JPS6026033A - 感光性ポリアミド酸誘導体およびこれを用いて基体上にポリイミドパタ−ンを形成する方法 - Google Patents
感光性ポリアミド酸誘導体およびこれを用いて基体上にポリイミドパタ−ンを形成する方法Info
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- JPS6026033A JPS6026033A JP59133435A JP13343584A JPS6026033A JP S6026033 A JPS6026033 A JP S6026033A JP 59133435 A JP59133435 A JP 59133435A JP 13343584 A JP13343584 A JP 13343584A JP S6026033 A JPS6026033 A JP S6026033A
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0387—Polyamides or polyimides
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- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
- G03F7/037—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polyamides or polyimides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は熱処理によりポリイミドに転化できる新規な感
光性ポリアミド酸誘導体に関する。このプロセスをイミ
ド化プロセスと称されている。
光性ポリアミド酸誘導体に関する。このプロセスをイミ
ド化プロセスと称されている。
一般に、ポリイミドは、例えば多層配線のため誘導層の
ような半導体技術に用いられている。また、ポリイミド
は、例えばディスプレー、ハイブリッド回路における薄
膜として、およびイオン移植のためのマスクとして用い
られている。ポリイミドのフィルムまたは層にパターン
を設ける場合には必要条件がしばしば存在する。
ような半導体技術に用いられている。また、ポリイミド
は、例えばディスプレー、ハイブリッド回路における薄
膜として、およびイオン移植のためのマスクとして用い
られている。ポリイミドのフィルムまたは層にパターン
を設ける場合には必要条件がしばしば存在する。
従来の方法ではポリアミド酸、すなわちポリイミドのプ
レポリマーの層をポジ型フォトレジストで被覆し、この
レジスト層をパターン−ワイス（１エｇｈｔ ｐａｔｔ
ｅｒｎ−ｗｉｓｅ ） 露光し、次いで現像し、ポリア
ミド酸の層の露光部分を溶解し、残留するポリアミド酸
をイミド化する。
レポリマーの層をポジ型フォトレジストで被覆し、この
レジスト層をパターン−ワイス（１エｇｈｔ ｐａｔｔ
ｅｒｎ−ｗｉｓｅ ） 露光し、次いで現像し、ポリア
ミド酸の層の露光部分を溶解し、残留するポリアミド酸
をイミド化する。
ポリイミドパターンを形成する技術が極めて簡単である
他の極めて興味ある方法では、感光性ポリアミド酸誘導
体、すなわち変性ポリアミド酸が用いられている。この
誘導体はネガ型レジストとして用いることができる。ポ
リアミド酸誘導体の層には架橋または重合を露光個所に
生じさせるパターン−ワイス露光させる。層を現像し、
層の非露光部分を溶解する。層の残留部分におけるポリ
アミド酸誘導体は熱処理によってポリイミドに転化する
。
他の極めて興味ある方法では、感光性ポリアミド酸誘導
体、すなわち変性ポリアミド酸が用いられている。この
誘導体はネガ型レジストとして用いることができる。ポ
リアミド酸誘導体の層には架橋または重合を露光個所に
生じさせるパターン−ワイス露光させる。層を現像し、
層の非露光部分を溶解する。層の残留部分におけるポリ
アミド酸誘導体は熱処理によってポリイミドに転化する
。
最近発行された「オルガニック コーテンクス アンド
アプライド ポリマー サイエンス プロシーデング
ス」第４８巻、第７０〜７６頁（１９８８年８月）には
感光性イソシアナート−エチル メタクリレートで変性
された感光性ポリイミド シロキサンプレポリマーにつ
いて〃（９明されている。ボリイミ。
アプライド ポリマー サイエンス プロシーデング
ス」第４８巻、第７０〜７６頁（１９８８年８月）には
感光性イソシアナート−エチル メタクリレートで変性
された感光性ポリイミド シロキサンプレポリマーにつ
いて〃（９明されている。ボリイミ。
ド シロキサン プレポリマーはイソシアナートーエチ
／Ｌ’メタク＋Ｊレ−）と反応したベンゾ７エ／＞二無
水物（７０％）および１．８−ビスーｒ−アミノプロピ
ルテトラメチル ジシロキサン（８０％）のブ四ツク重
合体である。この既知の感光性重合体の欠点はその生成
が極めて遅いことである。その結果、アミンとの反応触
媒は、イソシアネート試薬と反応し、次いでゲル化を促
進する水を形成する。
／Ｌ’メタク＋Ｊレ−）と反応したベンゾ７エ／＞二無
水物（７０％）および１．８−ビスーｒ−アミノプロピ
ルテトラメチル ジシロキサン（８０％）のブ四ツク重
合体である。この既知の感光性重合体の欠点はその生成
が極めて遅いことである。その結果、アミンとの反応触
