JPS6026033A - 感光性ポリアミド酸誘導体およびこれを用いて基体上にポリイミドパタ−ンを形成する方法 - Google Patents
感光性ポリアミド酸誘導体およびこれを用いて基体上にポリイミドパタ−ンを形成する方法Info
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- JPS6026033A JPS6026033A JP59133435A JP13343584A JPS6026033A JP S6026033 A JPS6026033 A JP S6026033A JP 59133435 A JP59133435 A JP 59133435A JP 13343584 A JP13343584 A JP 13343584A JP S6026033 A JPS6026033 A JP S6026033A
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/0387—Polyamides or polyimides
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- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
- G03F7/037—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polyamides or polyimides
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- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は熱処理によりポリイミドに転化できる新規な感
光性ポリアミド酸誘導体に関する。このプロセスをイミ
ド化プロセスと称されている。
光性ポリアミド酸誘導体に関する。このプロセスをイミ
ド化プロセスと称されている。
一般に、ポリイミドは、例えば多層配線のため誘導層の
ような半導体技術に用いられている。また、ポリイミド
は、例えばディスプレー、ハイブリッド回路における薄
膜として、およびイオン移植のためのマスクとして用い
られている。ポリイミドのフィルムまたは層にパターン
を設ける場合には必要条件がしばしば存在する。
ような半導体技術に用いられている。また、ポリイミド
は、例えばディスプレー、ハイブリッド回路における薄
膜として、およびイオン移植のためのマスクとして用い
られている。ポリイミドのフィルムまたは層にパターン
を設ける場合には必要条件がしばしば存在する。
従来の方法ではポリアミド酸、すなわちポリイミドのプ
レポリマーの層をポジ型フォトレジストで被覆し、この
レジスト層をパターン−ワイス(1エght patt
ern−wise ) 露光し、次いで現像し、ポリア
ミド酸の層の露光部分を溶解し、残留するポリアミド酸
をイミド化する。
レポリマーの層をポジ型フォトレジストで被覆し、この
レジスト層をパターン−ワイス(1エght patt
ern−wise ) 露光し、次いで現像し、ポリア
ミド酸の層の露光部分を溶解し、残留するポリアミド酸
をイミド化する。
ポリイミドパターンを形成する技術が極めて簡単である
他の極めて興味ある方法では、感光性ポリアミド酸誘導
体、すなわち変性ポリアミド酸が用いられている。この
誘導体はネガ型レジストとして用いることができる。ポ
リアミド酸誘導体の層には架橋または重合を露光個所に
生じさせるパターン−ワイス露光させる。層を現像し、
層の非露光部分を溶解する。層の残留部分におけるポリ
アミド酸誘導体は熱処理によってポリイミドに転化する
。
他の極めて興味ある方法では、感光性ポリアミド酸誘導
体、すなわち変性ポリアミド酸が用いられている。この
誘導体はネガ型レジストとして用いることができる。ポ
リアミド酸誘導体の層には架橋または重合を露光個所に
生じさせるパターン−ワイス露光させる。層を現像し、
層の非露光部分を溶解する。層の残留部分におけるポリ
アミド酸誘導体は熱処理によってポリイミドに転化する
。
最近発行された「オルガニック コーテンクス アンド
アプライド ポリマー サイエンス プロシーデング
ス」第48巻、第70〜76頁(1988年8月)には
感光性イソシアナート−エチル メタクリレートで変性
された感光性ポリイミド シロキサンプレポリマーにつ
いて〃(9明されている。ボリイミ。
アプライド ポリマー サイエンス プロシーデング
ス」第48巻、第70〜76頁(1988年8月)には
感光性イソシアナート−エチル メタクリレートで変性
された感光性ポリイミド シロキサンプレポリマーにつ
いて〃(9明されている。ボリイミ。
ド シロキサン プレポリマーはイソシアナートーエチ
/L’メタク+Jレ−)と反応したベンゾ7エ/>二無
水物(70%)および1.8−ビスーr−アミノプロピ
ルテトラメチル ジシロキサン(80%)のブ四ツク重
合体である。この既知の感光性重合体の欠点はその生成
が極めて遅いことである。その結果、アミンとの反応触
媒は、イソシアネート試薬と反応し、次いでゲル化を促
進する水を形成する。
/L’メタク+Jレ−)と反応したベンゾ7エ/>二無
水物(70%)および1.8−ビスーr−アミノプロピ
