を製造する方法(=
おいて、ポリマー前駆物質としてカルボジイミドを使用
しながら製造された芳香族及び/又は複素環式のテトラ
アミノ化合物とオレフィン不飽和モノカルボン酸及びジ
カルボン酸との、又はオレフィン不飽和モノカルボン酸
及び芳香族及び/又は複素環式テトラカルボン酸二無水
物との、又はテトラカルボン酸二無水物及びオレフィン
不飽和アルコールからなる付加生成物の形のオレソイン
不飽和テトラカルボン酸ジエステルとの反応生成物を使
用することを特徴とする高い熱安定性のボッイミダゾー
ル及びポジイミダゾピロロン−レリーフ構造体の製造方
法。 2) ポリマー前駆物質を元又は放射線(二敏感な共重
合可能の化合物、特c N @換されたマレインイミド
と一緒C:使用することを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の方法。 3)ポリマー前駆物質を光開始剤及び/又は光増感剤、
特にミヒラーケトン、ベンズイミダゾール及び/又はケ
トクマリンと一緒に使用することン特徴とする特許請求
の範囲第1項又は第2項記載の方法。 4) 接着助剤、特1ニジランを使用することを特徴と
する特許請求の範囲第1項ないし第3項のいずれかC二
記載の方法。 5) イソフタル酸と、カルボジイミドの存在下5二製
造されたアクリル酸又はメタクリル酸及びジアミノベン
ジジンの縮合生成物とのポリ縮合生成物を使用すること
を特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第4項のいず
れかl二記載の方法。 6)ジアミノベンジジンと、ピロメリット酸無水物への
ヒドロキシエチルアクリレート又はヒドロキシエチルメ
タクシレートの付加生成物とのポリ縮合生成物を使用す
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第4項
の−いず几か(二記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3411714.8 | 1984-03-29 | ||
DE19843411714 DE3411714A1 (de) | 1984-03-29 | 1984-03-29 | Verfahren zur herstellung von polyimidazol- und polyimidazopyrrolon-reliefstrukturen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60233647A true JPS60233647A (ja) | 1985-11-20 |
JPH0567027B2 JPH0567027B2 (ja) | 1993-09-24 |
Family
ID=6232036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60064947A Granted JPS60233647A (ja) | 1984-03-29 | 1985-03-28 | レリ−フ構造体の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4610947A (ja) |
EP (1) | EP0157932B1 (ja) |
JP (1) | JPS60233647A (ja) |
AT (1) | ATE32957T1 (ja) |
DE (2) | DE3411714A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003105259A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Clariant (Japan) Kk | ポリベンゾイミダゾール被膜およびフィルムの形成方法 |
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---|---|---|---|---|
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DE3741916C2 (de) * | 1987-12-10 | 1996-07-18 | Resma Gmbh Fuegetechnik Indust | Verfahren zum Aushärten von Klebstoffen auf Kunststoffbasis |
DE3833438A1 (de) * | 1988-10-01 | 1990-04-05 | Basf Ag | Strahlungsempfindliche gemische und deren verwendung |
DE3833437A1 (de) * | 1988-10-01 | 1990-04-05 | Basf Ag | Strahlungsempfindliche gemische und deren verwendung |
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DE4217688A1 (de) * | 1992-05-29 | 1993-12-02 | Basf Lacke & Farben | Durch Einwirkung von Strahlung vernetzendes Gemisch und dessen Verwendung zur Herstellung hochtemperaturbeständiger Reliefstrukturen |
DE4218718A1 (de) * | 1992-06-06 | 1993-12-09 | Basf Lacke & Farben | Verfahren zur Herstellung strukturierter Schichten wärmebeständiger Polykondensate |
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-
1984
- 1984-03-29 DE DE19843411714 patent/DE3411714A1/de not_active Withdrawn
- 1984-12-12 DE DE8484115195T patent/DE3469811D1/de not_active Expired
- 1984-12-12 EP EP84115195A patent/EP0157932B1/de not_active Expired
- 1984-12-12 AT AT84115195T patent/ATE32957T1/de not_active IP Right Cessation
-
1985
- 1985-03-27 US US06/716,447 patent/US4610947A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-03-28 JP JP60064947A patent/JPS60233647A/ja active Granted
Patent Citations (5)
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3469811D1 (en) | 1988-04-14 |
EP0157932B1 (de) | 1988-03-09 |
EP0157932A1 (de) | 1985-10-16 |
US4610947A (en) | 1986-09-09 |
DE3411714A1 (de) | 1985-10-10 |
ATE32957T1 (de) | 1988-03-15 |
JPH0567027B2 (ja) | 1993-09-24 |
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