媒は、イソシアネート試薬と反応し、次いでゲル化を促
進する水を形成する。
錫化合物による触媒は最終ポリイミドの電気的特性を害
する欠点がある。更に、イソシアネート試薬は健康に有
害である。
する欠点がある。更に、イソシアネート試薬は健康に有
害である。
また、かかる既知の感光性プレポリマーは、例えば紫外
線の影響下で架橋が極めて遅い。また、架橋するために
は光の外に、熱を必要とする。
線の影響下で架橋が極めて遅い。また、架橋するために
は光の外に、熱を必要とする。
本発明の目的は標準周囲温度において光、例えば紫外線
の影響下で効果的に架橋結合する感光性ポリアミド酸誘
導体を提供することである。
の影響下で効果的に架橋結合する感光性ポリアミド酸誘
導体を提供することである。
本発明の他の目的は任意の有害または走性試薬を用いず
にポリアミド酸誘導体を製造する方法を提供することで
ある。
にポリアミド酸誘導体を製造する方法を提供することで
ある。
また、本発明の他の目的は触媒を用いずに容易に製造で
きる感光性ポリアミド酸誘導体を提供することである。
きる感光性ポリアミド酸誘導体を提供することである。
上記目的を達成するための、本発明の新規な感光性ポリ
アミド酸誘導体はポリアミド酸を次の式： で表わされる化合物で処理して得た誘導体である。
アミド酸誘導体はポリアミド酸を次の式： で表わされる化合物で処理して得た誘導体である。
上記式Ｉ中のＡおよびＲｏは次の意味を有する；すなわ
ちＡは次の基を示す； Ｒ，０ または １ ０ Ｒｏは１〜８個の炭素原子を有するアルキル基を示す。
ちＡは次の基を示す； Ｒ，０ または １ ０ Ｒｏは１〜８個の炭素原子を有するアルキル基を示す。
更に、上記式１．ｍ、ＩＶおよびＩＶＡ中のＲ８ｇＲＢ
ｍ Ｒ４＊ Ｒ５ｔ ”およびｎは次に示す意味を有
する： Ｒ８は水素原子またはメチル基を示す、Ｒ８は水素原子
または１−４個の炭素原子を有するアルキル基を示す、 ＲおよびＲ５は同一かまたは異にする水素原子、メチル
基またはフェニル基を示し、 ｍは１〜６の数を示し、および ｎは０または１の数を示す。
ｍ Ｒ４＊ Ｒ５ｔ ”およびｎは次に示す意味を有
する： Ｒ８は水素原子またはメチル基を示す、Ｒ８は水素原子
または１−４個の炭素原子を有するアルキル基を示す、 ＲおよびＲ５は同一かまたは異にする水素原子、メチル
基またはフェニル基を示し、 ｍは１〜６の数を示し、および ｎは０または１の数を示す。
こ＼に「アルキル基」とは直鎖、側鎖および環状アルギ
ル基を包含することを意味する０反応は標準周囲温度に
おいて、好ましくは有機（１ｌ ） ては、例えばエチレン グリコール ジメチル エーテ
ルの如きエーテル、ジメチルアセトアミドの如きアミド
、メタノールの如きアルコール、およびＮ−メチルピロ
リドンの如き複素環式溶剤を挙げることができる。
ル基を包含することを意味する０反応は標準周囲温度に
おいて、好ましくは有機（１ｌ ） ては、例えばエチレン グリコール ジメチル エーテ
ルの如きエーテル、ジメチルアセトアミドの如きアミド
、メタノールの如きアルコール、およびＮ−メチルピロ
リドンの如き複素環式溶剤を挙げることができる。
ポリアミド酸に添加すべき」−記式Ｉの化合物の分量は
狭い範囲に制限する必要はない。式Ｉの化合物は、例え
ば化学風論的の１０〜１００％にすることができる。
狭い範囲に制限する必要はない。式Ｉの化合物は、例え
ば化学風論的の１０〜１００％にすることができる。
ポリアミド出発生成物は次式■Σ
（式中、Ｒ８は次式Ｘ：
１１２ ）
に＼に、Ｒ□。は次の式Ｘで示す基、すなオ〕ち−（Ｏ
Ｈ２）、−に−にｑは１〜４の数を示す）、Ｆ８ Ｒｏは次の弐Ｘｌｌ； Ｈ８０Ｈ８ ＯＨ８０Ｈ。
Ｈ２）、−に−にｑは１〜４の数を示す）、Ｆ８ Ｒｏは次の弐Ｘｌｌ； Ｈ８０Ｈ８ ＯＨ８０Ｈ。
の群から選択する基を示すに−にＲ□□け弐店で示す基
、すなわち、−（ＯＨ２）、＝ に−にｒは１〜４の数
を示す） 、−ｏｏ−、−ｏ−、−５ｏ−、−ｓｏ、−
および−０ＯＮＨ−から選択する基を示し、Ｒｏ、は水
素原子または炭素アミド基を示し、およびｐは１５に少
なくとも等しい数を示す））で表わされる既知の物質で
ある。
、すなわち、−（ＯＨ２）、＝ に−にｒは１〜４の数
を示す） 、−ｏｏ−、−ｏ−、−５ｏ−、−ｓｏ、−
および−０ＯＮＨ−から選択する基を示し、Ｒｏ、は水
素原子または炭素アミド基を示し、およびｐは１５に少
なくとも等しい数を示す））で表わされる既知の物質で
ある。
上記式ＩＸのポリアミド酸は式ＸＩＶ ：０ ０
（式中、Ｒ８は」二記と同様の基を示す）で表わされる
４１機二無水物を等ｈ（の式Ｘｖ：ＨＮ−Ｒ，−ＮＨ２
ＸＶ （式中、Ｒｏは上記と同様の基を示す）で表わされる有
機ジアミドと反応させて作ることができる。
４１機二無水物を等ｈ（の式Ｘｖ：ＨＮ−Ｒ，−ＮＨ２
ＸＶ （式中、Ｒｏは上記と同様の基を示す）で表わされる有
機ジアミドと反応させて作ることができる。
本発明において、ポリアミド酸としてはピロメリット酸
二無水物、または特に８ 、８’ 、 ４ 、４’−ベ
ンゾフェノン テトラカルボン酸二無水物を等量の４．
４′−ジアミノジフェニル エーテルまたは４ 、４’
−ジアミノジフェノール エーテル−３−カルボンア
ミドと反応させて得たのを用いるのが好ましい。