ルテトラメチル ジシロキサン(80%)のブ四ツク重
合体である。この既知の感光性重合体の欠点はその生成
が極めて遅いことである。その結果、アミンとの反応触
媒は、イソシアネート試薬と反応し、次いでゲル化を促
進する水を形成する。
錫化合物による触媒は最終ポリイミドの電気的特性を害
する欠点がある。更に、イソシアネート試薬は健康に有
害である。
する欠点がある。更に、イソシアネート試薬は健康に有
害である。
また、かかる既知の感光性プレポリマーは、例えば紫外
線の影響下で架橋が極めて遅い。また、架橋するために
は光の外に、熱を必要とする。
線の影響下で架橋が極めて遅い。また、架橋するために
は光の外に、熱を必要とする。
本発明の目的は標準周囲温度において光、例えば紫外線
の影響下で効果的に架橋結合する感光性ポリアミド酸誘
導体を提供することである。
の影響下で効果的に架橋結合する感光性ポリアミド酸誘
導体を提供することである。
本発明の他の目的は任意の有害または走性試薬を用いず
にポリアミド酸誘導体を製造する方法を提供することで
ある。
にポリアミド酸誘導体を製造する方法を提供することで
ある。
また、本発明の他の目的は触媒を用いずに容易に製造で
きる感光性ポリアミド酸誘導体を提供することである。
きる感光性ポリアミド酸誘導体を提供することである。
上記目的を達成するための、本発明の新規な感光性ポリ
アミド酸誘導体はポリアミド酸を次の式: で表わされる化合物で処理して得た誘導体である。
アミド酸誘導体はポリアミド酸を次の式: で表わされる化合物で処理して得た誘導体である。
上記式I中のAおよびRoは次の意味を有する;すなわ
ちAは次の基を示す; R,0 または 1 0 Roは1〜8個の炭素原子を有するアルキル基を示す。
ちAは次の基を示す; R,0 または 1 0 Roは1〜8個の炭素原子を有するアルキル基を示す。
更に、上記式1.m、IVおよびIVA中のR8gRB
m R4* R5t ”およびnは次に示す意味を有
する: R8は水素原子またはメチル基を示す、R8は水素原子
または1−4個の炭素原子を有するアルキル基を示す、 RおよびR5は同一かまたは異にする水素原子、メチル
基またはフェニル基を示し、 mは1〜6の数を示し、および nは0または1の数を示す。
m R4* R5t ”およびnは次に示す意味を有
する: R8は水素原子またはメチル基を示す、R8は水素原子
または1−4個の炭素原子を有するアルキル基を示す、 RおよびR5は同一かまたは異にする水素原子、メチル
基またはフェニル基を示し、 mは1〜6の数を示し、および nは0または1の数を示す。
こ\に「アルキル基」とは直鎖、側鎖および環状アルギ
ル基を包含することを意味する0反応は標準周囲温度に
おいて、好ましくは有機(1l ) ては、例えばエチレン グリコール ジメチル エーテ
ルの如きエーテル、ジメチルアセトアミドの如きアミド
、メタノールの如きアルコール、およびN−メチルピロ
リドンの如き複素環式溶剤を挙げることができる。
ル基を包含することを意味する0反応は標準周囲温度に
おいて、好ましくは有機(1l ) ては、例えばエチレン グリコール ジメチル エーテ
ルの如きエーテル、ジメチルアセトアミドの如きアミド
、メタノールの如きアルコール、およびN−メチルピロ
リドンの如き複素環式溶剤を挙げることができる。
ポリアミド酸に添加すべき」−記式Iの化合物の分量は
狭い範囲に制限する必要はない。式Iの化合物は、例え
ば化学風論的の10〜100%にすることができる。
狭い範囲に制限する必要はない。式Iの化合物は、例え
ば化学風論的の10〜100%にすることができる。
ポリアミド出発生成物は次式■Σ
(式中、R8は次式X:
112 )
に\に、R□。は次の式Xで示す基、すなオ〕ち−(O
H2)、−に−にqは1〜4の数を示す)、F8 Roは次の弐Xll; H80H8 OH80H。
H2)、−に−にqは1〜4の数を示す)、F8 Roは次の弐Xll; H80H8 OH80H。
の群から選択する基を示すに−にR□□け弐店で示す基
、すなわち、−(OH2)、= に−にrは1〜4の数
を示す) 、−oo−、−o−、−5o−、−so、−
および−0ONH−から選択する基を示し、Ro、は水
素原子または炭素アミド基を示し、およびpは15に少
なくとも等しい数を示す))で表わされる既知の物質で
ある。
、すなわち、−(OH2)、= に−にrは1〜4の数
を示す) 、−oo−、−o−、−5o−、−so、−
および−0ONH−から選択する基を示し、Ro、は水
素原子または炭素アミド基を示し、およびpは15に少
なくとも等しい数を示す))で表わされる既知の物質で
ある。
上記式IXのポリアミド酸は式XIV :0 0
(式中、R8は」二記と同様の基を示す)で表わされる
41機二無水物を等h(の式Xv:HN−R,−NH2
XV (式中、Roは上記と同様の基を示す)で表わされる有
機ジアミドと反応させて作ることができる。
41機二無水物を等h(の式Xv:HN−R,−NH2
XV (式中、Roは上記と同様の基を示す)で表わされる有
機ジアミドと反応させて作ることができる。
本発明において、ポリアミド酸としてはピロメリット酸
二無水物、または特に8 、8’ 、 4 、4’−ベ
ンゾフェノン テトラカルボン酸二無水物を等量の4.
4′−ジアミノジフェニル エーテルまたは4 、4’
−ジアミノジフェノール エーテル−3−カルボンア
ミドと反応させて得たのを用いるのが好ましい。
二無水物、または特に8 、8’ 、 4 、4’−ベ
ンゾフェノン テトラカルボン酸二無水物を等量の4.
4′−ジアミノジフェニル エーテルまたは4 、4’
−ジアミノジフェノール エーテル−3−カルボンア
ミドと反応させて得たのを用いるのが好ましい。
上記式Iの化合物のポリアミド酸の処理において、エス
テル化反応は次に示す反応式に従って生ずる: 1 この反応式において、ポリアミド酸分子は2個の一〇〇
〇H基が結合する垂直のこぎり歯ラインで表わすことが
でき、この表現は普通に用いられている。
テル化反応は次に示す反応式に従って生ずる: 1 この反応式において、ポリアミド酸分子は2個の一〇〇
〇H基が結合する垂直のこぎり歯ラインで表わすことが
でき、この表現は普通に用いられている。
本発明による感光性ポリアミド酸誘導体はポリアミド酸
を式■: (式中、R,は上記と同様の意味を有し、R6は水素原
子またはメチル基を示し、R9はイソプ四ピル基また(
Jシクロヘキシル基を示し、および2は2〜4の数を示
す)で表わされる化合物と反応させて得た誘導体が好I
Pシい。
を式■: (式中、R,は上記と同様の意味を有し、R6は水素原
子またはメチル基を示し、R9はイソプ四ピル基また(
Jシクロヘキシル基を示し、および2は2〜4の数を示
す)で表わされる化合物と反応させて得た誘導体が好I
Pシい。
他の一例において、本発明はポリアミド酸を式:
%式%
(式中、R7および2は上記と同様の意味を有する)で
表わされる化合物で処理して得た感光性ポリアミド酸誘
導体に関する。
表わされる化合物で処理して得た感光性ポリアミド酸誘
導体に関する。
また、本発明は基体」二にポリイミド パターンを形成
する方法に関し、この場合基体には感光性ポリアミド酸
誘導体の層を設け、上述するように層に光をパターン−
ワイス露光し、現像し、次いで熱処理して露光ポリアミ
ド酸誘導体をポリイミドに転化する。
する方法に関し、この場合基体には感光性ポリアミド酸
誘導体の層を設け、上述するように層に光をパターン−
ワイス露光し、現像し、次いで熱処理して露光ポリアミ
ド酸誘導体をポリイミドに転化する。
本発明においては、感光性ポリアミド酸誘導体を、先ず
溶剤、例えばN−メチルピロリドンおよびメタノールの
混合物に溶解する。この溶液に光開始剤、例えばミヒラ
ーケトン;ベンゾインエーテル;4,4’−ビス(ジエ
チルアミノ)ベンゾフェノンまたはチオキサントンを添
加する。光開始剤については、更にJ、Kosar 、
Jnhn Wiley sc 5ons(]61 氏による[Light −5ensit;土ve sy
stem J 148〜146ページおよび160〜1
88ページ(1965)に詳述されている。
溶剤、例えばN−メチルピロリドンおよびメタノールの
混合物に溶解する。この溶液に光開始剤、例えばミヒラ
ーケトン;ベンゾインエーテル;4,4’−ビス(ジエ
チルアミノ)ベンゾフェノンまたはチオキサントンを添
加する。光開始剤については、更にJ、Kosar 、
Jnhn Wiley sc 5ons(]61 氏による[Light −5ensit;土ve sy
stem J 148〜146ページおよび160〜1
88ページ(1965)に詳述されている。
Aを上記式IVAで示す」二記式Iのポリアミド酸誘導
体を用いる場合には、誘導体の溶液は弐XX1(式中、
Roは有機基を示す)で表わされるビスアジドからなる
。適当なビスアジドとしては、例えば式XXI : 1 H8 で示す化合物を挙げることができる。ビスアジドの量は
、例えば上記ポリアミド酸誘導体に対し1〜10%にす
る。
体を用いる場合には、誘導体の溶液は弐XX1(式中、
Roは有機基を示す)で表わされるビスアジドからなる
。適当なビスアジドとしては、例えば式XXI : 1 H8 で示す化合物を挙げることができる。ビスアジドの量は
、例えば上記ポリアミド酸誘導体に対し1〜10%にす
る。
ポリアミド酸誘導体の溶液は基体上に、例えば数ミクロ
メートルの厚さの薄膜に被着する。
メートルの厚さの薄膜に被着する。
適当な堆積プロセスとしては、基体を回転する、いワユ
る、スピン−コーテングプロセスである。
る、スピン−コーテングプロセスである。
溶剤を蒸発し、生成層に光パターン−ワイス、例えば紫
外線を露光する。例えば、層を孔、例えば線状孔からな
るマスクを介して光パターン−ワイス露光することがで
きる。露光個所においで、ポリアミド酸誘導体は架橋す
る。
外線を露光する。例えば、層を孔、例えば線状孔からな
るマスクを介して光パターン−ワイス露光することがで
きる。露光個所においで、ポリアミド酸誘導体は架橋す
る。
パターン−ワイス露光層を現、像し・非露光個所の材料
を溶解する。最後に、ポリアミド酸の誘導体を約250
〜450℃の温度で熱処理することによってポリイミド
に転化する(イミノ化)。
を溶解する。最後に、ポリアミド酸の誘導体を約250
〜450℃の温度で熱処理することによってポリイミド
に転化する(イミノ化)。
本発明の方法は、例えばガラス プレート、シリコンウ
ェハー、半導体材料のプレートなどのすべての種類の基
体に適用でき、この場合基体上にポリイミドのパターン