二無水物、または特に８ 、８’ 、 ４ 、４’−ベ
ンゾフェノン テトラカルボン酸二無水物を等量の４．
４′−ジアミノジフェニル エーテルまたは４ 、４’
−ジアミノジフェノール エーテル−３−カルボンア
ミドと反応させて得たのを用いるのが好ましい。
上記式Ｉの化合物のポリアミド酸の処理において、エス
テル化反応は次に示す反応式に従って生ずる： １ この反応式において、ポリアミド酸分子は２個の一〇〇
〇Ｈ基が結合する垂直のこぎり歯ラインで表わすことが
でき、この表現は普通に用いられている。
テル化反応は次に示す反応式に従って生ずる： １ この反応式において、ポリアミド酸分子は２個の一〇〇
〇Ｈ基が結合する垂直のこぎり歯ラインで表わすことが
でき、この表現は普通に用いられている。
本発明による感光性ポリアミド酸誘導体はポリアミド酸
を式■： （式中、Ｒ，は上記と同様の意味を有し、Ｒ６は水素原
子またはメチル基を示し、Ｒ９はイソプ四ピル基また（
Ｊシクロヘキシル基を示し、および２は２〜４の数を示
す）で表わされる化合物と反応させて得た誘導体が好Ｉ
Ｐシい。
を式■： （式中、Ｒ，は上記と同様の意味を有し、Ｒ６は水素原
子またはメチル基を示し、Ｒ９はイソプ四ピル基また（
Ｊシクロヘキシル基を示し、および２は２〜４の数を示
す）で表わされる化合物と反応させて得た誘導体が好Ｉ
Ｐシい。
他の一例において、本発明はポリアミド酸を式：
％式％
（式中、Ｒ７および２は上記と同様の意味を有する）で
表わされる化合物で処理して得た感光性ポリアミド酸誘
導体に関する。
表わされる化合物で処理して得た感光性ポリアミド酸誘
導体に関する。
また、本発明は基体」二にポリイミド パターンを形成
する方法に関し、この場合基体には感光性ポリアミド酸
誘導体の層を設け、上述するように層に光をパターン−
ワイス露光し、現像し、次いで熱処理して露光ポリアミ
ド酸誘導体をポリイミドに転化する。
する方法に関し、この場合基体には感光性ポリアミド酸
誘導体の層を設け、上述するように層に光をパターン−
ワイス露光し、現像し、次いで熱処理して露光ポリアミ
ド酸誘導体をポリイミドに転化する。
本発明においては、感光性ポリアミド酸誘導体を、先ず
溶剤、例えばＮ−メチルピロリドンおよびメタノールの
混合物に溶解する。この溶液に光開始剤、例えばミヒラ
ーケトン；ベンゾインエーテル；４，４’−ビス（ジエ
チルアミノ）ベンゾフェノンまたはチオキサントンを添
加する。光開始剤については、更にＪ、Ｋｏｓａｒ 、
Ｊｎｈｎ Ｗｉｌｅｙ ｓｃ ５ｏｎｓ（］６１ 氏による［Ｌｉｇｈｔ −５ｅｎｓｉｔ；土ｖｅ ｓｙ
ｓｔｅｍ Ｊ １４８〜１４６ページおよび１６０〜１
８８ページ（１９６５）に詳述されている。
溶剤、例えばＮ−メチルピロリドンおよびメタノールの
混合物に溶解する。この溶液に光開始剤、例えばミヒラ
ーケトン；ベンゾインエーテル；４，４’−ビス（ジエ
チルアミノ）ベンゾフェノンまたはチオキサントンを添
加する。光開始剤については、更にＪ、Ｋｏｓａｒ 、
Ｊｎｈｎ Ｗｉｌｅｙ ｓｃ ５ｏｎｓ（］６１ 氏による［Ｌｉｇｈｔ −５ｅｎｓｉｔ；土ｖｅ ｓｙ
ｓｔｅｍ Ｊ １４８〜１４６ページおよび１６０〜１
８８ページ（１９６５）に詳述されている。
Ａを上記式ＩＶＡで示す」二記式Ｉのポリアミド酸誘導
体を用いる場合には、誘導体の溶液は弐ＸＸ１（式中、
Ｒｏは有機基を示す）で表わされるビスアジドからなる
。適当なビスアジドとしては、例えば式ＸＸＩ ： １ Ｈ８ で示す化合物を挙げることができる。ビスアジドの量は
、例えば上記ポリアミド酸誘導体に対し１〜１０％にす
る。
体を用いる場合には、誘導体の溶液は弐ＸＸ１（式中、
Ｒｏは有機基を示す）で表わされるビスアジドからなる
。適当なビスアジドとしては、例えば式ＸＸＩ ： １ Ｈ８ で示す化合物を挙げることができる。ビスアジドの量は
、例えば上記ポリアミド酸誘導体に対し１〜１０％にす
る。
ポリアミド酸誘導体の溶液は基体上に、例えば数ミクロ
メートルの厚さの薄膜に被着する。
メートルの厚さの薄膜に被着する。
適当な堆積プロセスとしては、基体を回転する、いワユ
る、スピン−コーテングプロセスである。
る、スピン−コーテングプロセスである。
溶剤を蒸発し、生成層に光パターン−ワイス、例えば紫
外線を露光する。例えば、層を孔、例えば線状孔からな
るマスクを介して光パターン−ワイス露光することがで
きる。露光個所においで、ポリアミド酸誘導体は架橋す
る。
外線を露光する。例えば、層を孔、例えば線状孔からな
るマスクを介して光パターン−ワイス露光することがで
きる。露光個所においで、ポリアミド酸誘導体は架橋す
る。
パターン−ワイス露光層を現、像し・非露光個所の材料
を溶解する。最後に、ポリアミド酸の誘導体を約２５０
〜４５０℃の温度で熱処理することによってポリイミド
に転化する（イミノ化）。
を溶解する。最後に、ポリアミド酸の誘導体を約２５０
〜４５０℃の温度で熱処理することによってポリイミド
に転化する（イミノ化）。
本発明の方法は、例えばガラス プレート、シリコンウ
ェハー、半導体材料のプレートなどのすべての種類の基
体に適用でき、この場合基体上にポリイミドのパターン
被覆層、ディスプレーの配向層、抵抗層、不動態化層を
形成することができる。
ェハー、半導体材料のプレートなどのすべての種類の基
体に適用でき、この場合基体上にポリイミドのパターン