被覆層、ディスプレーの配向層、抵抗層、不動態化層を
形成することができる。
ェハー、半導体材料のプレートなどのすべての種類の基
体に適用でき、この場合基体上にポリイミドのパターン
被覆層、ディスプレーの配向層、抵抗層、不動態化層を
形成することができる。
本発明の方法は半導体技術に有利に適用でき、少なくと
も1個の半導体回路素子からなる半導体を有する半導体
装■t1例えばポリイミド パターン(19) を担持する工0またはチップとしばしば称される集積回
路を得ることができる。
も1個の半導体回路素子からなる半導体を有する半導体
装■t1例えばポリイミド パターン(19) を担持する工0またはチップとしばしば称される集積回
路を得ることができる。
「ジャーナル オブ ポリマー サイエンス」ポリマー
レタース エデション、 Vol、 19 、f129
〜686(1981)には、物質iN、N’−ジイソプ
ロピル−〇 −(N’−メタクリロイル−N′−メチル
アミノエチル)イソ成案が記載されでいる。また、この
物質はHEDIと称されている。
レタース エデション、 Vol、 19 、f129
〜686(1981)には、物質iN、N’−ジイソプ
ロピル−〇 −(N’−メタクリロイル−N′−メチル
アミノエチル)イソ成案が記載されでいる。また、この
物質はHEDIと称されている。
この物質はAが」二記式■の基を示し、R□がイソプロ
ピル基を示し、R2およびR8がメチル基を示しおよび
mが2を示す上記式Iを満している。
ピル基を示し、R2およびR8がメチル基を示しおよび
mが2を示す上記式Iを満している。
この既知の物質はN−ヒドロキシエチル−N−メチル−
メタクリルアミド(HE P A、 )をN、N’−ジ
イソプロピルカルボジイミドと有機溶剤、例えばテトラ
ヒドロフランの存在で反応中θ℃から常温に上昇する比
較的に低い温度で反応して作ることができる。0110
1またはouoz2で触媒作用させる。
メタクリルアミド(HE P A、 )をN、N’−ジ
イソプロピルカルボジイミドと有機溶剤、例えばテトラ
ヒドロフランの存在で反応中θ℃から常温に上昇する比
較的に低い温度で反応して作ることができる。0110
1またはouoz2で触媒作用させる。
Aが上記式Hの基を示す上記式Iの他の化合物も同様に
して作ることができる。
して作ることができる。
Aが上記式11.IVまたはIVAの基を示す」二記、
2111 式Iの化合物は新規な物質である。また、本発明は次式
Vll 、■および■Aで表わされる新規な物質に関す
る。
2111 式Iの化合物は新規な物質である。また、本発明は次式
Vll 、■および■Aで表わされる新規な物質に関す
る。
O■
1
゜ ■A
(上記式中、R,、R2,R4,R,、mおよびnは上
記と同様の意味を有する。) 上記式vnの化合物は弐裁■: h、 。
記と同様の意味を有する。) 上記式vnの化合物は弐裁■: h、 。
(式中、R2およびmは−に記と同様の意味を有する)
の化合物を式XVIII : R−N=0=N−R,XVl[1 (式中、R1は上記と同様の意味を有する)の化合物と
反応させて作ることができる。
の化合物を式XVIII : R−N=0=N−R,XVl[1 (式中、R1は上記と同様の意味を有する)の化合物と
反応させて作ることができる。
反応は、有機溶剤、例えばテトラヒドロフランの存在で
0°Cから常温の比較的に低い湿度で行う。反応はQu
(]tまたは011012で触媒作用するのが好ましい
。反応媒質はN + N ’−ジイソプロピル尿素で緩
衝するのが好ましい。
0°Cから常温の比較的に低い湿度で行う。反応はQu
(]tまたは011012で触媒作用するのが好ましい
。反応媒質はN + N ’−ジイソプロピル尿素で緩
衝するのが好ましい。
上記式■およびVll Aの化合物は弐XIVまたはX
IXA+ 1 (式中、R,、R,、mおよびnは上記と同様の意味を
有する)の化合物を上記式忘の化合物と反L卜させるこ
とにより作ることができる。
IXA+ 1 (式中、R,、R,、mおよびnは上記と同様の意味を
有する)の化合物を上記式忘の化合物と反L卜させるこ
とにより作ることができる。
反応は上述すると同様に溶剤の存在で、比較的低い温度
で、好ましくは触媒として、例えばQuO7または01
1 (1l 2を用いて行うことができる。
で、好ましくは触媒として、例えばQuO7または01
1 (1l 2を用いて行うことができる。
次に本発明を実施例について説明する。
18、(19(0,1モル)の2−ヒドロキシエチル
メタクリlノートおよび]、2.69(0,1モル)の
N 、 N’−ジイソプロピルカルボジイミドの混合物
を0°C(ご冷却した。この混合物をN2下で貯蔵した
。この混合物に10m9のoualを攪拌しながら添加
し、この混合物を0°Cで2時間にわたり攪拌し、次い
で常温で4日間にわたり貯蔵した。この混合物2)をア
セトンに溶解し、溶液に5 rnlのアセトンに溶解し
た0、259のしゆう酸を添加した。生成した沈殿を戸
別し、アセトンに溶解し、エーテルで沈殿させた。この
プロセスを数回にわたり繰返した。生成したN 、 N
’−ジイソプロピル−〇−(jl!−メタクリロイルオ
キシエチル)イソ尿素のしゆう(28) 酸塩は1.18〜120゛″Cの融点範囲を有していた
。i収率50% 20rn9の塩化第一銅を1.0.19ノN−(2−L
)−四キジエチル) −2,8ジメチルマレイミドお
」二び11゜89のN 、 N’−ジイソプロピルカル
ボジイミドの混合物に添加した。この混合物を70’C
で7時間にわたり加熱した。N、N’−ジイソプロピル
−〇−[−(g+a−ジメチルマレイミド)工千ル〕イ
ソ尿素を収率1.8.2G’で得た。この生成物の沸点
範囲は184〜186℃(0,04關Hgで)であった
。
メタクリlノートおよび]、2.69(0,1モル)の
N 、 N’−ジイソプロピルカルボジイミドの混合物
を0°C(ご冷却した。この混合物をN2下で貯蔵した
。この混合物に10m9のoualを攪拌しながら添加
し、この混合物を0°Cで2時間にわたり攪拌し、次い
で常温で4日間にわたり貯蔵した。この混合物2)をア
セトンに溶解し、溶液に5 rnlのアセトンに溶解し
た0、259のしゆう酸を添加した。生成した沈殿を戸
別し、アセトンに溶解し、エーテルで沈殿させた。この
プロセスを数回にわたり繰返した。生成したN 、 N
’−ジイソプロピル−〇−(jl!−メタクリロイルオ
キシエチル)イソ尿素のしゆう(28) 酸塩は1.18〜120゛″Cの融点範囲を有していた
。i収率50% 20rn9の塩化第一銅を1.0.19ノN−(2−L
)−四キジエチル) −2,8ジメチルマレイミドお
」二び11゜89のN 、 N’−ジイソプロピルカル
ボジイミドの混合物に添加した。この混合物を70’C
で7時間にわたり加熱した。N、N’−ジイソプロピル
−〇−[−(g+a−ジメチルマレイミド)工千ル〕イ
ソ尿素を収率1.8.2G’で得た。この生成物の沸点
範囲は184〜186℃(0,04關Hgで)であった
。
実施例8ポリアミド酸の製造
10.09(50ミリモル)の4.4’−ジアミノジフ
ェニルエーテルおJ:び】60ノの新しく蒸留した乾燥
ジメチルアセトアミドを攪拌機、塩化カルシウム充填管
および固体の添加に適当なスルースシフ1. f A
(5luice system )を具えた乾燥50Q
tntフラスコに不活性雰囲気下で入れた。フラスコの
内容物を反応中窒素下に維持した。スルース シス(2
4) テムヲ介して16゜19(50ミリモル)のベンゾフェ
ノン テトラカルボン酸二無水物を激しく攪拌した溶液
に添加した。攪拌を反応が完了するまで継続した。
ェニルエーテルおJ:び】60ノの新しく蒸留した乾燥
ジメチルアセトアミドを攪拌機、塩化カルシウム充填管
および固体の添加に適当なスルースシフ1. f A
(5luice system )を具えた乾燥50Q
tntフラスコに不活性雰囲気下で入れた。フラスコの
内容物を反応中窒素下に維持した。スルース シス(2
4) テムヲ介して16゜19(50ミリモル)のベンゾフェ
ノン テトラカルボン酸二無水物を激しく攪拌した溶液
に添加した。攪拌を反応が完了するまで継続した。
実施例Φ 感光性ポリアミド酸誘導体の製造26.19
のポリアミド酸を1609のジメ千ルアセトアミドに溶
解した溶液を乾燥2 t O(] ]Q−フラスに入れ
た。これに609のエチレン グリコールジメチルエー
テルを添加した。この混合物にN−メチルピロリドンお
よびメタノールの乾燥液体混合物(混合比5:1)12
59に溶解した88.79(0゜125モル)のN、N
’−ジイソプロピル−〇−(N’−メタクリロイル−N
′−メチルアミノエチル)−イソ尿素を投与ポンプによ
り2時間にわたり添加した。溶液ENN−メチルピロリ
ドンよびメタノール(5+1)の乾燥液体混合物500
9で稀釈した。溶液の電気伝導度を測定することによっ
て、添加時間の最初から約8時間経過後に反応が完了し
たことを確めた。全反応期間中、溶液を攪拌した。
のポリアミド酸を1609のジメ千ルアセトアミドに溶
解した溶液を乾燥2 t O(] ]Q−フラスに入れ
た。これに609のエチレン グリコールジメチルエー
テルを添加した。この混合物にN−メチルピロリドンお
よびメタノールの乾燥液体混合物(混合比5:1)12
59に溶解した88.79(0゜125モル)のN、N
’−ジイソプロピル−〇−(N’−メタクリロイル−N
′−メチルアミノエチル)−イソ尿素を投与ポンプによ
り2時間にわたり添加した。溶液ENN−メチルピロリ
ドンよびメタノール(5+1)の乾燥液体混合物500
9で稀釈した。溶液の電気伝導度を測定することによっ
て、添加時間の最初から約8時間経過後に反応が完了し
たことを確めた。全反応期間中、溶液を攪拌した。
反応中に生成したジイソプロピル尿素を除去した。この
操作を2つの手段で行った。すなわち、第一の手段では
生成溶液を部分蒸発し、−15°Cに冷却し、結晶ジイ
ソプロピルjへ累を濾過により除去した。
操作を2つの手段で行った。すなわち、第一の手段では
生成溶液を部分蒸発し、−15°Cに冷却し、結晶ジイ
ソプロピルjへ累を濾過により除去した。
第二の手段では溶液をフィルム蒸発器で濃縮し、un)
N−メチルピロリドンおよびメタノール混合物(混合比
5:])で稀釈した。感光性ポリアミド酸誘導体をジエ
チルエーテルの添加により沈殿させた。誘導体を分離し
、N−メチルピロリドンおよびメタノールに溶解し、ジ
エチルエーテルの添加によって再び沈殿させた。
N−メチルピロリドンおよびメタノール混合物(混合比