被覆層、ディスプレーの配向層、抵抗層、不動態化層を
形成することができる。
本発明の方法は半導体技術に有利に適用でき、少なくと
も１個の半導体回路素子からなる半導体を有する半導体
装■ｔ１例えばポリイミド パターン（１９） を担持する工０またはチップとしばしば称される集積回
路を得ることができる。
も１個の半導体回路素子からなる半導体を有する半導体
装■ｔ１例えばポリイミド パターン（１９） を担持する工０またはチップとしばしば称される集積回
路を得ることができる。
「ジャーナル オブ ポリマー サイエンス」ポリマー
レタース エデション、 Ｖｏｌ、 １９ 、ｆ１２９
〜６８６（１９８１）には、物質ｉＮ、Ｎ’−ジイソプ
ロピル−〇 −（Ｎ’−メタクリロイル−Ｎ′−メチル
アミノエチル）イソ成案が記載されでいる。また、この
物質はＨＥＤＩと称されている。
レタース エデション、 Ｖｏｌ、 １９ 、ｆ１２９
〜６８６（１９８１）には、物質ｉＮ、Ｎ’−ジイソプ
ロピル−〇 −（Ｎ’−メタクリロイル−Ｎ′−メチル
アミノエチル）イソ成案が記載されでいる。また、この
物質はＨＥＤＩと称されている。
この物質はＡが」二記式■の基を示し、Ｒ□がイソプロ
ピル基を示し、Ｒ２およびＲ８がメチル基を示しおよび
ｍが２を示す上記式Ｉを満している。
ピル基を示し、Ｒ２およびＲ８がメチル基を示しおよび
ｍが２を示す上記式Ｉを満している。
この既知の物質はＮ−ヒドロキシエチル−Ｎ−メチル−
メタクリルアミド（ＨＥ Ｐ Ａ、 ）をＮ、Ｎ’−ジ
イソプロピルカルボジイミドと有機溶剤、例えばテトラ
ヒドロフランの存在で反応中θ℃から常温に上昇する比
較的に低い温度で反応して作ることができる。０１１０
１またはｏｕｏｚ２で触媒作用させる。
メタクリルアミド（ＨＥ Ｐ Ａ、 ）をＮ、Ｎ’−ジ
イソプロピルカルボジイミドと有機溶剤、例えばテトラ
ヒドロフランの存在で反応中θ℃から常温に上昇する比
較的に低い温度で反応して作ることができる。０１１０
１またはｏｕｏｚ２で触媒作用させる。
Ａが上記式Ｈの基を示す上記式Ｉの他の化合物も同様に
して作ることができる。
して作ることができる。
Ａが上記式１１．ＩＶまたはＩＶＡの基を示す」二記、
２１１１ 式Ｉの化合物は新規な物質である。また、本発明は次式
Ｖｌｌ 、■および■Ａで表わされる新規な物質に関す
る。
２１１１ 式Ｉの化合物は新規な物質である。また、本発明は次式
Ｖｌｌ 、■および■Ａで表わされる新規な物質に関す
る。
Ｏ■
１
゜ ■Ａ
（上記式中、Ｒ，、Ｒ２，Ｒ４，Ｒ，、ｍおよびｎは上
記と同様の意味を有する。） 上記式ｖｎの化合物は弐裁■： ｈ、 。
記と同様の意味を有する。） 上記式ｖｎの化合物は弐裁■： ｈ、 。
（式中、Ｒ２およびｍは−に記と同様の意味を有する）
の化合物を式ＸＶＩＩＩ ： Ｒ−Ｎ＝０＝Ｎ−Ｒ，ＸＶｌ［１ （式中、Ｒ１は上記と同様の意味を有する）の化合物と
反応させて作ることができる。
の化合物を式ＸＶＩＩＩ ： Ｒ−Ｎ＝０＝Ｎ−Ｒ，ＸＶｌ［１ （式中、Ｒ１は上記と同様の意味を有する）の化合物と
反応させて作ることができる。
反応は、有機溶剤、例えばテトラヒドロフランの存在で
０°Ｃから常温の比較的に低い湿度で行う。反応はＱｕ
（］ｔまたは０１１０１２で触媒作用するのが好ましい
。反応媒質はＮ ＋ Ｎ ’−ジイソプロピル尿素で緩
衝するのが好ましい。
０°Ｃから常温の比較的に低い湿度で行う。反応はＱｕ
（］ｔまたは０１１０１２で触媒作用するのが好ましい
。反応媒質はＮ ＋ Ｎ ’−ジイソプロピル尿素で緩
衝するのが好ましい。
上記式■およびＶｌｌ Ａの化合物は弐ＸＩＶまたはＸ
ＩＸＡ＋ １ （式中、Ｒ，、Ｒ，、ｍおよびｎは上記と同様の意味を
有する）の化合物を上記式忘の化合物と反Ｌ卜させるこ
とにより作ることができる。
ＩＸＡ＋ １ （式中、Ｒ，、Ｒ，、ｍおよびｎは上記と同様の意味を
有する）の化合物を上記式忘の化合物と反Ｌ卜させるこ
とにより作ることができる。
反応は上述すると同様に溶剤の存在で、比較的低い温度
で、好ましくは触媒として、例えばＱｕＯ７または０１
１ （１ｌ ２を用いて行うことができる。
で、好ましくは触媒として、例えばＱｕＯ７または０１
１ （１ｌ ２を用いて行うことができる。
次に本発明を実施例について説明する。
１８、（１９（０，１モル）の２−ヒドロキシエチル
メタクリｌノートおよび］、２．６９（０，１モル）の
Ｎ 、 Ｎ’−ジイソプロピルカルボジイミドの混合物
を０°Ｃ（ご冷却した。この混合物をＮ２下で貯蔵した
。この混合物に１０ｍ９のｏｕａｌを攪拌しながら添加
し、この混合物を０°Ｃで２時間にわたり攪拌し、次い
で常温で４日間にわたり貯蔵した。この混合物２）をア
セトンに溶解し、溶液に５ ｒｎｌのアセトンに溶解し
た０、２５９のしゆう酸を添加した。生成した沈殿を戸
別し、アセトンに溶解し、エーテルで沈殿させた。この
プロセスを数回にわたり繰返した。生成したＮ 、 Ｎ
’−ジイソプロピル−〇−（ｊｌ！−メタクリロイルオ
キシエチル）イソ尿素のしゆう（２８） 酸塩は１．１８〜１２０゛″Ｃの融点範囲を有していた
。ｉ収率５０％ ２０ｒｎ９の塩化第一銅を１．０．１９ノＮ−（２−Ｌ
）−四キジエチル） −２，８ジメチルマレイミドお
」二び１１゜８９のＮ 、 Ｎ’−ジイソプロピルカル
ボジイミドの混合物に添加した。この混合物を７０’Ｃ