5:])で稀釈した。感光性ポリアミド酸誘導体をジエ
チルエーテルの添加により沈殿させた。誘導体を分離し
、N−メチルピロリドンおよびメタノールに溶解し、ジ
エチルエーテルの添加によって再び沈殿させた。
誘導体を分離し、N−メチルピロリドンおよびメタノー
ルに溶解し、ジエチルエーテルで再び沈殿させた。
ルに溶解し、ジエチルエーテルで再び沈殿させた。
次いで、かようにして精製した誘導体をN−メチルピロ
リドンに溶解し、2重量%のミヒラーケトンを添加した
後シリコン ウェハー上に流した。
リドンに溶解し、2重量%のミヒラーケトンを添加した
後シリコン ウェハー上に流した。
生成フィルムを80°Cで乾燥し、次いで線状孔を有す
るマスクを介して60秒間にわたり500W高圧水銀灯
の光に曝した。ジメチルアセトアミドおよびメタノール
の液体混合物(2:1)で現像した後、シャープな縁を
有するパターンを形成した。現像フィルムを150°C
で1時間および400°Cで]時間にわたり加熱し、露
光ポリアミド酸誘導体をポリイミドに転化した。パター
ンのシャープな境界を維持した。
るマスクを介して60秒間にわたり500W高圧水銀灯
の光に曝した。ジメチルアセトアミドおよびメタノール
の液体混合物(2:1)で現像した後、シャープな縁を
有するパターンを形成した。現像フィルムを150°C
で1時間および400°Cで]時間にわたり加熱し、露
光ポリアミド酸誘導体をポリイミドに転化した。パター
ンのシャープな境界を維持した。
実施例5
感光性ポリアミド酸誘導体を、実施例1および2に記載
したイソ尿素化合物をポリアミド酸と反応させて実施例
4に記載するようにして生成した。
したイソ尿素化合物をポリアミド酸と反応させて実施例
4に記載するようにして生成した。
生成したポリアミド酸誘導体をN−メチルピロリドンに
溶解し、光開始剤を加えた。実施例1におけるようにイ
ソ尿素から誘導したポリアミド酸誘導体において、ミヒ
ラーケトンを光開始剤として用いた。実施例2における
ようにイソ尿素から一誘導したポリアミド酸誘導体に、
千オキサントンを光開始剤として用いた。これらの溶液
をシリコンウェハー上に流した。生成したフィルムを乾
燥し、パターン−ワイス露光し、実施例4に記載す(2
7) るようにして現像した。現像後、露光したポリアミド酸
誘導体を熱処理によりポリイミドに転化した。パターン
の品質は完全に保持された。
溶解し、光開始剤を加えた。実施例1におけるようにイ
ソ尿素から誘導したポリアミド酸誘導体において、ミヒ
ラーケトンを光開始剤として用いた。実施例2における
ようにイソ尿素から一誘導したポリアミド酸誘導体に、
千オキサントンを光開始剤として用いた。これらの溶液
をシリコンウェハー上に流した。生成したフィルムを乾
燥し、パターン−ワイス露光し、実施例4に記載す(2
7) るようにして現像した。現像後、露光したポリアミド酸
誘導体を熱処理によりポリイミドに転化した。パターン
の品質は完全に保持された。
+ 28 ・
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ポリアミド酸を、次の式I: (式中、R,4j: 1〜8個の炭素原子を有するアル
キル基を示し、Aは式 %式% (」二記式中、R2は水素原子またはメチル基を示し、
R8は水素原子または1〜4個の炭素原子を有するアル
キル基を示し、R1およびR5は同一かまたは異にする
水素原子、メチル基またはフェニル基を示し、mは1〜
6の数を示し、およびnは0または1を示す)で表わさ
れる基からなる詳から選択する基を示す)で表わされる
化合物で処理して得た感光性ポリアミド酸誘導体。 λ ポリアミド酸を、次の式V: (式中、R8は水素原子またはメチル基を示し、R6は
水素原子またはメチル基を示し、R7Gt イソプロピ
ル基またはシク四ヘキシル基を示し、および2は2〜4
の数を示す)で表わされる化合物で処理して得た感光性
ポリアミド酸誘導体。 8、 ポリアミド酸を、次の式vI: 1 (式中、R7はイソプロピル基またはシクロヘキシル基
を示し、および2は2〜4の数を示す)で表わされる化
合物で処理して得た感光性ポリアミド酷誘導体。 4、 誘導体は次に示す式v■、■または非A;0 ■ 1 (式中、Roは1〜8個の炭素原子を有するアルキル基
を示し、R2に水素原子またはメチル基を示し、R1お
よびR5は同一かまたは異にする水素原子、メチル基ま
たはフェニル基を示し、mは1〜6の数を示し、および
nは0または1の数を示す)で表わす化合物である特許
請求の範囲第1項記載の感光性ポリアミド酸誘導体。 5、 基体は、ポリアミド酸を、次の式I:(式中、R
oは1〜81II!1の炭素原子を有するアルキル基を
示し、およびAは式: %式% (上記式中、R2は水素原子またはメチル基を示し、R
8は水素原子または1〜4個の炭素原子を有するアルキ
ル基を示し、R1およびR6は同一かまたは異にする水
素原子、メチル基またはフェニル基を示し、mは1〜6
の数を示し、およびnは0または1を示す)で表わされ
る基からなる群から選択する基を示す)で表わされる化
合物で処理して得た感光性ポリアミドIBM導体;ポリ
アミド酸を、次の式■: (式中、R2は水素原子またはメチル基を示し、R6L
l水素ハ3(子またはメチル基を示し、R7はイソプロ