で７時間にわたり加熱した。Ｎ、Ｎ’−ジイソプロピル
−〇−［−（ｇ＋ａ−ジメチルマレイミド）工千ル〕イ
ソ尿素を収率１．８．２Ｇ’で得た。この生成物の沸点
範囲は１８４〜１８６℃（０，０４關Ｈｇで）であった
。
メタクリｌノートおよび］、２．６９（０，１モル）の
Ｎ 、 Ｎ’−ジイソプロピルカルボジイミドの混合物
を０°Ｃ（ご冷却した。この混合物をＮ２下で貯蔵した
。この混合物に１０ｍ９のｏｕａｌを攪拌しながら添加
し、この混合物を０°Ｃで２時間にわたり攪拌し、次い
で常温で４日間にわたり貯蔵した。この混合物２）をア
セトンに溶解し、溶液に５ ｒｎｌのアセトンに溶解し
た０、２５９のしゆう酸を添加した。生成した沈殿を戸
別し、アセトンに溶解し、エーテルで沈殿させた。この
プロセスを数回にわたり繰返した。生成したＮ 、 Ｎ
’−ジイソプロピル−〇−（ｊｌ！−メタクリロイルオ
キシエチル）イソ尿素のしゆう（２８） 酸塩は１．１８〜１２０゛″Ｃの融点範囲を有していた
。ｉ収率５０％ ２０ｒｎ９の塩化第一銅を１．０．１９ノＮ−（２−Ｌ
）−四キジエチル） −２，８ジメチルマレイミドお
」二び１１゜８９のＮ 、 Ｎ’−ジイソプロピルカル
ボジイミドの混合物に添加した。この混合物を７０’Ｃ
で７時間にわたり加熱した。Ｎ、Ｎ’−ジイソプロピル
−〇−［−（ｇ＋ａ−ジメチルマレイミド）工千ル〕イ
ソ尿素を収率１．８．２Ｇ’で得た。この生成物の沸点
範囲は１８４〜１８６℃（０，０４關Ｈｇで）であった
。
実施例８ポリアミド酸の製造
１０．０９（５０ミリモル）の４．４’−ジアミノジフ
ェニルエーテルおＪ：び】６０ノの新しく蒸留した乾燥
ジメチルアセトアミドを攪拌機、塩化カルシウム充填管
および固体の添加に適当なスルースシフ１． ｆ Ａ
（５ｌｕｉｃｅ ｓｙｓｔｅｍ ）を具えた乾燥５０Ｑ
ｔｎｔフラスコに不活性雰囲気下で入れた。フラスコの
内容物を反応中窒素下に維持した。スルース シス（２
４） テムヲ介して１６゜１９（５０ミリモル）のベンゾフェ
ノン テトラカルボン酸二無水物を激しく攪拌した溶液
に添加した。攪拌を反応が完了するまで継続した。
ェニルエーテルおＪ：び】６０ノの新しく蒸留した乾燥
ジメチルアセトアミドを攪拌機、塩化カルシウム充填管
および固体の添加に適当なスルースシフ１． ｆ Ａ
（５ｌｕｉｃｅ ｓｙｓｔｅｍ ）を具えた乾燥５０Ｑ
ｔｎｔフラスコに不活性雰囲気下で入れた。フラスコの
内容物を反応中窒素下に維持した。スルース シス（２
４） テムヲ介して１６゜１９（５０ミリモル）のベンゾフェ
ノン テトラカルボン酸二無水物を激しく攪拌した溶液
に添加した。攪拌を反応が完了するまで継続した。
実施例Φ 感光性ポリアミド酸誘導体の製造２６．１９
のポリアミド酸を１６０９のジメ千ルアセトアミドに溶
解した溶液を乾燥２ ｔ Ｏ（］ ］Ｑ−フラスに入れ
た。これに６０９のエチレン グリコールジメチルエー
テルを添加した。この混合物にＮ−メチルピロリドンお
よびメタノールの乾燥液体混合物（混合比５：１）１２
５９に溶解した８８．７９（０゜１２５モル）のＮ、Ｎ
’−ジイソプロピル−〇−（Ｎ’−メタクリロイル−Ｎ
′−メチルアミノエチル）−イソ尿素を投与ポンプによ
り２時間にわたり添加した。溶液ＥＮＮ−メチルピロリ
ドンよびメタノール（５＋１）の乾燥液体混合物５００
９で稀釈した。溶液の電気伝導度を測定することによっ
て、添加時間の最初から約８時間経過後に反応が完了し
たことを確めた。全反応期間中、溶液を攪拌した。
のポリアミド酸を１６０９のジメ千ルアセトアミドに溶
解した溶液を乾燥２ ｔ Ｏ（］ ］Ｑ−フラスに入れ
た。これに６０９のエチレン グリコールジメチルエー
テルを添加した。この混合物にＮ−メチルピロリドンお
よびメタノールの乾燥液体混合物（混合比５：１）１２
５９に溶解した８８．７９（０゜１２５モル）のＮ、Ｎ
’−ジイソプロピル−〇−（Ｎ’−メタクリロイル−Ｎ
′−メチルアミノエチル）−イソ尿素を投与ポンプによ
り２時間にわたり添加した。溶液ＥＮＮ−メチルピロリ
ドンよびメタノール（５＋１）の乾燥液体混合物５００
９で稀釈した。溶液の電気伝導度を測定することによっ
て、添加時間の最初から約８時間経過後に反応が完了し
たことを確めた。全反応期間中、溶液を攪拌した。
反応中に生成したジイソプロピル尿素を除去した。この
操作を２つの手段で行った。すなわち、第一の手段では
生成溶液を部分蒸発し、−１５°Ｃに冷却し、結晶ジイ
ソプロピルｊへ累を濾過により除去した。
操作を２つの手段で行った。すなわち、第一の手段では
生成溶液を部分蒸発し、−１５°Ｃに冷却し、結晶ジイ
ソプロピルｊへ累を濾過により除去した。
第二の手段では溶液をフィルム蒸発器で濃縮し、ｕｎ）
Ｎ−メチルピロリドンおよびメタノール混合物（混合比
５：］）で稀釈した。感光性ポリアミド酸誘導体をジエ
チルエーテルの添加により沈殿させた。誘導体を分離し
、Ｎ−メチルピロリドンおよびメタノールに溶解し、ジ
エチルエーテルの添加によって再び沈殿させた。
Ｎ−メチルピロリドンおよびメタノール混合物（混合比
５：］）で稀釈した。感光性ポリアミド酸誘導体をジエ
チルエーテルの添加により沈殿させた。誘導体を分離し
、Ｎ−メチルピロリドンおよびメタノールに溶解し、ジ
エチルエーテルの添加によって再び沈殿させた。
誘導体を分離し、Ｎ−メチルピロリドンおよびメタノー
ルに溶解し、ジエチルエーテルで再び沈殿させた。
ルに溶解し、ジエチルエーテルで再び沈殿させた。
次いで、かようにして精製した誘導体をＮ−メチルピロ
リドンに溶解し、２重量％のミヒラーケトンを添加した
後シリコン ウェハー上に流した。
リドンに溶解し、２重量％のミヒラーケトンを添加した
後シリコン ウェハー上に流した。
生成フィルムを８０°Ｃで乾燥し、次いで線状孔を有す
るマスクを介して６０秒間にわたり５００Ｗ高圧水銀灯
の光に曝した。ジメチルアセトアミドおよびメタノール
の液体混合物（２：１）で現像した後、シャープな縁を
有するパターンを形成した。現像フィルムを１５０°Ｃ
で１時間および４００°Ｃで］時間にわたり加熱し、露
光ポリアミド酸誘導体をポリイミドに転化した。パター
ンのシャープな境界を維持した。
るマスクを介して６０秒間にわたり５００Ｗ高圧水銀灯
の光に曝した。ジメチルアセトアミドおよびメタノール
の液体混合物（２：１）で現像した後、シャープな縁を
有するパターンを形成した。現像フィルムを１５０°Ｃ
で１時間および４００°Ｃで］時間にわたり加熱し、露
光ポリアミド酸誘導体をポリイミドに転化した。パター
ンのシャープな境界を維持した。
実施例５
感光性ポリアミド酸誘導体を、実施例１および２に記載
したイソ尿素化合物をポリアミド酸と反応させて実施例
４に記載するようにして生成した。
したイソ尿素化合物をポリアミド酸と反応させて実施例
４に記載するようにして生成した。
生成したポリアミド酸誘導体をＮ−メチルピロリドンに
溶解し、光開始剤を加えた。実施例１におけるようにイ
ソ尿素から誘導したポリアミド酸誘導体において、ミヒ
ラーケトンを光開始剤として用いた。実施例２における
ようにイソ尿素から一誘導したポリアミド酸誘導体に、
千オキサントンを光開始剤として用いた。これらの溶液
をシリコンウェハー上に流した。生成したフィルムを乾
燥し、パターン−ワイス露光し、実施例４に記載す（２
７） るようにして現像した。現像後、露光したポリアミド酸
誘導体を熱処理によりポリイミドに転化した。パターン
の品質は完全に保持された。
溶解し、光開始剤を加えた。実施例１におけるようにイ
ソ尿素から誘導したポリアミド酸誘導体において、ミヒ
ラーケトンを光開始剤として用いた。実施例２における
ようにイソ尿素から一誘導したポリアミド酸誘導体に、
千オキサントンを光開始剤として用いた。これらの溶液
をシリコンウェハー上に流した。生成したフィルムを乾
燥し、パターン−ワイス露光し、実施例４に記載す（２
７） るようにして現像した。現像後、露光したポリアミド酸
誘導体を熱処理によりポリイミドに転化した。パターン
の品質は完全に保持された。
＋ ２８ ・
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ポリアミド酸を、次の式Ｉ： （式中、Ｒ，４ｊ： １〜８個の炭素原子を有するアル
キル基を示し、Ａは式 ％式％ （」二記式中、Ｒ２は水素原子またはメチル基を示し、
Ｒ８は水素原子または１〜４個の炭素原子を有するアル
キル基を示し、Ｒ１およびＲ５は同一かまたは異にする
水素原子、メチル基またはフェニル基を示し、ｍは１〜
６の数を示し、およびｎは０または１を示す）で表わさ
れる基からなる詳から選択する基を示す）で表わされる
化合物で処理して得た感光性ポリアミド酸誘導体。 λ ポリアミド酸を、次の式Ｖ： （式中、Ｒ８は水素原子またはメチル基を示し、Ｒ６は
水素原子またはメチル基を示し、Ｒ７Ｇｔ イソプロピ
ル基またはシク四ヘキシル基を示し、および２は２〜４
の数を示す）で表わされる化合物で処理して得た感光性
ポリアミド酸誘導体。 ８、 ポリアミド酸を、次の式ｖＩ： １ （式中、Ｒ７はイソプロピル基またはシクロヘキシル基
を示し、および２は２〜４の数を示す）で表わされる化
合物で処理して得た感光性ポリアミド酷誘導体。 ４、 誘導体は次に示す式ｖ■、■または非Ａ；０ ■ １ （式中、Ｒｏは１〜８個の炭素原子を有するアルキル基
を示し、Ｒ２に水素原子またはメチル基を示し、Ｒ１お
よびＲ５は同一かまたは異にする水素原子、メチル基ま
たはフェニル基を示し、ｍは１〜６の数を示し、および
ｎは０または１の数を示す）で表わす化合物である特許
請求の範囲第１項記載の感光性ポリアミド酸誘導体。 ５、 基体は、ポリアミド酸を、次の式Ｉ：（式中、Ｒ
ｏは１〜８１ＩＩ！１の炭素原子を有するアルキル基を
示し、およびＡは式： ％式％ （上記式中、Ｒ２は水素原子またはメチル基を示し、Ｒ
８は水素原子または１〜４個の炭素原子を有するアルキ
ル基を示し、Ｒ１およびＲ６は同一かまたは異にする水
素原子、メチル基またはフェニル基を示し、ｍは１〜６
の数を示し、およびｎは０または１を示す）で表わされ
る基からなる群から選択する基を示す）で表わされる化
合物で処理して得た感光性ポリアミドＩＢＭ導体；ポリ
アミド酸を、次の式■： （式中、Ｒ２は水素原子またはメチル基を示し、Ｒ６Ｌ
ｌ水素ハ３（子またはメチル基を示し、Ｒ７はイソプロ
ピル基またはシクロヘキシル基を示し、お、１：び２は
２〜４の数を示す）で表わされる化合物で処理して得た
感光性ポリアミド酸誘導ｆ杢；またはポリアミド酸を、
次の式ｖＩ； １ １ （式中、Ｒ７はイソプロピル基またはシクロヘキシル基
を示し、および２は２〜４の数を示す）で表わされる化