ピル基またはシクロヘキシル基を示し、お、1:び2は
2〜4の数を示す)で表わされる化合物で処理して得た
感光性ポリアミド酸誘導f杢;またはポリアミド酸を、
次の式vI; 1 1 (式中、R7はイソプロピル基またはシクロヘキシル基
を示し、および2は2〜4の数を示す)で表わされる化
合物で処理して得た感光性ポリアミド酸誘導体の層から
なり、該層をパターン・ワイス露光し、現像し、次いで
ポリアミド酸誘導体パターンを熱処理し、露光ポリアミ
ド酸誘導体をポリイミドに転化することを特徴とする基
体上にポリイミドパターンを形成する方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8302338 | 1983-07-01 | ||
NL8302338 | 1983-07-01 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6026033A true JPS6026033A (ja) | 1985-02-08 |
Family
ID=19842095
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59133435A Pending JPS6026033A (ja) | 1983-07-01 | 1984-06-29 | 感光性ポリアミド酸誘導体およびこれを用いて基体上にポリイミドパタ−ンを形成する方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4661435A (ja) |
EP (1) | EP0131992B1 (ja) |
JP (1) | JPS6026033A (ja) |
DE (1) | DE3469608D1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3411714A1 (de) * | 1984-03-29 | 1985-10-10 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung von polyimidazol- und polyimidazopyrrolon-reliefstrukturen |
CN1004490B (zh) * | 1985-04-27 | 1989-06-14 | 旭化成工业株式会社 | 可固化组合物 |
DE3717933A1 (de) * | 1987-05-27 | 1988-12-08 | Hoechst Ag | Photopolymerisierbares gemisch, dieses enthaltendes aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von hochwaermebestaendigen reliefstrukturen |
US4883744A (en) * | 1988-05-17 | 1989-11-28 | International Business Machines Corporation | Forming a polymide pattern on a substrate |
US5021487A (en) * | 1988-05-27 | 1991-06-04 | Loctite Corporation | Thermally stabilized acrylic adhesive compositions and novel methacrylated malemide compounds useful therein |
US5202221A (en) * | 1988-11-11 | 1993-04-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light-sensitive composition |
US5206117A (en) * | 1991-08-14 | 1993-04-27 | Labadie Jeffrey W | Photosensitive polyamic alkyl ester composition and process for its use |
ES2146128B1 (es) * | 1995-03-31 | 2001-03-16 | Consejo Superior Investigacion | Procedimiento de fotoenmascaramiento de poliimidas fotosensibles con compuestos organometalicos para procesos fotolitograficos en tecnologia de silicio. |
US20080071269A1 (en) * | 2006-09-18 | 2008-03-20 | Cytyc Corporation | Curved Endoscopic Medical Device |
TW201026513A (en) * | 2009-01-08 | 2010-07-16 | Univ Nat Cheng Kung | Imprinting process of polyimide |