合物で処理して得た感光性ポリアミド酸誘導体の層から
なり、該層をパターン・ワイス露光し、現像し、次いで
ポリアミド酸誘導体パターンを熱処理し、露光ポリアミ
ド酸誘導体をポリイミドに転化することを特徴とする基
体上にポリイミドパターンを形成する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8302338 | 1983-07-01 | ||
| NL8302338 | 1983-07-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6026033A true JPS6026033A (ja) | 1985-02-08 |
Family
ID=19842095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59133435A Pending JPS6026033A (ja) | 1983-07-01 | 1984-06-29 | 感光性ポリアミド酸誘導体およびこれを用いて基体上にポリイミドパタ−ンを形成する方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4661435A (ja) |
| EP (1) | EP0131992B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6026033A (ja) |
| DE (1) | DE3469608D1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3411714A1 (de) * | 1984-03-29 | 1985-10-10 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung von polyimidazol- und polyimidazopyrrolon-reliefstrukturen |
| CN1004490B (zh) * | 1985-04-27 | 1989-06-14 | 旭化成工业株式会社 | 可固化组合物 |
| DE3717933A1 (de) * | 1987-05-27 | 1988-12-08 | Hoechst Ag | Photopolymerisierbares gemisch, dieses enthaltendes aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von hochwaermebestaendigen reliefstrukturen |
| US4883744A (en) * | 1988-05-17 | 1989-11-28 | International Business Machines Corporation | Forming a polymide pattern on a substrate |
| US5021487A (en) * | 1988-05-27 | 1991-06-04 | Loctite Corporation | Thermally stabilized acrylic adhesive compositions and novel methacrylated malemide compounds useful therein |
| DE68921146T2 (de) * | 1988-11-11 | 1995-06-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | Lichtempfindliche Zusammensetzung. |
| US5206117A (en) * | 1991-08-14 | 1993-04-27 | Labadie Jeffrey W | Photosensitive polyamic alkyl ester composition and process for its use |
| ES2146128B1 (es) * | 1995-03-31 | 2001-03-16 | Consejo Superior Investigacion | Procedimiento de fotoenmascaramiento de poliimidas fotosensibles con compuestos organometalicos para procesos fotolitograficos en tecnologia de silicio. |
| US20080071269A1 (en) * | 2006-09-18 | 2008-03-20 | Cytyc Corporation | Curved Endoscopic Medical Device |
| TW201026513A (en) * | 2009-01-08 | 2010-07-16 | Univ Nat Cheng Kung | Imprinting process of polyimide |
| EP3331978A4 (en) | 2015-08-03 | 2018-07-11 | Fujifilm Electronic Materials USA, Inc. | Cleaning composition |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53127723A (en) * | 1977-04-13 | 1978-11-08 | Hitachi Ltd | Image formation method |
| JPS5638038A (en) * | 1979-08-01 | 1981-04-13 | Toray Ind Inc | Photosensitive polyimide precursor |
| JPS57102936A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-26 | Osaka Soda Co Ltd | Chlorinated polyethylene composition having improved rubber processability |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4158730A (en) * | 1975-06-18 | 1979-06-19 | Ciba-Geigy Corporation | Crosslinkage polymeric compounds |
| DE2967162D1 (en) * | 1978-09-29 | 1984-09-13 | Hitachi Ltd | Light-sensitive polymer composition |
| DE2919840A1 (de) * | 1979-05-16 | 1980-11-20 | Siemens Ag | Verfahren zur phototechnischen herstellung von reliefstrukturen |
| DE2933871A1 (de) * | 1979-08-21 | 1981-03-12 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung hochwaermebestaendiger reliefstrukturen und deren verwendung. |
| DE3021787A1 (de) * | 1980-06-10 | 1981-12-17 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung hochwaermebestaendiger reliefstrukturen und deren verwendung |
| US4329419A (en) * | 1980-09-03 | 1982-05-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Polymeric heat resistant photopolymerizable composition for semiconductors and capacitors |
| GB2092164B (en) * | 1980-12-17 | 1984-12-05 | Hitachi Ltd | Loght or radiation-sensitive polymer composition |
-
1984
- 1984-06-29 DE DE8484200943T patent/DE3469608D1/de not_active Expired
- 1984-06-29 EP EP84200943A patent/EP0131992B1/en not_active Expired
- 1984-06-29 JP JP59133435A patent/JPS6026033A/ja active Pending
-
1986
- 1986-02-10 US US06/828,093 patent/US4661435A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53127723A (en) * | 1977-04-13 | 1978-11-08 | Hitachi Ltd | Image formation method |
| JPS5638038A (en) * | 1979-08-01 | 1981-04-13 | Toray Ind Inc | Photosensitive polyimide precursor |
| JPS57102936A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-26 | Osaka Soda Co Ltd | Chlorinated polyethylene composition having improved rubber processability |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0131992B1 (en) | 1988-03-02 |
| EP0131992A1 (en) | 1985-01-23 |
| US4661435A (en) | 1987-04-28 |
| DE3469608D1 (en) | 1988-04-07 |
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