US10696932B2 (en) | 2015-08-03 | 2020-06-30 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Cleaning composition |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53127723A (en) * | 1977-04-13 | 1978-11-08 | Hitachi Ltd | Image formation method |
JPS5638038A (en) * | 1979-08-01 | 1981-04-13 | Toray Ind Inc | Photosensitive polyimide precursor |
JPS57102936A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-26 | Osaka Soda Co Ltd | Chlorinated polyethylene composition having improved rubber processability |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4158731A (en) * | 1975-06-18 | 1979-06-19 | Ciba-Geigy Corporation | Crosslinkable polymeric compounds |
DE2967162D1 (en) * | 1978-09-29 | 1984-09-13 | Hitachi Ltd | Light-sensitive polymer composition |
DE2919840A1 (de) * | 1979-05-16 | 1980-11-20 | Siemens Ag | Verfahren zur phototechnischen herstellung von reliefstrukturen |
DE2933871A1 (de) * | 1979-08-21 | 1981-03-12 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung hochwaermebestaendiger reliefstrukturen und deren verwendung. |
DE3021787A1 (de) * | 1980-06-10 | 1981-12-17 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung hochwaermebestaendiger reliefstrukturen und deren verwendung |
US4329419A (en) * | 1980-09-03 | 1982-05-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Polymeric heat resistant photopolymerizable composition for semiconductors and capacitors |
GB2092164B (en) * | 1980-12-17 | 1984-12-05 | Hitachi Ltd | Loght or radiation-sensitive polymer composition |
-
1984
- 1984-06-29 JP JP59133435A patent/JPS6026033A/ja active Pending
- 1984-06-29 DE DE8484200943T patent/DE3469608D1/de not_active Expired
- 1984-06-29 EP EP84200943A patent/EP0131992B1/en not_active Expired
-
1986
- 1986-02-10 US US06/828,093 patent/US4661435A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS5638038A (en) * | 1979-08-01 | 1981-04-13 | Toray Ind Inc | Photosensitive polyimide precursor |
JPS57102936A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-26 | Osaka Soda Co Ltd | Chlorinated polyethylene composition having improved rubber processability |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0131992B1 (en) | 1988-03-02 |
EP0131992A1 (en) | 1985-01-23 |
DE3469608D1 (en) | 1988-04-07 |
US4661435A (en) | 1987-04-28 |
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